JPS61100956A - モノブリツド集積回路 - Google Patents
モノブリツド集積回路Info
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- JPS61100956A JPS61100956A JP22170384A JP22170384A JPS61100956A JP S61100956 A JPS61100956 A JP S61100956A JP 22170384 A JP22170384 A JP 22170384A JP 22170384 A JP22170384 A JP 22170384A JP S61100956 A JPS61100956 A JP S61100956A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路上にＳｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ等
の金属薄膜抵抗を蒸着するいわゆるモノブリッド集積回
路に関するものである。
の金属薄膜抵抗を蒸着するいわゆるモノブリッド集積回
路に関するものである。
従来の技術
第３図は従来のモノブリッド集積回路（以下、モノブリ
ッドＩＣという。）の−例を示す断面図である。シリコ
ン基板１上のシリコン酸化膜２の表面に金属薄膜抵抗を
蒸着、パターンニングをして金属薄膜抵抗４を形成し、
その両端に金属配線３で電極を形成する。
ッドＩＣという。）の−例を示す断面図である。シリコ
ン基板１上のシリコン酸化膜２の表面に金属薄膜抵抗を
蒸着、パターンニングをして金属薄膜抵抗４を形成し、
その両端に金属配線３で電極を形成する。
かかるモノブリッドＩＣは、通常の半導体ＩＣの拡散抵
抗の欠点である、■高抵抗が安く作れない、■温度係数
が大きい、■電圧係数が大きい、■機械的歪で値が変り
易い、■トリミングが出来表い等を克服するものとして
広く用いられている。
抗の欠点である、■高抵抗が安く作れない、■温度係数
が大きい、■電圧係数が大きい、■機械的歪で値が変り
易い、■トリミングが出来表い等を克服するものとして
広く用いられている。
特に高精度が要求されるアナログＩＣ例えば、Ｄ／Ａ、
Ａ／Ｄ変換器、基準電圧源、計装増幅器等の製造には不
可欠なものとされている。上記モノブリ、ドＩＣは使用
環境が良好な工業用分野で使用される場合が多く、ＩＣ
のパッケージとしてはセラミック等の気密性パッケージ
に収容されているものがほとんどである。
Ａ／Ｄ変換器、基準電圧源、計装増幅器等の製造には不
可欠なものとされている。上記モノブリ、ドＩＣは使用
環境が良好な工業用分野で使用される場合が多く、ＩＣ
のパッケージとしてはセラミック等の気密性パッケージ
に収容されているものがほとんどである。
しかしながら、近年使用環境が厳しくかつ低価格が要求
される民生用市場においても、かかる高精度ＩＣが使わ
れはじめており、チップのコストを下げることと当然な
がらプラスチ、り族パッケージに収容する要求が出て来
ている。プラスチックパッケージの大きな問題は、外部
から水分カ五侵入してＩＣ表面の配線を腐食する現象、
す力わち耐湿性が惑い点にある。モールド材、ペースリ
ボンの改良も試みられているが、最も有効な方法と現在
考えられているのは、チップの配線上に保腹膜を被接せ
ることである。保設膜としては各種検討され℃いるが、
プラズマ中でシランと７ンそニアを分解して堆積された
シリコン窒イヒ膜（以下、プラズマ窒化膜をいう。）が
有力であるとされている。
される民生用市場においても、かかる高精度ＩＣが使わ
れはじめており、チップのコストを下げることと当然な
がらプラスチ、り族パッケージに収容する要求が出て来
ている。プラスチックパッケージの大きな問題は、外部
から水分カ五侵入してＩＣ表面の配線を腐食する現象、
す力わち耐湿性が惑い点にある。モールド材、ペースリ
ボンの改良も試みられているが、最も有効な方法と現在
考えられているのは、チップの配線上に保腹膜を被接せ
ることである。保設膜としては各種検討され℃いるが、
プラズマ中でシランと７ンそニアを分解して堆積された
シリコン窒イヒ膜（以下、プラズマ窒化膜をいう。）が
有力であるとされている。
しかるに、プラズマ窒化膜は完全に８ｉ１Ｎ、の構造に
なっておらす、不安定な状態であるので、薄膜抵抗の材
料として通常用いられる８ｉ−Ｃｒ。
なっておらす、不安定な状態であるので、薄膜抵抗の材
料として通常用いられる８ｉ−Ｃｒ。
Ｎｉ−Ｃｒと反応して抵抗値を変えてしまうことが見出
された。このことは高精度ＩＣとし父は致命的であり、
モノブリッドＩＣのグツステックモールド化は困難であ
るという間勉点があった。
された。このことは高精度ＩＣとし父は致命的であり、
モノブリッドＩＣのグツステックモールド化は困難であ
るという間勉点があった。
従り″′Ｃ，本発明の目的は上記の従来技術の問題点を
解消し、プラスチ、クモールドで封止し【も充分高信頼
度を維持出来る構造のモノブリッドエＣを提供すること
にある。
解消し、プラスチ、クモールドで封止し【も充分高信頼
度を維持出来る構造のモノブリッドエＣを提供すること
にある。
、（問題点を解決するための手段〕
本発明のモノブリッド集積回路は、半導体集積回路の絶
縁膜上に金属薄膜抵抗を搭載するモノブリッド集積回路
にお埴【、前記金属薄膜抵抗の電極部分における該金属
薄膜抵抗と金属配線との接触が、該金属配線の端部の端
面及び上面の少くとも一部分におい（なされるよう構成
されたことからなっている。 □ すなわち、本発明の七ノブリット集積回路は、電極部分
における金属薄膜抵抗とアルミニウム等の金属配線と接
触を、従来のように、金属配線端部の下面でなく、その
端面又は端面及び上面の少くとも一部分で行うことによ
り、金属薄膜抵抗の抵抗部分とプラズマ窒化膜の面接触
を避けながら金属配線の表面の大部分をプラズマ窒化膜
でａ５ことを可能にするものである。
縁膜上に金属薄膜抵抗を搭載するモノブリッド集積回路
にお埴【、前記金属薄膜抵抗の電極部分における該金属
薄膜抵抗と金属配線との接触が、該金属配線の端部の端
面及び上面の少くとも一部分におい（なされるよう構成
されたことからなっている。 □ すなわち、本発明の七ノブリット集積回路は、電極部分
における金属薄膜抵抗とアルミニウム等の金属配線と接
触を、従来のように、金属配線端部の下面でなく、その
端面又は端面及び上面の少くとも一部分で行うことによ
り、金属薄膜抵抗の抵抗部分とプラズマ窒化膜の面接触
を避けながら金属配線の表面の大部分をプラズマ窒化膜
でａ５ことを可能にするものである。
以下１本発明の実施例について２面を参照して説明する
。
。
第１図（場は本発明の一実施例の断面図、第１図（ロ）
はその平面図である。
はその平面図である。
本実施例は、シリコン基板１１上のシリ；ン酸化膜１７
の表面に、先ず金属配線１８を形成し、表面にプラズマ
窒化膜２０を被着し、プラズマ窒化膜の一部分２０ａを
取り除き、この上か１：）８ｉ−Ｃｒ等の薄膜を蒸着し
パターンエングを行うことにより、金属薄膜抵抗１９を
形成し【出来上ったものである。
の表面に、先ず金属配線１８を形成し、表面にプラズマ
窒化膜２０を被着し、プラズマ窒化膜の一部分２０ａを
取り除き、この上か１：）８ｉ−Ｃｒ等の薄膜を蒸着し
パターンエングを行うことにより、金属薄膜抵抗１９を
形成し【出来上ったものである。
第１図（ｂ）から分る様に、プラズマ窒化ｌＫ２Ｏと接
触している金属薄膜抵抗１９は１点鎖線でハツチングを
はとこした部分２１のみであり、この部分２１の抵抗値
が変化しても、抵抗の電極の外側であるので全体の抵抗
値には影響を与えない。又プラズマ窒化膜２０で覆れて
いない金属配線１８は、部分２２のみでこれも目合せマ
ージン用であるから万−腐蝕され又も動作上問題となら
ない。
触している金属薄膜抵抗１９は１点鎖線でハツチングを
はとこした部分２１のみであり、この部分２１の抵抗値
が変化しても、抵抗の電極の外側であるので全体の抵抗
値には影響を与えない。又プラズマ窒化膜２０で覆れて
いない金属配線１８は、部分２２のみでこれも目合せマ
ージン用であるから万−腐蝕され又も動作上問題となら
ない。
第１図−）では、プラズマ窒化膜２０．金属配線１８の
各段を全１ｒｄｌ！Ｍ抵抗１９が完全に被覆した場合が
ａｉＩｖｈであるが、実際には金属薄膜抵抗は、両者よ
りもかなり薄いため、これ等の段で切断される恐れもあ
るが、たとえ切断されたとしても場面で金属配線と接触
しており、動作には支障を生じない。
各段を全１ｒｄｌ！Ｍ抵抗１９が完全に被覆した場合が
ａｉＩｖｈであるが、実際には金属薄膜抵抗は、両者よ
りもかなり薄いため、これ等の段で切断される恐れもあ
るが、たとえ切断されたとしても場面で金属配線と接触
しており、動作には支障を生じない。
第２図に）〜（ｃ）は本発明の他の実施例の製造方法を
示す主要工程における断面図である。
示す主要工程における断面図である。
本実施例はレリ矛兎板ｌｌ上にＮＰＮ）ランジスタ１０
１と金属薄膜抵抗１９を構成した場合を示す。
１と金属薄膜抵抗１９を構成した場合を示す。
第２図（ａ）Ｋ示すように１通常のバイポーラＩＣと同
様な製造方法でＮＰＮ）ランジスタ１０１の電極用窓明
けを行う。その後第２図−）Ｋ示すように、アルミニウ
ムを電極１８′用として蒸着して、配線部分を除いて取
り去る。このときに将来金属薄膜抵抗１９が形成される
部分にはシリコン酸化膜１７上に抵抗の両端の電極部分
となる金属配線１８として残しておく。そしてその表面
にプラズマ窒化膜２０を堆積し、金属薄膜抵抗」９が形
成される部分より若干のマージンをもって広目に取り除
く。しかる後に第２１ｇ（Ｃ）に示す如（、Ｓｉ −Ｃ
ｒを全面に蒸着して所定の形にパターニングする。
様な製造方法でＮＰＮ）ランジスタ１０１の電極用窓明
けを行う。その後第２図−）Ｋ示すように、アルミニウ
ムを電極１８′用として蒸着して、配線部分を除いて取
り去る。このときに将来金属薄膜抵抗１９が形成される
部分にはシリコン酸化膜１７上に抵抗の両端の電極部分
となる金属配線１８として残しておく。そしてその表面
にプラズマ窒化膜２０を堆積し、金属薄膜抵抗」９が形
成される部分より若干のマージンをもって広目に取り除
く。しかる後に第２１ｇ（Ｃ）に示す如（、Ｓｉ −Ｃ
ｒを全面に蒸着して所定の形にパターニングする。
このとき金属薄膜抵抗１９の電極取り出し部分は配線金
Ａ！１８とプラズマ窒化膜２０にまたがって形成される
ようにする。
Ａ！１８とプラズマ窒化膜２０にまたがって形成される
ようにする。
なお、第２図−）〜Ｉｃ）において、１２は埋込み拡散
領域、１３はコレクタ領域、１４はベース領域、１５は
エミ、り領域、１６はコレクタ電極取り出し領域である
。
領域、１３はコレクタ領域、１４はベース領域、１５は
エミ、り領域、１６はコレクタ電極取り出し領域である
。
この方法によりて、素子間の配線領域のほとんどはプラ
ズマ窒化膜でおおわれ、金属薄膜抵抗の導電部分はプラ
ズマ窒化膜と接触しないため、耐湿性Ｋｌれた高精度Ｉ
Ｃの実現が可能となる。
ズマ窒化膜でおおわれ、金属薄膜抵抗の導電部分はプラ
ズマ窒化膜と接触しないため、耐湿性Ｋｌれた高精度Ｉ
Ｃの実現が可能となる。
なお、実施例の８ｉ−Ｃｒ上に、８ｉ−Ｃｒと反応をし
ない膜、例えばＣＶＤ５ｉＯ，等を被覆することも本発
明の範囲に含まれることは言うまでもない。
ない膜、例えばＣＶＤ５ｉＯ，等を被覆することも本発
明の範囲に含まれることは言うまでもない。
又、上記実施例においては、金１７ｒ４薄Ｂｌ＆抵抗と
金属配線の動部の接触が、端面の一部分と上面の一部分
とでなされる例を示したが、とれｈ端部の端面と上面の
全部でなされるように構成しても良いことはもち論であ
る２ 〔発明の効果〕 以上、詳細説明したとおり、本発明のモノブリッド集積
回路は、金属薄膜抵抗の電極部分における金属薄膜抵抗
と金属配線との・接触が、金属配線の端部の端面及び上
面の少くとも一部分においてなされるよう４１！成され
るので、金属薄膜抵抗の抵抗部分とシリコン窒化膜との
直接的な面接触を避けながぎ、金属配線の表面を含んで
シリコン窒化膜で覆うことができるので、従来のように
、金属薄膜抵抗の抵抗値が変化すること無く、かつプラ
スチックモールド化されたＩＣにおいても十分に高い信
頼度か得られるという効果を有する。
金属配線の動部の接触が、端面の一部分と上面の一部分
とでなされる例を示したが、とれｈ端部の端面と上面の
全部でなされるように構成しても良いことはもち論であ
る２ 〔発明の効果〕 以上、詳細説明したとおり、本発明のモノブリッド集積
回路は、金属薄膜抵抗の電極部分における金属薄膜抵抗
と金属配線との・接触が、金属配線の端部の端面及び上
面の少くとも一部分においてなされるよう４１！成され
るので、金属薄膜抵抗の抵抗部分とシリコン窒化膜との
直接的な面接触を避けながぎ、金属配線の表面を含んで
シリコン窒化膜で覆うことができるので、従来のように
、金属薄膜抵抗の抵抗値が変化すること無く、かつプラ
スチックモールド化されたＩＣにおいても十分に高い信
頼度か得られるという効果を有する。
第１図（ａ）及び偽）はそれぞれ本発明の一実施例を示
す断面図及び平面図である。１ｇ２図（ａｌ〜（Ｃ）は
本発明の他の実施例の製造方法を示す実施例の工程順の
断面図、第３図は従来のモノプリ、ド集積回路の一例を
示す断面図である。 １１・・・・・・シリコン基板、１２・・・・・・埋込
み拡散領域、１３・・・・・・コレクタ領域、１４・・
・・・・ベース領域、１５・・・・・・エミッタ領域、
１６・・・・・・コレクタ取り出室化膜、２０ａ・・・
・・・プラズマ窒化膜を除去した部分、２１・・・・・
・金属薄膜抵抗とプラズマ窒化膜の接触部分、２２・・
・・・・金属配線のプラズマ窒化膜で覆われていない部
分。 （の Ｚり （ｂ〕 算 ／Ｉ！１ ／θｌ 〆 Ｚ 、／ソコ）Δ目シイを汗ヌ 第３ 図
す断面図及び平面図である。１ｇ２図（ａｌ〜（Ｃ）は
本発明の他の実施例の製造方法を示す実施例の工程順の
断面図、第３図は従来のモノプリ、ド集積回路の一例を
示す断面図である。 １１・・・・・・シリコン基板、１２・・・・・・埋込
み拡散領域、１３・・・・・・コレクタ領域、１４・・
・・・・ベース領域、１５・・・・・・エミッタ領域、
１６・・・・・・コレクタ取り出室化膜、２０ａ・・・
・・・プラズマ窒化膜を除去した部分、２１・・・・・
・金属薄膜抵抗とプラズマ窒化膜の接触部分、２２・・
・・・・金属配線のプラズマ窒化膜で覆われていない部
分。 （の Ｚり （ｂ〕 算 ／Ｉ！１ ／θｌ 〆 Ｚ 、／ソコ）Δ目シイを汗ヌ 第３ 図
Claims (1)
- 半導体集積回路の絶縁膜上に金属薄膜抵抗を搭載する
モノブリジッド集積回路において、前記金属薄膜抵抗の
電極部分における該金属薄膜抵抗と金属配線との接触が
、該金属配線の端部の端面及び上面の少くとも一部分に
おいてなされるよう構成されたことを特徴とするモノブ
リッド集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170384A JPS61100956A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | モノブリツド集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22170384A JPS61100956A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | モノブリツド集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100956A true JPS61100956A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16770950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22170384A Pending JPS61100956A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | モノブリツド集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100956A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271565A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
| EP1566831A2 (en) | 2004-02-18 | 2005-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing it |
| US7335967B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-02-26 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7358592B2 (en) | 2004-03-02 | 2008-04-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7425753B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7550819B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Metal thin-film resistance element on an insulation film |
| US7680660B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-03-16 | Sega Corporation | Voice analysis device, voice analysis method and voice analysis program |
| US7999352B2 (en) | 2004-02-19 | 2011-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| CN102376708A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 意法半导体有限公司 | 用于无过孔薄膜电阻器的横向连接 |
| US8809861B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Thin film metal-dielectric-metal transistor |
| US8927909B2 (en) | 2010-10-11 | 2015-01-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP22170384A patent/JPS61100956A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02271565A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-06 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
| EP1566831A2 (en) | 2004-02-18 | 2005-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing it |
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| US7615844B2 (en) | 2004-03-23 | 2009-11-10 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7425753B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| CN102376708A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-14 | 意法半导体有限公司 | 用于无过孔薄膜电阻器的横向连接 |
| EP2423948A3 (en) * | 2010-08-24 | 2012-08-29 | STMicroelectronics Pte Ltd. | Lateral connection for a via-less thin film resistor and method of forming the same |
| US8659085B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-02-25 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Lateral connection for a via-less thin film resistor |
| US8927909B2 (en) | 2010-10-11 | 2015-01-06 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US9165853B2 (en) | 2010-10-11 | 2015-10-20 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US10206247B2 (en) | 2010-10-11 | 2019-02-12 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US11140750B2 (en) | 2010-10-11 | 2021-10-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US11856657B2 (en) | 2010-10-11 | 2023-12-26 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte Ltd | Closed loop temperature controlled circuit to improve device stability |
| US8809861B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Thin film metal-dielectric-metal transistor |
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