JPH03124047A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPH03124047A JPH03124047A JP26152289A JP26152289A JPH03124047A JP H03124047 A JPH03124047 A JP H03124047A JP 26152289 A JP26152289 A JP 26152289A JP 26152289 A JP26152289 A JP 26152289A JP H03124047 A JPH03124047 A JP H03124047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- oxide film
- polycrystalline silicon
- integrated circuit
- circuit device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多結晶シリコンを有する集積回路装置のヒユー
ズ構造に関するものである。
ズ構造に関するものである。
従来、多結晶シリコンを有する集積回路においては、単
一の工程で平坦に形成された酸化膜上に多結晶シリコン
を成長させ、この多結晶シリコンをヒユーズとして用い
ていた。このような多結晶シリコンをヒユーズとして形
成した集積回路の例を第２図に示す。すなわち、シリコ
ン基板３上に熱酸化によって形成された酸化膜５上に多
結晶シリコン４を形成し、さらにその上に酸化膜５′を
気相成長させ電極１，２を形成し、エツチングにより電
極１．２間の酸化膜を取り除いたものである。この多結
晶シリコン４によって形成されたヒユーズは電極ｌと電
極２０間であり厚さｔの−様な酸化膜上に形成されてい
る。多結晶のシリコン４のヒユーズの抵抗率をρ５、多
結晶シリコン４０幅をＷ、電極ｌと電極２間の長さをｌ
とすると、ヒユーズの抵抗値Ｒは Ｒ＝ρ、・、＆／Ｗ で決まる。
一の工程で平坦に形成された酸化膜上に多結晶シリコン
を成長させ、この多結晶シリコンをヒユーズとして用い
ていた。このような多結晶シリコンをヒユーズとして形
成した集積回路の例を第２図に示す。すなわち、シリコ
ン基板３上に熱酸化によって形成された酸化膜５上に多
結晶シリコン４を形成し、さらにその上に酸化膜５′を
気相成長させ電極１，２を形成し、エツチングにより電
極１．２間の酸化膜を取り除いたものである。この多結
晶シリコン４によって形成されたヒユーズは電極ｌと電
極２０間であり厚さｔの−様な酸化膜上に形成されてい
る。多結晶のシリコン４のヒユーズの抵抗率をρ５、多
結晶シリコン４０幅をＷ、電極ｌと電極２間の長さをｌ
とすると、ヒユーズの抵抗値Ｒは Ｒ＝ρ、・、＆／Ｗ で決まる。
ここでヒユーズの抵抗率ρ３及び多結晶シリコンの幅Ｗ
が一定とするとヒユーズの抵抗値Ｒは長さ１に比例する
。したがって、この構造では集積回路装置のチップ表面
積に対するヒユーズの占有率が大きい場合及び大きなヒ
ユーズの値を必要とする場合集積回路装置のチップサイ
ズの縮小を実現させることに対する一つの障害となって
いた。
が一定とするとヒユーズの抵抗値Ｒは長さ１に比例する
。したがって、この構造では集積回路装置のチップ表面
積に対するヒユーズの占有率が大きい場合及び大きなヒ
ユーズの値を必要とする場合集積回路装置のチップサイ
ズの縮小を実現させることに対する一つの障害となって
いた。
本発明の目的は、占有面積の小さな集猜回路用のヒユー
ズを得ることにある。
ズを得ることにある。
本発明によれば、シリコン基板の表面を覆う酸化膜の表
面に凹凸を設けて、この凹凸部上にヒユーズ形成し、凹
凸によって生じた段差によってヒユーズの長さを長くし
、必要面積の縮小を可能にしたヒユーズを有する集積回
路装置を得る。
面に凹凸を設けて、この凹凸部上にヒユーズ形成し、凹
凸によって生じた段差によってヒユーズの長さを長くし
、必要面積の縮小を可能にしたヒユーズを有する集積回
路装置を得る。
次に、本発明の実施例を用いてより詳細に説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。シリコン基板３の表
面には厚さを大幅に異ならしめた厚さをもつ酸化膜１５
が形成されその表面に多結晶シリコン４と他の酸化膜１
５’とを成長させて電極１゜２を形成し、電極１．２間
の酸化膜をエツチングし取り除いた構造になっている。
面には厚さを大幅に異ならしめた厚さをもつ酸化膜１５
が形成されその表面に多結晶シリコン４と他の酸化膜１
５’とを成長させて電極１゜２を形成し、電極１．２間
の酸化膜をエツチングし取り除いた構造になっている。
この異なった厚さを持つ酸化膜１５はシリコン基板３表
面を熱酸化した後選択的に酸化膜を形成した後、選択的
にエツチングすることもできる。このとき酸化膜１５の
厚い部分ｔ１、薄い部分をｔ２、電極１，２間の長さを
ｌとしたとぎに従来と同様にヒユーズの抵抗値Ｒを求め
た場合 Ｒ＝ρ、・ （ｆｆ ２ （ｔ＋ ｔｚ）） ７ｗ
となり、ヒユーズの長さは２（ｔ＋ ｔ＋）だけ短か
くなる。
面を熱酸化した後選択的に酸化膜を形成した後、選択的
にエツチングすることもできる。このとき酸化膜１５の
厚い部分ｔ１、薄い部分をｔ２、電極１，２間の長さを
ｌとしたとぎに従来と同様にヒユーズの抵抗値Ｒを求め
た場合 Ｒ＝ρ、・ （ｆｆ ２ （ｔ＋ ｔｚ）） ７ｗ
となり、ヒユーズの長さは２（ｔ＋ ｔ＋）だけ短か
くなる。
以上、詳細に説明したとおり、本発明の集積回路装置は
多結晶シリコンをヒユーズとし、電極間でシリコン基板
の表面を覆う酸化膜の厚さを異ならしめたものの上にそ
の厚さのために生じた段差をもつように構成されている
ので従来のヒユーズに必要な面積にくらべて十分少さい
面積ですむ。
多結晶シリコンをヒユーズとし、電極間でシリコン基板
の表面を覆う酸化膜の厚さを異ならしめたものの上にそ
の厚さのために生じた段差をもつように構成されている
ので従来のヒユーズに必要な面積にくらべて十分少さい
面積ですむ。
したがってヒユーズを有する集積回路装置のチップサイ
ズ縮小を実現させるのに有効である。
ズ縮小を実現させるのに有効である。
第１図は本発明の一実施例による集積回路装置の断面図
である。 ｌ・・・・・・電極、２・・・・・・電極、３・・・・
・・シリコン基板、４・・・・・・多結晶シリコン、５
．５’、１５．１５’・・・・・・酸化膜。 第２図は従来の集積回路装置の多結晶シリコンを用いた
ヒユーズの断面図である。
である。 ｌ・・・・・・電極、２・・・・・・電極、３・・・・
・・シリコン基板、４・・・・・・多結晶シリコン、５
．５’、１５．１５’・・・・・・酸化膜。 第２図は従来の集積回路装置の多結晶シリコンを用いた
ヒユーズの断面図である。
Claims (1)
- 多結晶シリコンを有する集積回路装置において、多結晶
シリコンをヒューズとして作る領域で、シリコン基板表
面を覆う酸化膜の厚さを異ならしめ、その厚さの異なる
ために生じた段差をもつように構成され、その表面にヒ
ューズとして多結晶シリコンを成長させた上に酸化膜を
気相成長させ電極を形成しエッチングにより電極間の前
記多結晶上の酸化膜を取り除いたことを特徴とする集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26152289A JPH03124047A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26152289A JPH03124047A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03124047A true JPH03124047A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=17363073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26152289A Pending JPH03124047A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03124047A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536968A (en) * | 1992-12-18 | 1996-07-16 | At&T Global Information Solutions Company | Polysilicon fuse array structure for integrated circuits |
| US5672905A (en) * | 1992-08-26 | 1997-09-30 | At&T Global Information Solutions Company | Semiconductor fuse and method |
| US5963825A (en) * | 1992-08-26 | 1999-10-05 | Hyundai Electronics America | Method of fabrication of semiconductor fuse with polysilicon plate |
| US6008523A (en) * | 1998-08-26 | 1999-12-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrical fuses with tight pitches and method of fabrication in semiconductors |
| US6927472B2 (en) * | 2001-11-14 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Fuse structure and method to form the same |
-
1989
- 1989-10-06 JP JP26152289A patent/JPH03124047A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5672905A (en) * | 1992-08-26 | 1997-09-30 | At&T Global Information Solutions Company | Semiconductor fuse and method |
| US5963825A (en) * | 1992-08-26 | 1999-10-05 | Hyundai Electronics America | Method of fabrication of semiconductor fuse with polysilicon plate |
| US5536968A (en) * | 1992-12-18 | 1996-07-16 | At&T Global Information Solutions Company | Polysilicon fuse array structure for integrated circuits |
| US6008523A (en) * | 1998-08-26 | 1999-12-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Electrical fuses with tight pitches and method of fabrication in semiconductors |
| US6927472B2 (en) * | 2001-11-14 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Fuse structure and method to form the same |
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