JPS60227459A - 集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ差業上の利用分野） 本発明は多結晶シリコンを有する集積回路装置の抵抗構
造に関するものである。

（従来技術） 従来、多結晶シリコンを有する集積回路装置においては
、単一の工程で平坦に形成された酸化膜上に多結晶シリ
コンを成長させ、この多結晶シリコンを抵抗として用い
ていた。このような多結晶　゛シリコンを抵抗体として
形成した集積回路の例を第１図に示す。すなわち、シリ
コン基板３上に熱酸化によって形成された酸化膜５上に
多結晶シリコン４を形成し、さらにその上に酸化膜５′
を気相成長させ電極１．２を形成したものである。この
多結晶シリコン４によって形成された抵抗体は電極１と
電極２の間であシ厚さｔの一様な酸化膜上に形成されて
いる。多結晶シリコン４の層抵抗の値をａ、多結晶シリ
コン４の幅をす、電＆１と電極２間の長さをＣ１とする
と抵抗値凡は几＝ａ１１ｃ／ｂ で決まる。

ここで、層抵抗ａ及び幅すが一定の値とすると、抵抗値
Ｂは長さＣに比例する◇したがって、この構造では集積
回路装置のチップ表面積に対する抵抗の占有率が大きい
場合及び大きな抵抗値を必要とする場合集積回路装置の
チップサイズの縮小を実祝させることに対する一つの障
害となっていた。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明の目的は、占有面積の小さな集積回路用の抵抗体
を得ることにあ為。

（問題点を解決するための＋段および作用）本発明によ
れば、シリコン基板の表面を憶う酸化膜の表向に凹凸を
設けて、この凹凸部上に抵抗体を形成し、凹凸によって
生じた段差によって抵抗体の長さを長くしもって必要面
積の縮小を可能にした抵抗体を有する集積回路装置を得
る。

（実施例） 次に、本発明の実施例を用いてよシ詳細に説明する。

第２図に本発明の一実施例を示す。シリコン基板３の表
面には厚さを大幅に異ならしめた二種の厚さをもつ酸化
膜１５が交互に形成されその表面に多結晶シリコン４と
他の酸化膜１５′とを成長させて電＆１，２を形成した
構造になっている。この二種の厚さを持つ酸化膜１５は
シリコン基板３表面を熱酸化した後選択的に酸化膜を形
成して作ることもできるし、シリコン基板３の表面に厚
い酸化膜を形成した後、選択的にエツチングして形成す
ることもできる。このとき酸化膜１５の卑い部分の厚さ
ｔ、と薄い部分の厚さｔ、との差をｄ、この段差の回数
をｎ、多結晶シリコンの層抵抗をａ。

多結晶シリコンの幅をす、電極１と電極２との間の平面
的な長さをＣ１とし、従来と同様に抵抗値Ｒをめた場合 Ｒ＝　ａ　ｅ　ｃ　／　ｂ　−ａ　＠　ｄ　＠　ｎ　／
　ｂとなる。したがって、抵抗体の面積は従来とくらべ
て層抵抗ａと段差の回数ｎと段差ｄとの積を幅すで除し
た分だけ小さくなる。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したとおシ、本発明の集積回路装置は
多結晶シリコンを抵抗体とし、抵抗体領域が抵抗体の電
極間で、シリコン基板の表面を榎う酸化膜の厚さを交互
に異ならしめたものの上にその厚さの差のために生じた
段差が二つ以上にわたる如く構成されているので従来の
抵抗体忙必要な面積にくらべ十分小さい面積ですむ。し
たがって抵抗を有する集積−路装置のチップサイズ縮小
を実現させるのに有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の集積回路装置の多結、Ｉもシリコンを用
いた抵抗の断面図である。 第２図は本発明の一実施例による集積回路装置の断面図
である。 １・・・・・・電極、２・・・・・・電極、３・・団・
シリコン基板、４・・・・・・多ｉａ　シリコン、５．
１５，５’、１５’・川・・酸化膜。 茅１図　′ 茅　２　Ｍ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 多結晶シリコンを有する集積回路装置において、上記多
   結晶シリコンを抵抗体として作る抵抗体領域で、上記抵
   抗体の電極間でシリコン基板表面を榎う酸化膜の厚さを
   交互に異ならしめ、その厚さの異なるために生じた段差
   が二つ以上もつ如く構成され、その表７７ｋＪＫ前記抵
   抗体領域としての前記多結晶シリコンを成長させたこと
   を特徴とする集積回路装置。