JPH01120028A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH01120028A JPH01120028A JP27759787A JP27759787A JPH01120028A JP H01120028 A JPH01120028 A JP H01120028A JP 27759787 A JP27759787 A JP 27759787A JP 27759787 A JP27759787 A JP 27759787A JP H01120028 A JPH01120028 A JP H01120028A
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- Japan
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- passivation film
- semiconductor integrated
- shape
- cover passivation
- integrated circuit
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に、回路上面に被着
された正方形状あるいは長方形状のカバーパッシベーシ
ョン膜のコーナ部（角部）に発生する「ひび割れ」を防
止することができるように、前記コーナ部の所定面積内
において、カバーパッシベーション膜を施されない半導
体集積回路に関する。
された正方形状あるいは長方形状のカバーパッシベーシ
ョン膜のコーナ部（角部）に発生する「ひび割れ」を防
止することができるように、前記コーナ部の所定面積内
において、カバーパッシベーション膜を施されない半導
体集積回路に関する。
周知の通り、半導体集積回路（以下ＩＣと略記する）は
ウェファ−状の半導体基板上に写真印刷技術を用いて選
択的に化学処理を施すことにより実現される。この化学
処理工程の一つに各ＩＣ回路の上部に夫々カバーパッシ
ベーション膜を形成させる工程がある。カバーパッシベ
ーション膜は、例えば、シリコン酸化物によって形成さ
れ、各ＩＣ回路の上部に被着してこれを水蒸気等の侵入
から保護する機能を果たすものである。
ウェファ−状の半導体基板上に写真印刷技術を用いて選
択的に化学処理を施すことにより実現される。この化学
処理工程の一つに各ＩＣ回路の上部に夫々カバーパッシ
ベーション膜を形成させる工程がある。カバーパッシベ
ーション膜は、例えば、シリコン酸化物によって形成さ
れ、各ＩＣ回路の上部に被着してこれを水蒸気等の侵入
から保護する機能を果たすものである。
第２図は従来のＩＣを製造する一段階を示す図で、２１
は半導体材料（例えば、シリコン）より切り出されたＩ
Ｃウェファ−１２２はウェファ−２１上に平面アレイ状
に配列されたカバーパッシベーション膜、２４は多数の
カバーパッシベーション膜を基盤の目状に区分するスク
ライブ線、２３はカバーパッシベーション膜部に沿って
配列されたパフトスルーホールで、ＩＣ回路本体のポン
ディングパッド（入出力端、図示せず）にボンディング
ワイヤをアクセスさせる役割を果たす。カバーパッシベ
ーション膜２２を被着させたＩＣはスクライブ線２４に
沿って切断され、個々に分離される（以下個々に分離さ
れたＩＣを「ＩＣペレット」と記す）。ＩＣペレットは
ＩＣ用ケースにマウントされ、ワイヤボンディング等に
よりケースリード端子と電気的に接続され、その後に気
密封止（ガラス封止）または樹脂封止されて製品として
完成する。
は半導体材料（例えば、シリコン）より切り出されたＩ
Ｃウェファ−１２２はウェファ−２１上に平面アレイ状
に配列されたカバーパッシベーション膜、２４は多数の
カバーパッシベーション膜を基盤の目状に区分するスク
ライブ線、２３はカバーパッシベーション膜部に沿って
配列されたパフトスルーホールで、ＩＣ回路本体のポン
ディングパッド（入出力端、図示せず）にボンディング
ワイヤをアクセスさせる役割を果たす。カバーパッシベ
ーション膜２２を被着させたＩＣはスクライブ線２４に
沿って切断され、個々に分離される（以下個々に分離さ
れたＩＣを「ＩＣペレット」と記す）。ＩＣペレットは
ＩＣ用ケースにマウントされ、ワイヤボンディング等に
よりケースリード端子と電気的に接続され、その後に気
密封止（ガラス封止）または樹脂封止されて製品として
完成する。
しかし、前述のカバーパッシベーション膜を被着された
半導体集積回路には次に述べる欠点が指摘されている。
半導体集積回路には次に述べる欠点が指摘されている。
すなわち、ＩＣペレットにガラス封止または樹脂封止を
施す工程においては、溶融ガラスが固化する際に生ずる
熱応力または樹脂（多くの場合エポキシ樹脂）が固化す
る場合に生ずる収縮応力がＩＣペレットに作用する。こ
の応力が直接に作用するカバーパッシベーション膜は四
角形（第２図の場合は正方形）の形状であるため、その
コーナ部（四角形の頂角の近傍）には応力が集中し、こ
のためこの部分に「ひび割れ」（小亀裂）を生ずること
がある。−旦、ひび割れが生ずると、これがＩＣペレッ
トの中央部分カバーパッシベーション膜に進行する恐れ
があり、この膜の内部保護機能は低下し、特に気密性の
劣る樹脂封止のＩＣにおいては耐湿特性が劣化するとい
う欠点があった。
施す工程においては、溶融ガラスが固化する際に生ずる
熱応力または樹脂（多くの場合エポキシ樹脂）が固化す
る場合に生ずる収縮応力がＩＣペレットに作用する。こ
の応力が直接に作用するカバーパッシベーション膜は四
角形（第２図の場合は正方形）の形状であるため、その
コーナ部（四角形の頂角の近傍）には応力が集中し、こ
のためこの部分に「ひび割れ」（小亀裂）を生ずること
がある。−旦、ひび割れが生ずると、これがＩＣペレッ
トの中央部分カバーパッシベーション膜に進行する恐れ
があり、この膜の内部保護機能は低下し、特に気密性の
劣る樹脂封止のＩＣにおいては耐湿特性が劣化するとい
う欠点があった。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、カバーパッ
シベーション膜のコーナ部に応力が集中することを回避
するため、カバーパッシベーション膜の形状に配慮を加
えた半導体集積回路を提供するものである。
シベーション膜のコーナ部に応力が集中することを回避
するため、カバーパッシベーション膜の形状に配慮を加
えた半導体集積回路を提供するものである。
即ち、従来、正方形状または長方形状であったカバーパ
ッシベーション膜のコーナ部に被膜が施されない形状に
する。
ッシベーション膜のコーナ部に被膜が施されない形状に
する。
この構成では、従来の構成では正方形または長方形の角
部に集中して作用していた応力が新たな構成では２つの
頂角の近傍に分散される共に、その頂角は鈍角（例えば
、約１３５°）であるため、頂点近傍への応力の集中も
緩和される。このため、熱応力等による「ひび割れ」発
生の恐れは著しく軽減される。
部に集中して作用していた応力が新たな構成では２つの
頂角の近傍に分散される共に、その頂角は鈍角（例えば
、約１３５°）であるため、頂点近傍への応力の集中も
緩和される。このため、熱応力等による「ひび割れ」発
生の恐れは著しく軽減される。
以下、本発明の半導体集積回路を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図の場合と同じ
く、ＩＣペレット製造の一段階として図示したものであ
る。この図において、１１はＩＣウェファ−１１２はカ
バーパッシベーション膜、１３はバッドスルーホール、
１４はスクライブ線であり、第２図の２１．２２．２３
．２４のそれと夫々同一であるので説明を省略する。
く、ＩＣペレット製造の一段階として図示したものであ
る。この図において、１１はＩＣウェファ−１１２はカ
バーパッシベーション膜、１３はバッドスルーホール、
１４はスクライブ線であり、第２図の２１．２２．２３
．２４のそれと夫々同一であるので説明を省略する。
第１図および第２図の構成の相違はカバーパッシベーシ
ョン膜の各角部に認められる。
ョン膜の各角部に認められる。
即ち、第１図のそれにおいては従来の正方形または長方
形状のコーナ部を斜め直線状に切り落としている。第１
図の構成では、カバーパッシベーション膜１２は六角形
の形状となり、同図内の１２１および１２２は頂点であ
る。この構成においてもカバーパンシベーション膜１２
に作用する応力は頂点１２１および１２２の近傍に集中
する。しかし、この場合は、第２図の場合と異なり、応
力は二つの頂点に分散されるため、その大きさは略々半
減する。また、１２１および１２２を頂点とする頂角は
鈍角（この図の場合では約１３５°）であるため、第２
図の場合（コーナ部の頂角は９０°）に比べ、−段と軽
減される。従って、応力の集中に起因する「ひび割れ」
の恐れは、第１図の構成に比べ顕著に軽減され、半導体
集積回路の安定性、信頼性は画期的に改善される。また
、切り落とされた面積は膜全体の面積に較べれば極めて
小さいので、カバーパッシベーション膜の内部ＩＣ回路
の保護機能が低下することはない。
形状のコーナ部を斜め直線状に切り落としている。第１
図の構成では、カバーパッシベーション膜１２は六角形
の形状となり、同図内の１２１および１２２は頂点であ
る。この構成においてもカバーパンシベーション膜１２
に作用する応力は頂点１２１および１２２の近傍に集中
する。しかし、この場合は、第２図の場合と異なり、応
力は二つの頂点に分散されるため、その大きさは略々半
減する。また、１２１および１２２を頂点とする頂角は
鈍角（この図の場合では約１３５°）であるため、第２
図の場合（コーナ部の頂角は９０°）に比べ、−段と軽
減される。従って、応力の集中に起因する「ひび割れ」
の恐れは、第１図の構成に比べ顕著に軽減され、半導体
集積回路の安定性、信頼性は画期的に改善される。また
、切り落とされた面積は膜全体の面積に較べれば極めて
小さいので、カバーパッシベーション膜の内部ＩＣ回路
の保護機能が低下することはない。
カバーパッシベーション膜の四隅部の形状は第１図のそ
れ（斜め直線による切り落とし）に限定されるものでは
なく、熱応力の集中を回避し、膜の内部保護機能を低下
させることのないものであれば他の形状でも差し支えな
い０例えば、コーナ部を四半円形状に切り落とす形状（
円弧状）を考えることもできる。
れ（斜め直線による切り落とし）に限定されるものでは
なく、熱応力の集中を回避し、膜の内部保護機能を低下
させることのないものであれば他の形状でも差し支えな
い０例えば、コーナ部を四半円形状に切り落とす形状（
円弧状）を考えることもできる。
尚、カバーパッシベーション膜の形状を希望の形に形成
させる方法としては、マスク板の使用、フトレジススト
およびエツチング等、当業者に自明な方法で行うことが
できる。
させる方法としては、マスク板の使用、フトレジススト
およびエツチング等、当業者に自明な方法で行うことが
できる。
以上説明した通り、本発明の半導体集積回路によれば、
カバーパッシベーション膜の形状を、コーナ部を被膜し
ない形状にしたため、この膜の四隅部に作用する応力は
分散軽減され、この部分にカバーパッシベーション膜の
「ひび割れ」が発生する恐れはなくなり、半導体集積回
路には高度の安定性および信頼性が得られるようになっ
た。
カバーパッシベーション膜の形状を、コーナ部を被膜し
ない形状にしたため、この膜の四隅部に作用する応力は
分散軽減され、この部分にカバーパッシベーション膜の
「ひび割れ」が発生する恐れはなくなり、半導体集積回
路には高度の安定性および信頼性が得られるようになっ
た。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は従来
の半導体集積回路に使用されているカバーパッシベーシ
ョン膜の形状を示す説明図。 符号の説明 １１．２１・・−・−−−−−ＩＣウェファ−１２，２
２・・−・−−−一一−−カバーパッシベーション膜１
３．２３・・・−・−・−パッドスルーホール１４．２
４−・−−−−−−・スクライブ線１２１．１２２
の半導体集積回路に使用されているカバーパッシベーシ
ョン膜の形状を示す説明図。 符号の説明 １１．２１・・−・−−−−−ＩＣウェファ−１２，２
２・・−・−−−一一−−カバーパッシベーション膜１
３．２３・・・−・−・−パッドスルーホール１４．２
４−・−−−−−−・スクライブ線１２１．１２２
Claims (3)
- （１）半導体基板上に正方形状または長方形状に構成さ
れ、その上面にその形状に応じたカバーパッシベーショ
ン膜を被着された半導体集積回路において、 前記カバーパッシベーション膜は、各角部 においてカバーパッシベーション膜が施されない形状を
有することを特徴とする半導体集積回路。 - （２）前記カバーパッシベーション膜が施されない形状
は、前記正方形あるいは前記長方形の角辺に対して斜交
する直線によって定義される構成の特許請求の範囲第１
項記載の半導体集積回路。 - （３）前記カバーパッシベーション膜が施されない形状
は、前記正方形あるいは前記長方形の形状の前記各角部
に形成される円弧によって定義される構成の特許請求の
範囲第１項記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27759787A JPH01120028A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27759787A JPH01120028A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120028A true JPH01120028A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17585665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27759787A Pending JPH01120028A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120028A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104347682A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 颀邦科技股份有限公司 | 半导体结构 |
| JP2015056658A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP27759787A patent/JPH01120028A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104347682A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-02-11 | 颀邦科技股份有限公司 | 半导体结构 |
| JP2015032826A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 半導体装置 |
| JP2015056658A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | ▲き▼邦科技股▲分▼有限公司 | 半導体装置 |
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