JPS63150931A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63150931A JPS63150931A JP29923186A JP29923186A JPS63150931A JP S63150931 A JPS63150931 A JP S63150931A JP 29923186 A JP29923186 A JP 29923186A JP 29923186 A JP29923186 A JP 29923186A JP S63150931 A JPS63150931 A JP S63150931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic resin
- resin film
- stress
- bumps
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 abstract description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＴＡＢ方式のＭＯ３型
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
−ａにＴＡＢ方式の半導体装置においてバンプとリード
の接続には一括熱圧着方式がとられるが、この際に圧着
の機械的・熱的ストレスのためにバンプ下にクラックが
入ったり、極端な場合はバンプが剥れてしまうことがあ
る。
の接続には一括熱圧着方式がとられるが、この際に圧着
の機械的・熱的ストレスのためにバンプ下にクラックが
入ったり、極端な場合はバンプが剥れてしまうことがあ
る。
従来この不都合を解消するために半導体チップ全面にポ
リイミド等の樹脂膜を被着したのち、バンプの表面部を
エツチングして露出させリードとの接続を行ない、この
樹脂膜によってストレスを吸収するという方法がとられ
ていた。
リイミド等の樹脂膜を被着したのち、バンプの表面部を
エツチングして露出させリードとの接続を行ない、この
樹脂膜によってストレスを吸収するという方法がとられ
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 −上記の方
法はバンプとリードとの接続（以下ボンディングと記す
）時のストレス吸収に顕著な効果があり、特にバイポー
ラ型の半導体装置に対して非常に有力な方法となってい
る。
法はバンプとリードとの接続（以下ボンディングと記す
）時のストレス吸収に顕著な効果があり、特にバイポー
ラ型の半導体装置に対して非常に有力な方法となってい
る。
一方、近年ＭＯ３型半導体装置に対してもＴＡＢ方式で
製造する必要性が高まってきた。この場合、加工技術上
は上記と同様の製造方法が使用できるが、ＭＯ３型半導
体装置は比較的機械的応力による電気的特性の変動が大
きく、特にポリイミド等の樹脂膜を用いた場合、膜の応
力による電気特性の劣化が無視できないという問題がで
できな。
製造する必要性が高まってきた。この場合、加工技術上
は上記と同様の製造方法が使用できるが、ＭＯ３型半導
体装置は比較的機械的応力による電気的特性の変動が大
きく、特にポリイミド等の樹脂膜を用いた場合、膜の応
力による電気特性の劣化が無視できないという問題がで
できな。
叩ち第３図に示すように、従来の製法では半導体チップ
１のバンプ２を除く全面が有機樹脂膜３で覆われている
ためチップ全体に膜の収縮力が加わり初期的電気特性が
不十分なものとなったり、寿命試験で経時劣化等が発生
し、品質及び製造歩留りが低下するという問題点があっ
た。
１のバンプ２を除く全面が有機樹脂膜３で覆われている
ためチップ全体に膜の収縮力が加わり初期的電気特性が
不十分なものとなったり、寿命試験で経時劣化等が発生
し、品質及び製造歩留りが低下するという問題点があっ
た。
本発明の目的は、上記問題点を除去し、品質及び製造歩
留りの向上した半導体装置を提供することにある。
留りの向上した半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、半導体素子が形成された半導体
基板上にバンプと有機樹脂膜とが形成された半導体装置
であって、前記有機樹脂膜は前記バンプの周囲の領域の
みに形成されているものである。
基板上にバンプと有機樹脂膜とが形成された半導体装置
であって、前記有機樹脂膜は前記バンプの周囲の領域の
みに形成されているものである。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す平面図である。
第１図において半導体素子が形成された素子領域４を有
する半導体チップ１上には高さ２０〜３０μｍのバンプ
２が形成されており、その周囲領域のみに厚さ数μｍの
有機樹脂膜３が配されている。
する半導体チップ１上には高さ２０〜３０μｍのバンプ
２が形成されており、その周囲領域のみに厚さ数μｍの
有機樹脂膜３が配されている。
このようにバンプ４の周囲を有機樹脂膜で覆うことによ
りボンディング時でのストレスが吸収され、ボンディン
グストレスによる不都合が解消される。他方半導体チッ
プ１の主たる素子領域４には有機樹脂膜３が存在しない
ので膜のストレスによる素子特性への悪影響も発生しな
い。
りボンディング時でのストレスが吸収され、ボンディン
グストレスによる不都合が解消される。他方半導体チッ
プ１の主たる素子領域４には有機樹脂膜３が存在しない
ので膜のストレスによる素子特性への悪影響も発生しな
い。
第２図は本発明の第２の実施例の平面図であり、第１の
実施例と同様にバンプ２が有機樹脂膜３で囲まれ、かつ
主たる素子領域４上には有機樹脂膜が存在しないので、
第１の実施例と同じ効果を有する。
実施例と同様にバンプ２が有機樹脂膜３で囲まれ、かつ
主たる素子領域４上には有機樹脂膜が存在しないので、
第１の実施例と同じ効果を有する。
以上説明した様に本発明はバンプ周囲の領域にのみ有機
樹脂膜を形成し、ボンディングストレスを解消すると共
に、有機樹脂膜の収縮力を緩和することにより、品質、
製造歩留りの良好な半導体装置が得られる。
樹脂膜を形成し、ボンディングストレスを解消すると共
に、有機樹脂膜の収縮力を緩和することにより、品質、
製造歩留りの良好な半導体装置が得られる。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の平
面図、第３図は従来の半導体装置の平面図である。 】・・・半導体チップ、２・・・バンプ、３・・・有機
樹脂膜、４・・・素子領域。 第２図 名３図
面図、第３図は従来の半導体装置の平面図である。 】・・・半導体チップ、２・・・バンプ、３・・・有機
樹脂膜、４・・・素子領域。 第２図 名３図
Claims (1)
- 半導体素子が形成された半導体チップ上にバンプと有機
樹脂膜とを有する半導体装置において、前記有機樹脂膜
は前記バンプの周囲の領域のみに形成されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29923186A JPS63150931A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29923186A JPS63150931A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150931A true JPS63150931A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0511661B2 JPH0511661B2 (ja) | 1993-02-16 |
Family
ID=17869839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29923186A Granted JPS63150931A (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63150931A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US6022761A (en) * | 1996-05-28 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Method for coupling substrates and structure |
| US6483190B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting structure, semiconductor chip element mounting device and mounting method |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP29923186A patent/JPS63150931A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
| US5090119A (en) * | 1987-12-08 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming an electrical contact bump |
| US6022761A (en) * | 1996-05-28 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Method for coupling substrates and structure |
| US6483190B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting structure, semiconductor chip element mounting device and mounting method |
| US7436062B2 (en) | 1999-10-20 | 2008-10-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting structure, semiconductor chip element mounting device and mounting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511661B2 (ja) | 1993-02-16 |
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