JPH06216188A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH06216188A JPH06216188A JP50A JP632993A JPH06216188A JP H06216188 A JPH06216188 A JP H06216188A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 632993 A JP632993 A JP 632993A JP H06216188 A JPH06216188 A JP H06216188A
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤボンディングにより、半導体ペレット
に加わるストレスを緩和することを目的とする。 【構成】 半導体ペレット1内に形成された素子3と電
気的に接続され、かつ外部引出しわいや6が接続された
配線パターン5のワイヤ接続部7を他の部分より肉厚に
形成したことを特徴とする。
に加わるストレスを緩和することを目的とする。 【構成】 半導体ペレット1内に形成された素子3と電
気的に接続され、かつ外部引出しわいや6が接続された
配線パターン5のワイヤ接続部7を他の部分より肉厚に
形成したことを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、特
にワイヤボンディングにより半導体ペレットに加わるス
トレスを緩和することを目的とした半導体装置に関す
る。
にワイヤボンディングにより半導体ペレットに加わるス
トレスを緩和することを目的とした半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の一例を図2から説明する。
【0003】図において1は半導体ペレットで基板2上
に固定されている、3はペレット1内に形成された素
子、4は素子3の一部を露出させてペレット1上を被覆
した絶縁膜、5は素子3と電気的に接続された配線パタ
ーンであり、蒸着またはスパッタ等で形成されている。
6は外部引出し用のワイヤで配線パターン5上のワイヤ
接続予定部5aに接続されている。このワイヤ6は図示
しないが、外部リードに接続されている。
に固定されている、3はペレット1内に形成された素
子、4は素子3の一部を露出させてペレット1上を被覆
した絶縁膜、5は素子3と電気的に接続された配線パタ
ーンであり、蒸着またはスパッタ等で形成されている。
6は外部引出し用のワイヤで配線パターン5上のワイヤ
接続予定部5aに接続されている。このワイヤ6は図示
しないが、外部リードに接続されている。
【0004】この半導体装置は、一般的には少なくとも
ペレット1の全面とワイヤ6とが樹脂によって被覆され
外装されている。
ペレット1の全面とワイヤ6とが樹脂によって被覆され
外装されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで図2の半導体
装置は、半導体ペレット1が樹脂で被覆されていると、
温度サイクル試験によって例えば−65℃〜+150℃
の範囲で冷却加熱を繰り返すと、半導体ペレット1と樹
脂の熱膨張率の差により配線パターン5の段差部に応力
が加わり配線パターン5の剥離が発生する。そのため配
線パターン5の厚さをできるだけ薄くして配線パターン
5の段差部を小さくして応力が加わりにくくしている。
装置は、半導体ペレット1が樹脂で被覆されていると、
温度サイクル試験によって例えば−65℃〜+150℃
の範囲で冷却加熱を繰り返すと、半導体ペレット1と樹
脂の熱膨張率の差により配線パターン5の段差部に応力
が加わり配線パターン5の剥離が発生する。そのため配
線パターン5の厚さをできるだけ薄くして配線パターン
5の段差部を小さくして応力が加わりにくくしている。
【0006】一方、配線パターン5が過度に薄くなると
ワイヤ接続予定部5aにワイヤ6をボンディングする際
に加えられる荷重により素子3が破壊し、ペレットクラ
ックが発生するという問題があった。
ワイヤ接続予定部5aにワイヤ6をボンディングする際
に加えられる荷重により素子3が破壊し、ペレットクラ
ックが発生するという問題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するために、半導体ペレット内に形成された素子と
電気的に接続され、かつ外部引出しワイヤが接続された
配線パターンのワイヤ接続部を他の部分より肉厚に形成
したことを特徴とする半導体装置を提供する。
解決するために、半導体ペレット内に形成された素子と
電気的に接続され、かつ外部引出しワイヤが接続された
配線パターンのワイヤ接続部を他の部分より肉厚に形成
したことを特徴とする半導体装置を提供する。
【0008】また、半導体ペレット内に形成された素子
とワイヤ接続予定部間に形成した配線パターンの、ワイ
ヤ接続予定部を除く領域をエッチングにより薄く形成し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法も提供する。
とワイヤ接続予定部間に形成した配線パターンの、ワイ
ヤ接続予定部を除く領域をエッチングにより薄く形成し
たことを特徴とする半導体装置の製造方法も提供する。
【0009】
【作用】上記構成により、ワイヤ接続予定部を肉厚に
し、他の部分を肉薄にしたから温度サイクル試験による
配線パターンの剥離がなくワイヤ接続時のペレットクラ
ックも防止できる。
し、他の部分を肉薄にしたから温度サイクル試験による
配線パターンの剥離がなくワイヤ接続時のペレットクラ
ックも防止できる。
【0010】
【実施例】以下に本発明の実施例を図1から説明する。
【0011】図において図2と同一符号は同一物を示
し、説明を省略する。図中相違するのは配線パターン5
のワイヤ接続予定部7のみでこの部分を他の部分よりも
肉厚にした点に特徴がある。
し、説明を省略する。図中相違するのは配線パターン5
のワイヤ接続予定部7のみでこの部分を他の部分よりも
肉厚にした点に特徴がある。
【0012】従ってワイヤ接続予定部7はワイヤボンデ
ィングの際の荷重を吸収して素子3を破壊しない厚さに
設定し、ワイヤ接続予定部7を除く部分は温度サイクル
試験によって剥離しない厚さに設定することができる。
ィングの際の荷重を吸収して素子3を破壊しない厚さに
設定し、ワイヤ接続予定部7を除く部分は温度サイクル
試験によって剥離しない厚さに設定することができる。
【0013】上記構成により温度サイクル試験によって
半導体ペレット樹脂とのあいだの熱膨張率の差による応
力が配線パターンに加えられても配線パターンは薄く設
定されているため、段差部にかかる応力は小さいため剥
離しにくい。
半導体ペレット樹脂とのあいだの熱膨張率の差による応
力が配線パターンに加えられても配線パターンは薄く設
定されているため、段差部にかかる応力は小さいため剥
離しにくい。
【0014】一方、ワイヤ7は他の部分より肉厚に設定
されているため、ボンディング時に荷重が加えられても
肉厚部分で荷重を吸収し、素子3へのストレスを緩和で
き、ペレットクラックが防止できる。
されているため、ボンディング時に荷重が加えられても
肉厚部分で荷重を吸収し、素子3へのストレスを緩和で
き、ペレットクラックが防止できる。
【0015】また、ワイヤ接続部分は少面積でかつ肉厚
であるため、樹脂の膨張収縮方向に応じて撓み、変形す
ることができ、半導体ペレットと配線パターンの接続部
にかかる応力を緩和することができ、温度サイクル試験
によっても配線パターンがワイヤ接続部分で剥離するこ
とがない。
であるため、樹脂の膨張収縮方向に応じて撓み、変形す
ることができ、半導体ペレットと配線パターンの接続部
にかかる応力を緩和することができ、温度サイクル試験
によっても配線パターンがワイヤ接続部分で剥離するこ
とがない。
【0016】なお、本発明による配線パターンはあらか
じめ肉厚に形成しておいてワイヤ接続部を除く部分をエ
ッチングにより薄く設定することによって形成すること
ができる。
じめ肉厚に形成しておいてワイヤ接続部を除く部分をエ
ッチングにより薄く設定することによって形成すること
ができる。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ワイヤ接
続時のストレスによるペレットクラックを防止し、温度
サイクル試験による配線ぱたんの剥離も防止することが
できる半導体装置を実現できる。
続時のストレスによるペレットクラックを防止し、温度
サイクル試験による配線ぱたんの剥離も防止することが
できる半導体装置を実現できる。
【図1】 本発明の実施例を示す半導体装置の要部側断
面図。
面図。
【図2】 従来の半導体装置の要部側断面図。
1 ペレット 3 素子 5 配線パターン 6 ワイヤ 7 ワイヤ接続予定部
Claims (2)
- 【請求項1】半導体ペレット内に形成された素子と電気
的に接続され、かつ外部引出しワイヤが接続された配線
パターンのワイヤ接続部を他の部分より肉厚に形成した
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】半導体ペレット内に形成された素子とワイ
ヤ接続予定部間に形成した配線パターンの、ワイヤ接続
予定部を除く領域をエッチングにより薄く形成したこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50A JPH06216188A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50A JPH06216188A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216188A true JPH06216188A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11635330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50A Pending JPH06216188A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06216188A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077930A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2012073302A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
WO2019012854A1 (ja) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP50A patent/JPH06216188A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003077930A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2012073302A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
CN103229286A (zh) * | 2010-11-29 | 2013-07-31 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
EP2648212A1 (en) * | 2010-11-29 | 2013-10-09 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
EP2648212A4 (en) * | 2010-11-29 | 2014-05-07 | Toyota Motor Co Ltd | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
JPWO2012073302A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2014-05-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US8836150B2 (en) | 2010-11-29 | 2014-09-16 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
WO2019012854A1 (ja) * | 2017-07-13 | 2019-01-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11594502B2 (en) | 2017-07-13 | 2023-02-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having conductive film |
US12068268B2 (en) | 2017-07-13 | 2024-08-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having a wire bonding pad structure connected through vias to lower wiring |
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