JPS58148443A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS58148443A JPS58148443A JP57032161A JP3216182A JPS58148443A JP S58148443 A JPS58148443 A JP S58148443A JP 57032161 A JP57032161 A JP 57032161A JP 3216182 A JP3216182 A JP 3216182A JP S58148443 A JPS58148443 A JP S58148443A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に関する。
従来、半４体集積回路装置においては、半導体基板表面
にトランジスタ、ダイオード等の活性素子や、抵抗体、
電気容量体等の不活性素子を絶縁膜を介して等して形成
し、更に中間配線層等も形成して、最終的に外部取出し
も可能なムを等の配線層を形成して成っている。
にトランジスタ、ダイオード等の活性素子や、抵抗体、
電気容量体等の不活性素子を絶縁膜を介して等して形成
し、更に中間配線層等も形成して、最終的に外部取出し
も可能なムを等の配線層を形成して成っている。
しかし、上記従来技術においては、電気抵抗値や電気容
量値に高い精度を要する場合には、分割して形成された
抵抗体や電気容量体との結線数を変えることにより対応
しているとはい先、より一層高い精度を要する場合には
向かない構成となっているという欠点がある。
量値に高い精度を要する場合には、分割して形成された
抵抗体や電気容量体との結線数を変えることにより対応
しているとはい先、より一層高い精度を要する場合には
向かない構成となっているという欠点がある。
そこで、本発明では、高い精度を有する抵抗体あるいは
電気容量体を半導体集積図路中に容易に形成できる構成
を提供することを目的とする。
電気容量体を半導体集積図路中に容易に形成できる構成
を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体基板表面にはトランジスタ等からなる＃！！１の集
積回路装置が形成され、少なくとも該第１の集積回路装
置の最上層配線電極の上に絶縁属を介して、第１の集積
回路装置と結線された抵抗体および電気容量体、あるい
は抵抗体または電気容量体を第２の回路装置として形成
して成る事を特許とする。
導体基板表面にはトランジスタ等からなる＃！！１の集
積回路装置が形成され、少なくとも該第１の集積回路装
置の最上層配線電極の上に絶縁属を介して、第１の集積
回路装置と結線された抵抗体および電気容量体、あるい
は抵抗体または電気容量体を第２の回路装置として形成
して成る事を特許とする。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による牛導体集棟＠路装置の要部を示す
模式断面図である。１はＰ型８１基板、２はＳ１０．膜
、３はゲート酸化膜、４．５はＮ型拡散層、６はＰｏ１
ｙ ｓ １よりなるゲート電極、７ｅ８ｅ９，１０はＡ
／、電極であり、以上でＭＯ８型電界効果トランジスタ
等を含む第１の集積回路装置が形成されて居り、１１は
ＧＶＤＳｉＯ。
模式断面図である。１はＰ型８１基板、２はＳ１０．膜
、３はゲート酸化膜、４．５はＮ型拡散層、６はＰｏ１
ｙ ｓ １よりなるゲート電極、７ｅ８ｅ９，１０はＡ
／、電極であり、以上でＭＯ８型電界効果トランジスタ
等を含む第１の集積回路装置が形成されて居り、１１は
ＧＶＤＳｉＯ。
からなる層間絶縁膜であり、その上に０ｖＳｉ（クロム
シリサイＦｌ＃ｌ’？抵゛抗体１２とＡｔ電極１３およ
び１４にはさまれた誘電体［１５からなる１１１気容菫
体が地電極９と結線されて形成された第２の回路装置で
あり、１６は保護被膜としての０ＶＤＳｉｏ、［である
。
シリサイＦｌ＃ｌ’？抵゛抗体１２とＡｔ電極１３およ
び１４にはさまれた誘電体［１５からなる１１１気容菫
体が地電極９と結線されて形成された第２の回路装置で
あり、１６は保護被膜としての０ＶＤＳｉｏ、［である
。
この様に抵抗体や電気容量体を半導体集積回路装置の最
上層部に設けることにより、抵抗体や電気容量体のトリ
ミングが最終工程で可能となり、高いＭ度の抵抗値や電
気容量値をもった抵抗体や電気容量体が得られる効果が
ある。
上層部に設けることにより、抵抗体や電気容量体のトリ
ミングが最終工程で可能となり、高いＭ度の抵抗値や電
気容量値をもった抵抗体や電気容量体が得られる効果が
ある。
第１図は本発明による半導体集積＠鮎装置の要部を示す
模式断面図である。 １・・・・・・半導体基板 ２、、ｔｌ、１６・・・・・・絶縁膜 ３・・・・・・ゲート誘電体膜 ４．５・・・・・・拡散層 ６・・・・・・ゲート電極 ７．８，９．１０，１５．１４・・・・・・電 極１２
・・・・・・抵抗体 １５・・・・・・＃ｓｔｔ体展 以上
模式断面図である。 １・・・・・・半導体基板 ２、、ｔｌ、１６・・・・・・絶縁膜 ３・・・・・・ゲート誘電体膜 ４．５・・・・・・拡散層 ６・・・・・・ゲート電極 ７．８，９．１０，１５．１４・・・・・・電 極１２
・・・・・・抵抗体 １５・・・・・・＃ｓｔｔ体展 以上
Claims (1)
- 半導体基板表面にはトランジスタ等からなる第１の集積
回路装置が形成され、少なくとも該第１の集積回路装置
の最上層配線電極の上に絶縁属を介して、第１の集積回
路装置と結線された抵抗体および電気容量体、あるいは
抵抗体または電気容量体を第２の回路装置として形成し
て成る事を特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032161A JPS58148443A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57032161A JPS58148443A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148443A true JPS58148443A (ja) | 1983-09-03 |
Family
ID=12351206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57032161A Pending JPS58148443A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148443A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391906A (en) * | 1992-08-07 | 1995-02-21 | Yamaha Corporation | Semiconductor device provided with capacitor |
| JP2002124639A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-04-26 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP1566831A2 (en) | 2004-02-18 | 2005-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing it |
| JP2005251822A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006108248A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| US7312515B2 (en) | 2003-06-11 | 2007-12-25 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus including a thin-metal-film resistor element and a method of manufacturing the same |
| US7335967B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-02-26 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7425753B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7550819B2 (en) | 2004-02-19 | 2009-06-23 | Ricoh Company, Ltd. | Metal thin-film resistance element on an insulation film |
| US7680660B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-03-16 | Sega Corporation | Voice analysis device, voice analysis method and voice analysis program |
| US7999352B2 (en) | 2004-02-19 | 2011-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57032161A patent/JPS58148443A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391906A (en) * | 1992-08-07 | 1995-02-21 | Yamaha Corporation | Semiconductor device provided with capacitor |
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| US7718502B2 (en) | 2003-06-11 | 2010-05-18 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor apparatus including a thin-metal-film resistor element and a method of manufacturing the same |
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| US7999352B2 (en) | 2004-02-19 | 2011-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7680660B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-03-16 | Sega Corporation | Voice analysis device, voice analysis method and voice analysis program |
| JP2005251822A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
| US7358592B2 (en) | 2004-03-02 | 2008-04-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7615844B2 (en) | 2004-03-23 | 2009-11-10 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
| US7335967B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-02-26 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device |
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| JP4648673B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP2006108248A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
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