JPS6018932A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6018932A
JPS6018932A JP58126655A JP12665583A JPS6018932A JP S6018932 A JPS6018932 A JP S6018932A JP 58126655 A JP58126655 A JP 58126655A JP 12665583 A JP12665583 A JP 12665583A JP S6018932 A JPS6018932 A JP S6018932A
Authority
JP
Japan
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resistor
cell
semiconductor device
gate array
capacitance
Prior art date
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Pending
Application number
JP58126655A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yamada
正弘 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58126655A priority Critical patent/JPS6018932A/ja
Publication of JPS6018932A publication Critical patent/JPS6018932A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118—Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807—CMOS gate arrays

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｇ／Ａの構造に関する。最近、セミカスタム
な半導体素子としてＧ／Ａが脚光をあびている。その中
でも、設計の自動化による短納期化を進めるために、配
線層（はとんどＡｎ配線）を二層以上使用することが多
くなってきている。
ところが、これによる欠点として、搭載できるトランジ
スタ数に比べ、チップサイズが大きくなる。
これは、自動設計を行なうために、トランジスタサイズ
を小さく出来ないこと、及び、配線層専有領域を必要と
するためである。チップサイズに比へ、トランジスター
数が少ないということは、たとえば、構成する回路で抵
抗、容量を多く必要とする時は、トランジスタをつぶし
て、抵抗、容量として使用する必要がある。あるいは、
ＲＡＭ　。
ＲＯＭのように、トランジスタ一つ当りの専有面積が小
さな素子を搭載する場合に於いても不適であった。そこ
で、本発明は、Ｇ／Ａでありながら配線領域下に、セル
以外の物を用意することにより、Ｇ　／　Ａとしての効
率を下げることなく、別素子を作ることを可能にするも
のである。
俤来Ｇ／Ａに於いて、回路上で、抵抗を必要とする場合
、基本セル（第１図に示す）（ＯＭＯ３Ｇ／Ａでは、２
対あるいは６対のＰチャネルトランジスタ１０１及びＮ
チャネルトランジスタ１０２）の、ポリシリコンのゲー
ト電極１０６もしくは、トランジスタの拡散層領域１０
４を用いていた。
この方法では抵抗を形成する毎に、セルをつぶさなけれ
ばならなくなるため、ゲート利用効率が低下する。そこ
で、この欠点を補うのが、本発明である。
第２図が、本実施例で、セル２０１及びセル２０４の間
に、ポリシリコン抵抗素子２０２及び、拡散層素子２０
３を用意しである。拡散層素子２０６は、基板電位をと
ることにより容量素子としても利用出来るようにする。
たとえば第６図のように、抵抗６０１と、容量６０２を
接続する場合・上記のポリシリコン抵抗素子２０２を抵
抗３０１として、容量３０２を、拡散層素子２０３を用
いることにより容易に形成出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のセルの回路例を示す図◇第２図は本発
明のセルの回路例を示す図。 第３図は抵抗と容量をもつ回路例を示す図。 第２図に於いて、２０２がポリシリコン抵抗、２０３は
拡散層抵抗である。 以　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 配線工程によって任意の回路構成を行なうマスタースラ
    イス半導体素子、通称ゲートアレー（Ｇ／Ａと略記）で
    、マスタースライスな配線層を２層以上有する素子であ
    ること・マスタースライス工程以前の工程（バルク工程
    と記述）で多結晶シリコン及び拡散層を設けること、該
    層を回路構成上必要となる抵抗及び容量として用いるこ
    とを可能とし、しかも、マスタースライス工程以降で、
    任意に使用することを可能であることを特徴とする半導
    体装置。
JP58126655A 1983-07-12 1983-07-12 半導体装置 Pending JPS6018932A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144056A (ja) * 1984-12-18 1986-07-01 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積回路装置
JPS61214459A (ja) * 1985-03-19 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体装置
JPS62256468A (ja) * 1986-04-28 1987-11-09 Nec Corp 半導体集積回路
JPH04101104U (ja) * 1991-02-01 1992-09-01 国際電気株式会社 無人搬送車停止位置決めクランプ機構
US5281835A (en) * 1989-06-14 1994-01-25 Fujitsu Limited Semi-custom integrated circuit device

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