JPH0394465A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0394465A JPH0394465A JP23110989A JP23110989A JPH0394465A JP H0394465 A JPH0394465 A JP H0394465A JP 23110989 A JP23110989 A JP 23110989A JP 23110989 A JP23110989 A JP 23110989A JP H0394465 A JPH0394465 A JP H0394465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- microprocessor
- region
- basic cell
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 101100328887 Caenorhabditis elegans col-34 gene Proteins 0.000 abstract description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである.
従来の技術
−aに、1チップマイクロコンピュータは、CPLJ(
中央処理装置)、ROM(リードオンリーメモリ)、R
AM(ランダムアクセスメモリ)のa能を持ったマイク
ロプロセッサ部分と周辺機能装置部分より構成されてお
り、ユーザの回路仕様を満足させるために、通常ROM
の内容およびROMの容量,RAMの容量、そして周辺
機能を変えて作っている. 従来の1チップマイクロコンピュータを半導体装置とし
て製造する場合、ユーザの回路仕様に応じて、トランジ
スタを構成するゲート、拡散形戒マスクなどのほぼ全マ
スクを新しく作っていた.発明が解決しようとする課題 しかし、従来の1チップマイクロコンピュータの製造で
は、トランジスタ素子形成が含まれているため、製造期
間が長く約40日から50日かかっていた.また、ユー
ザ回路に応じた品種専用のマスクも11枚必要とした. 本発明は上記問題を解決するもので、製造期間の大幅な
短縮が可能であり、ユーザ専用マスクも少なくてすむ製
造方法を提供することを目的とするものである. 課題を解決するための手段 上記問題を解決するために、本発明は、マイクロプロセ
ッサとゲートアレイ基本セルを組み合わせて同一半導体
基板内に配置し、マスタースライス方式としてゲートア
レイ基本セルを使って周辺機能およびROM,RAMの
補助容量を構威し、配線工程以降で所望の回路を形成す
るものである.作用 上記構戒により、マイクロプロセッサとゲートアレイ基
本セルを組み合わせ、1チップマイクロコンピュータを
マスタースライス方式として配線工程以降で所望の回路
を形成するので、製造期間を大幅に短縮することができ
、また、専用マスクも削減できる. 実施例 以下本発明の一実施例を図面をもとに詳細に説明する. 第1図に1チップマイクロコンピュータのシステム概略
構成図を示す.第1図において、マイクロプロセッサ1
はCPU2とROM3とRAM4およびバスライン5で
構成されており、このマイクロプロセッサ1と周辺機能
部6とはインターフエイス部7を介して接続されている
. 第2図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体基板上の配置例を示す構成図である
.ここで、領域8は入出力端子を構成する入出力回路部
、領域9はマイクロプロセッサ部、領域10はゲートア
レイの基本セルを配列したゲートアレイ基本セル部であ
る.第1図のようなシステムを構戒するため、第1図の
インターフェイス7と周辺機能部6を第2図の領域10
のゲートアレイ基本セル部で実現している.前記領域8
の入出力回路部および領域10のゲートアレイ基本セル
部はマスタースライス方式としてコンタクトホール形成
以降の配線工程のみで、たとえばユーザ所望の回路に形
成することができる。また、領域9のマイクロプロセッ
サ部のROMなどの内容変更に関しては、同様にコンタ
クトホール形成以降の配線工程で可能である.すなわち
、ユーザ所望の回路仕様、たとえばROM内容の変更、
周辺機能の変更、さらにROM容量,RAM容量の増加
の場合においても、ROM容量,RAM容量の増加分を
領域10のゲートアレイ基本セル部で形成することによ
り、配線工程以降で対応することが可能となる. 発明の効果 以上のように、本発明によれば、1チップマイクロコン
ピュータをマスタースライス方式であらかじめトランジ
スタを形成しておき、ユーザの回路仕様に応じて配線工
程以降で所望の回路を形戒するため、ユーザ専用の製造
期間が従来40日〜50日かかつていたものが、10日
程度となり、大幅な短縮となる.また、ユーザ専用マス
クも従来11枚だったものが、4枚となり、開発コスト
の削減となる.
中央処理装置)、ROM(リードオンリーメモリ)、R
AM(ランダムアクセスメモリ)のa能を持ったマイク
ロプロセッサ部分と周辺機能装置部分より構成されてお
り、ユーザの回路仕様を満足させるために、通常ROM
の内容およびROMの容量,RAMの容量、そして周辺
機能を変えて作っている. 従来の1チップマイクロコンピュータを半導体装置とし
て製造する場合、ユーザの回路仕様に応じて、トランジ
スタを構成するゲート、拡散形戒マスクなどのほぼ全マ
スクを新しく作っていた.発明が解決しようとする課題 しかし、従来の1チップマイクロコンピュータの製造で
は、トランジスタ素子形成が含まれているため、製造期
間が長く約40日から50日かかっていた.また、ユー
ザ回路に応じた品種専用のマスクも11枚必要とした. 本発明は上記問題を解決するもので、製造期間の大幅な
短縮が可能であり、ユーザ専用マスクも少なくてすむ製
造方法を提供することを目的とするものである. 課題を解決するための手段 上記問題を解決するために、本発明は、マイクロプロセ
ッサとゲートアレイ基本セルを組み合わせて同一半導体
基板内に配置し、マスタースライス方式としてゲートア
レイ基本セルを使って周辺機能およびROM,RAMの
補助容量を構威し、配線工程以降で所望の回路を形成す
るものである.作用 上記構戒により、マイクロプロセッサとゲートアレイ基
本セルを組み合わせ、1チップマイクロコンピュータを
マスタースライス方式として配線工程以降で所望の回路
を形成するので、製造期間を大幅に短縮することができ
、また、専用マスクも削減できる. 実施例 以下本発明の一実施例を図面をもとに詳細に説明する. 第1図に1チップマイクロコンピュータのシステム概略
構成図を示す.第1図において、マイクロプロセッサ1
はCPU2とROM3とRAM4およびバスライン5で
構成されており、このマイクロプロセッサ1と周辺機能
部6とはインターフエイス部7を介して接続されている
. 第2図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を説
明するための半導体基板上の配置例を示す構成図である
.ここで、領域8は入出力端子を構成する入出力回路部
、領域9はマイクロプロセッサ部、領域10はゲートア
レイの基本セルを配列したゲートアレイ基本セル部であ
る.第1図のようなシステムを構戒するため、第1図の
インターフェイス7と周辺機能部6を第2図の領域10
のゲートアレイ基本セル部で実現している.前記領域8
の入出力回路部および領域10のゲートアレイ基本セル
部はマスタースライス方式としてコンタクトホール形成
以降の配線工程のみで、たとえばユーザ所望の回路に形
成することができる。また、領域9のマイクロプロセッ
サ部のROMなどの内容変更に関しては、同様にコンタ
クトホール形成以降の配線工程で可能である.すなわち
、ユーザ所望の回路仕様、たとえばROM内容の変更、
周辺機能の変更、さらにROM容量,RAM容量の増加
の場合においても、ROM容量,RAM容量の増加分を
領域10のゲートアレイ基本セル部で形成することによ
り、配線工程以降で対応することが可能となる. 発明の効果 以上のように、本発明によれば、1チップマイクロコン
ピュータをマスタースライス方式であらかじめトランジ
スタを形成しておき、ユーザの回路仕様に応じて配線工
程以降で所望の回路を形戒するため、ユーザ専用の製造
期間が従来40日〜50日かかつていたものが、10日
程度となり、大幅な短縮となる.また、ユーザ専用マス
クも従来11枚だったものが、4枚となり、開発コスト
の削減となる.
第1図は1チップマイクロコンピュータのシステム概略
構戒図、第2図は本発明の一実施例における半導体装置
の製造方法を説明するための半導体基板上の配置例を示
す構戒図である.1・・・マイクロプロセッサ、6・・
・周辺機能部、7・・・インターフェイス、8・・・入
出力回路部、9・・・マイクロプロセッサ部、10・・
・ゲートアレイ基本セル部. 第/図 第2図
構戒図、第2図は本発明の一実施例における半導体装置
の製造方法を説明するための半導体基板上の配置例を示
す構戒図である.1・・・マイクロプロセッサ、6・・
・周辺機能部、7・・・インターフェイス、8・・・入
出力回路部、9・・・マイクロプロセッサ部、10・・
・ゲートアレイ基本セル部. 第/図 第2図
Claims (1)
- 1、半導体基板内に、マイクロプロセッサとゲートアレ
イ基本セルを配列し、マスタースライス方式として配線
工程以降で所望の回路を形成する半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23110989A JPH0394465A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23110989A JPH0394465A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0394465A true JPH0394465A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16918443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23110989A Pending JPH0394465A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0394465A (ja) |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP23110989A patent/JPH0394465A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6124250A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS6262471B2 (ja) | ||
JPH0394465A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6018932A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0253949B2 (ja) | ||
JP2699859B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5928359A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
JPS62169445A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04152567A (ja) | マスタスライスlsi | |
JPH0329363A (ja) | メモリーを塔載したゲートアレー | |
JPH05167048A (ja) | ゲートアレー | |
JPH0475665B2 (ja) | ||
JPS5820146B2 (ja) | ハンドウタイキオクカイロ | |
JPH0624227B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPS5966145A (ja) | マスタ−スライス半導体装置 | |
JPH03145762A (ja) | マスタースライス集積回路 | |
JPH0376144A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH01173739A (ja) | ゲートアレイ集積回路 | |
JPH04280473A (ja) | マスタースライス型半導体集積回路およびその製造方法 | |
JPH04368175A (ja) | マスタスライスlsi | |
JPH04343469A (ja) | アナログマスタスライス型半導体装置 | |
JPS63215052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH02209750A (ja) | マスタスライス方式の半導体集積回路装置 | |
JPH0267760A (ja) | ゲートアレイ | |
JPH04133466A (ja) | 半導体集積回路装置 |