JPH0329363A - メモリーを塔載したゲートアレー - Google Patents
メモリーを塔載したゲートアレーInfo
- Publication number
- JPH0329363A JPH0329363A JP1165047A JP16504789A JPH0329363A JP H0329363 A JPH0329363 A JP H0329363A JP 1165047 A JP1165047 A JP 1165047A JP 16504789 A JP16504789 A JP 16504789A JP H0329363 A JPH0329363 A JP H0329363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- area
- logic
- region
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はメモリー専用領域を搭載したゲートアレーに関
するものである。
するものである。
(従来の技術)
ゲートアレーはトランジスタ基本回路を行列状に規則的
かつ固定して配置した共通のウェハを用意しておき、ユ
ーザからの要望によって異なる配線マスクを使用して配
線を形成することにより、多種類の品種の半導体集積回
路を構成するものである. ゲートアレーを多機能化するために、論理回路を構成す
るための論理ゲートだけではなく,論理ゲートとともに
メモリーも搭載したゲートアレーが用いられている。
かつ固定して配置した共通のウェハを用意しておき、ユ
ーザからの要望によって異なる配線マスクを使用して配
線を形成することにより、多種類の品種の半導体集積回
路を構成するものである. ゲートアレーを多機能化するために、論理回路を構成す
るための論理ゲートだけではなく,論理ゲートとともに
メモリーも搭載したゲートアレーが用いられている。
ゲートアレーにメモリーをlfil(する方法として、
第3図に示されるようにメモリー専用領域2を設ける方
式のものがある。4は論理ゲートが配置された論理部、
8はメモリー専用領域2と論理部4との間の配線領域で
ある。メモリーをメモリー界用領域として搭載すればメ
モリーの集積度を高めることができる.一方,メモリー
を搭載する他の方法としては、第4図に示されるように
メモリー領域6はメモリー専用領域ではなく,メモリー
セルと論理ゲートをともに配置している。第4図の方式
はメモリー容量をユーザの希望通りに設定できる反面、
メモリーの集積度が低くなる欠点がある.本発明が関係
するのはメモリー専用領域をもつゲートアレーである. メモリー専用領域を搭載した従来のゲートアレーでは、
メモリー専用領域の配置は例えば第3図に示されるよう
にチップの片隅に配置されるか、チップの周辺部に配置
されている。
第3図に示されるようにメモリー専用領域2を設ける方
式のものがある。4は論理ゲートが配置された論理部、
8はメモリー専用領域2と論理部4との間の配線領域で
ある。メモリーをメモリー界用領域として搭載すればメ
モリーの集積度を高めることができる.一方,メモリー
を搭載する他の方法としては、第4図に示されるように
メモリー領域6はメモリー専用領域ではなく,メモリー
セルと論理ゲートをともに配置している。第4図の方式
はメモリー容量をユーザの希望通りに設定できる反面、
メモリーの集積度が低くなる欠点がある.本発明が関係
するのはメモリー専用領域をもつゲートアレーである. メモリー専用領域を搭載した従来のゲートアレーでは、
メモリー専用領域の配置は例えば第3図に示されるよう
にチップの片隅に配置されるか、チップの周辺部に配置
されている。
(発明が解決しようとする課題)
メモリー専用領域が第3図のように配置されたゲートア
レーでは、メモリーへのアドレス入力のための論理回路
を構成する論理部と、メモリーからのデータ出力のため
の論理回路を構成する論理部が指定されていないので、
仮りにメモリー専用領域2のアドレス入力側及びデータ
出力側を図に矢印で示されるような範囲であるとすると
,アドレス入力のための配線領域はメモリー専用領域2
の上側から左側に及ぶ範囲となり、データ出力のための
配線領域はメモリー専用領域2の下側から左側の領域と
なる.そのため、特にメモリー専用領域2の左側の配線
領域ではアドレス入力のための配線とデータ出力のため
の配線が交錯する。ゲートアレーでは一般に配線はコン
ピューターソフトウェアを用いて行なわれることが多い
ため、第3図のようなメモリー専用領域2の配置では広
い配線領域8が必要となり、チップサイズが大きくなっ
てしまう欠点がある。
レーでは、メモリーへのアドレス入力のための論理回路
を構成する論理部と、メモリーからのデータ出力のため
の論理回路を構成する論理部が指定されていないので、
仮りにメモリー専用領域2のアドレス入力側及びデータ
出力側を図に矢印で示されるような範囲であるとすると
,アドレス入力のための配線領域はメモリー専用領域2
の上側から左側に及ぶ範囲となり、データ出力のための
配線領域はメモリー専用領域2の下側から左側の領域と
なる.そのため、特にメモリー専用領域2の左側の配線
領域ではアドレス入力のための配線とデータ出力のため
の配線が交錯する。ゲートアレーでは一般に配線はコン
ピューターソフトウェアを用いて行なわれることが多い
ため、第3図のようなメモリー専用領域2の配置では広
い配線領域8が必要となり、チップサイズが大きくなっ
てしまう欠点がある。
本発明は大容量メモリーを搭載できるようにメモリー専
用領域を搭載したゲートアレーにおいて、メモリー専用
領峨と論理回路との配線領域を小さくすることのできる
ゲートアレーを提供することを目的とするものである。
用領域を搭載したゲートアレーにおいて、メモリー専用
領峨と論理回路との配線領域を小さくすることのできる
ゲートアレーを提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明では、メモリー専用領域の両側にトランジスタ基
本回路を規則的に配置した論理部が設けられており、一
方の論理部はメモリー専用領域の入力側論理回路を構成
するのに必要な容量のゲートを少なくとも含み、他方の
論理部はメモリー専用領域の出力側論理回路を構戊する
のに必要な容量のゲートを少なくとも含んでいる。
本回路を規則的に配置した論理部が設けられており、一
方の論理部はメモリー専用領域の入力側論理回路を構成
するのに必要な容量のゲートを少なくとも含み、他方の
論理部はメモリー専用領域の出力側論理回路を構戊する
のに必要な容量のゲートを少なくとも含んでいる。
(実施例)
第1図は一実施例におけるゲートアレーチップを表わす
. 12はメモリー専用領域であり.メモリー専用領域l2
内の図で上側にはアドレス入力領域が配置され、下側に
はデータ出力領域が配置されている。メモリー専用領域
12はこのチップのほぼ中央部に配置されている. メモリー専用領域12の上側には論理部l4が配置され
、論理部14とメモリー専用領域12の間には配線領域
16が配置されている.メモリー専用領域12の下側に
は論理部18が配置され,メモリー専用領域l2と論理
部18の間には配線領域20が配置されている。
. 12はメモリー専用領域であり.メモリー専用領域l2
内の図で上側にはアドレス入力領域が配置され、下側に
はデータ出力領域が配置されている。メモリー専用領域
12はこのチップのほぼ中央部に配置されている. メモリー専用領域12の上側には論理部l4が配置され
、論理部14とメモリー専用領域12の間には配線領域
16が配置されている.メモリー専用領域12の下側に
は論理部18が配置され,メモリー専用領域l2と論理
部18の間には配線領域20が配置されている。
メモリー専用領域12にはROMセルが配置されており
、論理部14.18にはトランジスタ基本回路が配列さ
れた基本セル領域と配線領域がアレー状に配置されてい
る。チップの周辺部には人出力部が配置される。
、論理部14.18にはトランジスタ基本回路が配列さ
れた基本セル領域と配線領域がアレー状に配置されてい
る。チップの周辺部には人出力部が配置される。
第1図のゲートアレーでは,上側の論理部14によって
アドレス操作ロジックを構成するように配線を施し、下
側の論理部18によってデータ操作ロジックを構威する
ように配線を施す.アドレス操作ロジックとデータ操作
ロジックの間で配線が行き交うことがなく、論理部14
とメモリー専用領域12の間の配線領域16、及び論理
部18とメモリー専用領域12の間の配線領域20はそ
れぞれ少なくてすむ。
アドレス操作ロジックを構成するように配線を施し、下
側の論理部18によってデータ操作ロジックを構威する
ように配線を施す.アドレス操作ロジックとデータ操作
ロジックの間で配線が行き交うことがなく、論理部14
とメモリー専用領域12の間の配線領域16、及び論理
部18とメモリー専用領域12の間の配線領域20はそ
れぞれ少なくてすむ。
第2図に一実施例のゲートアレーを用いてメモリー″!
A置を構成した例を表わす。ただし,第1図ではメモリ
ー専用領域12がl個であるのに対し,第2図のゲート
アレーでは2個のメモリー専用領域を搭載している。第
2図はブロック図で表現しているが、各部の配置は第2
図に示されたものに近くなる。
A置を構成した例を表わす。ただし,第1図ではメモリ
ー専用領域12がl個であるのに対し,第2図のゲート
アレーでは2個のメモリー専用領域を搭載している。第
2図はブロック図で表現しているが、各部の配置は第2
図に示されたものに近くなる。
チップのほぼ中央部には2個のマスクROM 22a,
22bが配置されている。マスクROM 22a,22
bの上側にはそれぞれのアドレス操作ロジックが論理部
14により構成されている。アドレス操作ロジックには
データラッチ回路24a,24bと、カウンター26a
,26bがそれぞれ設けられている。周辺部の入出力部
にはデータ入力回i628a,28bとスタート信号入
力回路3O及びクロツク入力回路32が構成されている
。
22bが配置されている。マスクROM 22a,22
bの上側にはそれぞれのアドレス操作ロジックが論理部
14により構成されている。アドレス操作ロジックには
データラッチ回路24a,24bと、カウンター26a
,26bがそれぞれ設けられている。周辺部の入出力部
にはデータ入力回i628a,28bとスタート信号入
力回路3O及びクロツク入力回路32が構成されている
。
マスクROM22a,22bの下側の領域には論理部1
8によってデータ操作ロジックが構威されている。デー
タ操作ロジックにはデータラッチ回路32a,32b、
セレクタ回路34及びセレクタロジック回路36が設け
られている。入出力部にはセレクト条件入力回路38及
びデータ出力回路40が構成されている。
8によってデータ操作ロジックが構威されている。デー
タ操作ロジックにはデータラッチ回路32a,32b、
セレクタ回路34及びセレクタロジック回路36が設け
られている。入出力部にはセレクト条件入力回路38及
びデータ出力回路40が構成されている。
アドレス操作ロジックのrtn.データ操作ロジックの
間及び両ロジックとマスクROM22a,22bの間に
は、論理部l4の配線領域や、論理部14とメモリー専
用領域12の間の配線領域を用いて配線42が形或され
ている。
間及び両ロジックとマスクROM22a,22bの間に
は、論理部l4の配線領域や、論理部14とメモリー専
用領域12の間の配線領域を用いて配線42が形或され
ている。
実施例はメモリー専用領域にROMを配置しているが、
メモリーとしてはRAMを搭載することもできる. (発明の効果) 本発明ではメモリー専用領域の両側に論理部が設けられ
ており、一方の論理部はメモリー専用領域の入力側論理
回路を構成するのに必要な容量のゲートを少なくとも含
み、他方の論理部はメモリー専用領域の出力側論理回路
を構成するのに必要な容量のゲートを少なくとも含んで
いるので、メモリー専用領域と論理部の間の配線領域を
小さくすることができる。
メモリーとしてはRAMを搭載することもできる. (発明の効果) 本発明ではメモリー専用領域の両側に論理部が設けられ
ており、一方の論理部はメモリー専用領域の入力側論理
回路を構成するのに必要な容量のゲートを少なくとも含
み、他方の論理部はメモリー専用領域の出力側論理回路
を構成するのに必要な容量のゲートを少なくとも含んで
いるので、メモリー専用領域と論理部の間の配線領域を
小さくすることができる。
また,例えばメモリー専用領域を複数個搭載する場合に
は従来の第3図のように片隅にメモリー専用領域を配置
したり、周辺部に配置する方式では配線領域が大きくな
ってチップサイズが大きくなりすぎる.第4図のような
ゲートアレーでは襟数個のメモリー領域領域を搭載する
のは不可能で6ある.これに対し、本発明では配線の領
域が少なくなるので複数個のメモリー専用領域を搭載し
て大容量メモリー装置とすることも可能である。
は従来の第3図のように片隅にメモリー専用領域を配置
したり、周辺部に配置する方式では配線領域が大きくな
ってチップサイズが大きくなりすぎる.第4図のような
ゲートアレーでは襟数個のメモリー領域領域を搭載する
のは不可能で6ある.これに対し、本発明では配線の領
域が少なくなるので複数個のメモリー専用領域を搭載し
て大容量メモリー装置とすることも可能である。
第1図は一実施例における各部の配置を示す平面図,第
2図は一実施例を用いてメモリー装置を構成する場合の
配置を示すブロック図、第3図及び第4図は従来のゲー
トアレーの各部の配置を示す平面図である.
2図は一実施例を用いてメモリー装置を構成する場合の
配置を示すブロック図、第3図及び第4図は従来のゲー
トアレーの各部の配置を示す平面図である.
Claims (1)
- (1)メモリー専用領域を搭載し、このメモリー専用領
域の両側にはトランジスタ基本回路を規則的に配置した
論理部が設けられており、一方の論理部は前記メモリー
専用領域の入力側論理回路を構成するのに必要な容量の
ゲートを少なくとも含み、他方の論理部は前記メモリー
専用領域の出力側論理回路を構成するのに必要な容量の
ゲートを少なくとも含んでいるゲートアレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165047A JPH0329363A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | メモリーを塔載したゲートアレー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1165047A JPH0329363A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | メモリーを塔載したゲートアレー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0329363A true JPH0329363A (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=15804828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1165047A Pending JPH0329363A (ja) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | メモリーを塔載したゲートアレー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0329363A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102349788A (zh) * | 2011-09-01 | 2012-02-15 | 解叶峰 | 适用电磁炉的锅具结构及其表面处理方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62202537A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH01238038A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置 |
-
1989
- 1989-06-26 JP JP1165047A patent/JPH0329363A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62202537A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-09-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH01238038A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | Sharp Corp | 半導体集積回路装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102349788A (zh) * | 2011-09-01 | 2012-02-15 | 解叶峰 | 适用电磁炉的锅具结构及其表面处理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0519989B2 (ja) | ||
JPH0329363A (ja) | メモリーを塔載したゲートアレー | |
JPH0221145B2 (ja) | ||
JPS61123154A (ja) | ゲ−トアレイlsi装置 | |
JPH06283604A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63273332A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPS62179744A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2757445B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH03196661A (ja) | 半導体集積回路装置及びその形成方法 | |
JPH0348668B2 (ja) | ||
JPH03147350A (ja) | マスタースライス方式集積回路装置 | |
JPS62273751A (ja) | 集積回路 | |
JPH04186749A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH01144670A (ja) | 相補型mos半導体装置 | |
JPH04368175A (ja) | マスタスライスlsi | |
JP2702155B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0485732U (ja) | ||
JPS60177650A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH02138758A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11297971A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6248043A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0394465A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH05243380A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH088343A (ja) | 集積回路装置の電源配線 | |
JPH02164051A (ja) | 半導体装置 |