JPS62273751A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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Publication number
JPS62273751A
JPS62273751A JP11776886A JP11776886A JPS62273751A JP S62273751 A JPS62273751 A JP S62273751A JP 11776886 A JP11776886 A JP 11776886A JP 11776886 A JP11776886 A JP 11776886A JP S62273751 A JPS62273751 A JP S62273751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
functional blocks
wirings
integrated circuit
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11776886A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuji Ikeda
勝治 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11776886A priority Critical patent/JPS62273751A/ja
Publication of JPS62273751A publication Critical patent/JPS62273751A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路、特に多数の機能ブロックを機能ブロ
ック間配線により接続した集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、ゲートアレイ及びスタンダードセルL8工等の集
積回路の基本構成となる機能ブロックはその入出力端子
を機能ブロックの最外部部に設け、その内部では機能ブ
ロック内配線と同一配線層の全てについて機能ブロック
間の配線禁止領域としている。従って機能ブロック間の
配線で、機能ブロック内の配線と同一層の配線は必ず機
能ブロックの外、または機能ブロック間に配置すること
としている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述の集積回路では本来機能ブロック内
で配線に使用していない配線可能領域も使用していない
ため、集積度の高いLSIでは機能ブロック間配線のた
めに機能ブロック間に大きなスペースを必要とし、それ
に従ってチップを大きくしなければならないと云う問題
点がある。また、機能ブロック内領域に機能ブロック間
配線を許す場合には、ブロック内禁止情報をきめ細く決
定しなけれけならず、さらに自動配線プログラムで使用
するメモリエリアを多く必要とすること、ならびに自動
配線プログラムの処理量が飛躍的に多くなって実用にな
らないと云う問題点がある。
本発明の目的は上述の問題点を解決し、機能ブロック内
の使用許可領域を単純な指定で設定し、この許可領域内
は機能ブロック上の機能ブロック間配線と直交する方向
のみの配線を設けることにより、配線効率のよい集積回
路を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、ゲートアレイおよびスタンダードセルLSI
の基本構成となる機能ブロック上に、第2層配線による
一定方向の機能ブロック間配線を配量する集積回路にお
いて1機能ブロック内の配線未使用領域に前記一定方向
と直角方向の第1層配線による機能ブロック間配線の一
部を設け、この第1層配線と前記第2層配線とをスルー
ホールにより接続して構成される。
以上の構成において配線未使用領域は上記一定方向の2
本の平行線とこの一定方向と直角の2本の平行線で囲ま
れる矩形領域を使用許可領域とし、この矩形領域の2つ
の対角点のみを指定すること  −により特定される。
〔実施例〕
以下1本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の一実施例の平面図で、機能ブロック1
の内部に機能ブロック内の配線に使用されていなくて、
第1層配線を機能ブロック間の配線に使用してもよい使
用許可領域2が特定されている場合を示している。図に
おいて複数の第2層配線による機能ブロック間の配線可
能通路100が設定されていて、通常はこれらの通路1
00上の第2層配線101と104と、ならびに102
と103との接続は機能ブロック外に設けられたスペー
スに第1層配線を設はスルーホールを介して行なはれる
が1本実施例では使用許可領域2に設けられた第1層配
線201ならびに202を用いスルーホール211〜2
14を介して接続される。従って使用許可領域2におけ
る第1層配線201.202を設けることによ#)、機
能ブロック外のスペースを少なくすることができ集積回
路のチップも有効に使用できる。
なお使用許可領域2は例えばこの矩形領域の対角点であ
る判キ樅指定点21および22の座標を設定するだけで
よく%またこの領域2での第1層配線は機能ブロック間
の配線方向と直角方向に限定すると七により、コンビエ
ータを使用した自動配線設計においても単純な制限用の
データを設定すればよく、処理量に与える影響が少ない
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は配線許可領域内に1層配線
および1層端子を設けることにより、禁止情報を線分ま
たは点として定義する必要がなく領域として定義でき、
自動配線プログラムで使用するメモリエリアをあまシ多
く必要とせず高速化が計れる。また、機能ブロック内部
を配線可能としているため配線性が上げられ、スタンダ
ード・セルの場合にチップ面積を縮少することができ、
さらにゲートアレイの場合は、未配線発生確率を一5= 低下できると云う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の平面図である。 1・・・・・・機能ブロック、2・・・・・・使用許可
領域、101〜105・・・・・・第2層配線(機能ブ
ロック間)、201.202・・・・・・第1層配線(
機能ブロック間)。 211〜214・・・・・・スルーホール。 6一

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲートアレイおよびスタンダードセルLSIの基本構成
    となる機能ブロック上に第2層配線による一定方向の機
    能ブロック間配線を配置する集積回路において、機能ブ
    ロック内の配線未使用領域に前記一定方向と直角方向の
    第1層配線による機能ブロック間配線の一部を設け、こ
    の第1層配線と前記第2層配線とをスルーホールにより
    接続されたことを特徴とする集積回路。
JP11776886A 1986-05-21 1986-05-21 集積回路 Pending JPS62273751A (ja)

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JP11776886A JPS62273751A (ja) 1986-05-21 1986-05-21 集積回路

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JPS62273751A true JPS62273751A (ja) 1987-11-27

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ID=14719841

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JP (1) JPS62273751A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324636A (ja) * 1986-07-17 1988-02-02 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路スタンダ−ドセル
JPH0289342A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp スタンダードセル上配線通過位置登録方法
JPH0329342A (ja) * 1989-06-26 1991-02-07 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6324636A (ja) * 1986-07-17 1988-02-02 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体集積回路スタンダ−ドセル
JPH0289342A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp スタンダードセル上配線通過位置登録方法
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