JPS5936942A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPS5936942A
JPS5936942A JP14705682A JP14705682A JPS5936942A JP S5936942 A JPS5936942 A JP S5936942A JP 14705682 A JP14705682 A JP 14705682A JP 14705682 A JP14705682 A JP 14705682A JP S5936942 A JPS5936942 A JP S5936942A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
unit cells
cells
integrated circuit
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14705682A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuko Ogawa
小川 祐子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14705682A priority Critical patent/JPS5936942A/ja
Publication of JPS5936942A publication Critical patent/JPS5936942A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、マスタスライス方式の半導体集積回路の改良
に関する。
〔発明の技術的背諏とその問題点〕
近年、配線パターンを変えるのみで異った機能を実現す
るマスクスライス方式の半導体果枝(ロ)路が広く用い
られている。第1図はこの柚の従来例として、r−ドア
レイタイプのユニ、トセルの配列と配線チャネルとの関
係を示す模式図である。ユニ、トセル1が行列状に配7
りされ、これらのユニットセル1の各列間には配線チャ
ネル2がそれぞれ配置されている。
ダートアレイタイプの大きな特長tよ、自動配置配線を
可能にする点にあるが、自動配置配線プログラムが許容
するユニットセル数や配線チャネル数の範囲吟により限
定される。このため、大規模な回路をレイアウトするこ
とは困難であった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、自動配置配線プログラムが許容するユ
ニットセル数や配線チャネル数の限界をなくすことがで
き、大規模な回路のレイアウトを可能にする半導体集積
回路を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明の骨子は、従来ユニ、トセルの各列間に配置され
ていた配線チャネルに加えユニットセルの行間にも配線
チャネルを配置する0とにある。
すなわち本発明は、ユニットセルを行列状に配列してな
るマスタスライス方式の半導体集積回路において、上記
ユニットセルの各列間に第1の配線チャネルを設はると
共に、上記ユニットセルの所定数毎の行間に第1の配線
チャネルと直交する第2の配線チャネルを設けるように
したものである。
〔発明の効果〕
本発明によれば、第1の配線チャネルに加え第2の配線
チャネルを用−ることによ)自動配置配線プログラムの
限界を大幅に拡大することかできる。このため、大規模
な回路のレイアウトも容易に実状することが可能となる
〔発明の実施例〕
m2図は本発明の一実施例に係わるマスクチップのセル
配列及び配線チャネルを示す模式図である。ユニットセ
ル11は行列状に規則的に配列されておシ、これらのセ
ル11の各列間には第1の配線チャネル12が設けられ
ている。また、ユニットセル11の所定数毎の行間には
第1の配線チャネル12と直交する方向に第2の配線チ
ャネル13が設けられている。ここで、1つのブロック
14(第2図中破線で囲まれた部分)に着目すると、こ
のブロック14は前記第1図と同様となっている。ただ
し、その左右の境界は上下方向に走る縞2の配線チャネ
ル13に接している。また、上下の境界はプロ、り内の
回路の規模によって法定されるものとなっている。
m3図は、セルライブラリに予め登録したセルを使用し
てプロ、り、例えはブロック14内に笑除の回路會レイ
アウトした例を示すもので、このブロックのレイアウト
が階層的レイアウトの第1段階でおる。第3図において
各セル11の高さは一足であるが、暢はそのセルの持つ
論理機能によって異っている。セル11は入出力端子を
その上下に持っている。セル11の入出力端子とセル列
間の第1の配線チャネル12とは異なる層であり、配線
チャネル12は一定の1−を持っている。ブロック14
はその左右に入出力端子15を持っており、この端子1
5は第2の配線チャネル13に接している。
第4図(a) (b)は階層的レイアウトの第2段階を
示す模式図である。図中A−Jは前記第1段階でレイア
ウトを終了したプロ、りであfi、PIは外部入力、P
Oは外部出力を示すものである。
第4図(&)は各ブロックの入出力関係を示しており、
これを前記第2図に示すマスタチップ上に構成したもの
が同図(b)である。ここで、図中に示す数字は入出力
線の個数である。また、第4図(b)ではAブロックの
出力がGブロックに入力する除配線可能なブロックを作
成しているが、ブロック内に配線可能な配置チャネルが
おるときはブロックを貫通させることが可能である。
かくして本実施例によれは、2段階法でレイlアウトし
たチップには、各ブロックに會まれるセル数を合計した
セルが含まれることになシ、事実上自動配備配線プログ
ラムの持つ限界を解消することができる。したがって、
大規模な回路のレイアウトを容易に実現することができ
る。
なお、本発明は上述した実施例KI5ff定されるもの
ではない。例えば、前記第2の配線チャネルを設ける際
の該チャネル間のユニ、トセル数は、仕様に応じて適宜
定めればよい。また、/口、りの分は方やレイアウトの
方法尋も仕様に応じて適宜定めればよいのは、勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のマスタチップのセル配列及び配線チャネ
ルの関係を示す模式図、紀2図は本発明の一実施例に係
わるマスクチップのセル配列及び配線チャネルの関係を
示す模式図、第3図及び第4図(a>(b)はそれぞれ
上紀笑施例を説明するだめのもので第3図はプν、り内
の回路しイアウドの例を示す模式図、第4図(a)は各
プロ、りの入出力関係を図式化して示す模式図、堀4図
(b)は各ブロックをマスクチップ上に配置配線した例
を示す模式図である。 11・・・ユニットセル、12・・・第1の配線チャネ
ル、13・・・第2の配線チャネル、14・・・ブロッ
ク。 出願人代理人  弁理士釣江武 彦

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) ユニットセルを行列状に配列してなるマスクス
    ライス方式の半導体集積回路において、上記ユニットセ
    ルの各列ル]に第1の配線チャネルを設けると共に、上
    記ユニットセルの所定数毎の行間に上記第1の配線チャ
    ネルと直交する第2の配線チャネルを設けてなることを
    特徴とする半導体集積回路。
  2. (2)  前記第1及び第2の配線チャネルは、それぞ
    れ異った配線層から形成されたものであることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路。
JP14705682A 1982-08-25 1982-08-25 半導体集積回路 Pending JPS5936942A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14705682A JPS5936942A (ja) 1982-08-25 1982-08-25 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14705682A JPS5936942A (ja) 1982-08-25 1982-08-25 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5936942A true JPS5936942A (ja) 1984-02-29

Family

ID=15421496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14705682A Pending JPS5936942A (ja) 1982-08-25 1982-08-25 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5936942A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107537A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Nec Corp マスタ・スライス形集積回路の製造方法
US4910574A (en) * 1987-04-30 1990-03-20 Ibm Corporation Porous circuit macro for semiconductor integrated circuits
US5341310A (en) * 1991-12-17 1994-08-23 International Business Machines Corporation Wiring layout design method and system for integrated circuits

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59107537A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Nec Corp マスタ・スライス形集積回路の製造方法
JPH0125225B2 (ja) * 1982-12-13 1989-05-16 Nippon Electric Co
US4910574A (en) * 1987-04-30 1990-03-20 Ibm Corporation Porous circuit macro for semiconductor integrated circuits
US5341310A (en) * 1991-12-17 1994-08-23 International Business Machines Corporation Wiring layout design method and system for integrated circuits

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2746762B2 (ja) 半導体集積回路のレイアウト方法
US5117277A (en) Semiconductor integrated circuit device with improved connection pattern of signal wirings
US6463575B1 (en) Cell-layout method in integrated circuit devices
US4525809A (en) Integrated circuit
EP0457449A1 (en) Semiconductor device having via hole and method of producing the same
JPH02177345A (ja) 半導体集積回路装置
EP0021661A1 (en) Semiconductor master-slice device
JPS5936942A (ja) 半導体集積回路
JPH0348669B2 (ja)
JPS5866342A (ja) 半導体集積回路装置
JP2003142583A (ja) 半導体装置及びその設計方法
JPS61240652A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61283143A (ja) 半導体集積回路
JPS62273751A (ja) 集積回路
JP2807129B2 (ja) 半導体集積回路
JP2803800B2 (ja) 半導体集積回路装置の配線方法
JPS58200570A (ja) 半導体集積回路装置
JPS62219637A (ja) 半導体集積回路装置における配線方法
JPS63260150A (ja) 集積回路の配置設計方法
JPS6115346A (ja) 半導体論理集積回路装置
JPS6248042A (ja) マスタ−スライス方式半導体集積回路
JP2656263B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPS61141152A (ja) マスタ・スライス形集積回路
JPS60224243A (ja) ゲ−トアレ−型半導体集積回路装置の製造方法
JPH05251671A (ja) ゲートアレイ方式の半導体集積回路装置