JP2005268749A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、金属薄膜抵抗体の抵抗値及び配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現する。
【解決手段】配線パターン１１の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上に第２層間絶縁膜１９が形成されている。第２層間絶縁膜１９に金属薄膜抵抗体２３の両端部及び配線パターン１１に対応して接続孔２１が形成されている。接続孔２１の上端部２１ａはテーパー形状に形成されている。接続孔２１の内壁にはサイドウォール２２が形成されている。第２層間絶縁膜１９上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン１１上にわたって金属薄膜抵抗体２３が形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に、絶縁膜上に形成された金属薄膜からなる金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置に関するものである。

アナログ集積回路において、抵抗素子は重要な素子として多用されている。近年、抵抗素子の中でも金属薄膜からなる抵抗体（金属薄膜抵抗体と称す）がその抵抗値の温度依存性（以下ＴＣＲという）の低さから注目を集めている。金属薄膜抵抗体の材料としては、例えばクロムシリコン（ＣｒＳｉ）やニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、クロムシリサイド（ＣｒＳｉ₂）、窒化クロムシリサイド（ＣｒＳｉＮ）、クロムシリコンオキシ（ＣｒＳｉ０）などが用いられる。
金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、高集積化の要求を満たすために、より高いシート抵抗を目指し、１０００Å（オングストローム）以下という薄い膜厚で金属薄膜抵抗体を形成することが多い。

従来、金属薄膜抵抗体の電気的接続をとる方法として、以下のような方法がある。
１）金属薄膜抵抗体に直接金属配線を接続する方法（例えば特許文献１参照。）。
２）金属薄膜抵抗体を形成した後、層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔を介して金属配線を接続する方法（例えば特許文献２及び特許文献３参照。）。
３）金属薄膜抵抗体層上にバリヤ膜を形成し、そのバリヤ膜に金属配線を接続する方法（例えば特許文献４及び特許文献５参照。）。

上記１）〜３）の金属薄膜抵抗体の電気的接続をとる方法を以下に示す。
図２９を参照して、１）金属薄膜抵抗体上に直接金属配線を形成する方法を説明する。
（１）素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、トランジスタのゲート電極とメタル配線との第１層間絶縁膜５となるＢＰＳＧ（Borophospho silicate grass）膜を形成し、リフロー工程等を行なう（図２９（ａ）参照）。

（２）シリコン基板１上全面に金属薄膜抵抗体を形成するための金属薄膜７３を２０〜５００Å程度の膜厚に形成する（図２９（ｂ）参照）。
（３）金属薄膜７３上に金属薄膜抵抗体の形成領域を画定するためのレジストパターン７５を形成し、レジストパターン７５をマスクにして金属薄膜７３をパターニングして金属薄膜抵抗体７７を形成する（図２９（ｃ）参照）。

（４）レジストパターン７５を除去した後、金属薄膜抵抗体７７上を含む第１層間絶縁膜５上全面に、ＡｌＳｉＣｕ膜からなる配線用金属膜７９を形成する。配線用金属膜７９上に、配線用金属膜７９を金属薄膜抵抗体７７の両端部に残存させるようにパターニングするためのレジストパターン８１を形成する（図２９（ｄ）参照）。

（５）ウェットエッチング技術により、レジストパターン８１をマスクにして配線用金属膜７９をパターニングして金属配線パターン８３を形成する（図２９（ｅ）参照）。一般的な半導体装置の製造工程では、配線用金属膜７９のエッチング処理にはドライエッチング技術が用いられるが、配線用金属膜７９の直下に膜厚が薄い金属薄膜抵抗体７７が存在する状況下では、オーバーエッチングにより金属薄膜抵抗体７７をエッチングしてしまうため、ドライエッチング技術を使用することができない。したがって、配線用金属膜７９をウェットエッチング技術によってパターニングする必要がある。
（６）レジストパターン８１を除去することにより、金属薄膜抵抗体７７と、金属薄膜抵抗体７７の電気的接続をとるための金属配線パターン８３の形成が完了する（図２９（ｆ）参照）。

図３０を参照して、２）金属薄膜抵抗体を形成した後、層間絶縁膜を形成し、その層間絶縁膜に接続孔を形成し、接続孔を介して金属配線を接続する方法について説明する。
（１）図２９（ａ）から（ｃ）を参照して説明した上記工程（１）から（３）と同様にして、シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、第１層間絶縁膜５及び金属薄膜抵抗体７７を形成する（図３０（ａ）参照）。
（２）金属薄膜抵抗体７７上を含む第１層間絶縁膜５上に、金属配線との層間絶縁膜となるＣＶＤ（chemical vapor deposition）酸化膜８５を２０００Å程度の膜厚に形成する（図３０（ｂ）参照）。

（３）ＣＶＤ酸化膜８５上に、金属薄膜抵抗体７７の両端部に対応して開口部をもつ、金属配線接続用の接続孔を形成するためのレジストパターン８７を形成する。ウェットエッチング技術により、レジストパターン８７をマスクにしてＣＶＤ酸化膜８５を選択的に除去して接続孔８９を形成する（図３０（ｃ）参照）。一般的な半導体装置の製造工程では、接続孔８９の形成にはドライエッチング技術が用いられるが、金属薄膜抵抗体７７が１０００Åより薄い場合には、接続孔８９が金属薄膜抵抗体７７を突き抜けるのを防止するのは困難であり、ウェットエッチング技術により接続孔８９を形成する必要がある。

（４）接続孔８９内を含むＣＶＤ酸化膜８５上に、ＡｌＳｉＣｕ膜からなる配線用金属膜９１を形成する（図３０（ｄ）参照）。
（５）配線用金属膜９１上に、配線用金属膜９１を金属薄膜抵抗体７７の両端部に残存させるようにパターニングするためのレジストパターン９３を形成する（図３０（ｅ）参照）。

（６）ドライエッチング技術により、レジストパターン９３をマスクにして配線用金属膜９１をパターニングして金属配線パターン９５を形成する。このとき、配線用金属膜９１下にはＣＶＤ酸化膜８５が形成されているので、ドライエッチング技術を用いても金属薄膜抵抗体７７がエッチングされることはない。
レジストパターン９３を除去することにより、金属薄膜抵抗体７７と、金属薄膜抵抗体７７の電気的接続をとるための金属配線パターン９５の形成が完了する（図３０（ｆ）参照）。

図３１を参照して、３）金属薄膜抵抗体層上にバリヤ膜を形成し、そのバリヤ膜に金属配線を接続する方法を説明する。
（１）図２９（ａ）から（ｃ）を参照して説明した上記工程（１）から（３）と同様にして、シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、第１層間絶縁膜５及び金属薄膜抵抗体７７を形成する（図３１（ａ）参照）。

（２）金属薄膜抵抗体７７上を含む第１層間絶縁膜５上に、金属配線とのバリヤ膜となるＴｉＷ等の高融点金属膜９７を形成し、さらにその上に、ＡｌＳｉ膜やＡｌＳｉＣｕ膜などの配線用金属膜９９を形成する（図３１（ｂ）参照）。
（３）配線用金属膜９９上に、配線用金属膜９９を金属薄膜抵抗体７７の両端部に残存させるようにパターニングするためのレジストパターン１０１を形成する（図３１（ｃ）参照）。

（４）ドライエッチング技術により、レジストパターン１０１をマスクにして配線用金属膜９９をパターニングして金属配線パターン１０３を形成する（図３１（ｄ）参照）。このとき、配線用金属膜９９下には高融点金属膜９７が形成されているので、ドライエッチング技術を用いても金属薄膜抵抗体７７がエッチングされることはない。

（５）レジストパターン１０１を除去した後、ウェットエッチング技術により金属配線パターン１０３をマスクにして高融点金属膜９７を選択的に除去して高融点金属膜パターン１０５を形成する。これにより、金属薄膜抵抗体７７と、金属薄膜抵抗体７７の電気的接続をとるための金属配線パターン１０３及び高融点金属膜パターン１０５の形成が完了する（図３１（ｅ）参照）。ここで、金属薄膜抵抗体７７の直上に高融点金属膜９７があるので、ドライエッチング技術による高融点金属膜９７のパターニングは困難である。

また、金属薄膜抵抗体ではないが、最上層配線電極上に絶縁膜を介して形成され、かつその最上層配線電極と結線されている抵抗体を備えた半導体集積回路装置が開示されている（例えば特許文献６参照。）。このような構造を金属薄膜抵抗体に適用した場合の製造方法について図３２を参照して説明する。

（１）素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、トランジスタのゲート電極とメタル配線との第１層間絶縁膜５となるＢＰＳＧ膜を形成し、リフロー工程等を行なった後、第１層間絶縁膜５上に金属配線パターン１０７と例えば下層側から順にＣＶＤ酸化膜、ＳＯＧ（spin on glass）膜、ＣＶＤ酸化膜からなる第２層間絶縁膜１０９を形成する（図３２（ａ）参照）。図３２では第２層間絶縁膜１０９を構成する下層側のＣＶＤ酸化膜、ＳＯＧ膜及び上層側のＣＶＤ酸化膜を一体的に示している。

（２）第２層間絶縁膜１０９上に接続孔の形成領域を画定するためのレジストパターン１１１を形成する（図３２（ｂ）参照）。
（３）ドライエッチング技術により、レジストパターン１１１をマスクにして第２層間絶縁膜１０９を選択的に除去して、配線パターン１０７上の第２層間絶縁膜１０９に接続孔１１３を形成する。このとき、配線パターン１０７の上面側の一部分もオーバーエッチングによって除去される（図３２（ｃ）参照）。

（４）レジストパターン７５を除去した後、接続孔１１３の形成領域を含んで第２層間絶縁膜１０９上全面に金属薄膜抵抗体を形成するための金属薄膜１１５を２０〜５００Å程度の膜厚に形成する（図３２（ｄ）参照）。
その後、金属薄膜１１５を所定の形状にパターニングして金属薄膜抵抗体を形成する。

特開２００２−１２４６３９号公報 特開２００２−２６１２３７号公報 特許第２６９９５５９号公報 特許第２９３２９４０号公報 特許第３１８５６７７号公報 特開昭５８−１４８４４３号公報

上記１）の方法では、上述のように、金属薄膜抵抗体７７上に直接金属配線パターン８３を形成しているが、図２９（ｅ）を参照して説明した上記工程（５）において、配線用金属膜７９のパターニングをドライエッチング技術によっては行なうことができず、微細パターンの形成が困難であり、回路の高集積化の妨げになるという問題があった。

また、金属薄膜抵抗体７７は一般的に酸化されやすく、金属薄膜抵抗体７７の表面が酸化された状態で配線用金属膜７９を形成しても、金属薄膜抵抗体７７と金属配線パターン８３の良好な電気的接続を得ることができないという問題があった。一般的な半導体装置の製造工程では、シリコン基板表面等の自然酸化膜をフッ酸水溶液で除去することにより金属配線との良好な電気的接続を得ることができるが、金属薄膜抵抗体７７はフッ酸に少なからずエッチングされてしまうため、図２９（ｄ）を参照して説明した上記工程（４）において、配線用金属膜７９を形成する前にフッ酸による酸化膜除去処理を行なうと金属薄膜抵抗体７７の抵抗値のバラツキを招く虞があった。

上記２）の方法では、金属薄膜抵抗体７７の上に層間絶縁膜８５を形成することにより、図３０（ｆ）を参照して説明した上記工程（６）において、配線用金属膜９１のパターニングをドライエッチング技術により行なうことができる。
しかし、図３０（ｃ）を参照して説明した上記工程（３）において、金属薄膜抵抗体７７と金属配線パターン９５を電気的に接続するための接続孔８９の形成については、上述のように、ウェットエッチング技術により開口する必要があり、微細化による高集積化の妨げとなる。さらに、接続孔８９を形成するためのウェットエッチング処理においてフッ酸水溶液を使用するが、フッ酸により金属薄膜抵抗体７７がエッチングされてしまうのを防止するには、金属薄膜抵抗体７７上にバリヤ膜を形成及びパターニングする工程を新規に追加する等の対策が必要であり、工程数が増加するという問題があった。

上記３）の方法では、図３１（ｄ）を参照して説明した上記工程（４）のように、配線用金属膜のエッチング処理をドライエッチング技術によって行なうことができ、さらに接続孔の形成も不要である。しかし、図３１（ｅ）を参照して説明した上記工程（５）において、上述のように、金属薄膜抵抗体７７の長さを実質的に決定する高融点金属膜パターン１０５を形成するための高融点金属膜９７のパターニングをウェットエッチング技術により行なう必要があるので、高融点金属膜９７は希望するエッチング領域よりも広くエッチングされてしまい、金属薄膜抵抗体７７の実質的な長さがばらつき、結果的に抵抗値のバラツキを大きくしてしまうと共に、微細化が困難になるという問題があった。

さらに、図３１（ｂ）を参照して説明した上記工程（２）において、高融点金属膜９７よりも先に形成されている金属薄膜抵抗体７７の表面は酸化されており、高融点金属膜９７との電気的接続を良好なものとするためには、フッ酸水溶液による金属薄膜抵抗体７７表面の酸化膜除去が必要となるが、高融点金属膜９７を形成する前にフッ酸による酸化膜除去処理を行なうと金属薄膜抵抗体７７の抵抗値がばらつく原因となる虞があった。

このように、従来の製造方法では、金属薄膜抵抗体の膜厚が薄いことに起因して、いずれかの工程でウェットエッチング処理が必要であり、微細化の妨げとなったり、抵抗値のバラツキを発生させる原因となったりしていた。
さらに、金属薄膜抵抗体が酸化されやすく、金属配線との良好な電気的接続を形成することが困難なので、金属薄膜抵抗体専用のバリヤ膜形成工程の追加や、フッ酸水溶液による表面酸化膜除去処理が必要であり、工程数が増加したり、抵抗値のバラツキを生む原因となったりしていた。

また、特許文献６に開示された、最上層配線電極上に絶縁膜を介して形成され、かつその最上層配線電極と結線されている抵抗体を備えた構成を金属薄膜抵抗体に適用した場合、図３２（ｄ）に示したように、接続孔１１３の内壁側面、特に接続孔１１３の底部側において金属薄膜１１５のステップカバレージ（段差被覆性）が悪くなり、金属薄膜抵抗体と配線パターン１０７との接触抵抗が大きくなるとともにばらつくという問題があった。

本発明は、金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置において、金属薄膜抵抗体の抵抗値及び配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現することを目的とするものである。

本発明にかかる半導体装置は、配線パターン上の絶縁膜に形成された接続孔と、上記接続孔の内壁に形成されたサイドウォールと、上記絶縁膜上及び前記接続孔内に形成され、上記配線パターンと電気的に接続されている金属薄膜抵抗体を備えているものである。

本発明の半導体装置では、金属薄膜抵抗体について、金属薄膜抵抗体よりも下層側に形成された配線パターンに対応して絶縁膜に形成された接続孔を介して配線パターンと電気的接続が形成されているので、金属薄膜抵抗体を形成した後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はない。さらに、金属薄膜抵抗体における配線パターンとの接触面が大気に暴露されることはないので、金属薄膜抵抗体に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、金属薄膜抵抗体と配線パターンの良好な電気的接続を安定して得ることができる。これにより、金属薄膜抵抗体の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、金属薄膜抵抗体の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、本発明の半導体装置では、金属薄膜抵抗体と配線パターンの電気的接続を形成するための接続孔の内壁にサイドウォールが形成されている。これにより、接続孔内での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができ、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現することができる。

本発明の半導体装置において、上記接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されているようにしてもよい。金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を接続孔内に形成する際、接続孔の上端部に堆積した金属薄膜の影響で接続孔内での金属薄膜のステップカバレージが悪化するという問題があった。このような問題に対して、接続孔の上端部がテーパー状に形成されているようにすることにより、金属薄膜形成時において接続孔の上端部近傍に堆積された金属薄膜のオーバーハングを防止して接続孔内への金属薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、金属薄膜のステップカバレージ、ひいては金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができる。

また、上記接続孔の内壁に形成された上記サイドウォールの材料はアルゴン（Ａｒ）を含んでいるようにしてもよい。アルゴンを含むサイドウォールは、例えば、配線パターン上の絶縁膜に接続孔を形成した後、Ａｒスパッタエッチング技術によるエッチング処理（逆スパッタリング処理とも称される）を施すことにより形成することができる。接続孔を形成した後、上記絶縁膜に対してＡｒスパッタエッチング技術によるエッチング処理を施すことにより、接続孔の内壁にサイドウォールを形成するのと同時に接続孔の上端部をテーパー状に形成することもでき、さらに接続孔内の配線パターン上面に形成された絶縁性物質の除去工程も兼ねることができる。また、金属薄膜抵抗体は、下地膜の組成や下地膜形成からの経過時間等に起因して抵抗値が変動するなど、下地膜の影響を受けてしまうという問題があった。このような問題に対し、金属薄膜抵抗体を形成するための金属薄膜を絶縁膜上に形成する前に、接続孔内へのサイドウォールの形成などを目的としてＡｒスパッタエッチング技術により上記絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減及び経時変化の低減を図ることができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化を実現することができるという効果もある。
ただし、本発明の半導体装置において、接続孔の内壁に形成されたサイドウォールの材料はアルゴンを含むものに限定されるものではない。例えば、アルゴンを含んでいない、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの絶縁性材料やタングステンなどの導電性材料であってもよい。

また、上記接続孔下の上記配線パターン表面は、周囲の上記配線パターン表面に比べて窪んでおり、上記配線パターンの窪んでいる部分の底面及び側面で上記金属配線パターンと上記配線パターンが接触しているようにしてもよい。その結果、接続孔下の配線パターン表面が周囲の配線パターン表面と平坦な場合に比べて配線パターンと金属薄膜抵抗体の接触面積を増加させることができ、接触抵抗を小さくすることができる。

本発明の半導体装置における金属薄膜抵抗体の膜厚は、５〜１０００Å、好ましくは２０〜５００Åである例を挙げることができる。
本発明の半導体装置によれば、上述のように、金属薄膜抵抗体を形成した後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はなく、さらに、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触面が大気に暴露されることはなく、金属薄膜抵抗体に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、金属薄膜抵抗体と配線パターンの良好な電気的接続を安定して得ることができ、さらに金属薄膜抵抗体の接続孔内でのステップカバレージを向上させることができるので、上記のような膜厚の金属薄膜抵抗体をもつ半導体装置に適用しても、工程数を増加させることなく、金属薄膜抵抗体の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。

本発明の半導体装置において、上記絶縁膜は平坦化処理が施されていることが好ましい。その結果、金属薄膜抵抗体の下地膜である上記絶縁膜の段差に起因して金属薄膜抵抗体の抵抗値がばらつくのを防止することができる。

さらに、本発明の半導体装置において、上記配線パターンは、金属材料パターンと上記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている、又はポリシリコンパターンと上記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されていることが好ましい。これにより、製造工程を増加させなくても金属薄膜抵抗体と、配線パターンを構成する金属パターン又はポリシリコンパターンの間に高融点金属膜を介在させることができ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。また、金属薄膜抵抗体と金属配線が直接接触している構造では３００〜４００℃程度の比較的低温の熱処理により接触抵抗が大きく変動してしまうが、上記配線パターンが金属材料パターンと高融点金属膜により構成されている態様では、金属薄膜抵抗体と金属材料パターンの間に高融点金属膜を備えているので、このような不具合をなくすことができる。

さらに、本発明の半導体装置において、上記金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、上記金属薄膜抵抗体の上面と上記金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていないことが好ましい。これにより、金属薄膜抵抗体の上面の酸化をなくすことができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化及び精度の向上を図ることができる。

さらに、本発明の半導体装置において、上記配線パターンは最上層の配線パターンである例を挙げることができる。最上層の配線パターン上に金属薄膜抵抗体を配置することにより、例えば金属薄膜抵抗体のレイアウト変更を金属薄膜抵抗体及び最上層の配線パターンのレイアウト変更により実現できるなど、設計の自由度を向上させることができる。
また、最上層の配線パターン上に形成された絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を配置することにより、金属薄膜抵抗体の上層には絶縁性材料からなる最終保護膜が形成され、金属薄膜抵抗体の上層に最終保護膜以外の絶縁膜も形成されている場合に比べて金属薄膜抵抗体上の絶縁性材料の膜厚を薄くして膜厚バラツキを小さくすることができる。これにより、金属薄膜抵抗体にレーザーを照射してトリミング処理を施す際に、金属薄膜抵抗体上の絶縁性材料でのレーザーの干渉のバラツキを小さくして金属薄膜抵抗体に与えられるレーザーエネルギーのバラツキを小さくすることができ、トリミングの正確性を向上させることができる。さらに、トリミング処理時のレーザー照射に起因する金属薄膜抵抗体の温度上昇などに対して放熱能力を向上させることができる。

本発明の半導体装置が適用される半導体装置の一例として、２個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その分割抵抗回路を構成する抵抗素子は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体により構成される。
本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体によれば、抵抗素子の微細化及び抵抗値の安定化を図ることができるので、分割抵抗回路の形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができる。

本発明の半導体装置が適用される半導体装置の他の例として、入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その電圧検出回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された抵抗素子を備えている。
本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路によれば形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができるので、電圧検出回路の形成面積の縮小化及び電圧検出能力の精度の向上を図ることができる。

本発明の半導体装置が適用される半導体装置のさらに他の例として、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その定電圧発生回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された抵抗素子を備えている。
本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路によれば形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができるので、定電圧発生回路の形成面積の縮小化及び出力電圧の安定化を図ることができる。

本発明の半導体装置では、金属薄膜抵抗体について、金属薄膜抵抗体よりも下層側に形成された配線パターンに対応して絶縁膜に形成された接続孔を介して配線パターンと電気的接続が形成されているようにしたので、金属薄膜抵抗体を形成した後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はなく、さらに、金属薄膜抵抗体に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、金属薄膜抵抗体と配線パターンの良好な電気的接続を安定して得ることができるので、金属薄膜抵抗体の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、金属薄膜抵抗体の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。
さらに、金属薄膜抵抗体と配線パターンの電気的接続を形成するための接続孔の内壁にサイドウォールが形成されているようにしたので、接続孔内での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができ、金属薄膜抵抗体の配線パターンとの接触抵抗の安定化を実現することができる。

また、上記接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されているようにすれば、金属薄膜形成時において接続孔の上端部近傍に堆積された金属薄膜のオーバーハングを防止して接続孔内への金属薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、金属薄膜のステップカバレージ、ひいては金属薄膜抵抗体のステップカバレージを向上させることができる。

また、上記接続孔の内壁に形成された上記サイドウォールの材料はアルゴンを含んでいるようにすれば、Ａｒスパッタエッチング技術によるエッチング処理によりアルゴンを含むサイドウォールを形成する際に接続孔の上端部にテーパー状を形成でき、さらに接続孔内の配線パターン上面に形成された絶縁性物質の除去工程も兼ねることができる。さらに、接続孔内へのサイドウォールの形成などを目的としてＡｒスパッタエッチング技術により上記絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、金属薄膜抵抗体のシート抵抗の下地膜依存性の軽減及び経時変化の低減を図ることができ、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化を実現することができる。

また、上記接続孔下の上記配線パターン表面は、周囲の上記配線パターン表面に比べて窪んでおり、上記配線パターンの窪んでいる部分の底面及び側面で上記金属配線パターンと上記配線パターンが接触しているようにすれば、接続孔下の配線パターン表面が周囲の配線パターン表面と平坦な場合に比べて配線パターンと金属薄膜抵抗体の接触面積を増加させることができ、接触抵抗を小さくすることができる。

また、金属薄膜抵抗体の下地膜である絶縁膜は平坦化処理が施されているようにすれば、上記絶縁膜の段差に起因して金属薄膜抵抗体の抵抗値がばらつくのを防止することができる。

また、配線パターンは金属材料パターンと金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているか、又は、配線パターンはポリシリコンパターンとポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されているようにすれば、製造工程を増加させなくても金属薄膜抵抗体と金属配線又はポリシリコン配線の間に高融点金属膜を介在させることができ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。
さらに、上記配線パターンが金属材料パターンと高融点金属膜により構成されている態様では、金属薄膜抵抗体と金属材料パターンの間に高融点金属膜を備えているので、一般に金属薄膜抵抗体と金属配線が直接接触している構造では３００〜４００℃程度の比較的低温の熱処理により接触抵抗が大きく変動してしまうが、このような不具合をなくすことができる。

また、金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、金属薄膜抵抗体の上面と金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていないようにすれば、金属薄膜抵抗体の抵抗値の安定化及び精度の向上を図ることができる。

また、金属薄膜抵抗体と電気的に接続されている配線パターンは最上層の配線パターンであるようにすれば、設計の自由度を向上させることができる。さらに、金属薄膜抵抗体の上層に最終保護膜以外の絶縁膜も形成されている場合に比べて金属薄膜抵抗体上の絶縁性材料の膜厚を薄くして膜厚バラツキを小さくすることができ、トリミングの正確性を向上させることができる。さらに、トリミング処理時のレーザー照射に起因する金属薄膜抵抗体の温度上昇などに対して放熱能力を向上させることができる。

また、２個以上の抵抗による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路を構成する抵抗素子は、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体により構成されるようにしたので、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体によって抵抗素子の微細化及び抵抗値の安定化を図ることができ、分割抵抗回路の形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができる。

また、入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明の半導体装置を構成する抵抗体が適用された分割抵抗回路では形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができるので、電圧検出回路の形成面積の縮小化及び電圧検出能力の精度の向上を図ることができる。

また、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明の半導体装置を構成する抵抗体が適用された分割抵抗回路では形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができるので、定電圧発生回路の形成面積の縮小化及び出力電圧の安定化を図ることができる。

図１は一実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。以下に説明する実施例では同一基板上にトランジスタ素子や容量素子などが形成されているが、図ではそれらの素子の図示は省略する。

シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。素子分離酸化膜３の形成領域を含むシリコン基板１上にＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ（phospho silicate glass）膜からなる第１層間絶縁膜（下地絶縁膜）５が形成されている。第１層間絶縁膜５上に、金属材料パターン７と金属材料パターン７表面に形成された高融点金属膜９からなる配線パターン１１が形成されている。金属材料パターン７は例えばＡｌＳｉＣｕ膜により形成されている。高融点金属膜９は例えばＴｉＮ膜により形成されており、反射防止膜兼バリヤ膜として機能するものである。

配線パターン１１の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上に、下層側から順にプラズマＣＶＤ酸化膜１３、ＳＯＧ膜１５、プラズマＣＶＤ酸化膜１７からなる第２層間絶縁膜（絶縁膜）１９が形成されている。第２層間絶縁膜１９に、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン１１に対応して接続孔２１が形成されている。

（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、接続孔２１の底面は高融点金属膜９の表面側の一部が除去されて形成されており、接続孔２１の上端部２１ａはテーパー形状に形成されている。接続孔２１下の高融点金属膜９表面は、周囲の高融点金属膜９表面に比べて窪んでいる。また、接続孔２１の内壁にはサイドウォール２２が形成されている。接続孔２１の上端部２１ａのテーパー形状及びサイドウォール２２は、例えば、接続孔２１が形成された第２層間絶縁膜１９に対してＡｒスパッタエッチング処理が施されて形成されたものである。したがって、サイドウォール２２は高融点金属膜９及び第２層間絶縁膜１９の材料ならびにＡｒを含んでおり、ここではＴｉ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ａｒを含んでいる。

第２層間絶縁膜１９上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン１１上にわたってＣｒＳｉ薄膜抵抗体（金属薄膜抵抗体）２３が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の両端部は接続孔２１内で配線パターン１１と電気的に接続されている。
（Ｂ）では接続孔２１下の高融点金属膜９の窪んでいる部分の側面（斜面）はサイドウォール２２で覆われているが、これはサイドウォール２２の存在を示すために便宜上サイドウォール２２の大きさを誇張して図示したものであり、実際には（Ｃ）に示すように、高融点金属膜９の窪んでいる部分の側面でも高融点金属膜９とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が接触している。後述する実施例についても同様である。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第２層間絶縁膜１９上に、下層側がシリコン酸化膜２５、上層側がシリコン窒化膜２７からなる、最終保護膜としてのパッシベーション膜２９が形成されている。

（Ｂ）に示すように、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２が形成されているので、接続孔２１内でのＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージが向上されている。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができる。
さらに、接続孔２１の上端部２１ａがテーパー状に形成されているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成するためのＣｒＳｉ薄膜形成時において接続孔２１の上端部２１ａ近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜のオーバーハングを防止して接続孔２１内へのＣｒＳｉ薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜のステップカバレージ、ひいてはＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。
さらに、接続孔２１下の高融点金属膜９表面は周囲の高融点金属膜９表面に比べて窪んでおり、（Ｃ）に示すように、高融点金属膜９の窪んでいる部分の底面及び側面で高融点金属膜９とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が接触しているので、接続孔２１の高融点金属膜９表面が周囲の高融点金属膜９表面と平坦な場合に比べて高融点金属膜９とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の接触面積を増加させることができ、接触抵抗を小さくすることができる。

図２及び図３は、図１を参照して説明した実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。図４はその製造方法においてＡｒスパッタエッチング処理を施した後の接続孔近傍の状態を拡大して示す断面図である。図２及び図３では接続孔の内壁に形成されるサイドウォール及び接続孔の上端部のテーパー形状の図示を省略している。図１から図４を参照して、この製造方法の例を説明する。

（１）例えば常圧ＣＶＤ装置を用いて、素子分離酸化膜３及びトランジスタ素子等（図示は省略）の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、ＢＰＳＧ膜又はＰＳＧ膜からなる第１層間絶縁膜５を約８０００Åの膜厚に形成する。その後、リフロー等の熱処理を行なって第１層間絶縁膜５の表面を平坦化する（図２（ａ）参照）。

（２）例えばＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、第１層間絶縁膜５上に、ＡｌＳｉＣｕ膜からなる配線用金属膜３１を約５０００Åの膜厚に形成し、さらにその上に、公知の技術である反射防止膜としての高融点金属膜３３、ここではＴｉＮ膜を約８００Åの膜厚に、真空中で連続的に形成する（図２（ｂ）参照）。ここで、高融点金属膜３３は、最終的には後工程で配線用金属膜３１から形成される金属材料パターンと、金属薄膜抵抗体との接触抵抗を安定させるためのバリヤ膜としても機能するため、配線用金属膜３１と高融点金属膜３３を真空中で連続して形成することが好ましい。

（３）公知の写真製版技術及びエッチング技術により、高融点金属膜３３及び配線用金属膜３１をパターンニングして、金属配線パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１を形成する（図２（ｃ）参照）。この時、配線用金属膜３１上に、反射防止膜として機能する高融点金属膜３３が形成されているので、配線パターン１１の形成領域を画定するためのレジストパターンの太りや細りなどを最小限に抑えることができる。

また、この段階では、従来技術のようには金属薄膜抵抗体は形成されておらず、配線パターン１１の下地膜は第１層間絶縁膜５により形成されているので、高融点金属膜３３及び配線用金属膜３１のパターンニングをドライエッチング技術により十分なオーバーエッチングをもって行なうことが可能であり、従来技術の問題点となっていたウェットエッチング技術によるパターニングを適用する必要性は全く無く、回路の微細化に影響を与えることはない。

（４）例えばプラズマＣＶＤ法により、配線パターン１１の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上にプラズマＣＶＤ酸化膜１３を６０００Å程度の膜厚に形成する（図２（ｄ）参照）。
（５）公知の技術であるＳＯＧのコーティング処理及びエッチバック処理を行なうことにより、プラズマＣＶＤ酸化膜１３上にＳＯＧ膜１５を形成して平坦化を行なった後、ＳＯＧ膜１５からの成分の拡散を防止するためのプラズマＣＶＤ酸化膜１７を２０００Å程度の膜厚に形成して、プラズマＣＶＤ酸化膜１３、ＳＯＧ膜１５及びプラズマＣＶＤ酸化膜１７からなる第２層間絶縁膜１９を形成する（図２（ｅ）参照）。

（６）公知の写真製版技術により、金属薄膜抵抗体の両端部の形成予定領域及び配線パターン１１に対応して第２層間絶縁膜１９に接続孔を形成するためのレジストパターン３５を形成する。レジストパターン３５には、金属薄膜抵抗体の両端部の形成予定領域及び配線パターン１１に対応して開口部３６が形成されている（図２（ｆ）参照）。

（７）例えば並行平板型プラズマエッチング装置により、ＲＦパワー：７００Ｗ（ワット）、Ａｒ：５００ｓｃｃｍ（standard cc／分）、ＣＨＦ₃：５００ｓｃｃｍ、ＣＦ₄：５００ｓｃｃｍ、圧力：３.５Ｔｏｒｒ（トル）の条件で、レジストパターン３５をマスクにして第２層間絶縁膜１９を選択的に除去して、第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成する。接続孔２１の底部には、反射防止膜兼バリヤ膜としての高融点金属膜９が約６００Åの膜厚で残存している。
その後、レジストパターン３５を除去する（図３（ｇ）参照）。

ここで、接続孔２１の形成後に、接続孔２１の側壁等に付着しているエッチング時の副生成物除去工程を行なってもよい。また、接続孔２１内部での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを改善する目的で、エッチング条件の変更によるテーパーエッチングや、ウェットエッチング技術とドライエッチング技術を組み合わせたエッチング処理等により、接続孔２１の形状の改善を行なってもよい。

また、上記工程（７）において、プラズマエッチング条件を最適化することにより、第２層間絶縁膜１９のエッチングレートに対する高融点金属膜９のエッチングレートをさらに低く抑えることは十分可能であり、接続孔２１の底部に残る高融点金属膜９の膜厚をこの製造方法例よりも大きくすることもできる。さらに、高融点金属膜９の形成時点での膜厚を低く抑えつつ、接続孔２１形成後の高融点金属膜９の残存膜厚を確保するもできる。このように、接続孔２１を形成する上記工程（７）を金属薄膜抵抗体が形成されていない段階で行なうので、金属薄膜抵抗体の薄さに起因した制約を一切受けること無く接続孔２１の加工が可能であり、ドライエッチング技術の適用による微細化の追求が十分に可能である。

（８）例えばマルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ（ミリトル）、処理時間：２０秒の条件で、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なう。このエッチング条件は、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を約５０Åだけエッチングする条件と同等である。この処理を行なった後の接続孔２１底部に残存する高融点金属膜９の膜厚は５００Å程度であった。

続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空状態を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜（金属薄膜）３７を形成する。ここでは、半導体ウェハをＡｒスパッタエッチングチャンバーからＣｒＳｉターゲットが装着されたスパッタチャンバーに移送した後、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％（重量パーセント）のＣｒＳｉターゲットを使用し、ＤＣパワー：０.７ＫＷ（キロワット）、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：９秒の条件で処理を行ない、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９上全面にＣｒＳｉ薄膜３７を約５０Åの膜厚に形成した（図３（ｈ）参照）。

このように、金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜３７を形成する前に、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なうことにより、図４に示すように、接続孔２１の内壁に、高融点金属膜９及び第２層間絶縁膜１９の材料ならびにＡｒを含む材料からなるサイドウォール２２を形成することができるとともに、接続孔２１の上端部２１ａをテーパー形状に形成することができる。

さらに、上記Ａｒスパッタエッチング処理を行なうことにより、接続孔２１底部の高融点金属膜９表面に形成されている極少量の自然酸化膜を除去することができ、配線パターン１１とＣｒＳｉ薄膜３７との良好な電気的接続を形成することができる。
さらに、上記Ａｒスパッタエッチング処理を行なうことにより、後工程でＣｒＳｉ薄膜３７から形成されるＣｒＳｉ薄膜抵抗体の下地膜依存性を改善できる。この効果については後述する。

（９）写真製版技術により、ＣｒＳｉ薄膜３７上に金属薄膜抵抗体の形成領域を画定するためのレジストパターン３９を形成する。例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用い、レジストパターン３９をマスクにしてＣｒＳｉ薄膜３７をパターニングし、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成する（図３（ｉ）参照）。

（１０）レジストパターン３９を除去する（図３（ｊ）参照）。ここで、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３は接続孔２１内で配線パターン１１と電気的に接続されているので、従来技術のようには金属薄膜抵抗体上面で電気的接続をとるためにフッ酸水溶液によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の表面の金属酸化膜除去処理を行なう必要はない。

（１１）例えばプラズマＣＶＤ法により、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第２層間絶縁膜１９上に、パッシベーション膜としてのシリコン酸化膜２５及びシリコン窒化膜２７を順次形成する。以上により、半導体装置の製造工程が完了する（図１及び図３（ｋ）参照）。

上記製造方法によれば、配線パターン１１及び接続孔２１を形成した後、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成して接続孔２１内でＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と配線パターン１１の電気的接続を形成するので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３をパターニングした後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はない。

さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触面が大気に暴露されることはないので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３に対する表面酸化膜除去処理及びエッチング防止用バリヤ膜形成を行なわなくても、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と配線パターン１１の良好な電気的接続を安定して得ることができる。
これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。

さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と金属材料パターン７の間にバリヤ膜として機能する高融点金属膜９を介在させているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と配線パターン１１の接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。

さらに、高融点金属膜９はバリヤ膜兼反射防止膜としても機能しており、従来技術に比べて製造工程を増加させることなく高融点金属膜９を形成することができるので、製造コストの増大を防止しつつ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗を安定させることができる。

図５及び図６を参照して、上記実施例と同様の構成で形成した金属薄膜抵抗体の特性について調べた結果を示す。図５は、金属薄膜抵抗体のシート抵抗と膜厚との関係を示し、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。図６は、金属薄膜抵抗体のシート抵抗のウェハ面内の６３箇所での測定結果の標準偏差（σ）を平均値（ＡＶＥ）で割った値（σ／ＡＶＥ）とＣｒＳｉ膜厚との関係を示し、縦軸はσ／ＡＶＥ（％）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。

金属薄膜抵抗体の形成条件は次の通りである。
マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、ターゲット：Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％及び８０／２０ｗｔ％の２種について、体積時間を調整することにより、ＣｒＳｉ薄膜を２５〜５００Åの膜厚にサンプルを作成した。なお、Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％のサンプルについては膜厚が５００Åのものは作成していない。

また、ＣｒＳｉ薄膜形成前のＡｒスパッタエッチング処理は、上記マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：１６０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を４００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。
また、本サンプルでは、金属薄膜抵抗体に接続する下層の金属配線として、膜厚が５０００ÅのＡｌＳｉＣｕ膜を用い、ＡｌＳｉＣｕ膜とＣｒＳｉ薄膜間の接続孔底部にはＡｌＳｉＣｕ膜上のＴｉＮ膜が形成されていない構造を採用した。

シート抵抗の測定は、幅が０.５μｍ（マイクロメートル）、長さが５０μｍの帯状パターンを０.５μｍ間隔で２０本配置したうちの１本の金属薄膜抵抗体の両端に１Ｖの電圧を印加して電流値を測定する２端子法にて行なった。
また、金属配線とＣｒＳｉ薄膜抵抗体とをつなぐ接続孔の平面寸法は０.６μｍ×０.６μｍであった。

図５に示すように、ターゲット（Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％とＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％）の組成に関わらず、２００Å以上の膜厚から２５Åという極めて薄い膜厚まで、膜厚とシート抵抗の線形性が維持されており、従来技術では形成できないような微細な寸法の金属薄膜抵抗体を薄い膜厚に形成できることが分かる。

また、ウェハ面内６３箇所におけるシート抵抗のバラツキを示す図６を見ても、ターゲット（Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％とＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％）の両方とも、抵抗値のバラツキは膜厚の影響をほとんど受けておらず、抵抗値のバラツキも非常に小さく安定していることが分かる。このことから、接続孔内へのサイドウォールの形成方法としてＡｒスパッタエッチングを採用すれば、極めて微細な金属薄膜抵抗体パターンを金属薄膜抵抗体の膜厚に関係なく安定して形成できる。

図７は、金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前にＡｒスパッタエッチング処理を行なった場合及び行なわなかった場合のＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗と金属薄膜抵抗体の下地膜を形成してから経過した時間との関係を示す図であり、（Ａ）は行なった場合、（Ｂ）は行なわなかった場合を示す。図７において、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸は下地膜形成後経過時間（時間）を示す。

図７のサンプルとして、下地膜としてプラズマＣＶＤ法によって２０００Åの膜厚に形成したプラズマＳｉＮ膜とプラズマＮＳＧ（non-doped silicate glass）膜の２つのシリコンウェハを準備し、これらのシリコンウェハに形成したＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用い、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗を４端子法によって測定した。

下地膜のプラズマＳｉＮ膜は、並行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、温度：３６０℃、圧力：５.５Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：２００Ｗ、ＳｉＨ₄：７０ｓｃｃｍ、Ｎ₂：３５００ｓｃｃｍ、ＮＨ₃：４０ｓｃｃｍの条件で形成した。
プラズマＮＳＧ膜は、並行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、温度：４００℃、圧力：３.０Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー：２５０Ｗ、ＳｉＨ₄：１６ｓｃｃｍ、Ｎ₂Ｏ：１０００ｓｃｃｍの条件で形成した。

ＣｒＳｉ薄膜抵抗体は、マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％のターゲット、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、体積時間：１３秒の条件で処理を行なうことで、１００Åの膜厚に形成した。

Ａｒスパッタエッチング処理を行なったサンプルには、上記マルチチャンバースパッタリング装置を用いて、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：８０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を２００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。

（Ｂ）に示すように、ＣｒＳｉ薄膜の形成前にＡｒスパッタエッチング処理を行なっていない場合、下地膜の違い（ＳｉＮ膜上とＮＳＧ膜上）によりシート抵抗が大きく異なっているのが分かる。さらに、下地膜を形成してからＣｒＳｉ薄膜抵抗体を形成するまでに経過した時間の影響を大きく受けているのが分かる。
これに対し、（Ａ）に示すように、Ａｒスパッタエッチング処理を行なった場合、下地膜の種類及び経過時間ともに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗にほとんど影響を与えていないのが分かる。

このことから、Ａｒスパッタエッチング処理を行なった後、真空中で連続して金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成することにより、前工程からの経過時間や製品毎に異なる下地膜の違い等によって発生する抵抗値のバラツキを大幅に改善できることが分かる。

図８は、Ａｒスパッタエッチングの量とシート抵抗の関係を示す図である。縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はエッチング量（熱酸化膜エッチング量換算）（Å）を示す。図８のサンプルについて、下地膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体は図７のサンプル形成と同じ条件で形成したプラズマＮＳＧ膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用いた。なお、成膜から１週間経過したプラズマＮＳＧ膜に対してＡｒスパッタエッチングを行なった後、そのプラズマＮＳＧ膜上にＣｒＳｉ薄膜抵抗体を形成した。Ａｒスパッタエッチングの条件は、エッチング量以外は図７のサンプルと同じ条件で行なった。そして、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜エッチング量換算で０Å（Ａｒスパッタエッチング無し）、２５Å、５０Å、１００Å、２００Å、４００Å、１０００Åとなるように調整した。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗を４端子法によって測定した。

図８の結果から、Ａｒスパッタエッチングは、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜エッチング量換算で２５Å以上の膜厚分だけ行なえば、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体の抵抗値安定化の効果が得られることが分かった。なお、図８ではＡｒスパッタエッチング条件について熱酸化膜エッチング量換算で１０００Åの膜厚分だけエッチングしたものまでしかサンプルを製作していないが、熱酸化膜エッチング量換算で１０００Åよりも大きい膜厚分だけエッチングした場合であっても、金属薄膜抵抗体の形成領域に下地膜が残存しているのであれば、上記Ａｒスパッタエッチングの効果が得られるものと予想できる。

図９は、Ａｒスパッタエッチング量を変化させたときの、ホール径（接続孔径）と接触抵抗の関係を示す図である。縦軸は１つの接続孔あたりの接触抵抗（Ω／hole）、横軸はホール径（μｍ）を示す。
図９のサンプルは以下のものを用いた。配線パターンとして約５０００Åの膜厚のＡｌＳｉＣｕ膜を用い、下地膜として順にプラズマＣＶＤ酸化膜を６０００Å堆積、ＳＯＧ膜を４０００Å塗布、−５０００Åのエッチバック処理による平坦化、プラズマＣＶＤ酸化膜を１５００Å堆積して形成したものを用い、接続孔の形成は図３（ｇ）を参照して説明した上記工程（７）と同じ条件で行なった。
さらに、マルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：８０秒、２００秒、２４０秒の３種類の条件で、すなわち、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を約２００Å（Ａｒエッチ：２００Å）、約５００Å（Ａｒエッチ：５００Å）、約６００Å（Ａｒエッチ：６００Å）だけエッチングするのと同等の条件で、接続孔内を含む下地膜の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なった。
さらに、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空状態を破らずに連続して、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％のＣｒＳｉターゲットを使用し、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：７２ｓｃｃｍ、Ｎ₂：１３ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：９秒の条件で処理を行ない、接続孔２１内を含む下地膜上にＣｒＳｉＮ薄膜を約５０Åの膜厚に形成した。

図９から分かるように、Ａｒスパッタエッチング量を増やすことにより、接触抵抗を減少させることができるとともに、接触抵抗のホール径依存を大幅に改善することができる。これは、Ａｒスパッタエッチング処理により、（１）接続孔の内壁にサイドウォールが形成されること、（２）接続孔の上端部がテーパー状に形成されること、及び（３）接続孔底部の配線パターン表面に窪みが形成されることによるものと考えられる。

図１０は、Ａｒスパッタエッチング量を変化させたときの、ホール径と接触抵抗バラツキの関係を示す図である。縦軸は接触抵抗バラツキ（％）、横軸はホール径（μｍ）を示す。サンプルは図９で用いたものと同じものである。
図１０から、Ａｒスパッタエッチング量を増やすことにより接触抵抗バラツキを低減できることが分かる。

さらに、Ａｒスパッタエッチング処理の効果は下地の影響のみならず、ＣｒＳｉ薄膜の抵抗値そのものの安定性にも影響を与えることが分かった。
図１１は、ＣｒＳｉ薄膜を形成した後に、温度２５℃、湿度４５％の大気中に放置した時間と、形成直後のシート抵抗（Ｒ０）からのシート抵抗の変化率（ΔＲ／Ｒ０）の関係を示す図であり、縦軸はΔＲ／Ｒ０（％）、横軸は放置時間（時間）を示す。

図１１のサンプルについて、下地膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体は図７のサンプル形成と同じ条件で形成したプラズマＮＳＧ膜及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体を用いた。
Ａｒスパッタエッチングについては、処理を行なわないもの（Ａｒエッチ無）、処理時間４０秒で熱酸化膜換算：１００Åのもの（Ａｒエッチ：１００Å）、処理時間８０秒で熱酸化膜換算：２００Åのもの（Ａｒエッチ：２００Å）の３種を準備した。

Ａｒスパッタエッチング処理を行なっていないサンプル（Ａｒエッチ無）では、形成後から時間が経過すると共に抵抗値が上昇し、３００時間以上放置した場合、３％以上も抵抗値が変動しているのが分かる。
これに対し、Ａｒスパッタエッチング処理を行なったサンプル（Ａｒエッチ：１００Å、及びＡｒエッチ：２００Å）では、抵抗値の変化率は大幅に減少し、３００時間以上放置しても、形成直後のシート抵抗±１％から外れることはなかった。
さらに、Ａｒエッチ：１００ÅとＡｒエッチ：２００Åを比較すると、Ａｒスパッタエッチング量の大小の影響は小さく、わずかなエッチング量で効果があることが判明した。

以上、図５から図１１を参照して、下地膜のシート抵抗への影響や大気放置時間の影響に対するＡｒスパッタエッチング処理の効果を説明したが、これらの効果は、サンプルとして使用した、ターゲットがＳｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％又は８０／２０ｗｔ％のＣｒＳｉ薄膜抵抗に限定されるものではない。なお、Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０〜９０／１０ｗｔ％のターゲットで形成したＣｒＳｉ薄膜及びＣｒＳｉＮ膜の全てで上記と同様の効果が観察されている。
また、Ａｒスパッタエッチング方法も今回使用したＤＣバイアススパッタエッチング法に限定されるものではない。

図１２は、接続孔形成時に接続孔底部に高融点金属膜を残存させたサンプルと完全に除去したサンプルについて熱処理に起因する金属薄膜抵抗と金属配線の接触抵抗の変動を調べた結果を示す図である。縦軸は熱処理前の接触抵抗値で規格化した値を示し、横軸は熱処理回数を示す。

図１２のサンプルとして、接続孔形成時のドライエッチング時間を調整することで、接続孔底部の高融点金属膜を５００Å程度残存させたサンプルと、完全に除去したサンプルを作成した。
高融点金属膜にはＴｉＮ膜を用いた。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体は、Ｓｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、体積時間：６秒の条件で５０Åの膜厚に形成した。
ＣｒＳｉ薄膜形成前のＡｒスパッタエッチング処理は、ＤＣバイアス：１２５０Ｖ、Ａｒ：２０ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：１６０秒の条件で行なった。これは、１０００℃、ウェット雰囲気で形成した熱酸化膜を４００Åだけエッチング除去するのに相当する処理である。
接続孔の平面寸法は０.６μｍ×０.６μｍであった。接触抵抗測定方法は４端子法を用いた。

上記のサンプルについて、３５０℃、窒素雰囲気中で３０分の熱処理を追加することで、接触抵抗がどのように変化するかを調べた。
ＴｉＮ膜を接続孔底部に有するサンプル（ＴｉＮ有）は、熱処理を２回追加してもほとんど熱処理前の接触抵抗から変化していない。これに対し、ＴｉＮ膜を完全に除去したサンプル（ＴｉＮ無）は、２回の熱処理追加によって接触抵抗が熱処理前に比べて２０％以上変動している。このことは、ＴｉＮ膜がＣｒＳｉ薄膜と金属配線の相互作用による抵抗変動を防止するバリヤ膜としての機能を有することを意味している。

ＣｒＳｉ薄膜抵抗体と金属配線の間にＴｉＮ膜を存在させることにより、例えばシンタリングやＣＶＤなど、製造工程で行なわれる熱処理による接触抵抗の変動を極めて小さくできると共に、後工程である組立て作業で行なわれる半田処理などの熱処理での接触抵抗の変動を防止できる。これにより、設定通りの接触抵抗を安定して得ることができると共に、組立て前後の接触抵抗の変動を防止することができ、製品の高精度化や歩留の向上が可能となる。

図１から図４を参照して説明した製造方法では、上記工程（２）において、配線用金属膜３１と高融点金属膜３３を真空中で連続して形成しているが、製造方法はこれに限定されるものではない。
例えば、配線用金属膜３１を形成し、一旦大気に暴露した後、高融点金属膜３３を形成した場合には、配線用金属膜３１表面に形成される自然酸化膜の影響で、配線用金属膜３１と高融点金属膜３３との間で電気的導通を確保することが困難になる。

このような場合、配線用金属膜３１及び高融点金属膜３３をパターニングして形成した金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１上の第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成する段階で、接続孔２１底部の高融点金属膜９を全部除去することによって、配線パターン１１とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３間の電気的接続を得ることができる。

また、上記工程（２）において、反射防止膜兼バリヤ膜として機能する高融点金属膜３３を８００Åの膜厚に形成しているが、製造方法はこれに限定されるものではない。
一般に、反射防止膜としての高融点金属膜は５００Å以下の膜厚に形成されるが、接続孔２１の底部にバリヤ膜としての高融点金属膜９を残存させたい場合には、接続孔２１形成時のオーバーエッチング（上記工程（７）参照）や、金属薄膜形成時のＡｒスパッタエッチング処理（上記工程（８）参照）において、高融点金属膜９の膜ベリが若干生じてしまうため、バリヤ膜としての機能を安定的に得るために、５００Å以上の膜厚に形成することが好ましい。

ただし、上述したように、接続孔２１形成用のエッチング条件やＡｒスパッタエッチング条件を最適化することにより、高融点金属膜９の膜厚が５００Å以下でも高融点金属膜９の膜ベリを最小限に抑えてバリヤ膜としての機能を発揮させることは可能である。

また、上記工程（８）において、ＣｒＳｉ薄膜３７の形成直前にＡｒスパッタエッチング処理を行なっているが、バリヤ膜としての高融点金属膜９が接続孔２１底部に残存している場合には、ＴｉＮ膜からなる高融点金属膜９は大気に晒されてもＡｌＳｉＣｕ膜ほど強固な自然酸化膜を形成しないため、上記Ａｒスパッタエッチング処理を行なわなくてもＣｒＳｉ薄膜３７と配線パターン１１の電気的接続を得ることができる。その場合、接続孔２１内でのＣｒＳｉ薄膜３７のステップカバレージを改善するために、接続孔２１内にサイドウォールを形成する工程が別途必要である。ただし、上述したように、ＣｒＳｉ薄膜３７の形成直前にＡｒスパッタエッチング処理を行なうことによりＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の抵抗値の安定性を改善することができるので、接続孔２１内にサイドウォールを形成した後にＡｒスパッタエッチング処理を行なうことが好ましい。

また、上記の実施例では、第２層間絶縁膜１９として、ＳＯＧ膜１５の形成及びエッチバック技術を用いて平坦化したものを用いているが、金属薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜はこれに限定されるものではない。金属薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜としては、例えば公知の技術であるＣＭＰ（chemical mechanical polish）技術を用いて平坦化を行なった絶縁膜や、平坦化を行なっていないプラズマＣＶＤ酸化膜など、他の絶縁膜であってもよい。ただし、アナログ抵抗素子の中には、ＴＣＲのみならず、ペア性や比精度も重要となるような構成で使用されている場合も多いので、特に、本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体をアナログ抵抗素子に適用する場合には、金属薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜は平坦化処理が施されていることが好ましい。

図１３は、金属薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜が上記で説明した実施例とは異なる構造をもつ実施例を説明するための断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、第１層間絶縁膜５、金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１が形成されている。
配線パターン１１の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上に、ＳＯＧ膜からなる第２層間絶縁膜４４が形成されている。第２層間絶縁膜１９に、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン１１に対応して接続孔２１が形成されている。

（Ｂ）に示すように、接続孔２１の底面は高融点金属膜９の表面側の一部が除去されて形成されており、接続孔２１の上端部２１ａはテーパー形状に形成されている。また、接続孔２１の内壁にはサイドウォール２２が形成されている。接続孔２１の上端部２１ａのテーパー形状及びサイドウォール２２は、接続孔２１が形成された第２層間絶縁膜４４に対してＡｒスパッタエッチング処理が施されて形成されたものであり、サイドウォール２２は高融点金属膜９及び第２層間絶縁膜４４の材料ならびにＡｒを含んでおり、ここではＴｉ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ａｒを含んでいる。

第２層間絶縁膜４４上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン１１上にわたってＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第２層間絶縁膜４４上にシリコン酸化膜２５及びシリコン窒化膜２７からなるパッシベーション膜２９が形成されている。
第２層間絶縁膜４４の形成方法について説明すると、ＳＯＧを例えば４０００Åの膜厚に塗布した後、熱処理を施すことにより第２層間絶縁膜４４の形成を行なう。これにより、ＳＯＧ膜からなる第２層間絶縁膜４４表面の段差を軽減することができる。

この実施例では、図１を参照して説明した実施例と同様に、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２が形成されているのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができ、さらに、接続孔２１の上端部２１ａがテーパー状に形成されているのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。

図１４は、金属薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜が上記で説明した実施例とはさらに異なる構造をもつ半導体装置の実施例を説明するための断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

この実施例が図１を参照して説明した実施例及び図１３を参照して説明した実施例と異なる点は、第２層間絶縁膜４６がＣＭＰ法により平坦化されている点である。第２層間絶縁膜４６の材料は例えばプラズマＣＶＤ酸化膜である。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の下地膜である第２層間絶縁膜４６の平坦性をさらに向上させることができる。
第２層間絶縁膜４６の形成方法の一例を説明すると、プラズマＣＶＤ酸化膜を約１００００Åの膜厚に形成し、ＣＭＰ法により約４０００Åの膜厚まで研磨して平坦化する。

さらに、この実施例では、図１を参照して説明した実施例と同様に、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２が形成されているのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができ、さらに、接続孔２１の上端部２１ａがテーパー状に形成されているのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。

また、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体の下地となる絶縁膜として、ＨＤＰ（high-density-plasma）−ＣＶＤ法により形成されたＣＶＤ絶縁膜を用いてもよい。例えば約８０００Åの膜厚に形成したＨＤＰ−ＣＶＤ膜を約４０００Åの膜厚にエッチバックすることにより、良好な平坦性をもつ絶縁膜を形成することができる。この場合でも、ＨＤＰ−ＣＶＤ膜に接続孔を形成した後にＡｒスパッタエッチング処理を行なうことにより、ＨＤＰ−ＣＶＤ膜及び配線パターンの材料ならびにＡｒを含むサイドウォールを接続孔の内壁に形成することができ、さらに接続孔の上端部をテーパー形状に形成することができる。

また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上にパッシベーション膜２９を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば第２層目の金属配線を形成するための層間絶縁膜など、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３上の膜は、いかなる絶縁膜であってもよい。

図１５はさらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、第１層間絶縁膜５、金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１、ならびに、プラズマＣＶＤ酸化膜１３、ＳＯＧ膜１５及びプラズマＣＶＤ酸化膜１７からなる第２層間絶縁膜１９が形成されている。第２層間絶縁膜１９に、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン１１に対応して接続孔２１が形成されている。接続孔２１の内壁にはサイドウォール２２が形成されている。接続孔２１の上端部２１ａはテーパー形状に形成されている。

第２層間絶縁膜１９上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン１１上にわたってＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上面にＣｒＳｉＮ膜（金属窒化膜）４１が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３とＣｒＳｉＮ膜４１の間にはＣｒＳｉＯは形成されていない。
ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第２層間絶縁膜１９上に、下層側がシリコン酸化膜２５、上層側がシリコン窒化膜２７からなるパッシベーション膜２９が形成されている。

図１６は図１５を参照して説明した実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。図１６では接続孔の内壁に形成されるサイドウォール及び接続孔の上端部のテーパー形状の図示を省略している。図１５及び図１６を参照してこの製造方法の例を説明する。

（１）図２（ａ）から図３（ｇ）を参照して説明した上記工程（１）から（７）と同じ工程により、素子分離酸化膜３の形成が完了したウェハ状のシリコン基板１上に、第１層間絶縁膜５、金属配線パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１、ならびに、プラズマＣＶＤ酸化膜１３、ＳＯＧ膜１５及びプラズマＣＶＤ酸化膜１７からなる第２層間絶縁膜１９を形成し、第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成する（図１６（ａ）参照）。

（２）図３（ｈ）を参照して説明した上記工程（８）と同じ工程により、例えばマルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なって接続孔２１の上端部２１ａへのテーパー形状及びサイドウォール２２の形成を行なった後（図１５（Ｂ）参照）、続けて、Ａｒスパッタエッチング完了後に真空状態を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜３７を形成する。

さらに、ＣｒＳｉ薄膜３７形成後、真空状態を破らずに連続して、ＣｒＳｉ薄膜３７上にＣｒＳｉＮ膜４３を形成する。ここでは、ＣｒＳｉ薄膜３７の形成で用いたＳｉ／Ｃｒ＝８０／２０ｗｔ％のＣｒＳｉターゲットを使用し、ＤＣパワー：０.７ＫＷ（キロワット）、Ａｒ＋Ｎ₂（アルゴンと窒素の混合ガス）：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：６秒の条件で処理を行ない、ＣｒＳｉ薄膜３７上にＣｒＳｉＮ膜４３を約５０Åの膜厚に形成した（図１６（ｂ）参照）。

（３）図３（ｉ）を参照して説明した上記工程（９）と同様にして、写真製版技術により、ＣｒＳｉＮ膜４３上に金属薄膜抵抗体の形成領域を画定するためのレジストパターン３９を形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用いてレジストパターン３９をマスクにしてＣｒＳｉＮ膜４３及びＣｒＳｉ薄膜３７をパターニングして、ＣｒＳｉＮ膜４１及びＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３からなる積層パターンを形成する（図１６（ｃ）参照）。

（４）レジストパターン３９を除去する（図１６（ｄ）参照）。上記の実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３は配線パターン１１と電気的に接続されているので、従来技術のようにはフッ酸水溶液によるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の表面の金属酸化膜除去処理を行なう必要はない。さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上面はＣｒＳｉＮ膜４１により覆われているので、大気など、酸素を含む雰囲気中に暴露されてもＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上面が酸化されることはない。
その後、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３及びＣｒＳｉＮ膜４１の形成領域を含む第２層間絶縁膜１９上にパッシベーション膜２９を形成する（図１５参照）。

一般に、金属薄膜は酸素との反応性が高く、金属薄膜を大気に晒した状態で長時間放置すると抵抗値が変動してしまうことが知られている。
この実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上面にＣｒＳｉＮ膜４１を形成することにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の上面が大気に晒されてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の抵抗値が変動するのを防止している。ここで、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成するためのＣｒＳｉ薄膜３７が成膜された段階で、ＣｒＳｉ薄膜３７と配線パターン１１との電気的接続は完了しているため、ＣｒＳｉ薄膜３７上に新たな薄膜が成膜されても、特性上何ら影響を与えるものではない。

図１７に、ＣｒＳｉＮ膜形成用のガスのＮ₂分圧とＣｒＳｉＮ膜の抵抗率の関係を示す図であり、縦軸は抵抗率ρ（mohm・cm（ミリオーム・センチメートル））、横軸はＮ₂分圧（％）を示す。ここでは、ターゲット：Ｓｉ／Ｃｒ＝５０／５０ｗｔ％、ＤＣパワー：０.７ＫＷ、Ａｒ＋Ｎ₂：８５ｓｃｃｍ、圧力：８.５ｍＴｏｒｒ、処理時間：６秒の条件でＡｒ＋Ｎ₂ガスのＮ₂分圧を調整してＣｒＳｉＮ膜を形成した。

Ｎ₂分圧を１８％以上添加してリアクティブスパッタにより形成されたＣｒＳｉＮ膜は、Ｎ₂を全く添加しないガスを用いた場合（Ｎ₂分圧が０％）に比べて１０倍以上の高い抵抗率を示す。したがって、Ｎ₂分圧を１８％以上に設定してＣｒＳｉＮ膜を成膜するようにすれば、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体上に直接ＣｒＳｉＮ膜を形成しても、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体全体の抵抗値はＣｒＳｉ薄膜が決定することとなり、ＣｒＳｉＮ膜は抵抗値にほとんど影響を与えない。ここで、Ｎ₂分圧の上限は９０％程度である。Ｎ₂分圧を９０％よりも大きく設定した場合、スパッタリング速度の大幅な低下を招き、生産効率が低下するので好ましくない。
なお、ＣｒＳｉＮ膜は、Ｎ₂分圧を例えば６〜１１％程度添加してリアクティブスパッタにより形成するようにすれば、ＣｒＳｉＮ膜自体を金属薄膜抵抗体として使用することも可能である。

また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３上にＣｒＳｉＮ膜４１を備えているが、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３上にＣＶＤ系の絶縁膜、例えばシリコン窒化膜等を備えているようにしてもよい。しかし、一般的なマルチチャンバースパッタ装置にはＣＶＤチャンバーは接続されておらず、ＣＶＤ系の絶縁膜を真空中で連続してＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３上に形成するためには、対応する新しい設備を購入する必要があり、製造コストに多大な影響を与えてしまう。

上記実施例のように、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３用のＣｒＳｉ薄膜３７上にＣｒＳｉＮ膜４３を形成する構成であれば、新しい装置を購入すること無く、既存のマルチチャンバースパッタ装置を用いてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の耐酸化カバー膜となるＣｒＳｉＮ膜４３を、真空状態を破ること無く形成することができる。

上記の実施例では、高融点金属膜９，３３としてＴｉＮ膜を用いた例を挙げているが、配線パターンを構成する高融点金属膜はこれに限定されるものではなく、例えばＴｉＷやＷＳｉなど、他の高融点金属膜を用いてもよい。

また、上記の実施例では、接続孔２１の底部に高融点金属膜９を残存させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図１８に示すように、接続孔２１が高融点金属膜９を貫通しており、金属材料パターン７とＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が接触しているようにしてもよい。

また、上記の実施例では、金属配線として一層の配線パターン１１を備えた半導体装置に本発明を適用しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、多層金属配線構造の半導体装置に本発明を適用することもできる。その場合、金属薄膜抵抗体の電気的接続を得るための、金属薄膜抵抗体の下層の金属配線は何層目の金属配線であってもよい。多層金属配線構造の半導体装置に本発明を適用する場合、金属薄膜抵抗体の下層の配線パターン（金属配線）、すなわち金属薄膜抵抗体と電気的に接続される配線パターンが最上層の配線パターンであるようにすれば、例えば金属薄膜抵抗体のレイアウト変更を金属薄膜抵抗体及び最上層の配線パターンのレイアウト変更により実現できるなど、設計の自由度を向上させることができる。また、最上層の配線パターン上に形成された絶縁膜上に金属薄膜抵抗体を配置することにより、金属薄膜抵抗体の上層には絶縁性材料からなる最終保護膜が形成され、金属薄膜抵抗体の上層に最終保護膜以外の絶縁膜も形成されている場合に比べて金属薄膜抵抗体上の絶縁性材料の膜厚を薄くして膜厚バラツキを小さくすることができる。これにより、金属薄膜抵抗体にレーザーを照射してトリミング処理を施す際に、金属薄膜抵抗体上の絶縁性材料でのレーザーの干渉のバラツキを小さくして金属薄膜抵抗体に与えられるレーザーエネルギーのバラツキを小さくすることができ、トリミングの正確性を向上させることができる。さらに、トリミング処理時のレーザー照射に起因する金属薄膜抵抗体の温度上昇などに対して放熱能力を向上させることができる。

また、上記の実施例では、配線パターン１１として、金属材料パターン７の上面に高融点金属膜９が形成されたものを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図１９に示すように、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が接続される配線パターンとして上面に高融点金属膜が形成されていない金属材料パターンからなる配線パターン１１ａからなるものを用いてもよい。この場合、金属材料パターンとして例えばＡｌ系合金を用いた場合には、金属材料パターン表面に強固な自然酸化膜が形成されるので、接続孔形成後で金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前に、接続孔底部の金属材料パターン表面の自然酸化膜を除去する工程を行なうことが好ましい。その自然酸化膜除去工程は、金属薄膜抵抗体の抵抗値の経時的変化抑制を目的とした上記Ａｒスパッタエッチング処理を兼ねて行なってもよい。また、配線パターンはＡｌ系合金を含むものに限定されるものではなく、いわゆるダマシン法により形成されたＣｕ配線など、他の金属材料からなる配線パターンであってもよい。

また、上記の実施例では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の電位をとるための配線パターン１１として金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなるものを用いているが、金属材料パターン７に替えてポリシリコンパターンを用いることもできる。

図２０はさらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

シリコン基板１上に素子分離酸化膜３が形成されている。シリコン基板１上に形成された酸化膜（図示は省略）上及び素子分離酸化膜３上に、ポリシリコンパターン４５と、ポリシリコンパターン４５上に形成された高融点金属膜４７からなる配線パターン４９が形成されている。高融点金属膜４７は例えばＷＳｉ又はＴｉＳｉにより形成されている。

配線パターン４９及び素子分離酸化膜３の形成領域を含むシリコン基板１上に第１層間絶縁膜５が形成されている。第１層間絶縁膜５に、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン４９に対応して接続孔２１が形成されている。接続孔２１の内壁にはサイドウォール２２が形成されている。接続孔２１の上端部２１ａはテーパー形状に形成されている。

第１層間絶縁膜５上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン４９上にわたってＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が形成されている。
図示は省略するが、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上に、層間絶縁膜、金属配線及びパッシベーション膜が形成されている。

（Ｂ）に示すように、接続孔２１の内壁にサイドウォール２２が形成されているので、接続孔２１内でのＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージが向上されている。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン４９との接触抵抗の安定化を実現することができる。
さらに、接続孔２１の上端部２１ａがテーパー状に形成されているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成するためのＣｒＳｉ薄膜形成時において接続孔２１の上端部２１ａ近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜のオーバーハングを防止して接続孔２１内へのＣｒＳｉ薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜のステップカバレージ、ひいてはＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。

図２１は図２０を参照して説明した実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。図２１では接続孔の内壁に形成されるサイドウォール及び接続孔の上端部のテーパー形状の図示を省略している。図２０及び図２１を参照してこの製造方法の例を説明する。

（１）シリコン基板１上に素子分離酸化膜３を形成し、素子分離酸化膜３以外のシリコン基板１表面にトランジスタのゲート酸化膜などの酸化膜（図示は省略）を形成した後、シリコン基板１上全面にポリシリコン膜を形成する。例えばトランジスタのゲート電極の形成と同時に、低抵抗化したポリシリコンパターン４５を形成する。ポリシリコンパターン４５上を含むシリコン基板１上全面に高融点金属膜を形成し、ポリシリコンパターン４５のサリサイド化を行なって、ポリシリコンパターン４５上にＴｉＳｉやＷＳｉなどの高融点金属膜４７を形成し、配線パターン４９を形成する（図２１（ａ）参照）。

（２）図２（ａ）を参照して説明した上記工程（１）と同様にして、配線パターン４９上を含むシリコン基板１上全面に第１層間絶縁膜５を形成する（図２１（ｂ）参照）。
（３）公知の写真製版技術により、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン４９に対応して第１層間絶縁膜５に接続孔を形成するためのレジストパターン（図示は省略）を形成する。そのレジストパターンをマスクにして、第１層間絶縁膜５を選択的に除去して、第１層間絶縁膜５に接続孔２１を形成する。接続孔２１の底部に高融点金属膜４７が残存している。その後、レジストパターンを除去する（図２１（ｃ）参照）。

（４）図３（ｈ）及び（ｉ）を参照して説明した上記工程（８）及び（９）と同じ工程により、例えばマルチチャンバースパッタリング装置のＡｒスパッタエッチングチャンバーにて、真空中で、接続孔２１内を含む第２層間絶縁膜１９の表面に対してＡｒスパッタエッチング処理を行なって接続孔２１の上端部２１ａへのテーパー形状及びサイドウォール２２の形成を行なった後（図２０（Ｂ）参照）、続けて、Ａｒスパッタエッチング処理の完了後に真空状態を破らずに連続して金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成し、金属薄膜をパターニングしてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成する（図２０及び図２１（ｄ）参照）。
その後、図示は省略するが、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第１層間絶縁膜５上に、層間絶縁膜、金属配線及びパッシベーション膜を形成する。

この製造方法の例においても、図２及び図３を参照して説明した製造方法と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３をパターニングした後にウェットエッチング技術によるパターニングを行なう必要はなく、さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン４９との接触面が大気に暴露されることはないのでＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と配線パターン４９の良好な電気的接続を安定して得ることができ、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の膜厚に関わらず、工程数を増加させることなく、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができる。

さらに、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３とポリシリコンパターン４５の間にバリヤ膜として機能する高融点金属膜４７を介在させているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３と配線パターン４９の接触抵抗のバラツキを低減することができ、抵抗値の精度及び歩留りの向上を図ることができる。

さらに、高融点金属膜４７はポリシリコンパターン４５の低抵抗化にも寄与しており、従来技術に比べて製造工程を増加させることなく高融点金属膜４７を形成することができるので、製造コストの増大を防止しつつ、金属薄膜抵抗体と配線パターンの接触抵抗を安定させることができる。

また、上記の製造方法では、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３用の金属薄膜を形成する前にＡｒスパッタエッチング処理を行なっているので、前工程からの経過時間や製品毎に異なる下地膜の違い等によって発生する抵抗値のバラツキを低減することができる。
図２０に示した実施例において、図１５に示した実施例と同様に、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３上にＣｒＳｉＮ膜を備えているようにしてもよい。

図１から図２１に示した上記の実施例では、接続孔２１の内壁に形成されたサイドウォール２２として、Ａｒスパッタエッチング処理により形成されたものを備えているが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明において、接続孔の内壁に形成されたサイドウォールは、接続孔が形成された絶縁膜上にサイドウォール材料として絶縁性材料膜又は導電性材料膜が形成された後、そのサイドウォール材料をエッチバックすることにより形成したものであってもよい。

図２２はさらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

シリコン基板１上に素子分離酸化膜３、第１層間絶縁膜５、金属材料パターン７及び高融点金属膜９からなる配線パターン１１、ならびに、プラズマＣＶＤ酸化膜１３、ＳＯＧ膜１５及びプラズマＣＶＤ酸化膜１７からなる第２層間絶縁膜１９が形成されている。第２層間絶縁膜１９に、金属薄膜抵抗体の両端部及び配線パターン１１に対応して接続孔２１が形成されている。接続孔２１の内壁に、例えばＣＶＤ酸化膜の堆積及びエッチバックにより形成されたサイドウォール５０（（Ａ）での図示は省略）が形成されている。この実施例では、図１を参照して説明した実施例と異なり、接続孔２１の上端部はＡｒスパッタエッチング処理によってはテーパー形状には形成されていない。

第２層間絶縁膜１９上に、接続孔２１，２１間の領域から接続孔２１内及び配線パターン１１上にわたってＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３が形成されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の両端部は接続孔２１内で配線パターン１１と電気的に接続されている。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の形成領域を含む第２層間絶縁膜１９上に、下層側がシリコン酸化膜２５、上層側がシリコン窒化膜２７からなるパッシベーション膜２９が形成されている。

（Ｂ）に示すように、接続孔２１の内壁にサイドウォール５０が形成されているので、接続孔２１内でのＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージが向上されている。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができる。
さらに、接続孔２１の上端部はサイドウォール５０によりテーパー状に形成されているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成するためのＣｒＳｉ薄膜形成時において接続孔２１の上端部２１ａ近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜のオーバーハングを防止して接続孔２１内へのＣｒＳｉ薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜のステップカバレージ、ひいてはＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。

この実施例を製造するための方法を簡単に説明すると、まず、図２（ａ）から図３（ｇ）を参照して説明した上記工程（１）から（７）と同様にして、第１層間絶縁膜５、配線パターン１１、第２層間絶縁膜１９を形成し、第２層間絶縁膜１９に接続孔２１を形成する。
接続孔２１の形成領域を含んで第２層間絶縁膜１９上全面に例えばＣＶＤ酸化膜を１０００Åの膜厚に形成した後、エッチバック処理を行なうことにより、接続孔２１の内壁にＣＶＤ酸化膜を材料とするサイドウォール５０を形成することができる。
図３（ｈ）を参照して説明した上記工程（８）でのＣｒＳｉ薄膜３７の形成条件と同様にして、サイドウォール５０が内壁に形成された接続孔２１を含む第２層間絶縁膜１９上にＣｒＳｉ薄膜を形成した後、図３（ｉ）から（ｋ）を参照して説明した上記工程（９）から（１１）と同様にしてＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３及びパッシベーション膜２９の形成を行なう。
これにより、図２２に示した実施例を製作することができる。

図２３はさらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。図１及び図２２と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付し、それらの部分の詳細な説明は省略する。

この実施例が図２２に示した実施例と異なる点は、（Ｂ）に示すように、接続孔２１の内壁にＣＶＤ酸化膜の堆積及びエッチバックにより形成されたサイドウォール５０の接続孔２１の底部側の表面にサイドウォール５１が形成されている点である。さらに、接続孔２１の上端部２１ａがテーパー形状に形成されている点も図２２に示した実施例と異なる。
接続孔２１の上端部２１ａのテーパー形状及びサイドウォール５１は、例えば、接続孔２１及びサイドウォール５０が形成された第２層間絶縁膜１９に対してＡｒスパッタエッチング処理が施されて形成されたものである。サイドウォール５１は高融点金属膜９、第２層間絶縁膜１９及びサイドウォール５０の材料ならびにＡｒを含んでおり、ここではＴｉ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ａｒを含んでいる。接続孔２１の上端部２１ａのテーパー形状及びサイドウォール５１の形成は、接続孔２１の内壁にサイドウォール２０を形成した後、図３（ｈ）を参照して説明した上記工程（８）でのＡｒスパッタエッチング処理と同様の処理を行なうことにより形成することができる。

この実施例では、接続孔２１の内壁にサイドウォール５０及び５１が形成されているので、接続孔２１内でのＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージが向上されている。これにより、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３の配線パターン１１との接触抵抗の安定化を実現することができる。
さらに、接続孔２１の上端部２１ａはサイドウォール５０及びＡｒスパッタエッチング処理によりテーパー状に形成されているので、ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を形成するためのＣｒＳｉ薄膜形成時において接続孔２１の上端部２１ａ近傍に堆積されたＣｒＳｉ薄膜のオーバーハングを防止して接続孔２１内へのＣｒＳｉ薄膜の堆積に及ぼす影響を低減することができ、ＣｒＳｉ薄膜のステップカバレージ、ひいてはＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３のステップカバレージを向上させることができる。

図２２及び図２３を参照して説明した実施例では、材料膜の堆積及びエッチバック処理により接続孔２１の内壁に形成されたサイドウォール５０としてＣＶＤ酸化膜を材料としたものを備えているが、サイドウォール５０の材料はこれに限定されるものではなく、例えば窒化シリコン膜などの他の絶縁性材料や、タングステンなどの導電性材料であってもよい。また、図２３を参照して説明した実施例では、サイドウォール５０の材料が代わると、Ａｒスパッタエッチング処理によって形成されるサイドウォール５１の組成も代わる。例えばサイドウォール５０の材料としてタングステンを用いた場合には、サイドウォール５１は高融点金属膜９、第２層間絶縁膜１９及びサイドウォール５０の材料ならびにＡｒを含み、ここではＴｉ、Ｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ｗ、Ａｒを含んでいる。
また、図２２及び図２３を参照して説明した実施例のサイドウォールの構造は、図１３、図１４、図１５、図１８、図１９及び図２０に示した各実施例に適用することができることは言うまでもない。

また、図１から図２３に示した上記の実施例及びサンプルでは、金属薄膜抵抗体の材料としてＣｒＳｉを用いた例を示しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属薄膜抵抗体の材料としては、例えばＮｉＣｒ、ＴａＮ、ＣｒＳｉ₂、ＣｒＳｉＮ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉ０など、他の材料を用いてもよい。

また、図１から図２３に示した上記の実施例では、接続孔２１の側壁は略鉛直方向に形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、接続孔はエッチング条件の変更によるテーパーエッチングや、ウェットエッチング技術とドライエッチング技術を組み合わせたエッチング処理等により、接続孔２１全体がテーパー形状をもつものであってもよい。これにより、接続孔２１内部での金属薄膜抵抗体のステップカバレージを改善することができる。

本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体は、例えばアナログ回路を備えた半導体装置に適用することができる。以下に、本発明にかかる金属薄膜抵抗体を備えたアナログ回路を備えた半導体装置の実施例について説明する。

図２４はアナログ回路である定電圧発生回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
直流電源５２からの電源を負荷５３に安定して供給すべく、定電圧発生回路５５が設けられている。定電圧発生回路５５は、直流電源５２が接続される入力端子（Ｖbat）５７、基準電圧発生回路（Ｖref）５９、演算増幅器（比較回路）６１、出力ドライバを構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳと略記する）６３、分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２及び出力端子（Ｖout）６５を備えている。

定電圧発生回路５５の演算増幅器６１では、出力端子がＰＭＯＳ６３のゲート電極に接続され、反転入力端子（−）に基準電圧発生回路５９から基準電圧Ｖrefが印加され、非反転入力端子（＋）に出力電圧Ｖoutを抵抗素子Ｒ１とＲ２で分割した電圧が印加され、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の分割電圧が基準電圧Ｖrefに等しくなるように制御される。

図２５は、アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
電圧検出回路６７において、６１は演算増幅器で、その反転入力端子（−）に基準電圧発生回路５９が接続され、基準電圧Ｖrefが印加される。入力端子（Ｖsens）６９から入力される測定すべき端子の電圧が分割抵抗素子Ｒ１とＲ２によって分割されて演算増幅器６１の非反転入力端子（＋）に入力される。演算増幅器６１の出力は出力端子（Ｖout）７１を介して外部に出力される。

電圧検出回路６７では、測定すべき端子の電圧が高く、分割抵抗素子Ｒ１とＲ２により分割された電圧が基準電圧Ｖrefよりも高いときは演算増幅器６１の出力がＨレベルを維持し、測定すべき端子の電圧が降下してきて分割抵抗素子Ｒ１とＲ２により分割された電圧が基準電圧Ｖref以下になってくると演算増幅器６１の出力がＬレベルになる。

一般に、図２４に示した定電圧発生回路や図２５に示した電圧検出回路では、製造プロセスのバラツキに起因して基準電圧発生回路からの基準電圧Ｖrefが変動するので、その変動に対応すべく、分割抵抗素子としてヒューズ素子の切断により抵抗値を調整可能な抵抗素子回路（分割抵抗回路と称す）を用いて、分割抵抗素子の抵抗値を調整している。

図２６は、本発明の金属薄膜抵抗体が適用される分割抵抗回路の一例を示す回路図である。図２７及び図２８は、その分割抵抗回路のレイアウト例を示すレイアウト図であり、図２７はヒューズ素子部分のレイアウト例を示し、図２８は抵抗素子部分のレイアウト例を示す。

図２６に示すように、抵抗素子Ｒbottom、ｍ＋１個（ｍは正の整数）の抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍ、抵抗素子Ｒtopが直列に接続されている。抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍには、各抵抗素子に対応してヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍが並列に接続されている。

図２７に示すように、ヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍは、例えばシート抵抗が２０Ω〜４０Ωのポリシリコンパターンにより形成されている。
抵抗素子ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍの値は抵抗素子Ｒbottom側から順に二進数的に増加するよう設定されている。すなわち、抵抗素子ＲＴｎの抵抗値は、抵抗素子ＲＴ０の抵抗値を単位値とし、その単位値の２ⁿ倍である。

例えば、図２８に示すように、ＣｒＳｉ薄膜からなるＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を用い、抵抗素子ＲＴ０を１本のＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３を単位抵抗とし、抵抗素子ＲＴｎを２ⁿ本のＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３により構成する。ＣｒＳｉ薄膜抵抗体２３は、例えば図１、図１３、図１４、図１５、図２０、図２２又は図２３に示したものが用いられる。
図２７及び図２８において、符号Ａ−Ａ間、符号Ｂ−Ｂ間、符号Ｃ−Ｃ間、符号Ｄ−Ｄ、符号Ｅ−Ｅ、符号Ｆ−Ｆ及び符号Ｇ−Ｇ間はそれぞれ金属配線パターン７２により電気的に接続されている。

このように、抵抗素子の比の精度が重視される分割抵抗回路では、製造工程での作り込み精度を上げるために、一対の抵抗素子及びヒューズ素子からなる単位抵抗素子が直列に接続されて梯子状に配置されている。
このような分割抵抗回路では、任意のヒューズ素子ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍをレーザービームで切断することにより、所望の直列抵抗値を得ることができる。

本発明の半導体装置を構成する金属薄膜抵抗体では、金属薄膜抵抗体の微細化及び抵抗値の安定化を実現することができるので、図２６に示した分割抵抗回路の形成面積の縮小化及び出力電圧の精度の向上を図ることができる。

図２６に示した分割抵抗回路を図２４に示した定電圧発生回路の分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒbottom端を接地し、抵抗素子Ｒtop端をＰＭＯＳ７１のドレインに接続する。さらに、抵抗素子Ｒbottom、ＲＴ０間の端子ＮｏｄｅＬ、又は抵抗素子Ｒtop、ＲＴｍ間の端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器６１の非反転入力端子に接続する。
本発明を構成する金属薄膜抵抗体を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の出力電圧の精度を向上させることができるので、定電圧発生回路５５の出力電圧の安定性を向上させることができる。さらに、分割抵抗回路の形成面積の縮小化により、定電圧発生回路５５の形成面積の縮小化を実現できる。

また、図２６に示した分割抵抗回路を図２５に示した電圧検出回路の分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に適用する場合、例えば抵抗素子Ｒbottom端を接地し、抵抗素子Ｒtop端を入力端子７７に接続する。さらに、抵抗素子Ｒbottom、ＲＴ０間の端子ＮｏｄｅＬ、又は抵抗素子Ｒtop、ＲＴｍ間の端子ＮｏｄｅＭを演算増幅器６１の非反転入力端子に接続する。
本発明を構成する金属薄膜抵抗体を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の出力電圧の精度を向上させることができるので、電圧検出回路６７の電圧検出能力の精度を向上させることができる。さらに、分割抵抗回路の形成面積の縮小化により、電圧検出回路６７の形成面積の縮小化を実現できる。

ただし、本発明を構成する金属薄膜抵抗体を適用した分割抵抗回路が適用される半導体装置は、定電圧発生回路を備えた半導体装置及び電圧検出回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、分割抵抗回路を備えた半導体装置であれば適用することができる。
また、本発明を構成する金属薄膜抵抗体が適用される半導体装置は分割抵抗回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置であれば、本発明を適用することができる。例えば、本発明を構成する金属薄膜抵抗体は、抵抗体自体にレーザー光を照射して切断又は変質させて抵抗値を調整するための抵抗体として用いることもできる。

以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。

一実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 同実施例を製造するための製造方法の一例の前半を説明するための工程断面図である。 同製造方法の一例の後半を説明するための工程断面図である。 同製造方法においてＡｒスパッタエッチング処理を施した後の接続孔近傍の状態を拡大して示す断面図である。 本発明により形成した金属薄膜抵抗体のシート抵抗と膜厚との関係を示す図であり、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。 本発明により形成した金属薄膜抵抗体のシート抵抗のウェハ面内の６３箇所での測定結果の標準偏差（σ）を平均値（ＡＶＥ）で割った値（σ／ＡＶＥ）と膜厚との関係を示す図であり、縦軸はσ／ＡＶＥ（％）、横軸はＣｒＳｉ膜厚（Å）を示す。 金属薄膜抵抗体用の金属薄膜を形成する前にＡｒスパッタエッチング処理を行なった場合及び行なわなかった場合のＣｒＳｉ薄膜抵抗体のシート抵抗と金属薄膜抵抗体の下地膜を形成してから経過した時間との関係を示す図であり、（Ａ）は行なった場合、（Ｂ）は行なわなかった場合を示し、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸は下地膜形成後経過時間（時間）を示す。 Ａｒスパッタエッチングの量とシート抵抗の関係を示す図であり、縦軸はシート抵抗（Ω／□）、横軸はエッチング量（熱酸化膜エッチング量換算）（Å）を示す。 Ａｒスパッタエッチング量を変化させたときの、ホール径（接続孔径）と接触抵抗の関係を示す図であり、縦軸は１つの接続孔あたりの接触抵抗（Ω／hole）、横軸はホール径（μｍ）を示す。 Ａｒスパッタエッチング量を変化させたときの、ホール径と接触抵抗バラツキの関係を示す図であり、縦軸は接触抵抗バラツキ（％）、横軸はホール径（μｍ）を示す。 金属薄膜抵抗体用のＣｒＳｉ薄膜を形成した後に、温度２５℃、湿度４５％の大気中に放置した時間と、形成直後のシート抵抗からのシート抵抗の変化率（ΔＲ／Ｒ０）の関係を示す図であり、縦軸はΔＲ／Ｒ０（％）、横軸は放置時間（時間）を示す。 接続孔形成時に接続孔底部に高融点金属膜を残存させたサンプルと完全に除去したサンプルについて熱処理に起因する金属薄膜抵抗と金属配線の接触抵抗の変動を調べた結果を示す図であり、縦軸は熱処理前の接触抵抗値で規格化した値、横軸は熱処理回数を示す。 他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 同実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 ＣｒＳｉＮ膜形成用のガスのＮ₂分圧とＣｒＳｉＮ膜の抵抗率の関係を示す図であり、縦軸は抵抗率ρ（mohm・cm）、横軸はＮ₂分圧（％）を示す。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 同実施例を製造するための製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 さらに他の実施例を示す断面図であり、（Ａ）は金属薄膜抵抗体の形成領域を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大して示す拡大断面図である。 アナログ回路である定電圧発生回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 アナログ回路である分割抵抗回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。 分割抵抗回路のヒューズ素子部分のレイアウト例を示すレイアウト図である。 分割抵抗回路の金属薄膜抵抗体部分のレイアウト例を示すレイアウト図である。 従来の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。 従来の製造方法の他の例を説明するための工程断面図である。 従来の製造方法のさらに他の例を説明するための工程断面図である。 従来の製造方法のさらに他の例を説明するための工程断面図である。

符号の説明

１ シリコン基板
３ 素子分離酸化膜
５ 第１層間絶縁膜
７ 金属材料パターン
９ 高融点金属膜
１１ 配線パターン
１３，１７ プラズマＣＶＤ酸化膜
１５ ＳＯＧ膜
１９ 第２層間絶縁膜
２１ 接続孔
２１ａ 接続孔の上端部
２２ Ａｒスパッタエッチング処理により形成されたサイドウォール
２３ ＣｒＳｉ薄膜抵抗体
２５ シリコン酸化膜
２７ シリコン窒化膜
２９ パッシベーション膜
３１ 配線用金属膜
３３ 高融点金属膜
３５，３９ レジストパターン
３６ 開口部
３７ ＣｒＳｉ薄膜
４１，４３ ＣｒＳｉＮ膜
４４ 第２層間絶縁膜
４５ ポリシリコンパターン
４６ 第２層間絶縁膜
４７ 高融点金属膜
４９ 配線パターン
５０ 材料の堆積及びエッチバック処理により形成されたサイドウォール
５１ Ａｒスパッタエッチング処理により形成されたサイドウォール
５２ 直流電源
５３ 負荷
５５ 定電圧発生回路
５７ 入力端子
５９ 基準電圧発生回路
６１ 演算増幅器
６３ ＰチャネルＭＯＳトランジスタ
６５ 出力端子
６７ 電圧検出回路
６９ 入力端子
７１ 出力端子
７２ 配線パターン
Ｒ１，Ｒ２ 分割抵抗素子
Ｒbottom，ＲＴ０，ＲＴ１，…，ＲＴｍ，Ｒtop 抵抗素子
ＲＬ０，ＲＬ１，…，ＲＬｍ ヒューズ素子
ＮｏｄｅＬ，ＮｏｄｅＭ 端子

Claims (13)

1. 配線パターン上の絶縁膜に形成された接続孔と、
   前記接続孔の内壁に形成されたサイドウォールと、
   前記絶縁膜上及び前記接続孔内に形成され、前記配線パターンと電気的に接続されている金属薄膜抵抗体を備えた半導体装置。
2. 前記接続孔の少なくとも上端部がテーパー状に形成されている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記サイドウォールの材料はアルゴンを含んでいる請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記接続孔下の前記配線パターン表面は、周囲の前記配線パターン表面に比べて窪んでおり、前記配線パターンの窪んでいる部分の底面及び側面で前記金属配線パターンと前記配線パターンが接触している請求項１、２又は３に記載の半導体装置。
5. 前記金属薄膜抵抗体の膜厚は５〜１０００Åである請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 前記絶縁膜は平坦化処理が施されている請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 前記配線パターンは金属材料パターンと前記金属材料パターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
8. 前記配線パターンはポリシリコンパターンと前記ポリシリコンパターンの少なくとも上面に形成された高融点金属膜により構成されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
9. 前記金属薄膜抵抗体の上面を覆う金属窒化膜を備え、前記金属薄膜抵抗体の上面と前記金属窒化膜の間には金属酸化膜は形成されていない請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
10. 前記配線パターンは最上層の配線パターンである請求項１から９のいずれかに記載の半導体装置。
11. ２個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、
    前記抵抗素子は、請求項１から１０のいずれかに記載の金属薄膜抵抗体により構成されていることを特徴とする半導体装置。
12. 入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
    前記分割抵抗回路として請求項１１に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
13. 入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
    前記分割抵抗回路として請求項１１に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。

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