|
JPS599959A
(ja)
|
1982-07-07 |
1984-01-19 |
Seiko Epson Corp |
マトリツクスアレ−基板
|
|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JPH07104312B2
(ja)
|
1986-03-25 |
1995-11-13 |
株式会社東芝 |
攪拌電極装置
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
EP0445535B1
(en)
|
1990-02-06 |
1995-02-01 |
Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of forming an oxide film
|
|
JP2585118B2
(ja)
|
1990-02-06 |
1997-02-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
薄膜トランジスタの作製方法
|
|
JP2959077B2
(ja)
|
1990-08-18 |
1999-10-06 |
セイコーエプソン株式会社 |
半導体装置
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP2587754B2
(ja)
|
1992-06-29 |
1997-03-05 |
セイコーエプソン株式会社 |
マトリックスアレー基板
|
|
JP3231410B2
(ja)
*
|
1992-08-13 |
2001-11-19 |
カシオ計算機株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
|
|
US5604360A
(en)
|
1992-12-04 |
1997-02-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor
|
|
US6323071B1
(en)
|
1992-12-04 |
2001-11-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for forming a semiconductor device
|
|
TW226478B
(en)
|
1992-12-04 |
1994-07-11 |
Semiconductor Energy Res Co Ltd |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP3241515B2
(ja)
|
1992-12-04 |
2001-12-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の製造方法
|
|
US5403762A
(en)
|
1993-06-30 |
1995-04-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of fabricating a TFT
|
|
US6413805B1
(en)
|
1993-03-12 |
2002-07-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device forming method
|
|
US6875628B1
(en)
|
1993-05-26 |
2005-04-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and fabrication method of the same
|
|
JPH07104312A
(ja)
|
1993-09-30 |
1995-04-21 |
Sanyo Electric Co Ltd |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP3402400B2
(ja)
*
|
1994-04-22 |
2003-05-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体集積回路の作製方法
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
DE19622646B4
(de)
*
|
1995-06-06 |
2005-03-03 |
Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki |
Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
|
|
JPH09162408A
(ja)
*
|
1995-12-06 |
1997-06-20 |
Toshiba Corp |
半導体集積回路装置
|
|
WO1997006554A2
(en)
|
1995-08-03 |
1997-02-20 |
Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
|
US5847410A
(en)
|
1995-11-24 |
1998-12-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co. |
Semiconductor electro-optical device
|
|
US6758552B1
(en)
*
|
1995-12-06 |
2004-07-06 |
Hewlett-Packard Development Company |
Integrated thin-film drive head for thermal ink-jet printer
|
|
JP3490203B2
(ja)
|
1995-12-28 |
2004-01-26 |
エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド |
電界効果トランジスタおよびその駆動方法
|
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP3777706B2
(ja)
|
1997-02-21 |
2006-05-24 |
ソニー株式会社 |
表示装置
|
|
JPH11111994A
(ja)
|
1997-10-03 |
1999-04-23 |
Sanyo Electric Co Ltd |
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
|
|
JP3459560B2
(ja)
*
|
1998-02-10 |
2003-10-20 |
三洋電機株式会社 |
半導体装置及び表示装置
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
US6140198A
(en)
*
|
1998-11-06 |
2000-10-31 |
United Microelectronics Corp. |
Method of fabricating load resistor
|
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP2003050405A
(ja)
|
2000-11-15 |
2003-02-21 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
|
|
JP2002158304A
(ja)
|
2000-11-17 |
2002-05-31 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体集積回路装置およびその製造方法
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
KR100456137B1
(ko)
*
|
2001-07-07 |
2004-11-08 |
엘지.필립스 엘시디 주식회사 |
액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
EP1443130B1
(en)
|
2001-11-05 |
2011-09-28 |
Japan Science and Technology Agency |
Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
US7049190B2
(en)
|
2002-03-15 |
2006-05-23 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
|
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
*
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
US7189992B2
(en)
|
2002-05-21 |
2007-03-13 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures having a transparent channel
|
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
US7230316B2
(en)
|
2002-12-27 |
2007-06-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device having transferred integrated circuit
|
|
JP4671600B2
(ja)
|
2002-12-27 |
2011-04-20 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP4108633B2
(ja)
*
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
JP4483235B2
(ja)
|
2003-09-01 |
2010-06-16 |
カシオ計算機株式会社 |
トランジスタアレイ基板の製造方法及びトランジスタアレイ基板
|
|
JP4877866B2
(ja)
|
2003-10-28 |
2012-02-15 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
|
CN1890698B
(zh)
|
2003-12-02 |
2011-07-13 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示器件及其制造方法和电视装置
|
|
CN102856390B
(zh)
|
2004-03-12 |
2015-11-25 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件
|
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
JP4744109B2
(ja)
*
|
2004-07-20 |
2011-08-10 |
トヨタ自動車株式会社 |
半導体装置とその製造方法
|
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
JP4801407B2
(ja)
|
2004-09-30 |
2011-10-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法
|
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
JP5138163B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-02-06 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
CA2708337A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
JP5053537B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2012-10-17 |
キヤノン株式会社 |
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
KR100911698B1
(ko)
|
2004-11-10 |
2009-08-10 |
캐논 가부시끼가이샤 |
비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터
|
|
AU2005302963B2
(en)
|
2004-11-10 |
2009-07-02 |
Cannon Kabushiki Kaisha |
Light-emitting device
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
JP2006156921A
(ja)
*
|
2004-11-30 |
2006-06-15 |
Rikogaku Shinkokai |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2006163507A
(ja)
*
|
2004-12-02 |
2006-06-22 |
Sharp Corp |
基準電位発生回路およびそれを備えた表示装置
|
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
TWI390735B
(zh)
|
2005-01-28 |
2013-03-21 |
Semiconductor Energy Lab |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI562380B
(en)
|
2005-01-28 |
2016-12-11 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
|
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
US7544967B2
(en)
|
2005-03-28 |
2009-06-09 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
|
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
GB2425401A
(en)
|
2005-04-21 |
2006-10-25 |
Stuart Philip Speakman |
Manufacture of microstructures using peelable mask
|
|
TW200642268A
(en)
|
2005-04-28 |
2006-12-01 |
Sanyo Electric Co |
Compound semiconductor switching circuit device
|
|
JP4648081B2
(ja)
*
|
2005-05-16 |
2011-03-09 |
リンテック株式会社 |
貼合装置及び貼合方法
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7402506B2
(en)
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
JP2007036216A
(ja)
*
|
2005-06-24 |
2007-02-08 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及び無線通信システム
|
|
KR20080036168A
(ko)
*
|
2005-06-24 |
2008-04-25 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체장치 및 무선 통신 시스템
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP4560502B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2010-10-13 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
EP1995787A3
(en)
*
|
2005-09-29 |
2012-01-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
JP5064747B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-10-31 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
|
|
US7982215B2
(en)
*
|
2005-10-05 |
2011-07-19 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
TFT substrate and method for manufacturing TFT substrate
|
|
JP2007115808A
(ja)
|
2005-10-19 |
2007-05-10 |
Toppan Printing Co Ltd |
トランジスタ
|
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
KR101358954B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2014-02-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
|
|
US7998372B2
(en)
|
2005-11-18 |
2011-08-16 |
Idemitsu Kosan Co., Ltd. |
Semiconductor thin film, method for manufacturing the same, thin film transistor, and active-matrix-driven display panel
|
|
US20070115219A1
(en)
|
2005-11-22 |
2007-05-24 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Apparatus for driving plasma display panel and plasma display
|
|
JP5376750B2
(ja)
|
2005-11-18 |
2013-12-25 |
出光興産株式会社 |
半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
|
|
US20090237000A1
(en)
|
2005-11-22 |
2009-09-24 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Pdp driving apparatus and plasma display
|
|
JP5099740B2
(ja)
|
2005-12-19 |
2012-12-19 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタ
|
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
JP5015471B2
(ja)
*
|
2006-02-15 |
2012-08-29 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタ及びその製法
|
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
JP5110803B2
(ja)
*
|
2006-03-17 |
2012-12-26 |
キヤノン株式会社 |
酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
US20070215945A1
(en)
*
|
2006-03-20 |
2007-09-20 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Light control device and display
|
|
EP1843194A1
(en)
|
2006-04-06 |
2007-10-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
TWI675243B
(zh)
*
|
2006-05-16 |
2019-10-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
液晶顯示裝置
|
|
JP2007310334A
(ja)
|
2006-05-19 |
2007-11-29 |
Mikuni Denshi Kk |
ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
|
|
CN101454840B
(zh)
|
2006-05-25 |
2012-02-22 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体器件
|
|
JP2008004256A
(ja)
|
2006-05-25 |
2008-01-10 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置
|
|
US7824943B2
(en)
*
|
2006-06-04 |
2010-11-02 |
Akustica, Inc. |
Methods for trapping charge in a microelectromechanical system and microelectromechanical system employing same
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4404881B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2010-01-27 |
日本電気株式会社 |
薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
|
|
JP5127183B2
(ja)
|
2006-08-23 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
|
|
KR20080017965A
(ko)
*
|
2006-08-23 |
2008-02-27 |
삼성전자주식회사 |
가요성 표시 장치용 표시판의 제조 방법
|
|
JP5128792B2
(ja)
|
2006-08-31 |
2013-01-23 |
財団法人高知県産業振興センター |
薄膜トランジスタの製法
|
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
JP5164357B2
(ja)
*
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
JP4710779B2
(ja)
*
|
2006-09-28 |
2011-06-29 |
株式会社日立製作所 |
力学量計測装置
|
|
TWI585730B
(zh)
*
|
2006-09-29 |
2017-06-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置和電子裝置
|
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
JP5090708B2
(ja)
|
2006-10-20 |
2012-12-05 |
株式会社ジャパンディスプレイイースト |
画像表示装置とその製造方法
|
|
TWI442368B
(zh)
|
2006-10-26 |
2014-06-21 |
Semiconductor Energy Lab |
電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
|
|
JP2008134625A
(ja)
|
2006-10-26 |
2008-06-12 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置、表示装置及び電子機器
|
|
KR20080047179A
(ko)
|
2006-11-24 |
2008-05-28 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
JP5305630B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2013-10-02 |
キヤノン株式会社 |
ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置の製造方法
|
|
WO2008069255A1
(en)
|
2006-12-05 |
2008-06-12 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
|
JP5105842B2
(ja)
|
2006-12-05 |
2012-12-26 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
|
|
US8143115B2
(en)
*
|
2006-12-05 |
2012-03-27 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Method for manufacturing thin film transistor using oxide semiconductor and display apparatus
|
|
US20080158217A1
(en)
|
2006-12-28 |
2008-07-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
KR100787464B1
(ko)
*
|
2007-01-08 |
2007-12-26 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터, 및 그 제조방법
|
|
KR20080068240A
(ko)
|
2007-01-18 |
2008-07-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
|
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
JP4420032B2
(ja)
|
2007-01-31 |
2010-02-24 |
ソニー株式会社 |
薄膜半導体装置の製造方法
|
|
US8816484B2
(en)
*
|
2007-02-09 |
2014-08-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
WO2008105347A1
(en)
|
2007-02-20 |
2008-09-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Thin-film transistor fabrication process and display device
|
|
JP5196870B2
(ja)
|
2007-05-23 |
2013-05-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体を用いた電子素子及びその製造方法
|
|
US8436349B2
(en)
|
2007-02-20 |
2013-05-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Thin-film transistor fabrication process and display device
|
|
JP5121254B2
(ja)
|
2007-02-28 |
2013-01-16 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタおよび表示装置
|
|
KR100858088B1
(ko)
|
2007-02-28 |
2008-09-10 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
|
US20080213927A1
(en)
*
|
2007-03-02 |
2008-09-04 |
Texas Instruments Incorporated |
Method for manufacturing an improved resistive structure
|
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
JP5466939B2
(ja)
|
2007-03-23 |
2014-04-09 |
出光興産株式会社 |
半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
|
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
US8274078B2
(en)
|
2007-04-25 |
2012-09-25 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Metal oxynitride semiconductor containing zinc
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
KR100873081B1
(ko)
*
|
2007-05-29 |
2008-12-09 |
삼성모바일디스플레이주식회사 |
박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
|
|
JP5241143B2
(ja)
*
|
2007-05-30 |
2013-07-17 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ
|
|
US7897482B2
(en)
*
|
2007-05-31 |
2011-03-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
KR101415561B1
(ko)
*
|
2007-06-14 |
2014-08-07 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
|
|
CN100498447C
(zh)
*
|
2007-09-11 |
2009-06-10 |
华映视讯（吴江）有限公司 |
液晶显示器模组的组装方法
|
|
JP2009099887A
(ja)
|
2007-10-19 |
2009-05-07 |
Hitachi Displays Ltd |
表示装置
|
|
KR101375831B1
(ko)
*
|
2007-12-03 |
2014-04-02 |
삼성전자주식회사 |
산화물 반도체 박막 트랜지스터를 이용한 디스플레이 장치
|
|
JP5215158B2
(ja)
|
2007-12-17 |
2013-06-19 |
富士フイルム株式会社 |
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
|
|
JP5704790B2
(ja)
*
|
2008-05-07 |
2015-04-22 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ、および、表示装置
|
|
TWI711182B
(zh)
|
2008-07-31 |
2020-11-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US8187919B2
(en)
*
|
2008-10-08 |
2012-05-29 |
Lg Display Co. Ltd. |
Oxide thin film transistor and method of fabricating the same
|
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
EP2184783B1
(en)
*
|
2008-11-07 |
2012-10-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
|
JP5491833B2
(ja)
|
2008-12-05 |
2014-05-14 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
JP5711146B2
(ja)
*
|
2008-12-24 |
2015-04-30 |
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー |
金属酸化物半導体薄膜トランジスタにおける安定性の向上
|
|
US9142573B1
(en)
|
2010-05-24 |
2015-09-22 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Thin film transistor substrate and method for producing same
|