JP2013102041A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置の温度制御方法であって、
   前記プラズマ処理装置の処理容器から被処理体を搬出する搬出工程と、
   前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行工程と、
   前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御工程と、
   を含むことを特徴とする温度制御方法。
2. 前記温度制御工程では、前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングにおけるプロセスの最終ステップの設定温度と、次のプロセスの最初のステップの設定温度とが異なっていることを特徴とする請求項１に記載の温度制御方法。
3. 前記処理容器内に設けられた搬送用のゲートバルブが開口してから、搬送アーム上に保持された被処理体が前記処理容器内に搬入され、プッシャーピンにより保持されてから該処理容器内の載置台上に載置されるまでの搬入工程を有し、
   前記温度制御工程は、
   前記第１の温度制御、又は、前記搬入工程或いは前記搬出工程に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の温度制御方法。
4. 前記搬出工程は、前記プラズマプロセス実行後に被処理体がプッシャーピンにより保持されてから、搬送アーム上に保持され、前記搬送用のゲートバルブから搬出されるまでであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の温度制御方法。
5. 前記搬入工程と前記搬出工程との設定温度が異なる場合、前記第１の温度制御及び前記第２の温度制御を行うことを特徴とする請求項３又は４のいずれか一項に記載の温度制御方法。
6. 前記温度制御工程は、前記第１の温度制御を行う場合、一のプラズマプロセスの終了とともに前記次のプロセスの設定温度に制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の温度制御方法。
7. 前記温度制御工程は、前記第２の温度制御を行う場合、被処理体の前記搬出工程とともに前記次のプロセスの設定温度に制御することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の温度制御方法。
8. 前記温度制御工程では、前記次のプロセスの設定温度は、複数のステップからなる前記一のプラズマプロセスのいずれかのステップの設定温度よりも高いことを特徴とする請求項６又は７に記載の温度制御方法。
9. 前記温度制御工程は、前記搬出工程前及び前記搬出工程中に温度監視は行わず、前記搬出工程後に温度監視を開始することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の温度制御方法。
10. 複数のステップにより被処理体を処理するプラズマプロセスにおいてステップ毎に設定温度を変えることが可能なプラズマ処理装置の制御装置であって、
    前記プラズマ処理装置の処理容器内から被処理体の搬出を行う搬送制御部と、
    前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行部と、
    前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記被処理体の搬出に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行う温度制御部と、
    を備えることを特徴とする制御装置。
11. 処理容器と、
    前記処理容器内にガスを供給するガス供給源と、
    プラズマを生成するためのパワーを供給し、ガスからプラズマを生成するプラズマ源と、
    前記処理容器内に設けられた載置台、上部電極、デポシールド又は前記処理容器の少なくともいずれかの温度を制御する温度制御部と、
    前記プラズマ処理装置の処理容器から被処理体の搬出を行う搬送制御部と、
    前記生成されたプラズマにより前記複数のステップからなるプラズマプロセスを実行するプロセス実行部と、を備え、
    前記温度制御部は、
    前記実行されたプラズマプロセスの終了のタイミングに応じて次のプロセスの設定温度に制御する第１の温度制御、又は前記被処理体の搬出に並行して前記次のプロセスの設定温度に制御する第２の温度制御、の少なくともいずれかを行うことを特徴とするプラズマ処理装置。