JP2007142237A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理室の前記処理ガスの濃度を検出する処理ガス濃度検出部と、
前記不活性ガス供給部の供給ガス流量を制御する不活性ガス流量制御部とを備えており、
前記不活性ガス流量制御部は、前記基板を前記処理室にて処理した後に、前記処理室に第一供給ガス流量にて不活性ガスを供給し続け、
前記処理ガス濃度検出部が検出する前記処理室の前記処理ガスの濃度が所定の処理ガスの濃度以下であることを検出した後に、前記処理室への不活性ガスの供給ガス流量を前記第一供給ガス流量よりも多い第二供給ガス流量となるように制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガスは水素ガスであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記処理室での処理は、前記処理室が略大気圧の状態にて処理することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガスは前記基板を冷却するためのガスであり、少なくとも前記基板よりも温度の低い状態で前記処理室に供給されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガス流量制御部は、前記処理室の処理ガスの濃度を希釈するように前記処理室に前記第一供給ガス流量にて前記不活性ガスを供給し、前記基板を冷却するように前記処理室に前記第一供給ガス流量よりも多い前記第二供給ガス流量となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記処理室の周りに配置され、前記処理室を加熱する加熱部と、
前記処理室に前記基板を搬入する際には、搬入するのに先立って前記処理室の温度を前記基板を処理する温度に維持しておき、前記基板を前記処理室に搬入し処理した後に前記基板を前記処理室から搬出する際には、搬出するのに先立って前記処理室内にて前記基板の温度を降温させるように前記加熱部を制御するコントローラとをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 基板を処理する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理室の前記処理ガスの濃度を検出する処理ガス濃度検出部と、
処理ガス除去装置または排気ポンプが設けられており、前記処理室を排気する第一の排気ラインと、
前記処理ガス除去装置および前記排気ポンプが設けられておらず、前記処理室を排気する第二の排気ラインと
前記基板を前記処理室にて処理した後に、前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガスの濃度を所定の処理ガスの濃度よりも高い濃度であると検出しているときには、前記処理室を前記第一の排気ラインにて排気し、前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガスの濃度を所定の濃度以下であることを検出したときには、前記第二の排気ラインにて排気するように制御するコントローラとを備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理室の周りに配置され、前記処理室を加熱する加熱部をさらに備え、
前記コントローラは、処理室に前記基板を搬入する際には、搬入するのに先立って前記処理室の温度を前記基板を処理する温度に維持しておき、前記基板を前記処理室に搬入し処理した後に前記基板を前記処理室から搬出する際には、搬出するのに先立って前記処理室内にて前記基板の温度を降温させるように前記加熱部を制御することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 - 処理ガス供給部から処理室に処理ガスを供給し基板を処理するステップと
不活性ガス供給部から前記処理室に第一供給ガス流量で不活性ガスを供給するステップと、
前記処理室の処理ガスの濃度が所定濃度以下であることを処理ガス濃度検出部が検出した後に、前記処理室への不活性ガスの供給ガス流量を前記第一供給ガス流量よりも多い第二供給ガス流量にて供給するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理ガス供給部から処理室に処理ガスを供給し基板を処理するステップと
不活性ガス供給部から前記処理室に不活性ガスを供給するステップと、
前記不活性ガス供給ステップは、処理ガス濃度検出部が前記処理室の処理ガス濃度が所定濃度よりも高いと検出しているときには、処理ガス除去装置または排気ポンプが設けられている第一の排気ラインから前記処理室を排気するステップと、
前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガス濃度が前記所定濃度以下と検出しているときには、前記処理ガス除去装置および前記排気ポンプが設けられていない第二の排気ラインから前記処理室を排気ステップとを有することを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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| JP2005335316A JP5036172B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2005335316A JP5036172B2 (ja) | 2005-11-21 | 2005-11-21 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
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