JP2010097993A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 基板を汚染する金属を有する処理室内に設けられた載置台に基板を載置しないで、前記処理室に窒素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、
   前記処理室内に設けられた前記載置台に基板を載置しないで、前記処理室に酸素ガスを含むガスを供給しつつプラズマ放電するステップと、
   を備えたプラズマ処理方法。
2. 処理室に基板を搬入するステップと、
   前記処理室内に設けられた載置台に基板を載置するステップと、
   前記処理室内に反応ガスを供給するステップと、
   放電手段が前記反応ガスを励起するステップと、
   を有する基板処理工程と、
   基板を汚染する金属を有する処理室内に設けられた載置台に基板を載置しないで、前記処理室に窒素ガスを含むガスを供給しつつ前記放電手段が当該ガスを励起するステップと、
   当該処理室に設けられた前記載置台に基板を載置しないで、前記処理室に酸素ガスを含むガスを供給しつつ前記放電手段が当該ガスを励起するステップと、
   を有する処理室処理工程と、
   を有するデバイスの製造方法。
3. 基板を汚染する金属を有する処理室と、
   前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する載置台と、
   前記処理室に反応ガスと酸素ガスと窒素ガスの少なくとも何れかを含むガスを前記処理室に供給する流量制御手段と、
   前記処理室を排気する排気装置と、
   前記処理室内に供給されたガスを励起する放電手段と、
   前記基板保持手段と前記流量制御手段と前記排気装置と前記放電手段とを制御する制御手段と、を有し、
   前記制御手段が、
   前記基板が前記処理室内に無い状態で前記処理室内に窒素を含むガスを供給しつつ当該ガスを励起するステップと、
   前記基板が前記処理室内に無い状態で前記処理室内に酸素ガスを含むガスを供給しつつ当該ガスを励起するステップと、
   を実行するよう前記流量制御手段と前記放電手段とを制御する基板処理装置。