JP2011134793A - 基板の熱処理装置及び熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の熱処理装置は、底部に設けられた炉口23を通してプロセスチューブ22内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉2と、前記炉口23を開放可能に閉塞する開閉扉と、前記熱処理炉2の下方に設けられたロード空間3と、前記基板をボート4で保持して前記炉口23を通してロード空間3側からプロセスチューブ22内に搬入するとともに、当該プロセスチューブ22からロード空間3に搬出する昇降リフト5と、前記プロセスチューブ22内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段32と、前記プロセスチューブ22内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段30とを備えている。
【選択図】図1
Description
また、特許文献2記載の装置では、底部に形成された炉口が開閉可能な蓋体で閉塞された反応管(プロセスチューブ)内に配設した半導体ウェハに水蒸気を供給してウェット酸化を行っている。
そこで、炉口に溜まった水を蒸発によって除去するために、プロセスチューブ内にN2ガスなどのパージ用のガスを供給していた。
前記炉口を開放可能に閉塞する開閉扉と、
前記熱処理炉の下方に設けられたロード空間と、
前記基板をボートで保持して前記炉口を通してロード空間側からプロセスチューブ内に搬入するとともに、当該プロセスチューブからロード空間に搬出する昇降リフトと、
前記プロセスチューブ内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段と、
前記プロセスチューブ内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段と
を備えたことを特徴としている。
前記制御部は、パージガスの供給を遮断した第1真空状態と、パージガスを供給する第2真空状態を繰り返すように構成されているのが好ましい。この場合、プロセスチューブ内でのパージガスの供給及び停止を繰り返すことによって、より短時間で炉口に溜まった液分の蒸発及び除去を行うことができる。
ウェット処理により生じた液分を除去するためのパージ用ガスをプロセスチューブ内に供給する工程、及び
プロセスチューブ内を真空にして前記液分の沸点を下げる工程
を含むことを特徴としている。
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板の熱処理装置の断面説明図である。この熱処理装置は、筐体1の内部に、半導体ウェハ(基板)Wに熱処理を施す熱処理炉2を設け、その下方にロード空間3を設けているとともに、このロード空間3に隣接させて、半導体ウェハWをロード空間3に搬送するための搬送空間Aを設けている。なお、前記ロード空間3及び搬送空間Aは、必ずしも閉鎖空間である必要はなく、開放空間である場合もある。
2 熱処理炉
3 ロード空間
4 ボート
5 昇降リフト
21 加熱ヒータ
22 プロセスチューブ
23 炉口
24 排気管
30 ドライポンプ(真空手段)
31 燃焼装置
32 パージガス供給装置(パージガス供給手段)
33 制御部
51 昇降テーブル
52 ヒートバリア
55 回転駆動機構
W 半導体ウェハ(基板)
A 搬送空間
Claims (9)
- 底部に設けられた炉口を通してプロセスチューブ内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉と、
前記炉口を開放可能に閉塞する開閉扉と、
前記熱処理炉の下方に設けられたロード空間と、
前記基板をボートで保持して前記炉口を通してロード空間側からプロセスチューブ内に搬入するとともに、当該プロセスチューブからロード空間に搬出する昇降リフトと、
前記プロセスチューブ内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段と、
前記プロセスチューブ内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段と
を備えたことを特徴とする基板の熱処理装置。 - 前記パージガスの供給及びプロセスチューブ内の排気を制御する制御部をさらに備えており、
前記制御部は、パージガスの供給を遮断した第1真空状態と、パージガスを供給する第2真空状態を繰り返すように構成されている請求項1に記載の基板の熱処理装置。 - 前記第1真空状態の真空度をA(Pa)としたときに、前記第2真空状態の真空度が、当該第1真空状態の真空度よりも大気圧に近いA+α(Pa)である請求項2に記載の基板の熱処理装置。
- 底部に設けられた炉口が開閉扉で閉塞されたプロセスチューブ内に配設された基板をウェット処理する熱処理方法であって、
ウェット処理により生じた液分を除去するためのパージ用ガスをプロセスチューブ内に供給する工程、及び
プロセスチューブ内を真空にして前記液分の沸点を下げる工程
を含むことを特徴とする基板の熱処理方法。 - パージ用ガスの供給を遮断した状態でプロセスチューブ内を真空にする第1真空工程と、パージ用ガスを供給しつつプロセスチューブ内を真空にする第2真空工程とを繰り返す請求項4に記載の基板の熱処理方法。
- 前記第1真空工程の真空度をA(Pa)としたときに、前記第2真空工程の真空度が、当該第1真空工程の真空度よりも大気圧に近いA+α(Pa)である請求項5に記載の基板の熱処理方法。
- 前記真空度Aが、0.1Pa〜90kPaである請求項6に記載の基板の熱処理方法。
- 前記第1真空工程の処理時間が0.1〜1440分であり、前記第2真空工程の処理時間が0.1〜60分である請求項5〜7のいずれかに記載の基板の熱処理方法。
- 前記熱処理が、低温のウェット酸化処理である請求項4〜8のいずれかに記載の基板の熱処理方法。
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