KR102652256B1 - 기판 처리 방법, 반도체　장치의　제조　방법, 기판 처리　장치　및　프로그램 - Google Patents

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Abstract

수소 및 산소를 포함하는 가스가 요인이 되는 이물의 발생을 억제한다. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 막을 개질시키는 공정과, (b) (a)를 행한 후의 처리실 내에 잔류한 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 처리실 내를 배기함으로써, 처리실 내를 퍼지하는 공정과, (c) (b)를 행한 후의 처리실 내를 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 처리실 내를 진공화하는 공정을 갖는다.

Description

기판 처리 방법, 반도체　장치의　제조　방법, 기판 처리　장치　및　프로그램
본 개시는, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, H2O 가스 등의 수소 및 산소를 포함하는 가스를 사용하여, 기판 상에 실리콘 산화막(SiO막) 등의 막을 형성하는 처리가 행하여지는 경우가 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
국제 공개 제2013/146632호 팸플릿
본 개시의 목적은, 수소 및 산소를 포함하는 가스가 요인이 되는 이물의 발생을 억제하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데 있다.
본 개시의 일 양태에 의하면,
(a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 공정과,
(b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 공정과,
(c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록 상기 처리실 내를 진공화하는 공정
을 행하는 기술이 제공된다.
본 개시에 의하면, 수소 및 산소를 포함하는 가스가 요인이 되는 이물의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 종단면도로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 개시의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 종형 처리로의 개략 구성도이며, 처리로 부분을 도 1의 A-A선 단면도로 도시하는 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 형태에서 적합하게 사용되는 기판 처리 장치의 컨트롤러의 개략 구성도이며, 컨트롤러의 제어계를 블록도로 도시하는 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 실시 형태의 기판 처리 시퀀스를 나타내는 흐름도이다.
도 5는 원료로서 사용되는 1,1,3,3-테트라클로로-1,3-디실라시클로부탄의 화학 구조식을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시 형태의 기판 처리 시퀀스를 사용해서 웨이퍼 상에 형성된 막 상의 파티클의 수와, 비교예의 기판 처리 시퀀스를 사용해서 웨이퍼 상에 형성된 막 상의 파티클의 수를 비교해서 도시한 도면이다.
근년, 반도체 장치(디바이스)의 제조 공정에서 처리 온도의 저온화가 요구되고 있다. 그에 수반하여, 기판으로서의 웨이퍼 상에 막을 형성하는 성막 공정뿐만 아니라, 막 특성을 개선하기 위한 개질 공정에 대해서도 연구가 진행되고 있다.
저온 성막이나 막의 개질 처리를 실시할 때, 처리실 내에서, 그 막에 대하여 수소(H) 및 산소(O)를 포함하는 가스로서 H2O 가스(수분)를 공급하는 공정이 행하여지는 경우가 있다. H2O 가스를 공급하는 공정이 행하여진 후, 처리실 내에 잔류하는 수분을 빠르게 제거하기 위해서, H2O 가스 공급 공정 후 바로 처리실 내의 진공화(감압 배기)를 실시하는 경우가 있다. 이때, 일단 기화한 H2O가, 감압 상황 하에서 액화하거나 고화하거나 함으로써, 물방울이나 얼음이 발생해 버리는 경우가 있다. 이 물방울이나 얼음이 웨이퍼의 표면이나 웨이퍼를 지지하는 보트의 보트 기둥 등의 표면에 형성된 막에 부딪쳐서, 막 박리 등이 생기는 등에 의해, 물리적으로 이물이 발생하는 과제가 있는 것을 본건 개시자 등은 알아내었다.
상술한 과제에 대하여, 성막 공정 중 또는 성막 공정 후에 H2O 가스를 공급한 후, H2O 가스 공급 시의 처리실 내의 설정 압력을 그대로 유지한 상태에서 질소(N2) 가스로 처리실 내를 치환(이하, 동일 압력 N2 퍼지 또는 동일 압력 N2 치환이라고 칭함)하고, 그 후에 처리실 내를 진공화해서 감압함으로써, H2O 가스의 상변화에 기인하는 이물을 저감할 수 있는 것을 본건 개시자 등은 알아내었다. 본 개시는, 본건 개시자 등이 알아낸 상기 지견에 기초하는 것이다.
<본 개시의 일 실시 형태>
이하, 본 개시의 일 실시 형태에 대해서, 도 1 내지 도 5를 사용해서 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시한 바와 같이, 처리로(202)는, 가열 기구(온도 조정부)로서의 히터(207)를 갖는다. 히터(207)는 원통 형상이며, 보유 지지판에 지지됨으로써 수직으로 거치되어 있다. 히터(207)는 가스를 열로 활성화(여기)시키는 활성화 기구(여기부)로서도 기능한다.
히터(207)의 내측에는, 히터(207)와 동심원상으로 반응관(203)이 배치되어 있다. 반응관(203)은 예를 들어 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC) 등의 내열성 재료에 의해 구성되고, 상단이 폐색되고 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 있다. 반응관(203)의 통 중공부에는 처리실(201)이 형성된다. 처리실(201)은, 기판으로서의 웨이퍼(200)를 수용 가능하게 구성되어 있다.
처리실(201) 내에는, 노즐(249a, 249b)이 반응관(203)의 하부 측벽을 관통하도록 마련되어 있다. 노즐(249a, 249b)에는, 가스 공급관(232a, 232b)이 각각 접속되어 있다.
가스 공급관(232a, 232b)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(241a, 241b) 및 개폐 밸브인 밸브(243a, 243b)가 각각 마련되어 있다. 가스 공급관(232a)의 밸브(243a)보다도 하류측에는, 가스 공급관(232c)이 접속되어 있다. 가스 공급관(232b)의 밸브(243b)보다도 하류측에는, 가스 공급관(232d, 232e)이 각각 접속되어 있다. 가스 공급관(232c, 232d, 232e)에는, 가스류의 상류측부터 순서대로 MFC(241c, 241d, 241e) 및 밸브(243c, 243d, 243e)가 각각 마련되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 노즐(249a, 249b)은, 반응관(203)의 내벽과 웨이퍼(200) 사이에서의 평면으로 보아 원환상의 공간에, 반응관(203)의 내벽의 하부로부터 상부를 따라, 웨이퍼(200)의 배열 방향 상방을 향해서 직립되도록 각각 마련되어 있다. 즉, 노즐(249a, 249b)은, 웨이퍼(200)가 배열되는 웨이퍼 배열 영역의 측방의, 웨이퍼 배열 영역을 수평하게 둘러싸는 영역에, 웨이퍼 배열 영역을 따르도록 각각 마련되어 있다. 노즐(249a, 249b)의 측면에는, 가스를 공급하는 가스 공급 구멍(250a, 250b)이 각각 마련되어 있다. 가스 공급 구멍(250a, 250b)은, 반응관(203)의 중심을 향하도록 각각 개구되어 있어, 웨이퍼(200)를 향해서 가스를 공급하는 것이 가능하게 되어 있다. 가스 공급 구멍(250a, 250b)은, 반응관(203)의 하부로부터 상부에 걸쳐 복수 마련되어 있다.
가스 공급관(232a)으로부터는, 원료(원료 가스)로서, 예를 들어 실리콘(Si)과 탄소(C)로 구성되는 환상 구조 및 할로겐을 포함하는 가스가, MFC(241a), 밸브(243a), 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. 원료는, Si 소스 및 C 소스로서 작용한다. 원료로서는, 예를 들어 1,1,3,3-테트라클로로-1,3-디실라시클로부탄(C2H4Cl4Si2, 약칭: TCDSCB) 가스를 사용할 수 있다. 도 5에, TCDSCB의 화학 구조식을 나타낸다. TCDSCB는, Si와 C로 구성되는 환상 구조를 포함하고, 할로겐으로서의 염소(Cl)를 포함하고 있다. 이하, 이 Si와 C로 구성되는 환상 구조를, 편의상 단순히 환상 구조라고도 칭한다. TCDSCB에 포함되는 환상 구조의 형상은 사각형이다. 이 환상 구조는, Si와 C가 교대로 결합하여 이루어지고, 4개의 Si-C 결합을 포함하고 있으며, 2개의 Si 원자와 2개의 C 원자를 포함하고 있다. 이 환상 구조에서의 Si에는 Cl이 결합하고 있고, C에는 H가 결합하고 있다. 즉, TCDSCB는, Si-C 결합 이외에, Si-Cl 결합 및 C-H 결합을 각각 포함하고 있다.
가스 공급관(232b)으로부터는, 반응체(반응 가스)로서, 예를 들어 질소(N) 함유 가스가, MFC(241b), 밸브(243b), 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. N 함유 가스로서는, 예를 들어 질화제(질화 가스)인 질화수소계 가스를 사용할 수 있다. 질화수소계 가스는, N 및 H를 포함하고, N 및 H의 2원소만으로 구성되는 물질이라고도 할 수 있으며, N 소스로서 작용한다. 질화수소계 가스로서는, 예를 들어 암모니아(NH3) 가스를 사용할 수 있다.
가스 공급관(232c, 232d)으로부터는, 불활성 가스로서의 질소(N2) 가스가, 각각 MFC(241c, 241d), 밸브(243c, 243d), 가스 공급관(232a, 232b), 노즐(249a, 249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. N2 가스는, 퍼지 가스, 캐리어 가스, 희석 가스 등으로서 작용한다.
가스 공급관(232e)으로부터는, H 및 O를 포함하는 가스가, MFC(241e), 밸브(243e), 가스 공급관(232b), 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급된다. H 및 O를 포함하는 가스는, 산화제(산화 가스), 즉, O 소스로서 작용한다. H 및 O를 포함하는 가스로서는, 예를 들어 수증기(H2O 가스)를 사용할 수 있다.
주로, 가스 공급관(232a), MFC(241a), 밸브(243a)에 의해, 원료 공급계가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232b), MFC(241b), 밸브(243b)에 의해, 질화제 공급계가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232e), MFC(241e), 밸브(243e)에 의해, H 및 O를 포함하는 가스 공급계가 구성된다. 주로, 가스 공급관(232c, 232d), MFC(241c, 241d), 밸브(243c, 243d)에 의해, 불활성 가스 공급계가 구성된다.
상술한 각종 공급계 중, 어느 것, 혹은 모든 공급계는, 밸브(243a 내지 243e)나 MFC(241a 내지 241e) 등이 집적되어 이루어지는 집적형 공급 시스템(248)으로서 구성되어 있어도 된다. 집적형 공급 시스템(248)은, 가스 공급관(232a 내지 232e) 각각에 대하여 접속되어, 가스 공급관(232a 내지 232e) 내에의 각종 가스의 공급 동작, 즉, 밸브(243a 내지 243e)의 개폐 동작이나 MFC(241a 내지 241e)에 의한 유량 조정 동작 등이, 후술하는 컨트롤러(121)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 집적형 공급 시스템(248)은, 일체형, 혹은 분할형의 집적 유닛으로서 구성되어 있고, 가스 공급관(232a 내지 232e) 등에 대하여 집적 유닛 단위로 착탈을 행할 수 있어, 집적형 공급 시스템(248)의 메인터넌스, 교환, 증설 등을, 집적 유닛 단위로 행하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
반응관(203)의 측벽 하방에는, 처리실(201) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 접속되어 있다. 배기관(231)에는, 처리실(201) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력 검출부)로서의 압력 센서(245) 및 압력 제어부(배기 밸브)로서의 APC(Auto Pressure Controller) 밸브(244)를 통해서, 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되어 있다. APC 밸브(244)는, 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서 밸브를 개폐함으로써, 처리실(201) 내의 진공 배기 및 진공 배기 정지를 행할 수 있고, 또한 진공 펌프(246)를 작동시킨 상태에서, 압력 센서(245)에 의해 검출된 압력 정보에 기초하여 밸브 개방도를 조절함으로써, 처리실(201) 내의 압력을 제어(조정)할 수 있도록 구성되어 있다. 주로, 배기관(231), 압력 센서(245), APC 밸브(244)에 의해 배기계가 구성된다. 진공 펌프(246)를 배기계에 포함해서 생각해도 된다.
반응관(203)의 하방에는, 반응관(203)의 하단 개구를 기밀하게 폐색 가능한 노구 덮개로서의 시일 캡(219)이 마련되어 있다. 시일 캡(219)은, 예를 들어 SUS 등의 금속 재료에 의해 구성되고, 원반상으로 형성되어 있다. 시일 캡(219)의 상면에는, 반응관(203)의 하단과 맞닿는 시일 부재로서의 O링(220)이 마련되어 있다. 시일 캡(219)의 하방에는, 후술하는 보트(217)를 회전시키는 회전 기구(267)가 설치되어 있다. 회전 기구(267)의 회전축(255)은, 시일 캡(219)을 관통해서 보트(217)에 접속되어 있다. 회전 기구(267)는, 보트(217)를 회전시킴으로써 웨이퍼(200)를 회전시키도록 구성되어 있다. 시일 캡(219)은, 반응관(203)의 외부에 설치된 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(115)에 의해 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다. 보트 엘리베이터(115)는, 시일 캡(219)을 승강시킴으로써, 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내외로 반입 및 반출(반송)하는 반송 장치(반송 기구)로서 구성되어 있다.
기판 지지구로서의 보트(217)는, 복수개의 기판 보유 지지 기둥으로서의 보트 기둥(217a)을 구비하고 있고, 보트 기둥(217a) 각각에 마련된 복수의 보유 지지 홈에 의해, 복수매, 예를 들어 25 내지 200매의 웨이퍼(200)를 각각 수평 자세이면서 또한 서로 중심을 맞춘 상태에서 수직 방향으로 정렬시켜 다단으로 지지하도록, 즉, 간격을 두고 배열시키도록 구성되어 있다. 보트(217)는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성된다. 보트(217)의 하부에는, 예를 들어 석영이나 SiC 등의 내열성 재료에 의해 구성되는 단열판(218)이 수평 자세로 다단으로 지지되어 있다.
반응관(203) 내에는, 온도 검출기로서의 온도 센서(263)가 설치되어 있다. 온도 센서(263)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 정도를 조정함으로써, 처리실(201) 내의 온도가 원하는 온도 분포로 된다. 온도 센서(263)는, 반응관(203)의 내벽을 따라 마련되어 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제어부(제어 수단)인 컨트롤러(121)는, CPU(Central Processing Unit)(121a), RAM(Random Access Memory)(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)를 구비한 컴퓨터로서 구성되어 있다. RAM(121b), 기억 장치(121c), I/O 포트(121d)는, 내부 버스(121e)를 통해서 CPU(121a)와 데이터 교환 가능하게 구성되어 있다. 컨트롤러(121)에는, 예를 들어 터치 패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속되어 있다.
기억 장치(121c)는, 예를 들어 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성되어 있다. 기억 장치(121c) 내에는, 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 수순이나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피 등이, 판독 가능하게 저장되어 있다. 프로세스 레시피는, 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 수순을 컨트롤러(121)에 실행시켜, 소정의 결과를 얻을 수 있게 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여, 단순히 프로그램이라고도 한다. 또한, 프로세스 레시피를, 단순히 레시피라고도 한다. 본 명세서에서 프로그램이라는 용어를 사용한 경우에는, 레시피 단체만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. RAM(121b)은, CPU(121a)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보유되는 메모리 영역(워크 에어리어)으로서 구성되어 있다.
I/O 포트(121d)는, 상술한 MFC(241a 내지 241e), 밸브(243a 내지 243e), 압력 센서(245), APC 밸브(244), 히터(207), 온도 센서(263), 진공 펌프(246), 회전 기구(267), 보트 엘리베이터(115) 등에 접속되어 있다.
CPU(121a)는, 기억 장치(121c)로부터 제어 프로그램을 판독해서 실행함과 함께, 입출력 장치(122)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라서 기억 장치(121c)로부터 레시피를 판독하도록 구성되어 있다. CPU(121a)는, 판독한 레시피의 내용을 따르도록, MFC(241a 내지 241e)에 의한 각종 가스의 유량 조정 동작, 밸브(243a) 내지 243e)의 개폐 동작, APC 밸브(244)의 개폐 동작 및 압력 센서(245)에 기초하는 APC 밸브(244)에 의한 압력 조정 동작, 진공 펌프(246)의 기동 및 정지, 온도 센서(263)에 기초하는 히터(207)의 온도 조정 동작, 회전 기구(267)에 의한 보트(217)의 회전 및 회전 속도 조절 동작, 보트 엘리베이터(115)에 의한 보트(217)의 승강 동작 등을 제어하는 것이 가능하게 구성되어 있다.
컨트롤러(121)는, 외부 기억 장치(123)에 저장된 상술한 프로그램을, 컴퓨터에 인스톨함으로써 구성할 수 있다. 외부 기억 장치(123)는, 예를 들어 HDD 등의 자기 디스크, CD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리 등의 반도체 메모리를 포함한다. 기억 장치(121c)나 외부 기억 장치(123)는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성되어 있다. 이하, 이들을 총칭하여, 단순히 기록 매체라고도 한다. 본 명세서에서 기록 매체라는 용어를 사용한 경우에는, 기억 장치(121c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(123) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그들 양쪽을 포함하는 경우가 있다. 또한, 컴퓨터에의 프로그램의 제공은, 외부 기억 장치(123)를 사용하지 않고, 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 사용해서 행해도 된다.
(2) 기판 처리 공정
상술한 기판 처리 장치를 사용하여, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서, 기판으로서의 웨이퍼(200) 상에 원하는 막을 형성하고, 개질하는 기판 처리 시퀀스 예에 대해서, 주로 도 4를 사용해서 설명한다. 이하의 설명에서, 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
도 4에 도시하는 기판 처리 시퀀스에서는,
제1 압력으로 한 처리실(201) 내의 웨이퍼(200) 상에 형성된 막에 대하여, H 및 O를 포함하는 가스로서 H2O 가스를 공급함으로써 막을 개질시키는 H2O 어닐 스텝과,
H2O 어닐 스텝을 행한 후의 처리실(201) 내에 잔류한 H2O 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 처리실(201) 내에 불활성 가스로서 N2 가스를 공급하여, 처리실(201) 내를 배기함으로써 처리실(201) 내를 퍼지하는 동일 압력 N2 퍼지 스텝과,
동일 압력 N2 퍼지 스텝을 행한 후의 처리실(201) 내를 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 처리실(201) 내를 진공화하는 진공화 스텝
을 행한다.
또한, 진공화 스텝을 행한 후에, 개질 후의 막을 열 어닐하는 N2 어닐 스텝을 또한 행한다.
또한, H2O 어닐 스텝을 행하기 전의 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)에 대하여, Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 할로겐으로서의 Cl을 포함하는 원료 가스로서 TCDSCB 가스를 공급하는 스텝 1과, 웨이퍼(200)에 대하여 반응 가스로서 질화제인 NH3 가스를 공급하는 스텝 2를 비동시에 행하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에, 막으로서, Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 N을 포함하는 SiCN막을 형성하는 성막 스텝을 행한다. 원료 가스나 반응 가스 등의 기판 처리에 기여하는 가스를 총칭해서 처리 가스라고도 한다.
본 기판 처리 시퀀스에서는, 성막 스텝 후에 행하여지는 H2O 어닐 스텝에 있어서, SiCN막을 SiOCN막 또는 SiOC막으로 개질시키게 된다. SiOCN막 또는 SiOC막을, 편의상 SiOC(N)막이라고도 칭한다. SiOC(N)막은, 적어도 Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 O를 포함하는 막이 된다.
또한, 성막 스텝, H2O 어닐 스텝, 동일 압력 N2 퍼지 스텝, 진공화 스텝, N2 어닐 스텝의 각 스텝은, 논 플라스마의 분위기 하에서 행하여진다. 각 스텝을 논 플라스마의 분위기 하에서 행함으로써, 각 스텝에서 생기게 하는 반응 등을 고정밀도로 행하는 것이 가능하게 되어, 각 스텝에서 행하는 처리의 제어성을 높이는 것이 가능하게 된다.
본 명세서에서는, 도 4에 도시하는 기판 처리 시퀀스를, 편의상 이하와 같이 나타내는 경우도 있다. 이하의 변형예 등의 설명에서도, 마찬가지의 표기를 사용하는 것으로 한다.
(TCDSCB→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOC(N)
본 명세서에서 「웨이퍼」라는 용어를 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체를 의미하는 경우나, 웨이퍼와 그 표면에 형성된 소정의 층이나 막의 적층체를 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼의 표면」이라는 용어를 사용한 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성된 소정의 층 등의 표면을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「웨이퍼 상에 소정의 층을 형성한다」라고 기재한 경우에는, 웨이퍼 그 자체의 표면 상에 소정의 층을 직접 형성하는 것을 의미하는 경우나, 웨이퍼 상에 형성되어 있는 층 등의 위로 소정의 층을 형성하는 것을 의미하는 경우가 있다. 본 명세서에서 「기판」이라는 용어를 사용한 경우도, 「웨이퍼」라는 용어를 사용한 경우와 동의이다.
(웨이퍼 차지 및 보트 로드)
복수매의 웨이퍼(200)가 보트(217)에 장전(웨이퍼 차지)된다. 그 후, 도 1에 도시한 바와 같이, 복수매의 웨이퍼(200)를 지지한 보트(217)는, 보트 엘리베이터(115)에 의해 들어 올려져서 처리실(201) 내에 반입(보트 로드)된다. 이 상태에서, 시일 캡(219)은 O링(220)을 개재해서 반응관(203)의 하단을 시일한 상태로 된다.
(압력 조정 및 온도 조정)
처리실(201) 내, 즉, 웨이퍼(200)가 존재하는 공간이 원하는 압력(진공도)으로 되도록, 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기(감압 배기)된다. 이때, 처리실(201) 내의 압력은 압력 센서(245)에서 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(244)가 피드백 제어된다. 또한, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200)가 원하는 처리 온도로 되도록, 히터(207)에 의해 가열된다. 이때, 처리실(201) 내가 원하는 온도 분포로 되도록, 온도 센서(263)가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(207)에의 통전 정도가 피드백 제어된다. 또한, 회전 기구(267)에 의한 웨이퍼(200)의 회전을 개시한다. 진공 펌프(246)의 가동, 웨이퍼(200)의 가열 및 회전은, 모두 적어도 웨이퍼(200)에 대한 처리가 종료될 때까지의 동안에는 계속해서 행하여진다.
(성막 스텝)
그 후, 이하의 스텝 1 및 스텝 2를 순차 실시한다.
[스텝 1]
이 스텝에서는, 처리실(201) 내에 수용된 웨이퍼(200)에 대하여 원료로서 TCDSCB 가스를 공급한다. 구체적으로는, 밸브(243a)를 개방하여, 가스 공급관(232a) 내에 TCDSCB 가스를 흘린다. TCDSCB 가스는, MFC(241a)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a)을 통해서 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 TCDSCB 가스가 공급된다. 이때 밸브(243c, 243d)를 개방하여, 가스 공급관(232c, 232d) 내에 N2 가스를 흘리도록 해도 된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 200 내지 400℃, 바람직하게는 250 내지 350℃
처리 압력: 133 내지 2666Pa
TCDSCB 가스 공급 유량: 1 내지 2000sccm
N2 가스 공급 유량(각 가스 공급관): 0 내지 10000sccm
각 가스 공급 시간: 1 내지 120초, 바람직하게는 5 내지 60초
가 예시된다.
또한, 본 명세서에서의 「200 내지 400℃」 등의 수치 범위의 표기는, 하한값 및 상한값이 그 범위에 포함되는 것을 의미한다. 예를 들어 「200 내지 400℃」는, 「200℃ 이상 400℃ 이하」를 의미한다. 다른 수치 범위에 대해서도 마찬가지이다.
상술한 처리 조건, 특히 온도 조건은, TCDSCB에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조의 적어도 일부를, 파괴하지 않고 보유(유지)할 수 있는 조건이다. 즉, 상술한 처리 조건은, 웨이퍼(200)에 대하여 공급되는 TCDSCB 가스(복수의 TCDSCB 분자)에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이다. 즉, 웨이퍼(200)에 대하여 공급되는 TCDSCB 가스에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 그대로의 형태로 유지되는 조건이다. 상술한 바와 같이, 본 명세서에서는, Si와 C로 구성되는 환상 구조를, 단순히 환상 구조라고도 칭한다.
상술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 TCDSCB 가스를 공급함으로써, 웨이퍼(200)의 최표면 상에, 환상 구조 및 할로겐으로서의 Cl을 포함하는 제1층(초기층)이 형성된다. 즉, 제1층으로서, Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 Cl을 포함하는 층이 형성된다. 제1층 중에는, TCDSCB 가스에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가, 파괴되지 않고 그대로의 형태로 도입된다. 또한, 제1층은, 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 일부 결합이 파괴됨으로써 생성된 쇄상 구조를 포함하는 경우가 있다. 또한, 제1층은, Si-Cl 결합 및 C-H 결합 중 적어도 어느 것을 포함하는 경우가 있다.
웨이퍼(200) 상에 제1층을 형성한 후, 밸브(243a)를 닫아, 처리실(201) 내에의 TCDSCB 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 처리실(201) 내를 진공 배기하여, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다. 이때, 밸브(243c, 243d)를 개방하여, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급한다. N2 가스는 퍼지 가스로서 작용한다.
원료로서는, TCDSCB 가스 외에, 1,1,3,3-테트라클로로-1,3-디실라시클로펜탄(C3H6Cl4Si2) 가스 등을 사용할 수 있다. 즉, 원료에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조의 형상은, 사각형인 경우에 한하지 않는다. 또한, 이 환상 구조는, Si와 C가 교대로 결합하여 이루어지는 경우에 한하지 않는다. 또한, 원료로서는, 1,1,3,3-테트라플루오로-1,3-디실라시클로부탄(C2H4F4Si2) 가스 등을 사용할 수도 있다. 즉, 원료에 포함되는 할로겐은, Cl에 한하지 않고, 불소(F), 브롬(Br), 요오드(I) 등이어도 된다.
불활성 가스로서는, N2 가스 외에, 예를 들어 Ar 가스, He 가스, Ne 가스, Xe 가스 등의 각종 희가스를 사용하는 것이 가능하다. 이 점은, 후술하는 스텝 2, 퍼지 스텝, H2O 어닐 스텝, 동일 압력 N2 퍼지 스텝, 진공화 스텝 및 N2 어닐 스텝에서도 마찬가지이다.
[스텝 2]
스텝 1이 종료된 후, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200), 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1층에 대하여 반응체로서 질화제인 NH3 가스를 공급한다. 구체적으로는, 밸브(243b 내지 243d)의 개폐 제어를, 스텝 1에서의 밸브(243a, 243c, 243d)의 개폐 제어와 마찬가지의 수순으로 행한다. NH3 가스는, MFC(241b)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 NH3 가스가 공급된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 200 내지 400℃, 바람직하게는 250 내지 350℃
처리 압력: 133 내지 3999Pa
NH3 가스 공급 유량: 100 내지 10000sccm
가스 공급 시간: 1 내지 120초
가 예시된다. 다른 처리 조건은, 스텝 1에서의 처리 조건과 마찬가지로 한다.
상술한 처리 조건, 특히 온도 조건은, 스텝 1에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1층 중에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조의 적어도 일부를, 파괴하지 않고 보유(유지)할 수 있는 조건이다. 즉, 상술한 처리 조건은, 웨이퍼(200) 상의 제1층 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이다. 즉, 웨이퍼(200) 상의 제1층 중에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 절단되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이다. 이 환상 구조를 구성하는 Si-C 결합은 견고해서, Si로부터 C가 탈리하기 어려운 상태로 된다.
상술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 NH3 가스를 공급함으로써, 제1층의 적어도 일부를 개질(질화)시킬 수 있다. 그에 의해, 제1층 중으로부터 Cl이나 H 등을 탈리시킴과 함께, NH3 가스에 포함되는 N을, N에 H가 결합한 상태에서 제1층 중에 도입시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 제1층에 포함되는 환상 구조를 구성하는 Si에, NH3 가스에 포함되는 N을, N에 H가 결합한 상태에서 결합시키는 것이 가능하게 된다. 이 NH의 상태에서 Si에 결합한 Si-N 결합은 약해서, Si로부터 N이 탈리하기 쉬운 상태로 된다. 이와 같이 하여 제1층을 질화시킴으로써, 환상 구조 및 Cl을 포함하는 층인 제1층을, 환상 구조 및 N을 포함하는 층인 제2층으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상술한 조건 하에서 웨이퍼(200)에 대하여 NH3 가스를 공급함으로써, 제1층에 포함되는 환상 구조의 적어도 일부를, 파괴하지 않고 유지한 채, 제2층 중에 그대로 도입시키는(잔존시키는) 것이 가능하게 된다. 즉, 제1층의 질화를, 제1층에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조를 그대로의 형태로 남기도록, 불포화(불포화 질화)로 하는 것이 가능하게 된다. 제1층이 질화됨으로써, 웨이퍼(200) 상에, 제2층으로서, Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 N을 포함하는 층인 실리콘 탄질화층(SiCN층)이 형성된다. 이 SiCN층은, Si, C 및 N을 포함하고 O 비함유의 층으로 된다. 또한, 제2층 중에 포함되는 C는, Si와 C로 구성되는 환상 구조를 유지한 상태에서 제2층 중에 도입되게 되고, 제2층 중에 포함되는 N은, N이 H에 결합한 상태에서 제2층 중에 도입되게 된다. 즉, 제2층 중에 포함되는 C는, 견고한 Si-C 결합에 기인하여 탈리하기 어려운 상태로 되고, 제2층 중에 포함되는 N은, 취약한 Si-N 결합에 기인하여 탈리하기 쉬운 상태로 된다.
웨이퍼(200) 상에 제2층을 형성한 후, 밸브(243b)를 닫아, 처리실(201) 내에의 NH3 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 스텝 1과 마찬가지의 처리 수순에 의해, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스 등을 처리실(201) 내로부터 배제한다.
질화제(N 함유 가스)로서는, NH3 가스 외에, 디아젠(N2H2) 가스, 히드라진(N2H4) 가스, N3H8 가스, 이들 화합물을 포함하는 가스 등을 사용하는 것이 가능하다.
[소정 횟수 실시]
스텝 1 및 스텝 2를 비동시에, 즉, 동기시키지 않고 교대로 행하는 사이클을 소정 횟수(n회, n은 1 이상의 정수) 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 제1막으로서, Si와 C로 구성되는 환상 구조 및 N을 포함하는 막인 SiCN막이 형성된다. 상술한 사이클은, 복수회 반복하는 것이 바람직하다. 이 제1막(SiCN막)은, Si, C 및 N을 포함하고 O 비함유의 막으로 되지만, Cl과, 약한 결합을 갖는 N이 잔류하고 있기 때문에, 수분의 흡수, 흡착이 일어나기 쉬운 막으로 된다.
(퍼지 스텝)
성막 스텝이 종료된 후, 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하고, 배기관(231)으로부터 배기한다. 이에 의해, 처리실(201) 내가 퍼지되어, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물 등이 처리실(201) 내로부터 제거된다.
(H2O 어닐 스텝)
퍼지 스텝이 종료된 후, 표면에 제1막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 수용한 상태에서, 제1 압력으로 한 처리실(201) 내의 웨이퍼(200), 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1막으로서의 SiCN막에 대하여, H 및 O를 포함하는 가스로서 H2O 가스를 공급한다. 구체적으로는, 처리실(201) 내의 설정 압력(압력 설정값)을 제1 압력으로 설정하고, 처리실(201) 내의 실제 압력이 제1 압력으로 되도록, APC 밸브(244)의 개방도를 조정하면서(변화시키면서), 즉, 처리실(201) 내의 압력을 제어하면서(조정하면서), 밸브(243e, 243c, 243d)의 개폐 제어를, 스텝 1에서의 밸브(243a, 243c, 243d)의 개폐 제어와 마찬가지의 수순으로 행한다. H2O 가스는, MFC(241e)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249b)을 통해서 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 H2O 가스가 공급된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 200 내지 600℃, 바람직하게는 250 내지 500℃
처리 압력(제1 압력): 1333 내지 101325Pa, 바람직하게는 53329 내지 101325Pa
H2O 가스 공급 유량: 50 내지 10000sccm
H2O 가스 공급 시간: 10 내지 360분, 바람직하게는 60 내지 360분
이 예시된다. 다른 처리 조건은, 스텝 1에서의 처리 조건과 마찬가지로 한다. 또한, 본 스텝에서의 처리 압력(제1 압력), 즉, 본 스텝에서의 처리실(201) 내의 압력을, 성막 스텝에서의 처리실(201) 내의 압력보다도 높게 하는 것이 바람직하다.
상술한 처리 조건, 특히 온도 조건 및 압력 조건은, 성막 스텝에서 웨이퍼(200) 상에 형성된 제1막 중에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조의 적어도 일부를, 파괴하지 않고 보유(유지)하면서, 제1막 중에 포함되는 N을 O로 치환 가능한 조건이다. 여기서, 처리 온도, 처리 압력이 너무 높으면, 제1막 중에 포함되는 환상 구조가 깨져, 막 중의 C가 탈리하기 쉬워진다. 한편, 처리 온도, 처리 압력이 너무 낮으면, 제1막 중에 포함되는 N을 O로 치환시키는 반응이 불충분해지는 경우가 있다. 상술한 처리 조건이라면, 제1막 중에 포함되는 환상 구조의 파괴를 억제하면서, 상술한 치환 반응을 충분히 생기게 하는 것이 가능하게 된다.
즉, 상술한 처리 조건은, 웨이퍼(200) 상의 제1막 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되면서, 제1막 중에 포함되는 N이 O로 치환되는 조건이다. 즉, 웨이퍼(200) 상의 제1막 중에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 절단되지 않고 그대로의 형태로 유지되면서, 제1막 중에 포함되는 N이 O로 치환되는 조건이다.
즉, 상술한 조건 하에서는, 제1막 중에 포함되는 환상 구조의 적어도 일부를 파괴하지 않고 유지하면서, 제1막 중에 포함되는 N을 O로 치환하는 것이 가능하게 된다. 즉, 제1막 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조를 그대로의 형태로 막 중에 잔존시키면서, 제1막 중에 포함되는 N을 O로 치환시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 바와 같이, H2O 어닐 처리 전의 제1막에서는, 막 중의 환상 구조를 구성하는 Si에, N이 NH의 상태에서 결합하고 있다. 이 Si에, N이 NH의 상태에서 결합한 Si-N 결합은 취약해서, N은 탈리하기 쉬운 상태로 되어 있다. 또한, 제1막 중의 환상 구조를 구성하는 Si-C 결합은 견고해서, C는 탈리하기 어려운 상태로 되어 있다.
상술한 조건 하에서 제1막에 대하여 H2O 어닐 처리를 행함으로써, 제1막을 산화시켜, 제1막 중에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조(Si-C 결합)의 적어도 일부를 유지하면서, 제1막 중에 포함되는 N을, H2O 가스에 포함되는 O로 치환하는 치환 반응을 생기게 할 수 있다. 이때 제1막 중에 포함되는 N이나 Cl은 H와 함께 막 중으로부터 탈리하게 된다. 이와 같이, 제1막을 H2O 가스에 의해 산화시킴으로써, 환상 구조 및 N을 포함하는 제1막을 환상 구조 및 O를 포함하는 제2막으로 개질시킬 수 있다. 제2막은, SiOC막 또는 SiOCN막, 즉, SiOC(N)막으로 된다. 또한, 이와 같이, 제1막을 H2O 가스에 의해 산화시킴으로써, 막 중으로부터 Cl이나 약한 결합을 갖는 N을 탈리시킬 수 있고, 이에 의해, 막 중의 흡습 사이트를 소멸시킬 수 있어, H2O 어닐 처리 후에 제2막이 대기에 노출되었을 때, 대기 중에 포함되는 수분의 제2막 중으로의 흡수나 흡착을 억제하는 것이 가능하게 된다. 한편, H2O 어닐 처리 시에, 제2막 중에 수분이 흡수되어, 제2막은 수분을 포함하게 되기 때문에, 제2막의 유전율이 증가해버린다.
(동일 압력 N2 퍼지 스텝)
H2O 어닐 스텝이 종료된 후, 표면에 제2막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 수용한 상태에서, 처리실(201) 내에 잔류한 H2O 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 처리실(201) 내에 N2 가스를 공급해서, 배기관(231)으로부터 배기하여, 처리실(201) 내를 퍼지한다. 구체적으로는, 처리실(201) 내의 설정 압력(압력 설정값)을 제2 압력으로 설정하고, 처리실(201) 내의 실제 압력이 제2 압력으로 되도록, APC 밸브(244)의 개방도를 조정하면서(변화시키면서), 즉, 처리실(201) 내의 압력을 제어하면서(조정하면서), 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하여, 배기관(231)으로부터 배기하도록 제어한다. N2 가스는, MFC(241c, 241d)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a, 249b)을 통해서 각각 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이에 의해, 처리실(201) 내가 N2 가스에 의해 퍼지되어, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 H2O 가스를 N2 가스로 치환하면서, 처리실(201) 내에 잔류하는 H2O 가스나 반응 부생성물 등을 처리실(201) 내로부터 제거한다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 200 내지 600℃, 바람직하게는 250 내지 500℃
처리 압력(제2 압력): 1333 내지 101325Pa, 바람직하게는 53329 내지 101325Pa, 보다 바람직하게는 53329 내지 79993Pa
N2 가스 공급 유량: 100 내지 10000sccm
N2 가스 공급 시간: 10 내지 360분, 바람직하게는 60 내지 360분
이 예시된다. 본 스텝에서의 처리 온도, 처리 압력(제2 압력)은, H2O 어닐 스텝에서의 처리 온도, 처리 압력(제1 압력)과 실질적으로 동일하게 하는 것이 바람직하다.
특히, 본 스텝에서의 처리 압력(제2 압력)을, 상술한 H2O 어닐 스텝에서의 처리 압력(제1 압력)과 실질적으로 동일한 압력으로 하는 것이 바람직하고, 이에 의해, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 기체 상태의 H2O 가스를 기체 상태 그대로 처리실(201) 밖으로 배출시켜, 처리실(201) 내를 N2 가스로 치환시킬 수 있다.
여기서, 제2 압력을 제1 압력과 실질적으로 동일한 압력으로 한다는 것은, 본 스텝에서의 처리 압력(제2 압력)을 H2O 어닐 스텝에서의 처리 압력(제1 압력)과 마찬가지 또는 동등한 압력, 보다 바람직하게는 동일한 압력으로 하는 것을 의미한다. 또한, 제2 압력을 이러한 압력으로 하기 위해서는, 본 스텝에서의 처리실(201) 내의 설정 압력을, H2O 어닐 스텝에서의 처리실(201) 내의 설정 압력과 마찬가지 또는 동등한 압력, 보다 바람직하게는 동일한 압력으로 할 필요가 있다.
구체적으로는, 실질적으로 동일한 압력에는, 기준이 되는 압력±5％ 정도의 압력이 포함되는 것으로 한다. 제2 압력을 제1 압력과 실질적으로 동일한 압력으로 함으로써, 상술한 바와 마찬가지로, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 H2O 가스의 액화 현상이나 고화 현상을 억제할 수 있다. 또한, H2O 어닐 처리 후에 처리실(201) 내의 압력을 변화시키는 것이 불필요하게 되기 때문에, 그만큼, 처리 시간을 단축시켜, 스루풋 즉 생산성을 높이는 것이 가능하게 된다.
즉, 본 스텝에서의 처리 압력(제2 압력)은, 후술하는 진공화 스텝에서의 처리 압력보다도 높은 처리 압력이며, 처리실(201) 내에 잔류한 H2O 가스가 액화 또는 고화하지 않는 압력이다. 즉, 본 스텝에서의 처리 조건은, 처리실(201) 내에 잔류한 H2O 가스의 액화나 고화에 의한 물방울이나 얼음의 발생을 회피 가능한 조건이다.
상술한 조건 하에서 처리실(201) 내를 N2 가스에 의해 퍼지(치환)함으로써, 후술하는 진공화 스텝에 의한 감압 전에, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 H2O 가스의 액화나 고화를 억제하면서, 이 H2O 가스를 기체 상태 그대로 배출하는 것이 가능하게 된다. 이와 같이, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 H2O 가스를 상변화시키지 않고 기체 상태 그대로 배출함으로써, H2O 가스의 액화나 고화에 의한 물방울이나 얼음의 발생을 억제하여, 웨이퍼(200)의 표면이나 보트 기둥(217a) 등의 표면에 형성된 막에의 물방울이나 얼음의 충돌을 억제하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 이들 막에의 물방울이나 얼음의 충돌에 기인하는 막 박리 등의 발생, 및 그에 의한 이물의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 처리 조건, 특히 온도 조건은, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이기도 하다. 즉, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 절단되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이기도 하다.
(진공화 스텝)
동일 압력 N2 퍼지 스텝이 종료된 후, 계속해서, 표면에 제2막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 수용한 상태에서, 처리실(201) 내를 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 처리실(201) 내를 진공화한다. 구체적으로는, APC 밸브(244)의 개방도를 완전 개방(풀 오픈)으로 한 상태에서, 진공 펌프(246)에 의해 처리실(201) 내를 진공화(감압 배기)한다. 즉, 처리실(201) 내의 진공화를, APC 밸브(244)의 개방도를 고정으로 해서, 처리실(201) 내를 완전히 진공화한 상태에서 행한다. 이때 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하여, 배기관(231)으로부터 배기하도록 해도 된다. 단, 이 경우, 처리실(201) 내의 감압을 효율적으로 행하기 위해서, N2 가스의 공급 유량을, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서의 N2 가스의 공급 유량보다도 작게 하는 것이 바람직하다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 200 내지 600℃, 바람직하게는 250 내지 500℃
처리 압력(제3 압력): 1 내지 100Pa, 바람직하게는 1 내지 50Pa
N2 가스 공급 유량: 0 내지 1000sccm
진공화 시간: 10 내지 360분, 바람직하게는 60 내지 360분
이 예시된다. 본 스텝에서의 처리 온도는, H2O 어닐 스텝, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서의 처리 온도와 실질적으로 동일한 온도로 하는 것이 바람직하다.
상술한 조건 하에서 처리실(201) 내를 진공화함으로써, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서 처리실(201) 내로부터 완전히 제거하지 못한 잔류 H2O 가스를 제거하는 것이 가능하게 된다. 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서는, 처리실(201) 내에 잔류하는 H2O 가스의 대부분을, 처리실(201) 내로부터 제거할 수 있지만, 완전히 제거하지 못해 처리실(201) 내에 잔류 H2O 가스가 남아버리는 경우가 있다. 상술한 조건 하에서 본 스텝을 실시함으로써, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서는 완전히 제거하지 못해 처리실(201) 내에 남아버린 잔류 H2O 가스를 처리실(201) 내로부터 제거하는 것이 가능하게 된다. 또한, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에 의해 처리실(201) 내에서의 잔류 H2O 가스의 대부분이 제거되므로, 본 스텝 개시 시에는, 처리실(201) 내에서의 H2O 가스의 존재비가 매우 작게 되어 있다. 그 때문에, 본 스텝에서 진공화를 행해도 이물의 발생이 억제되게 된다. 또한, 본 스텝은, APC 밸브(244)의 개방도를 고정으로 해서, 처리실(201) 내의 압력을 제어하지 않고 행하는 것이 가능하기 때문에, 기판 처리의 제어를 간소화하는 것이 가능하게 된다.
또한, 상술한 처리 조건, 특히 온도 조건은, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이기도 하다. 즉, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 절단되지 않고 그대로의 형태로 유지되는 조건이기도 하다.
또한, H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝을, 마찬가지 또는 동등, 보다 바람직하게는 동일한 처리 온도 하에서 행하는 것이 바람직하다. 즉, H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝을, 웨이퍼(200)의 온도를 마찬가지 또는 동등, 보다 바람직하게는 동일한 온도로 한 상태에서 행하는 것이 바람직하다. 나아가, 성막 스텝과 H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝을, 마찬가지 또는 동등, 보다 바람직하게는 동일한 처리 온도 하에서 행하는 것이 바람직하다. 즉, 성막 스텝과 H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝을, 웨이퍼(200)의 온도를 마찬가지 또는 동등, 보다 바람직하게는 동일한 온도로 한 상태에서 행하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 웨이퍼(200)의 온도를 변경하는 공정이 불필요하게 되어, 그만큼 처리 시간을 단축시켜, 스루풋 즉 생산성을 높이는 것이 가능하게 된다.
(N2 어닐 스텝)
진공화 스텝이 종료된 후, 계속해서, 표면에 제2막이 형성된 웨이퍼(200)를 처리실(201) 내에 수용한 상태에서, 처리실(201) 내의 웨이퍼(200), 즉, 웨이퍼(200) 상에 형성된 제2막에 대하여, 열 어닐 처리로서 N2 어닐 처리를 행한다. 이때, 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하여, 배기관(231)으로부터 배기한다. N2 가스는, MFC(241c, 241d)에 의해 유량 조정되어, 노즐(249a, 249b)을 통해서 각각 처리실(201) 내에 공급되어, 배기관(231)으로부터 배기된다. 이때, 웨이퍼(200)에 대하여 N2 가스가 공급된다.
본 스텝에서의 처리 조건으로서는,
처리 온도: 300 내지 800℃, 바람직하게는 400 내지 700℃
처리 압력: 67 내지 101325Pa
N2 가스 공급 유량: 1000 내지 5000sccm
공급 시간: 10 내지 120분
이 예시된다.
상술한 처리 조건은, H2O 어닐 스텝에서 형성된 제2막 중에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조의 적어도 일부를, 파괴하지 않고 보유(유지)하면서, 제2막 중에 포함되는 수분을 탈리시킬 수 있는 조건이다. 즉, 상술한 처리 조건은, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조 중 적어도 일부의 환상 구조가 파괴되지 않고 그대로의 형태로 유지되면서, 제2막 중에 포함되는 수분을 탈리 가능한 조건이다. 즉, 웨이퍼(200) 상의 제2막 중에 포함되는 복수의 환상 구조를 구성하는 복수의 Si-C 결합 중 적어도 일부의 Si-C 결합이 절단되지 않고 그대로의 형태로 유지되면서, 제2막 중에 포함되는 수분을 탈리 가능한 조건이다.
상술한 조건 하에서 제2막에 대하여 N2 어닐 처리를 행함으로써, 제2막 중에 포함되는 Si와 C로 구성되는 환상 구조(Si-C 결합)의 적어도 일부를 유지하면서, 제2막 중에 포함되는 H2O 가스를 탈리시켜서 제거할 수 있다. N2 어닐 스텝을 수분 제거 스텝이라고도 칭한다.
즉, N2 어닐 스텝에서는, H2O 어닐 스텝에서 물리적으로 막 중에 흡수된 H2O 가스를 탈리시킨다. 이에 의해, N2 어닐 처리 후의 제2막의 유전율을 저하시키는 것이 가능하게 된다. 또한, H2O 어닐 스텝부터 N2 어닐 스텝까지의 일련의 처리에 의해, N2 어닐 처리 후의 제2막, 즉, 최종적으로 웨이퍼(200) 상에 형성되는 SiOC(N)막의 흡습 사이트를 소멸시킬 수 있어, 이 막이 대기에 노출되었을 때, 대기 중에 포함되는 수분의 막 중으로의 흡수나 흡착을 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 성막 스텝과 H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝과 N2 어닐 스텝을, 이 순으로, 동일한 처리실(201) 내에서, in-situ로 연속해서 행하도록 하고 있다. 이 경우, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 막을 대기에 노출시키지 않고, 이들의 일련의 처리를 연속적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 각 스텝에서 행하는 처리의 제어성을 높이는 것이 가능하게 되고, 또한 스루풋 즉 생산성을 향상시키는 것도 가능하게 된다.
(애프터 퍼지 및 대기압 복귀)
N2 어닐 스텝이 종료된 후, 가스 공급관(232c, 232d) 각각으로부터 N2 가스를 처리실(201) 내에 공급하여, 배기관(231)으로부터 배기한다. 이에 의해, 처리실(201) 내가 퍼지되어, 처리실(201) 내에 잔류하는 가스나 반응 부생성물 등이 처리실(201) 내로부터 제거된다(애프터 퍼지). 그 후, 처리실(201) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되고(불활성 가스 치환), 처리실(201) 내의 압력이 상압으로 복귀된다(대기압 복귀).
(보트 언로드 및 웨이퍼 디스차지)
그 후, 보트 엘리베이터(115)에 의해 시일 캡(219)이 하강되어, 반응관(203)의 하단이 개구됨과 함께, 처리가 끝난 웨이퍼(200)가 보트(217)에 지지된 상태에서, 반응관(203)의 하단으로부터 반응관(203)의 외부로 반출(보트 언로드)된다. 처리가 끝난 웨이퍼(200)는, 반응관(203)의 외부로 반출된 후, 보트(217)로부터 취출된다(웨이퍼 디스차지).
(3) 본 실시 형태에 의한 효과
본 실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 하나 또는 복수의 효과가 얻어진다.
(a) 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서는, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 기체 상태의 H2O 가스를 기체 상태 그대로 배출하여, 처리실(201) 내로부터 제거시키는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 웨이퍼 표면이나 보트 기둥 등의 표면에 형성된 막의 박리 등의 발생, 및 그것에 의한 이물의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
(b) 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서는, 처리실(201) 내의 압력을 변경할 필요가 없기 때문에, 그만큼 처리시간을 단축시켜, 스루풋 즉 생산성을 높이는 것이 가능하게 된다.
(c) 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서는, 처리실(201) 내에 잔류하고 있는 H2O 가스의 대부분을 제거해서 처리실(201) 내에서의 H2O 가스의 존재비를 매우 작게 할 수 있다. 그에 의해, 그 후에 행하는 진공화 스텝에서 이물의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
(d) 진공화 스텝에서는, 동일 압력 N2 퍼지 스텝에서 처리실(201) 내로부터 완전히 제거하지 못한 잔류 H2O 가스를, 이물의 발생을 억제하면서 제거시키는 것이 가능하게 된다.
(e) 진공화 스텝에서는, 처리실(201) 내의 압력을 제어할 필요가 없기 때문에, 기판 처리의 제어를 간소화하는 것이 가능하게 된다.
(f) 성막 스텝과 H2O 어닐 스텝과 동일 압력 N2 퍼지 스텝과 진공화 스텝과 N2 어닐 스텝을, 이 순으로, in-situ로 연속해서 행함으로써, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 막을 대기에 노출시키지 않고, 이들 일련의 처리를 연속적으로 행하는 것이 가능하게 된다. 결과로서, 각 스텝에서 행하는 처리의 제어성을 높이는 것이 가능하게 되고, 또한 스루풋 즉 생산성을 향상시키는 것도 가능하게 된다.
(g) H2O 어닐부터 N2 어닐까지의 일련의 처리에 의해, 최종적으로 웨이퍼(200) 상에 형성되는 막의 흡습 사이트를 소멸시킬 수 있어, 이 막이 대기에 노출되었을 때, 대기 중에 포함되는 수분의 막 중으로의 흡수나 흡착을 억제하는 것이 가능하게 된다.
(h) 상술한 효과는, TCDSCB 가스 이외의 원료 가스를 사용하는 경우나, NH3 가스 이외의 반응 가스를 사용하는 경우나, N2 가스 이외의 불활성 가스를 사용하는 경우에도 마찬가지로 얻을 수 있다.
<다른 실시 형태>
이상, 본 개시의 실시 형태를 구체적으로 설명하였다. 단, 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.
예를 들어, 이하에 나타내는 처리 시퀀스와 같이, 상술한 성막 스텝에 산화제로서의 O2 가스를 공급하는 스텝을 추가해도 된다. 즉, 상술한 성막 스텝에서의 사이클이, O2 가스를 공급하는 스텝을 더 포함하고 있어도 된다. 이 처리 시퀀스에서는, O2 가스를 공급하는 스텝을, TCDSCB 가스를 공급하는 공정 및 NH3 가스를 공급하는 공정 각각과, 비동시에 행하는 예를 나타내고 있다. 이 경우에도, 도 4에 도시하는 처리 시퀀스와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 이 경우, 또한 웨이퍼(200) 상에 최종적으로 형성되는 SiOC(N)막의 조성비를, 예를 들어 O 풍부한 방향으로 제어하는 것이 가능하게 된다.
(TCDSCB→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOC(N)
산화제로서, O2 가스 대신에, 예를 들어 아산화질소(N2O) 가스, 일산화질소(NO) 가스, H2O 가스, H2 가스+O2 가스를 사용해도 된다.
또한, 예를 들어 이하에 나타내는 처리 시퀀스와 같이, 웨이퍼(200) 상에 실리콘 산질화막(SiON막), 실리콘 산탄질화막(SiOCN막), 실리콘 산탄화막(SiOC막), 실리콘 산화막(SiO막) 등을 형성하도록 해도 된다. 즉, 원료(원료 가스)로서, TCDSCB 가스 대신에 환상 구조를 포함하지 않는 원료 가스, 예를 들어 헥사클로로디실란(Si2Cl6, 약칭: HCDS) 가스와 같은 할로실란(클로로실란) 원료 가스나, 1,1,2,2-테트라클로로-1,2-디메틸디실란((CH3)2Si2Cl4, 약칭: TCDMDS) 가스와 같은 알킬할로실란(알킬클로로실란) 원료 가스나, 트리스디메틸아미노실란(Si[N(CH3)2]3H, 약칭: 3DMAS) 가스나 비스디에틸아미노실란(SiH2[N(C2H5)2]2, 약칭: BDEAS) 가스와 같은 아미노실란 원료 가스를 사용해도 된다. 또한, 원료(원료 가스)로서, 1,4-디실란부탄(SiH3CH2CH2SiH3, 약칭: 1,4-DSB) 가스와 같은 Si-C 결합 및 Si-H 결합을 포함하는 원료 가스나, 트리실릴아민(N(SiH3)3, 약칭: TSA) 가스와 같은 Si-N 결합 및 Si-H 결합을 포함하는 원료 가스를 사용해도 된다. 또한, 반응체(반응 가스)로서, NH3 가스 대신에, 예를 들어 트리에틸아민((C2H5)3N, 약칭: TEA) 가스와 같은 아민계 가스나, 산소(O2) 가스, 오존(O3) 가스, 플라스마 여기된 O2 가스(O2 *), O2 가스+수소(H2) 가스와 같은 O 함유 가스(산화제)나, 프로필렌(C3H6) 가스와 같은 C 함유 가스나, 트리클로로보란(BCl3) 가스와 같은 B 함유 가스를 사용해도 된다.
(HCDS→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiON
(HCDS→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiON
(TCDMDS→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(TCDMDS→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→TEA)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→TEA→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOC(N)
(HCDS→C3H6→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(BCl3→DSB→TSA→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→O2+H2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
(3DMAS→O3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
(BDEAS→O2 *)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
이들의 처리 시퀀스에 있어서도, 도 4에 도시하는 처리 시퀀스와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 원료나 반응체를 공급할 때의 처리 수순, 처리 조건은, 도 4에 도시하는 처리 시퀀스와 마찬가지로 할 수 있다.
또한, 원료(원료 가스)로서, TCDSCB 가스 대신에 환상 구조를 포함하지 않는 원료 가스, 예를 들어 티타늄테트라클로라이드(TiCl4) 가스나 트리메틸알루미늄(Al(CH3)3, 약칭: TMA) 가스를 사용하고, 반응체(반응 가스)로서, NH3 가스 대신에, 예를 들어 O2 가스, O3 가스, H2O 가스와 같은 O 함유 가스(산화제)를 사용하여, 이하에 나타내는 처리 시퀀스에 의해, 기판 상에 티타늄 산화막(TiO막), 티타늄 산질화막(TiON막), 알루미늄 산화막(AlO막), 알루미늄 산질화막(AlON막) 등을 형성하도록 해도 된다.
(TiCl4→H2O)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ TiO
(TiCl4→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ TiON
(TiCl4→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ TiON
(TMA→O3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlO
(TMA→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlON
(TMA→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlON
이들의 처리 시퀀스에 있어서도, 도 4에 도시하는 처리 시퀀스와 마찬가지의 효과가 얻어진다. 또한, 원료나 반응체를 공급할 때의 처리 수순, 처리 조건은, 도 4에 도시하는 처리 시퀀스와 마찬가지로 할 수 있다.
이와 같이, 본 개시는, 주 원소로서 Si 등의 반금속 원소를 포함하는 막을 형성하는 경우 외에, 주 원소로서 Ti나 Al 등의 금속 원소를 포함하는 막을 기판 상에 형성하는 경우에도 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 본 개시는, 주 원소로서, Si 외에, 게르마늄(Ge), 보론(B) 등의 반금속 원소를 포함하는 막을 형성하는 경우에도 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 본 개시는, 주 원소로서, Ti, Al 외에, 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 이트륨(Y), 란탄(La), 스트론튬(Sr) 등의 금속 원소를 포함하는 막을 형성하는 경우에도 적합하게 적용할 수 있다.
기판 처리에 사용되는 레시피는, 처리 내용에 따라 개별로 준비하여, 전기 통신 회선이나 외부 기억 장치(123)를 통해서 기억 장치(121c) 내에 저장해 두는 것이 바람직하다. 그리고, 기판 처리를 개시할 때, CPU(121a)가, 기억 장치(121c) 내에 저장된 복수의 레시피 중에서 기판 처리의 내용에 따라, 적정한 레시피를 적절히 선택하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 1대의 기판 처리 장치에서 다양한 막종, 조성비, 막질, 막 두께의 막을 재현성 좋게 형성할 수 있게 된다. 또한, 오퍼레이터의 부담을 저감할 수 있어, 조작 미스를 회피하면서 처리를 신속하게 개시할 수 있게 된다.
상술한 레시피는, 새롭게 작성하는 경우에 한하지 않고, 예를 들어 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 변경함으로써 준비해도 된다. 레시피를 변경하는 경우에는, 변경 후의 레시피를, 전기 통신 회선이나 당해 레시피를 기록한 기록 매체를 통해서 기판 처리 장치에 인스톨해도 된다. 또한, 기존의 기판 처리 장치가 구비하는 입출력 장치(122)를 조작하여, 기판 처리 장치에 이미 인스톨되어 있던 기존의 레시피를 직접 변경하도록 해도 된다.
상술한 실시 형태에서는, 한번에 복수매의 기판을 처리하는 뱃치식 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명하였다. 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 예를 들어 한번에 1매 또는 수매의 기판을 처리하는 매엽식 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도 적합하게 적용할 수 있다. 또한, 상술한 실시 형태에서는, 핫월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 예에 대해서 설명하였다. 본 개시는 상술한 실시 형태에 한정되지 않고, 콜드월형의 처리로를 갖는 기판 처리 장치를 사용해서 막을 형성하는 경우에도 적합하게 적용할 수 있다.
이러한 기판 처리 장치를 사용하는 경우에도, 상술한 실시 형태나 변형예와 마찬가지의 처리 수순, 처리 조건에서 기판 처리를 행할 수 있고, 이것들과 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한, 상술한 실시 형태나 변형예는, 적절히 조합해서 사용할 수 있다. 이때의 처리 수순, 처리 조건은, 예를 들어 상술한 실시 형태의 처리 수순, 처리 조건과 마찬가지로 할 수 있다.
이하, 실시예에 대해서 설명한다.
<실시예>
샘플 1로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용하여, 도 4에 도시하는 기판 처리 시퀀스에 의해, 웨이퍼 상에 SiOCN막을 형성하였다. 처리 조건은, 상술한 실시 형태에서의 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다. 샘플 2로서, 도 1에 도시하는 기판 처리 장치를 사용하여, 도 4에 도시하는 기판 처리 시퀀스에서의 H2O 어닐 스텝 후, 동일 압력 N2 퍼지 스텝을 행하지 않고, 바로 진공화 스텝을 행하는 기판 처리 시퀀스에 의해 웨이퍼 상에 SiOCN막을 형성하였다. 처리 조건은, 상술한 실시 형태에서의 처리 조건 범위 내의 소정의 조건으로 하였다. 그리고, 샘플 1 및 샘플 2 각각의 SiOCN막 상에 부착된 파티클의 수를 카운트하였다.
도 6은, 샘플 1 및 샘플 2 각각의 SiOCN막 상에 부착된 60nm 이상의 크기의 파티클의 수를 비교해서 도시하는 도면이다.
도 6에 도시하고 있는 바와 같이, 동일 압력 N2 퍼지 스텝을 행하지 않은 샘플 2의 SiOCN막 상에서의 파티클의 수는 4000개 이상이었다. 한편, 동일 압력 N2 퍼지 스텝을 행한 샘플 1의 SiOCN막 상에서의 파티클의 수는 40개 이하이었다. 즉, H2O 어닐 스텝 후에 동일 압력 N2 퍼지 스텝, 진공화 스텝을 행함으로써 파티클수를 극적으로 저감할 수 있어, 이물의 발생을 현저하게 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
200 웨이퍼(기판)

Claims (23)

  1. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 공정과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 공정과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 공정
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 상기 막을 형성하는 공정
    을 갖고, (a)에서의 상기 제1 압력을, (e)에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 높게 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, (b)에서의 상기 제2 압력은, 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 액화 또는 고화하지 않는 압력인, 기판 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, (b)에서의 상기 제2 압력을, (a)에서의 상기 제1 압력과 동등하게 하는, 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, (b)에서의 상기 처리실 내의 설정 압력을, (a)에서의 처리실 내의 설정 압력과 동등하게 하는, 기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, (a) 및 (b)를 상기 처리실 내의 압력을 제어하면서 행하고, (c)를 상기 처리실 내의 압력을 제어하지 않고 행하는, 기판 처리 방법.
  6. 제1항에 있어서, (a) 및 (b)를 상기 처리실 내의 압력을 제어하면서 행하고, (c)를 상기 처리실 내를 완전히 진공화한 상태에서 행하는, 기판 처리 방법.
  7. 제1항에 있어서, (a) 및 (b)를 상기 처리실 내를 배기하는 배기관에 마련된 배기 밸브의 개방도를 조정하면서 행하고, (c)를 상기 배기 밸브의 개방도를 고정으로 한 상태에서 행하는, 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서, (a)에서의 상기 제1 압력을, 1333Pa 이상 101325Pa 이하로 하는, 기판 처리 방법.
  9. 제1항에 있어서, (a), (b) 및 (c)를 동등한 처리 온도 하에서 행하는, 기판 처리 방법.
  10. 제1항에 있어서, (e), (a), (b) 및 (c)를 동등한 처리 온도 하에서 행하는, 기판 처리 방법.
  11. 제1항에 있어서, (d) (c)를 행한 후에, 개질 후의 상기 막을 열 어닐하는 공정을 더 갖는, 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서, (b) 및 (c)에서는, (a)에 의해 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스를 제거하고,
    (d)에서는, (a)에 의해 상기 막 중에 물리적으로 흡수된 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스를 탈리시키는, 기판 처리 방법.
  13. a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 공정과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 공정과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 공정과,
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 실리콘과 탄소로 구성되는 환상 구조 및 할로겐을 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질화제를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에, 상기 막으로서, 상기 환상 구조 및 질소를 포함하는 막을 형성하는 공정을 갖는,
    기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 사이클은, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 산화제를 공급하는 공정을, 상기 원료 가스를 공급하는 공정 및 상기 질화제를 공급하는 공정 각각과 비동시에 행하는 것을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 제13항에 있어서, (e), (a), (b), (c) 및 (d)를 상기 원료 가스에 포함되는 상기 환상 구조가 파괴되지 않고 유지되는 조건 하에서 행하는, 기판 처리 방법.
  16. 제13항에 있어서, (e), (a), (b), (c) 및 (d)를 상기 원료 가스에 포함되는 상기 환상 구조를 구성하는 실리콘과 탄소의 화학 결합이 절단되지 않고 유지되는 조건 하에서 행하는, 기판 처리 방법.
  17. 제13항에 있어서, (e), (a), (b), (c) 및 (d)를 상기 처리실 내에서 연속해서 행하는, 기판 처리 방법.
  18. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 공정과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 공정과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 공정과,
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 상기 막을 형성하는 공정
    을 갖고, (a)에서의 상기 제1 압력을, (e)에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 높게 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 공정과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 공정과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 공정과,
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 실리콘과 탄소로 구성되는 환상 구조 및 할로겐을 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질화제를 공급하는 공정을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에, 상기 막으로서, 상기 환상 구조 및 질소를 포함하는 막을 형성하는 공정
    을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 기판이 처리되는 처리실과,
    상기 처리실 내에 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급하는 수소 및 산소를 포함하는 가스 공급계와,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급계와,
    상기 처리실 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계와,
    상기 처리실 내를 배기하는 배기계와,
    상기 처리실 내의 압력을 제어하는 압력 제어부와,
    (a) 제1 압력으로 한 상기 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 처리와, (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 처리와, (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 처리와, (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여, 상기 처리 가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 상기 막을 형성하는 처리를 행하게 하고, (a)에서의 상기 제1 압력을, (e)에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 높게 하도록, 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스 공급계, 상기 불활성 가스 공급계, 상기 처리 가스 공급계, 상기 배기계 및 상기 압력 제어부를 제어하는 것이 가능하게 구성되는 제어부
    를 갖는 기판 처리 장치.
  21. 기판이 처리되는 처리실과,
    상기 처리실 내에 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급하는 수소 및 산소를 포함하는 가스 공급계와,
    상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급계와,
    상기 처리실 내에 실리콘과 탄소로 구성되는 환상 구조 및 할로겐을 포함하는 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급계와,
    상기 처리실 내에 질화제를 공급하는 질화제 공급계와,
    상기 처리실 내를 배기하는 배기계와,
    상기 처리실 내의 압력을 제어하는 압력 제어부와,
    (a) 제1 압력으로 한 상기 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 처리와, (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 처리와, (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 처리와, (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 원료 가스를 공급하는 처리와, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 상기 질화제를 공급하는 처리를 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에, 상기 막으로서, 상기 환상 구조 및 질소를 포함하는 막을 형성하는 처리를 행하게 하도록, 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스 공급계, 상기 불활성 가스 공급계, 상기 원료 가스 공급계, 상기 질화제 공급계, 상기 배기계 및 상기 압력 제어부를 제어하는 것이 가능하게 구성되는 제어부
    를 갖는, 기판 처리 장치.
  22. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 수순과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 수순과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 수순
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 처리 가스를 공급함으로써, 상기 기판 상에 상기 막을 형성하는 수순과,
    (a)에서의 상기 제1 압력을, (e)에서의 상기 처리실 내의 압력보다도 높게 하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
  23. (a) 제1 압력으로 한 처리실 내의 기판 상에 형성된 막에 대하여 수소 및 산소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 막을 개질시키는 수순과,
    (b) (a)를 행한 후의 상기 처리실 내에 잔류한 상기 수소 및 산소를 포함하는 가스가 기체 상태를 유지하는 제2 압력 하에서, 상기 처리실 내에 불활성 가스를 공급하여 상기 처리실 내를 배기함으로써, 상기 처리실 내를 퍼지하는 수순과,
    (c) (b)를 행한 후의 상기 처리실 내를 상기 제2 압력보다도 낮은 제3 압력까지 감압시키도록, 상기 처리실 내를 배기하는 수순과,
    (e) (a)를 행하기 전의 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 실리콘과 탄소로 구성되는 환상 구조 및 할로겐을 포함하는 원료 가스를 공급하는 수순과, 상기 처리실 내의 상기 기판에 대하여 질화제를 공급하는 수순을 포함하는 사이클을 소정 횟수 행함으로써, 상기 기판 상에, 상기 막으로서, 상기 환상 구조 및 질소를 포함하는 막을 형성하는 수순
    을 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램.
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