JP7170750B2 - 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Description
(a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を行う技術が提供される。
以下、本開示の一実施形態について、図1~図5を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に所望の膜を形成し、改質する基板処理シーケンス例について、主に、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
第1圧力とした処理室201内のウエハ200上に形成された膜に対して、HおよびOを含むガスとしてH2Oガスを供給することで、膜を改質させるH2Oアニールステップと、
H2Oアニールステップを行った後の処理室201内に残留したH2Oガスが気体状態を維持する第2圧力下で、処理室201内へ不活性ガスとしてN2ガスを供給し、処理室201内を排気することで、処理室201内をパージする同圧N2パージステップと、
同圧N2パージステップを行った後の処理室201内を第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、処理室201内を真空引きする真空引きステップと、
を行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。真空ポンプ246の稼働、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップ1及びステップ2を順次実施する。
このステップでは、処理室201内に収容されたウエハ200に対して、原料としてTCDSCBガスを供給する。具体的には、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へTCDSCBガスを流す。TCDSCBガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTCDSCBガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。
処理温度:200~400℃、好ましくは250~350℃
処理圧力:133~2666Pa
TCDSCBガス供給流量:1~2000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0~10000sccm
各ガス供給時間:1~120秒、好ましくは5~60秒
が例示される。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1層に対して、反応体として窒化剤であるNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243b~243dの開閉制御を、ステップ1におけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してNH3ガスが供給される。
処理温度:200~400℃、好ましくは250~350℃
処理圧力:133~3999Pa
NH3ガス供給流量:100~10000sccm
ガス供給時間:1~120秒
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
ステップ1およびステップ2を非同時に、すなわち、同期させることなく交互に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、第1膜として、SiとCとで構成される環状構造およびNを含む膜であるSiCN膜が形成される。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。この第1膜(SiCN膜)は、Si、C、およびNを含みO非含有の膜となるが、Clと、弱い結合をもつNと、が残留しているため、水分の吸収、吸着が起こり易い膜となる。
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される。
パージステップが終了した後、表面に第1膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、第1圧力とした処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1膜としてのSiCN膜に対して、HおよびOを含むガスとしてH2Oガスを供給する。具体的には、処理室201内の設定圧力(圧力設定値)を第1圧力に設定し、処理室201内の実圧力が第1圧力となるように、APCバルブ244の開度を調整しつつ(変化させつつ)、すなわち、処理室201内の圧力を制御しつつ(調整しつつ)、バルブ243e,243c,243dの開閉制御を、ステップ1におけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。H2Oガスは、MFC241eにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2Oガスが供給される。
処理温度:200~600℃、好ましくは250~500℃
処理圧力(第1圧力):1333~101325Pa、好ましくは53329~101325Pa
H2Oガス供給流量:50~10000sccm
H2Oガス供給時間:10~360分、好ましくは60~360分
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。なお、本ステップにおける処理圧力(第1圧力)、すなわち、本ステップにおける処理室201内の圧力を、成膜ステップにおける処理室201内の圧力よりも高くするのが好ましい。
H2Oアニールステップが終了した後、表面に第2膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、処理室201内に残留したH2Oガスが気体状態を維持する第2圧力下で、処理室201内へN2ガスを供給し、排気管231から排気して、処理室201内をパージする。具体的には、処理室201内の設定圧力(圧力設定値)を第2圧力に設定し、処理室201内の実圧力が第2圧力となるように、APCバルブ244の開度を調整しつつ(変化させつつ)、すなわち、処理室201内の圧力を制御しつつ(調整しつつ)、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気するように制御する。N2ガスは、MFC241c,241dにより流量調整され、ノズル249a,249bを介してそれぞれ処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。これにより、処理室201内がN2ガスによりパージされ、処理室201内に残留しているH2OガスをN2ガスに置換しつつ、処理室201内に残留するH2Oガスや反応副生成物等を処理室201内から除去する。
処理温度:200~600℃、好ましくは250~500℃
処理圧力(第2圧力):1333~101325Pa、好ましくは53329~101325Pa、より好ましくは53329~79993Pa
N2ガス供給流量:100~10000sccm
N2ガス供給時間:10~360分、好ましくは60~360分
が例示される。本ステップにおける処理温度、処理圧力(第2圧力)は、H2Oアニールステップにおける処理温度、処理圧力(第1圧力)と実質的に同一とすることが好ましい。
同圧N2パージステップが終了した後、引き続き、表面に第2膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、処理室201内を第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、処理室201内を真空引きする。具体的には、APCバルブ244の開度を全開(フルオープン)とした状態で、真空ポンプ246により処理室201内を真空引き(減圧排気)する。すなわち、処理室201内の真空引きを、APCバルブ244の開度を固定とし、処理室201内を引き切った状態で行う。このときガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気するようにしてもよい。ただし、この場合、処理室201内の減圧を効率的に行うために、N2ガスの供給流量を、同圧N2パージステップにおけるN2ガスの供給流量よりも小さくするのが好ましい。
処理温度:200~600℃、好ましくは250~500℃
処理圧力(第3圧力):1~100Pa、好ましくは1~50Pa
N2ガス供給流量:0~1000sccm
真空引き時間:10~360分、好ましくは60~360分
が例示される。本ステップにおける処理温度は、H2Oアニールステップ、同圧N2パージステップにおける処理温度と実質的に同一の温度とするのが好ましい。
真空引きステップが終了した後、引き続き、表面に第2膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第2膜に対して、熱アニール処理として、N2アニール処理を行う。このとき、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスは、MFC241c,241dにより流量調整され、ノズル249a,249bを介してそれぞれ処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してN2ガスが供給される。
処理温度:300~800℃、好ましくは400~700℃
処理圧力:67~101325Pa
N2ガス供給流量:1000~5000sccm
供給時間:10~120分
が例示される。
N2アニールステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。但し、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(HCDS→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiON
(TCDMDS→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(TCDMDS→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→TEA)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→TEA→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOC(N)
(HCDS→C3H6→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(BCl3→DSB→TSA→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiOCN
(HCDS→O2+H2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
(3DMAS→O3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
(BDEAS→O2 *)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ SiO
(TiCl4→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ TiON
(TiCl4→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ TiON
(TMA→O3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlO
(TMA→NH3)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlON
(TMA→NH3→O2)×n→H2O#ANL→N2#PRG→VAC→N2#ANL ⇒ AlON
サンプル1として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す基板処理シーケンスにより、ウエハ上にSiOCN膜を形成した。処理条件は、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。サンプル2として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す基板処理シーケンスにおけるH2Oアニールステップ後、同圧N2パージステップを行うことなく、すぐに真空引きステップを行う基板処理シーケンスにより、ウエハ上にSiOCN膜を形成した。処理条件は、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。そして、サンプル1及びサンプル2のそれぞれのSiOCN膜上に付着したパーティクルの数をカウントした。
Claims (26)
- (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(b)における前記第2圧力を、(a)における前記第1圧力と同等とする基板処理方法。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(b)における前記処理室内の設定圧力を、(a)における処理室内の設定圧力と同等とする基板処理方法。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(e)(a)を行う前の前記処理室内の前記基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記膜として、前記環状構造および窒素を含む膜を形成する工程を更に有する基板処理方法。 - (b)における前記第2圧力は、前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが液化または固化しない圧力である請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)および(b)を、前記処理室内の圧力を制御しつつ行い、(c)を、前記処理室内の圧力を制御することなく行う請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)および(b)を、前記処理室内の圧力を制御しつつ行い、(c)を、前記処理室内を引き切った状態で行う請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)および(b)を、前記処理室内を排気する排気管に設けられた排気バルブの開度を調整しつつ行い、(c)を、前記排気バルブの開度を固定とした状態で行う請求項1~6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (e)(a)を行う前の前記処理室内の前記基板に対して、処理ガスを供給することで、前記基板上に前記膜を形成する工程を更に有し、
(a)における前記第1圧力を、(e)における前記処理室内の圧力よりも高くする請求項1または2に記載の基板処理方法。 - (a)における前記第1圧力を、1333Pa以上101325Pa以下とする請求項1~8のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)、(b)、および(c)を、同等の処理温度下で行う請求項1~9のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (e)、(a)、(b)、および(c)を、同等の処理温度下で行う請求項8に記載の基板処理方法。
- (d)(c)を行った後に、改質後の前記膜を熱アニールする工程を更に有する請求項1~11のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (b)および(c)では、(a)により前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスを除去し、
(d)では、(a)により前記膜中に物理的に吸収された前記水素および酸素を含むガスを脱離させる請求項12に記載の基板処理方法。 - 前記サイクルは、前記処理室内の前記基板に対して酸化剤を供給する工程を、前記原料ガスを供給する工程および前記窒化剤を供給する工程のそれぞれと、非同時に行うことを更に含む請求項3に記載の基板処理方法。
- (d)(c)を行った後に、改質後の前記膜を熱アニールする工程を更に有し、
(e)、(a)、(b)、(c)、および(d)を、前記原料ガスに含まれる前記環状構造が破壊されることなく保持される条件下で行う請求項3に記載の基板処理方法。 - (d)(c)を行った後に、改質後の前記膜を熱アニールする工程を更に有し、
(e)、(a)、(b)、(c)、および(d)を、前記原料ガスに含まれる前記環状構造を構成するシリコンと炭素との化学結合が切断されることなく保持される条件下で行う請求項3に記載の基板処理方法。 - (d)(c)を行った後に、改質後の前記膜を熱アニールする工程を更に有し、
(e)、(a)、(b)、(c)、および(d)を、前記処理室内で連続して行う請求項3に記載の基板処理方法。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(b)における前記第2圧力を、(a)における前記第1圧力と同等とする半導体装置の製造方法。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(b)における前記処理室内の設定圧力を、(a)における処理室内の設定圧力と同等とする半導体装置の製造方法。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる工程と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする工程と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする工程と、
を有し、
(e)(a)を行う前の前記処理室内の前記基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記膜として、前記環状構造および窒素を含む膜を形成する工程を更に有する半導体装置の製造方法。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内へ水素および酸素を含むガスを供給する水素および酸素を含むガス供給系と、
前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御部と、
(a)第1圧力とした前記処理室内の基板上に形成された膜に対して、前記水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる処理と、(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする処理と、(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする処理と、を行わせ、(b)における前記第2圧力を、(a)における前記第1圧力と同等とするように、前記水素および酸素を含むガス供給系、前記不活性ガス供給系、前記排気系、および前記圧力制御部を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内へ水素および酸素を含むガスを供給する水素および酸素を含むガス供給系と、
前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御部と、
(a)第1圧力とした前記処理室内の基板上に形成された膜に対して、前記水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる処理と、(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする処理と、(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする処理と、を行わせ、(b)における前記処理室内の設定圧力を、(a)における処理室内の設定圧力と同等とするように、前記水素および酸素を含むガス供給系、前記不活性ガス供給系、前記排気系、および前記圧力制御部を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内へ水素および酸素を含むガスを供給する水素および酸素を含むガス供給系と、
前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内へシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ窒化剤を供給する窒化剤供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内の圧力を制御する圧力制御部と、
(a)第1圧力とした前記処理室内の基板上に形成された膜に対して、前記水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる処理と、(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする処理と、(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする処理と、を行わせ、(e)(a)を行う前の前記処理室内の前記基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記窒化剤を供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記膜として、前記環状構造および窒素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記水素および酸素を含むガス供給系、前記不活性ガス供給系、前記原料ガス供給系、前記窒化剤供給系、前記排気系、および前記圧力制御部を制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる手順と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする手順と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする手順と、
(b)における前記第2圧力を、(a)における前記第1圧力と同等とする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる手順と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする手順と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする手順と、
(b)における前記処理室内の設定圧力を、(a)における処理室内の設定圧力と同等とする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)第1圧力とした処理室内の基板上に形成された膜に対して、水素および酸素を含むガスを供給することで、前記膜を改質させる手順と、
(b)(a)を行った後の前記処理室内に残留した前記水素および酸素を含むガスが気体状態を維持する第2圧力下で、前記処理室内へ不活性ガスを供給し、前記処理室内を排気することで、前記処理室内をパージする手順と、
(c)(b)を行った後の前記処理室内を前記第2圧力よりも低い第3圧力まで減圧させるように、前記処理室内を真空引きする手順と、
(e)(a)を行う前の前記処理室内の前記基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料ガスを供給する手順と、前記処理室内の前記基板に対して窒化剤を供給する手順と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記膜として、前記環状構造および窒素を含む膜を形成する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019003056 | 2019-01-11 | ||
JP2019003056 | 2019-01-11 | ||
PCT/JP2019/049987 WO2020145084A1 (ja) | 2019-01-11 | 2019-12-20 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020145084A1 JPWO2020145084A1 (ja) | 2021-10-07 |
JP7170750B2 true JP7170750B2 (ja) | 2022-11-14 |
Family
ID=71521269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020565673A Active JP7170750B2 (ja) | 2019-01-11 | 2019-12-20 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210332477A1 (ja) |
JP (1) | JP7170750B2 (ja) |
KR (1) | KR102652256B1 (ja) |
CN (1) | CN113169069B (ja) |
SG (1) | SG11202107574SA (ja) |
TW (1) | TWI764068B (ja) |
WO (1) | WO2020145084A1 (ja) |
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WO2017046921A1 (ja) | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
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-
2019
- 2019-12-16 TW TW108145925A patent/TWI764068B/zh active
- 2019-12-20 SG SG11202107574SA patent/SG11202107574SA/en unknown
- 2019-12-20 JP JP2020565673A patent/JP7170750B2/ja active Active
- 2019-12-20 WO PCT/JP2019/049987 patent/WO2020145084A1/ja active Application Filing
- 2019-12-20 CN CN201980080707.9A patent/CN113169069B/zh active Active
- 2019-12-20 KR KR1020217021597A patent/KR102652256B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-09 US US17/372,363 patent/US20210332477A1/en active Pending
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WO2017046921A1 (ja) | 2015-09-17 | 2017-03-23 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102652256B1 (ko) | 2024-03-29 |
US20210332477A1 (en) | 2021-10-28 |
CN113169069A (zh) | 2021-07-23 |
JPWO2020145084A1 (ja) | 2021-10-07 |
WO2020145084A1 (ja) | 2020-07-16 |
SG11202107574SA (en) | 2021-08-30 |
CN113169069B (zh) | 2024-03-22 |
TW202105518A (zh) | 2021-02-01 |
TWI764068B (zh) | 2022-05-11 |
KR20210099127A (ko) | 2021-08-11 |
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