JP7149423B2 - 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 260
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 131
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 131
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 33
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 179
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 145
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 23
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- VPZDAHBNTYZYHC-UHFFFAOYSA-N chlorosilylamine Chemical compound N[SiH2]Cl VPZDAHBNTYZYHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 3
- LISDBLOKKWTHNH-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-Trisilacyclohexan Natural products C1[SiH2]C[SiH2]C[SiH2]1 LISDBLOKKWTHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHBMXLXMVPLQAX-UHFFFAOYSA-N 1,3-disiletane Chemical compound C1[SiH2]C[SiH2]1 NHBMXLXMVPLQAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVSPVXKJEGPQJP-UHFFFAOYSA-N 2-silylethylsilane Chemical compound [SiH3]CC[SiH3] IVSPVXKJEGPQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N ac1l3fa4 Chemical compound [SiH3]N([SiH3])[SiH3] VOSJXMPCFODQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- GPTXWRGISTZRIO-UHFFFAOYSA-N chlorquinaldol Chemical compound ClC1=CC(Cl)=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 GPTXWRGISTZRIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N methyl(silylmethyl)silane Chemical compound C[SiH2]C[SiH3] DLNFKXNUGNBIOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000006486 pseudo-catalysis Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N silylmethylsilane Chemical compound [SiH3]C[SiH3] HVXTXDKAKJVHLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- UHYKOLOWWWJJBQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trisilolane Chemical compound [SiH2]1[SiH2]C[SiH2]C1 UHYKOLOWWWJJBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAXYLKQEHXPTGZ-UHFFFAOYSA-N Cl[SiH2]N([SiH3])[SiH3] Chemical compound Cl[SiH2]N([SiH3])[SiH3] XAXYLKQEHXPTGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- KSBGKOHSBWCTOP-UHFFFAOYSA-N bis(silylmethyl)silane Chemical compound [SiH3]C[SiH2]C[SiH3] KSBGKOHSBWCTOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMEKEHSRPZAOGO-UHFFFAOYSA-N boron triiodide Chemical compound IB(I)I YMEKEHSRPZAOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/401—Oxides containing silicon
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Description
(a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させる技術が提供される。
以下、本開示の一態様について、主に、図1~図4を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にシリコン窒化膜(SiN膜)を形成する基板処理シーケンス例、すなわち成膜シーケンス例について、図4を用いて説明する。なお、本態様では、ウエハ200として、その表面にトレンチやホール等の凹部が形成された基板を用いる例について説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
処理室201内のウエハ200に対して疑似触媒としてBCl3ガスを供給するステップAと、
処理室201内に残留するBCl3ガスを排出するステップBと、
処理室201内のウエハ200に対して原料としてTSAガスを供給するステップCと、
処理室201内に残留するTSAガスを排出するステップDと、
を含むサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行い、ウエハ200の表面に形成された凹部内を埋め込むように、膜として、SiN膜を形成するステップを有し、
ステップAでは、BCl3のウエハ200の表面への化学吸着が不飽和となる条件下でBCl3をウエハ200の表面へ吸着させる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される(圧力調整)。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される(温度調整)。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。真空ポンプ246の稼働、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップA~Dを順次実施する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してBCl3ガスを供給する。具体的には、バルブ243bを開き、ガス供給管232b内へBCl3ガスを流す。BCl3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対してBCl3ガスが供給される。このときバルブ243e,243fを開き、ガス供給管232e,232f内へN2ガスを流すようにしてもよい。
BCl3ガス供給流量:1~5000sccm、好ましくは5~500sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0~10000sccm
各ガス供給時間:1~60秒、好ましくは1~30秒
処理温度:200~500℃、好ましくは300~450℃
処理圧力:20~1000Pa、好ましくは30~500Pa
が例示される。
ウエハ200上に第1層が形成された後、バルブ243bを閉じ、処理室201内へのBCl3ガスの供給を停止する。そして、処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留するBCl3ガス等を処理室201内から排出する。このとき、バルブ243e,243fを開き、処理室201内へN2ガスを供給する。N2ガスはパージガスとして作用する。これらにより、処理室201内に浮遊するBCl3ガスを除去することが可能となる。そしてこれにより、後述するステップCを、処理室201内にBCl3ガスが浮遊していない状態(非浮遊の状態)で行うことが可能となる。
N2ガス供給流量:1~10000sccm
N2ガス供給時間:1~60秒、好ましくは5~30秒
処理圧力:1~1000Pa、好ましくは30~500Pa、より好ましくは100~500Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
このステップでは、処理室201内にBCl3ガスが浮遊していない状態で、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1層に対してTSAガスを供給する。具体的には、バルブ243a,243e,243fの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b,243e,243fの開閉制御と同様の手順で行う。TSAガスは、MFC241aにより流量制御され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対してTSAガスが供給される。
TSAガス供給流量:1~2000sccm
TSAガス供給時間:1~300秒
処理圧力:1~2000Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
ウエハ200上に第2層を形成した後、バルブ243aを閉じ、処理室201内へのTSAガスの供給を停止する。そして、ステップBと同様の処理手順により、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排出する。これらにより、処理室201内に浮遊するTSAガスを除去することが可能となる。そしてこれにより、次のサイクルにおけるステップAを、処理室201内にTSAガスが浮遊していない状態(非浮遊の状態)で行うことが可能となる。
N2ガス供給流量:10~10000sccm
N2ガス供給時間:1~300秒
処理圧力:0.1~100Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
上述したステップA~Dを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200の表面に形成された凹部内を埋め込むように、所定組成および所定膜厚のSiN膜を形成することができる。この膜は、SiおよびNをSi-N結合の形で含み、また、加工耐性を低下させる要因となり得る結合を含まないことから、加工耐性に優れた膜となる。
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232e,232fのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排出する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。成膜ステップを実施した後のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本態様によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
本態様における基板処理シーケンスは、図4に示す態様に限定されず、以下の変形例のように変更することができる。また、これらの変形例は任意に組み合わせることができる。なお、特に説明がない限り、各変形例の各ステップにおける処理手順、処理条件は、上述の基板処理シーケンスの各ステップにおける処理手順、処理条件と同様とする。
以下に示す成膜シーケンスのように、ステップA~Dに加え、処理室201内のウエハ200に対して第2原料としてDSBガスを供給するステップEと、処理室201内に残留するDSBガスを排出するステップFと、を更に有するサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行い、ウエハ200の表面に形成された凹部内を埋め込むように、膜として、シリコン炭窒化膜(SiCN膜)を形成するようにしてもよい。
以下に示す成膜シーケンスのように、ステップA~Dに加え、処理室201内のウエハ200に対して反応体としてO2ガスを供給するステップGと、処理室201内に残留するO2ガスを排出するステップHと、を更に有するサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行い、ウエハ200の表面に形成された凹部内を埋め込むように、膜として、シリコン酸窒化膜(SiON膜)を形成するようにしてもよい。
成膜ステップを行った後、ヒータ207の温度を適正に調整し、後処理として、ウエハ200の表面の凹部内を埋め込むように形成された膜を熱処理(アニール処理)するようにしてもよい。
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0~20000sccm
処理温度:600~1000℃
処理圧力:0.1~100000Pa
処理時間:1~300分
が例示される。
以上、本開示の態様を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(BCl3→P→DSB→P→TSA→P)×n ⇒ SiCN
(BCl3→P→DSB→P→O2→P)×n ⇒ SiOC
(BCl3→P→TSA→P→DSB→P→O2→P)×n ⇒ SiOCN
(BCl3→P→DSB→P→TSA→P→O2→P)×n ⇒ SiOCN
Claims (21)
- (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を脱離させつつ、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を残留させる条件下で行う基板処理方法。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量の方が、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量よりも多くなる条件下で行う基板処理方法。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量の方が、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量よりも多くなる条件下で行う基板処理方法。 - (a)では、前記基板の表面への前記疑似触媒の吸着反応が反応律速となる条件下で、前記疑似触媒を供給する請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (a)では、前記疑似触媒が単独で存在した場合に成膜が進行しない条件下で、前記疑似触媒を供給する請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- (c)では、前記原料が単独で存在した場合に成膜が進行しない条件下で、前記原料を供給する請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記疑似触媒はホウ素およびハロゲンを含む請求項1~6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記疑似触媒は、BCl3、BF3、BBr3、およびBI3のうち少なくともいずれかを含む請求項1~7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記原料はSi-H結合を含む請求項1~8のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記原料はSi-N結合およびSi-C結合のうち少なくともいずれかを更に含む請求項9に記載の基板処理方法。
- (e)前記処理室内の前記基板に対して第2原料を供給する工程と、
(f)前記処理室内に残留する前記第2原料を排出する工程と、を更に有する請求項1~10のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (g)前記処理室内の前記基板に対して反応体を供給する工程と、
(h)前記処理室内に残留する前記反応体を排出する工程と、を更に有する請求項1~11のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を脱離させつつ、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を残留させる条件下で行う半導体装置の製造方法。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量の方が、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量よりも多くなる条件下で行う半導体装置の製造方法。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する工程と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する工程と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する工程と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する工程と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する工程を有し、
(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行い、
(b)を、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量の方が、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量よりも多くなる条件下で行う半導体装置の製造方法。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する疑似触媒供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に残留する物質を排出する排出系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
(a)前記処理室内の基板に対して前記疑似触媒を供給する処理と、(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する処理と、(c)前記処理室内の前記基板に対して前記原料を供給する処理と、(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する処理と、を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する処理を行わせ、(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行わせるか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行わせ、(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を脱離させつつ、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を残留させる条件下で行わせるように、前記疑似触媒供給系、前記原料供給系、前記排出系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する疑似触媒供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に残留する物質を排出する排出系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
(a)前記処理室内の基板に対して前記疑似触媒を供給する処理と、(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する処理と、(c)前記処理室内の前記基板に対して前記原料を供給する処理と、(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する処理と、を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する処理を行わせ、(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行わせるか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行わせ、(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量の方が、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量よりも多くなる条件下で行わせるように、前記疑似触媒供給系、前記原料供給系、前記排出系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する疑似触媒供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内に残留する物質を排出する排出系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
(a)前記処理室内の基板に対して前記疑似触媒を供給する処理と、(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する処理と、(c)前記処理室内の前記基板に対して前記原料を供給する処理と、(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する処理と、を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する処理を行わせ、(a)では、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させ、(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行わせるか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行わせ、(b)を、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量の方が、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量よりも多くなる条件下で行わせるように、前記疑似触媒供給系、前記原料供給系、前記排出系、および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する手順と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する手順と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する手順と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する手順と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する手順と、
(a)において、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させる手順と、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行う手順と、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を脱離させつつ、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の少なくとも一部を残留させる条件下で行う手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する手順と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する手順と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する手順と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する手順と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する手順と、
(a)において、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させる手順と、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行う手順と、
(b)を、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量の方が、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の脱離量よりも多くなる条件下で行う手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。 - (a)処理室内の基板に対して疑似触媒を供給する手順と、
(b)前記処理室内に残留する前記疑似触媒を排出する手順と、
(c)前記処理室内の前記基板に対して原料を供給する手順と、
(d)前記処理室内に残留する前記原料を排出する手順と、
を含むサイクルを所定回数行い、前記基板の表面に形成された凹部内を埋め込むように膜を形成する手順と、
(a)において、前記疑似触媒の前記基板の表面への化学吸着が不飽和となる条件下で前記疑似触媒を前記基板の表面へ吸着させる手順と、
(a)を、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分を存在させる条件下で行うか、もしくは、前記凹部の上部および下部の両方に、前記疑似触媒の物理吸着成分および化学吸着成分の両方を存在させる条件下で行う手順と、
(b)を、前記凹部の下部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量の方が、前記凹部の上部への前記疑似触媒の物理吸着成分の残留量よりも多くなる条件下で行う手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/027901 WO2021009838A1 (ja) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021009838A1 JPWO2021009838A1 (ja) | 2021-01-21 |
JPWO2021009838A5 JPWO2021009838A5 (ja) | 2022-03-01 |
JP7149423B2 true JP7149423B2 (ja) | 2022-10-06 |
Family
ID=74210309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021532593A Active JP7149423B2 (ja) | 2019-07-16 | 2019-07-16 | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12080550B2 (ja) |
JP (1) | JP7149423B2 (ja) |
KR (1) | KR20220019047A (ja) |
CN (1) | CN114026678A (ja) |
WO (1) | WO2021009838A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220139696A1 (en) * | 2019-07-16 | 2022-05-05 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6129573B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6106278B2 (ja) | 2013-09-27 | 2017-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP5883049B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2016-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラムおよび記録媒体 |
JP6473269B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2019-02-20 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
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-
2019
- 2019-07-16 WO PCT/JP2019/027901 patent/WO2021009838A1/ja active Application Filing
- 2019-07-16 CN CN201980097324.2A patent/CN114026678A/zh active Pending
- 2019-07-16 JP JP2021532593A patent/JP7149423B2/ja active Active
- 2019-07-16 KR KR1020227001114A patent/KR20220019047A/ko not_active Application Discontinuation
-
2022
- 2022-01-14 US US17/575,854 patent/US12080550B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
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KR20220019047A (ko) | 2022-02-15 |
US12080550B2 (en) | 2024-09-03 |
CN114026678A (zh) | 2022-02-08 |
JPWO2021009838A1 (ja) | 2021-01-21 |
US20220139696A1 (en) | 2022-05-05 |
WO2021009838A1 (ja) | 2021-01-21 |
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