JP2008263064A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具217を処理室201内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。
【選択図】図1
【解決手段】基板200を支持具に装填する工程と、基板を装填した支持具217を処理室201内に搬入する工程と、処理室内で支持具に装填された基板を熱処理する工程と、熱処理後の基板を装填した支持具を処理室内から搬出する工程と、処理室内より搬出した支持具から熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、熱処理後の基板を回収する工程は、基板の温度が、基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う。
【選択図】図1
Description
この発明は、基板を処理する半導体装置の製造方法に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程の一工程として行う基板処理工程は、基板を支持具に装填するための移載室と、基板を装填するための支持具と、基板を処理するための処理室と、を備えた基板処理装置により実施されていた。
そして、かかる基板処理装置において、(1)移載室にて支持具に基板を装填し、(2)移載室から処理室へと支持具を搬入し、(3)処理室を所定温度まで昇温し、(4)処理室にて基板に成膜処理やアニール処理を実施し、(5)処理室から移載室へと支持具を搬出し、(6)移載室にて基板を冷却し、(7)移載室にて支持具から基板回収容器へと基板を回収する、といった各工程が実施されていた。
そして、かかる基板処理装置において、(1)移載室にて支持具に基板を装填し、(2)移載室から処理室へと支持具を搬入し、(3)処理室を所定温度まで昇温し、(4)処理室にて基板に成膜処理やアニール処理を実施し、(5)処理室から移載室へと支持具を搬出し、(6)移載室にて基板を冷却し、(7)移載室にて支持具から基板回収容器へと基板を回収する、といった各工程が実施されていた。
ここで、上記(6)の基板を冷却する工程は、基板の温度を基板回収用容器の耐熱温度よりも降下させる目的で実施するものである。具体的には、支持具を処理室から移載室へと搬出した後、移載室にて支持具を保持して、支持具に装填した基板を移載室内の雰囲気に所定時間暴露することにより行っていた。
しかしながら、上記(6)に示した基板の冷却工程を実施すると、移載室内の雰囲気に含まれる有機物などの微粒子が基板上に形成した薄膜上に吸着し、その結果、形成した薄膜の膜厚均一性が劣化したように観察される場合があることが判明した。また、ヘイズ性パーティクルが生じる場合があることも判明した。
そこで本発明は、基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させることで、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、基板を支持具に装填する工程と、前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、
を有し、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法が提供される。
を有し、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、基板上に形成した薄膜上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させることができ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させ、ヘイズ性パーティクルを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
上述の通り、従来の基板の冷却工程を実施すると、移載室内の雰囲気に含まれる有機物などの微粒子が、基板上に形成した薄膜上へ吸着し、膜厚均一性が損なわれてしまう場合があった。
発明者等の研究によれば、基板を冷却させるために移載室内に支持具を所定時間保持すると、基板が移載室内の雰囲気に長時間にわたって暴露され、雰囲気中に含まれる有機物等が、基板上に形成した薄膜上に吸着してしまう場合があることが判明した。そして、有機物などの微粒子が吸着することにより、形成した薄膜の膜厚分布も劣化して観測される場合があることが判明した。
図2及び図3に、移載室での基板の冷却時間を変化させた場合における膜厚分布を示す。参照する図面において、図2は、移載室での基板の冷却時間を30分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、(a)は支持具の上部に、(b)は中央部に、(c)は下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。また、図3は、移載室での基板の冷却時間を10分とした場合における基板面内の膜厚分布を示す概略図であり、(a)は支持具の上部に、(b)は支持具の中央部に、(c)は支持具の下部に装填された基板における膜厚分布をそれぞれ示す。
図2及び図3を比較した結果、冷却時間が長い図2の方が、冷却時間が短い図3に比べて膜厚分布が偏っており、有機物などの微粒子の吸着量が多く、膜厚均一性も劣化していることが判る。図2及び図3においては、クリーンエアを基板の左方向から基板に吹き当てるようにファンが設けらているが、その結果、冷却時間が長い図2において、雰囲気中に含まれる微粒子が基板の左側に多く吸着してしまい、膜厚分布が偏ったものと考えられる。
発明者等は、移載室内の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮させることが、基板表面への有機物などの微粒子の吸着量を低減させ、形成する薄膜の膜厚均一性を向上させるのに、また、ヘイズ性パーティクルを低減するのに有効であるとの知見を得て、本発明を完成させるに至った。
(1)基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1及び図5を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程において好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、縦断面図として示されている。また、図5は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉に連通する移載室の概略構成図である。
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1及び図5を用いて説明する。図1は、本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程の一工程において好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であり、縦断面図として示されている。また、図5は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の処理炉に連通する移載室の概略構成図である。
(1−1)処理炉の上部構成
図1に示されているように、処理炉202は、加熱機構としてのヒータ206を有する。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。
図1に示されているように、処理炉202は、加熱機構としてのヒータ206を有する。ヒータ206は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース251に支持されることにより垂直に据え付けられている。
ヒータ206の内側には、例えば、炭化珪素(SiC)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である均熱管(外管)205が、ヒータ206と同心円状に配設されている。
均熱管205の内側には、例えば、石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状である反応管(内管)204が、均熱管205と同心円状に配設されている。
反応管204の筒中空部には、基板としてのウエハ200を処理するための処理室201が形成されている。処理室201の内部には、基板支持具としてのボート217が設けられている。ボート217は、複数枚のウエハ200を、水平姿勢で垂直方向に多段に整列させた状態で装填(支持)することができるように構成されている。ボート217は、例えば、石英や炭化珪素等の耐熱性材料から構成されている。
ボート217の下方には、ボート217を下方から支持するように断熱筒218が設けられている。断熱筒218は、ヒータ206からの熱が反応管204の下端側に伝わりにくくなるように、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材により構成されている。
均熱管205と反応管204との間には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。ヒータ206及び温度センサ263には、温度制御部238が電気的に接続されている。温度制御部238は、温度センサ263により検出された温度情報に基づいて、処理室201内が所望のタイミングで所望の温度分布となるように、ヒータ206への通電具合を制御する。
(1−2)処理炉の下部構成
上述した反応管204の下端部には、反応管204の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース257と、炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。
シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース257は、例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ219の上に取付けられている。ベース257の上面には反応管204の下端と接触し、処理室201内を気密に保つシール部材としてのOリング220が設けられる。
上述した反応管204の下端部には、反応管204の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース257と、炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。
シールキャップ219は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース257は、例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ219の上に取付けられている。ベース257の上面には反応管204の下端と接触し、処理室201内を気密に保つシール部材としてのOリング220が設けられる。
シールキャップ219の底部(すなわち処理室201と反対側)には、ボート217を回転させるための回転機構254が設置されている。回転機構254の回転軸255は、シールキャップ219とベース257とを貫通して、断熱筒218に接続されている。そして、断熱筒218を介してボート217を回転させることで、ウエハ200を処理室201内で回転させることが出来る。
シールキャップ219は、反応管204の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ115によって、垂直方向に昇降させることが出来るように構成されている。そして、ボートエレベータ115を作動させることにより、ボート217及びボート217に支持されるウエハ200を、処理室201に対して搬入し、搬出することが出来る。
回転機構254及びボートエレベータ115には、駆動制御部237が電気的に接続されている。駆動制御部237は、所望のタイミングで所望の動作をするように回転機構254及びボートエレベータ115を制御する。
(1−3)ガス導入部の構成
反応管204の下端側面部には、ガス導入部230が設けられている。そして、ガス導入部230から反応管204の天井部233に至るまで、反応管204の外壁に添ってガス導入管としての細管234が配設されている。ガス導入部230から導入されたガスは、細管234内を流通して天井部233に至り、天井部233に設けられた複数のガス導入口233aから、処理室201内へと導入される。
反応管204の下端側面部には、ガス導入部230が設けられている。そして、ガス導入部230から反応管204の天井部233に至るまで、反応管204の外壁に添ってガス導入管としての細管234が配設されている。ガス導入部230から導入されたガスは、細管234内を流通して天井部233に至り、天井部233に設けられた複数のガス導入口233aから、処理室201内へと導入される。
ガス導入部230には、ガス供給管232が接続されている。ガス供給管232の上流側(すなわちガス導入部230との接続側と反対側)には、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)241を介して、図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。なお、処理室201内に水蒸気を供給する必要がある場合は、ガス供給管232のMFC241よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。MFC241は、処理室201内に所望のタイミングで所望の量のガスを供給するように、MFC241を制御する。
(1−4)ガス排気部の構成
反応管204の下端側面部の、ガス導入部230と異なる位置には、反応管204内の雰囲気を排気口231aから排気するためのガス排気部231が設けられている。そして、ガス排気部231には、ガス排気管229が接続されている。ガス排気管229の下流側(すなわちガス排気部231との接続側とは反対側)には、圧力調節器242を介して排気装置246が接続されている。ガス排気部231と圧力調節器242との間には、処理室201内の圧力を検出するための圧力センサ245が設けられている。
反応管204の下端側面部の、ガス導入部230と異なる位置には、反応管204内の雰囲気を排気口231aから排気するためのガス排気部231が設けられている。そして、ガス排気部231には、ガス排気管229が接続されている。ガス排気管229の下流側(すなわちガス排気部231との接続側とは反対側)には、圧力調節器242を介して排気装置246が接続されている。ガス排気部231と圧力調節器242との間には、処理室201内の圧力を検出するための圧力センサ245が設けられている。
圧力調節器242および圧力センサ245には、圧力制御部236が電気的に接続されている。圧力制御部236は、圧力センサ245により検出された圧力に基づいて、処理室201内が所望のタイミングで所望の圧力になるように、圧力調節器242を制御する。
(1−5)移載室の構成
また、図5に示すとおり、処理室201の外には、ウエハ200をボート217に装填し、あるいはウエハ200をボート217から回収するための移載室301が、処理室201と連通するように設けられている。
また、図5に示すとおり、処理室201の外には、ウエハ200をボート217に装填し、あるいはウエハ200をボート217から回収するための移載室301が、処理室201と連通するように設けられている。
ボート217は、ボートエレベータ115を作動させることにより、処理室201と移載室301との間を相互に移動することが出来るように構成されている。
また、移載室301の外部には、ウエハ200を格納するためのウエハ回収容器303を載置する載置台303cが設けられている。ウエハ回収容器303とボート217との間のウエハ200の移動は、移載室301内に設けられた搬送ロボット302により実施される。
なお、移載室301の内部には、クリーンエア(大気)あるいは不活性ガスを充填することが出来るように構成されていることが好ましい。また、搬送ロボット302及びウエハ回収容器303は昇温されたウエハ200と直接接触するため、ウエハ200の温度に耐えうる高い耐熱温度を有する部材から構成されている。
(1−6)制御系の構成
上述のガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、及び温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、及び主制御部239は、コントローラ240として構成されている。また、搬送ロボット302の動作も、コントローラ240により制御される。
上述のガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、及び温度制御部238は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部239に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部235、圧力制御部236、駆動制御部237、温度制御部238、及び主制御部239は、コントローラ240として構成されている。また、搬送ロボット302の動作も、コントローラ240により制御される。
(2)基板処理工程
続いて、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として基板に酸化あるいは拡散等の処理を施す方法について、図4を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ240により制御される。
続いて、上記構成に係る処理炉202を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として基板に酸化あるいは拡散等の処理を施す方法について、図4を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ240により制御される。
(2−1)ウエハ装填工程(S1)
まず、フタ開閉機構303bにより、載置台303c上のウエハ回収容器303のフタ303aを開き、複数枚のウエハ200をウエハ回収容器303内から取り出し、移載室301の内部においてボート217へ装填する。なお、ボート217へのウエハ200の装填は、搬送ロボット302により実施する。
まず、フタ開閉機構303bにより、載置台303c上のウエハ回収容器303のフタ303aを開き、複数枚のウエハ200をウエハ回収容器303内から取り出し、移載室301の内部においてボート217へ装填する。なお、ボート217へのウエハ200の装填は、搬送ロボット302により実施する。
(2−2)ボート搬入工程(S2)
続いて、炉口シャッタ204aを開き、ボートエレベータ115を作動させて、移載室301内から処理室201内へとボート217を搬入する(ボートローディング)。なお、ボート217を上昇させた結果、反応管204の下端は、ベース257及びOリング220を介して、シールキャップ219によりシールされ、処理室201内は気密に保たれた状態となる。
続いて、炉口シャッタ204aを開き、ボートエレベータ115を作動させて、移載室301内から処理室201内へとボート217を搬入する(ボートローディング)。なお、ボート217を上昇させた結果、反応管204の下端は、ベース257及びOリング220を介して、シールキャップ219によりシールされ、処理室201内は気密に保たれた状態となる。
(2−3)昇温工程(S3)
続いて、処理室201内を処理温度まで昇温する。具体的には、処理室201内が所望の処理温度となるように、また、所望の温度分布となるように、ヒータ206への供給電力を調整する。この際、温度センサ263が検出した温度情報に基づいて、ヒータ206への通電具合をフィードバック制御する(温度調整工程)。同時に、処理室201内が所望の圧力となるように、処理室201内を排気装置246を用いて排気する。この際、圧力センサ245が検出した圧力情報に基づいて、圧力調節器242をフィードバック制御する(圧力調整工程)。
続いて、処理室201内を処理温度まで昇温する。具体的には、処理室201内が所望の処理温度となるように、また、所望の温度分布となるように、ヒータ206への供給電力を調整する。この際、温度センサ263が検出した温度情報に基づいて、ヒータ206への通電具合をフィードバック制御する(温度調整工程)。同時に、処理室201内が所望の圧力となるように、処理室201内を排気装置246を用いて排気する。この際、圧力センサ245が検出した圧力情報に基づいて、圧力調節器242をフィードバック制御する(圧力調整工程)。
続いて、回転機構254を作動させて、断熱筒218、ボート217、ウエハ200を処理室201内で回転させる。
(2−4)ウエハ処理工程(S4)
続いて、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源からガスを供給する。この際、MFC241を用いてガスの流量を制御する。供給されるガスは、ガス供給管232からガス導入部230および細管234を経由して天井部233に至り、複数のガス導入口233aから処理室201内へとシャワー状に導入される。なお、ウエハ200に対してウェット酸化等の水蒸気を用いた処理を行う場合には、MFC241にて流量制御されたガスを水蒸気発生装置に供給し、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気(H2O)を含むガスを処理室201に導入する。
続いて、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源からガスを供給する。この際、MFC241を用いてガスの流量を制御する。供給されるガスは、ガス供給管232からガス導入部230および細管234を経由して天井部233に至り、複数のガス導入口233aから処理室201内へとシャワー状に導入される。なお、ウエハ200に対してウェット酸化等の水蒸気を用いた処理を行う場合には、MFC241にて流量制御されたガスを水蒸気発生装置に供給し、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気(H2O)を含むガスを処理室201に導入する。
ガス導入口233aから処理室201内へと導入されたガスは、ボート217に装填されているウエハ200の表面と接触して、ウエハ200の表面を酸化あるいはドーパントを拡散させる等の処理を行う。そして、ウエハ200の処理に使用した後のガスは、排気口231aから排気する。
予め設定された処理時間が経過したら、不活性ガス供給源から不活性ガスを供給して処理室201内を不活性ガスに置換し、処理室201内の圧力を常圧に復帰させる。
なお、一例まで、本実施の形態の処理炉202にてウエハ200を処理する際の処理条件としては、例えば、酸化処理においては、処理温度500〜950℃、処理圧力1Pa〜大気圧、ガス種およびガス供給流量O2:20sccm〜5000sccm、H2:10sccm〜2000sccmが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハ200に処理がなされる。
(2−5)降温工程(S5)
その後、ボート217を処理室201内に保持したまま、ヒータ206への通電量を減らすことにより処理室201内の温度を下げるとともに、ボート217に装填されているウエハ200の温度を下げる。
その後、ボート217を処理室201内に保持したまま、ヒータ206への通電量を減らすことにより処理室201内の温度を下げるとともに、ボート217に装填されているウエハ200の温度を下げる。
(2−6)ボート搬出工程(S6)
続いて、ボートエレベータ115を作動させ、処理室201内から移載室301内へとボート217を搬出する(ボートアンローディング)。ボート217の搬出後、処理室201は炉口シャッタ204aにより閉塞する。
続いて、ボートエレベータ115を作動させ、処理室201内から移載室301内へとボート217を搬出する(ボートアンローディング)。ボート217の搬出後、処理室201は炉口シャッタ204aにより閉塞する。
(2−7)ウエハ回収工程(S7)
その後、移載室301内において、処理済のウエハ200をボート217から回収する(ウエハディスチャージ)。すなわち、ボート217から処理済のウエハ200を取り出し、ウエハ回収容器303へと格納する。処理済みのウエハ200を格納後、ウエハ回収容器303のフタ303aを閉じる。なお、ボート217からのウエハ200の回収、すなわちボート217からのウエハ200の取り出し、及び回収したウエハ200のウエハ回収容器303への格納は、搬送ロボット302により実施する。
その後、移載室301内において、処理済のウエハ200をボート217から回収する(ウエハディスチャージ)。すなわち、ボート217から処理済のウエハ200を取り出し、ウエハ回収容器303へと格納する。処理済みのウエハ200を格納後、ウエハ回収容器303のフタ303aを閉じる。なお、ボート217からのウエハ200の回収、すなわちボート217からのウエハ200の取り出し、及び回収したウエハ200のウエハ回収容器303への格納は、搬送ロボット302により実施する。
ここで、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ200の温度が、少なくともウエハ200に吸着する有機物の揮発温度を下回らない間に行う。ボート搬出工程及びウエハ回収工程においてウエハ200の表面に吸着する有機物を揮発させることが出来るからである。なお、本発明者が実験を行ったところ、ウエハ200を150℃で5分加熱した場合に、ウエハ200表面に吸着した有機物が揮発することが確認できた。よって、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ200の温度が少なくも150℃を下回らない間に行うのが好ましい。
また、上述のウエハ回収工程は、ボート搬出工程の完了直後に連続して実施することが好ましい。すなわち、ボート搬出工程により処理室201内から移載室301内へとボート217を完全に移動させた直後に、ボート217を引き出した位置、すなわち処理室201の直下の位置でウエハ回収工程を実施することが好ましい。移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間を極力短縮させるためである。
さらには、上述のウエハ回収工程は、ボート搬出工程と並行して実施することがより好ましい。すなわち、ボート217に装填されたウエハ200が処理室201から出た時点で、処理室201から出た該ウエハ200をその位置で順次回収するように、ボート搬出工程を実施することがより好ましい。移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間をより短縮させるためである。
(3)本発明の一実施形態における効果
本発明の一実施形態によれば、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ200の温度が、少なくともウエハ200に吸着する有機物の揮発温度を下回らない間に行う。これにより、ボート搬出工程及びウエハ回収工程においてウエハ200の表面に吸着した有機物は揮発するため、処理後のウエハ200の表面に形成された薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。また、ヘイズ性パーティクルを低減することも出来る。
本発明の一実施形態によれば、ボート搬出工程及びウエハ回収工程は、ウエハ200の温度が、少なくともウエハ200に吸着する有機物の揮発温度を下回らない間に行う。これにより、ボート搬出工程及びウエハ回収工程においてウエハ200の表面に吸着した有機物は揮発するため、処理後のウエハ200の表面に形成された薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。また、ヘイズ性パーティクルを低減することも出来る。
また、本発明の一実施形態よれば、ウエハ200の冷却を、移載室301ではなく処理室201にて実施することが出来る。この場合、移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間を短縮でき、ウエハ200の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
さらに、本発明の一実施形態によれば、ウエハ回収工程をボート搬出工程の完了直後に連続して実施することが出来る。この場合、移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間を短縮でき、ウエハ200の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
また、本発明の一実施形態によれば、ウエハ回収工程をボート搬出工程と並行して実施することができる。この場合、移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間を短縮でき、ウエハ200の表面に吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、形成した薄膜の膜厚均一性を向上させることが出来る。
そして、本発明の一実施形態によれば、ウエハ冷却時間をトータルで短縮することが出来るため、半導体装置の製造の生産性を向上させることが出来る。
本実施例においては、移載室においてウエハ冷却時間を設けることなく、ボート搬出工程の直後に連続してウエハ回収工程を実施した。なお、ウエハ回収容器303及び搬送ロボット302の耐熱温度を150℃以上とした。
その結果、ウエハ200を処理室201から搬出した後、移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間を短縮できた。そして、移載室301内の雰囲気中に含まれる有機物等の微粒子がウエハ200へ吸着する量を低減でき、膜厚均一性が向上した。
本実施例においては、ウエハ回収工程をボート搬出工程と並行して実施した。すなわち、ボート217に装填されたウエハ200が処理室201から出た時点で、処理室201から出た該ウエハ200をその位置で順次回収するように、ボート搬出工程を実施した。なお、ウエハ回収容器303及び搬送ロボット302の耐熱温度を150℃以上とした。
その結果、移載室301内の雰囲気にウエハ200が暴露される時間をさらに短縮できた。そして、移載室301内の雰囲気中に含まれる有機物等の微粒子がウエハ200へ吸着する量をさらに低減でき、膜厚均一性がさらに向上された。
<本発明の好ましい態様>
第1の態様は、基板を支持具に装填する工程と、前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、 前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法である。
第1の態様によれば、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、基板処理の均一性を向上させることが出来る。
第1の態様は、基板を支持具に装填する工程と、前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、を有し、 前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う半導体装置の製造方法である。
第1の態様によれば、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量を低減させ、基板処理の均一性を向上させることが出来る。
第1の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記基板を熱処理する工程の後であって、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の前に、前記処理室内で前記基板の温度を降下させる工程を有することが好ましい。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
また、第1の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の完了直後に行うことが好ましく、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程の完了直後に、前記基板を冷却する時間を設けることなく行うことがより好ましい。また、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と並行して行うことがさらに好ましく、前記支持具を前記処理室内から搬出する工程中に前記基板が前記処理室内から外部に出ると同時に順次行うことが一層好ましい。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
このように構成することで、処理室外の雰囲気に基板が暴露される時間を短縮でき、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
また、第1の態様にかかる半導体装置の製造方法においては、前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記熱処理後の基板の温度が少なくとも150℃を下回らない間に行うことが好ましい。
このように構成することで、支持具を処理室から搬出した後に基板表面に吸着した有機物を揮発させることができ、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
このように構成することで、支持具を処理室から搬出した後に基板表面に吸着した有機物を揮発させることができ、基板上へ吸着する有機物などの微粒子の量をさらに低減させ、基板処理の均一性をさらに向上させることが出来るためである。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
217 ボート(支持具)
301 移載室
302 搬送ロボット
303 ウエハ回収容器
201 処理室
217 ボート(支持具)
301 移載室
302 搬送ロボット
303 ウエハ回収容器
Claims (1)
- 基板を支持具に装填する工程と、
前記基板を装填した前記支持具を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内で前記支持具に装填された前記基板を熱処理する工程と、
前記熱処理後の基板を装填した前記支持具を前記処理室内から搬出する工程と、
前記処理室内より搬出した前記支持具から前記熱処理後の基板を回収する工程と、
を有し、
前記熱処理後の基板を回収する工程は、前記基板の温度が、前記基板表面に吸着した有機物の揮発温度を下回らない間に行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007104726A JP2008263064A (ja) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007104726A JP2008263064A (ja) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008263064A true JP2008263064A (ja) | 2008-10-30 |
Family
ID=39985319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007104726A Pending JP2008263064A (ja) | 2007-04-12 | 2007-04-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008263064A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100574464B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-04-27 | 주식회사 유니더스 | 조루방지용 콘돔 제조 장치 |
-
2007
- 2007-04-12 JP JP2007104726A patent/JP2008263064A/ja active Pending
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KR100574464B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-04-27 | 주식회사 유니더스 | 조루방지용 콘돔 제조 장치 |
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