JP5242984B2 - 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
)等の基板処理工程においては、例えば、減圧CVD装置等の基板処理装置が用いられている。
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図6を用いて説明する。図6は、本実施形態にかかる基板処理装置が備える処理炉202の断面構成図である。
、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。MFC241には、ガス流量制御部235が電気的に接続されている。MFC241は、処理室201内に供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
01内の温度が所望のタイミングで所望の温度分布となるように、ヒータ206への通電具合を制御するように構成されている。
続いて、ガス供給ノズル230の導入部の構成について説明する。なお、上述したように、かかる構成は従来の基板処理装置と本実施形態にかかる基板処理装置とで異なる。以下、本実施形態にかかる構成の説明に先立ち、従来の構成について図1、2を用いて説明する。
続いて、本実施形態にかかるガス供給ノズル230の導入部の構成について、図3〜5を用いて説明する。なお、本構成にかかるマニホールド209は、石英(SiO2)や炭化珪素(SiC)等の耐熱性を有する非金属により構成されている。
穴)209aが、少なくとも1つ設けられている。そして、マニホールド209の開口部209aには、ガス供給ノズル230を保持する金属製の継手部103が、マニホールド209の外側からOリング105を介して当接されるように構成されている。
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置により実施される基板処理工程について説明する。
サ245で測定する。この測定した圧力に基づいて、メインバルブ242の開度をフィードバック制御する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ206によって処理室201内を加熱する。そして、ヒータ206への通電具合は、温度センサ263が検出した温度情報に基づき、処理室201内が所望の温度分布となるようにフィードバック制御する。続いて、回転機構254によりボート217を回転させることで、基板200を回転させる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
部209fが設けられているとともに、座繰り部209fの内径とクッションリング104の外径とが一致している。そのため、基板処理装置の組み立てやメンテナンスを行う際に、開口部209aと継手部103との相対的な位置合わせ(例えば軸心合わせ等)を容易に行うことが可能となる。これにより、ガス供給ノズル230の取り付け角度や位置を正確に行うことが可能となり、ガス供給ノズル230とマニホールド209とが接触して破損することを回避することが可能となる。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
106 ネジ(支持材)
107 スプリング(押付け部)
109a インレットアダプタサポート
109c ガイド溝
111 ピン(抑制部)
200 基板
203 プロセスチューブ(反応管)
203a 開口部
209 マニホールド
209a 開口部
209f 座繰り部
230 ガス供給ノズル
232 ガス供給管(ガス供給体)
Claims (3)
- ガス供給ノズルが挿入される開口部が設けられ非金属で構成された反応容器と、
該反応容器外にて前記ガス供給ノズルに接続され前記反応容器内にガスを供給するガス供給体と、
該ガス供給体と前記反応容器との間に設けられ前記ガス供給ノズルを保持する継手部と、
該継手部が前記開口部を気密に塞ぐように前記継手部を前記反応容器側に押し付ける弾性体で構成された押付け部と、
前記押付け部の端部に設けられ、水平移動することによって前記押付け部からの反発力を支持する支持部と、
を備える基板処理装置。 - ガス供給ノズルが挿入される開口部が設けられ非金属で構成された反応容器内に基板を搬入する工程と、
弾性体で構成された押付け部が、前記押付け部の端部に設けられ、前記押付け部からの反発力を支持する支持部が水平移動することによって前記ガス供給ノズルを保持する継手部を前記反応容器の外周に押し付けて前記開口部を気密に塞いだ状態で、前記反応容器外にて前記ガス供給ノズルに接続されたガス供給体から前記反応容器内にガスを供給して基板を処理する工程と、
前記反応容器内から基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記反応容器と前記継手部とが非接触となるよう前記反応容器と前記継手部との間に緩衝部と、を備える請求項1に記載の基板処理装置。
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