TWI387666B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Shinya Morita
Koichi Sada
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Tomoyuki Matsuda
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係有關於基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
作為基板處理裝置的一例，有半導體製造裝置，又作為半導體製造裝置的一例，已知立式擴散、CVD(Chemical Vapor Deposition)裝置。
此立式擴散、CVD裝置具備有：外管、設置於外管之內側並形成處理室的內管、對外管內加熱的加熱裝置(heater)、連接載置外管及內管並將處理室進行排氣的排氣管及對處理室供給氣體的氣體引入管的歧管、以及沿垂直方向整列複數片晶圓整列、保持並搬入處理室的晶舟。
而，將保持複數片晶圓之晶舟從下端的爐口搬入處理室(boat loading)，並從氣體引入管將成膜氣體供給處理室，同時利用加熱裝置對處理室加熱，藉此，堆積CVD膜於晶圓之上。
在這種立式擴散、CVD裝置，如專利文獻1所示，由金屬形成歧管(爐口凸緣)。
在金屬製歧管的情況下，因為板厚薄，熱容量亦小，所以易向爐口外散熱。
[專利文獻]
[專利文獻1]特開2002-334868號公報
可是，在使用金屬製歧管的CVD裝置中，因反應氣體及清潔氣體所引起之反應產生物的附著，而有金屬製歧管被腐蝕的問題。
又，隨著IC的微細化，在使用金屬製歧管的CVD裝置，來自金屬製歧管之金屬的放出成為問題。
因此，為了抑制對應處理之基板的金屬污染，使對反應室內露出的金屬元件變成最低限度，不僅外管、內管，而且連歧管亦以石英等之非金屬材料形成。此外，作為地震對策，為了抑制內管的翻倒，設置內管翻倒抑制構件，並以由石英等之非金屬材料所形成的螺栓固定。於如此構成之裝置中，在內管的內部處理基板中所產生之反應產生物(副產生物)可能黏附於內管翻倒抑制構件附近。在此反應產生物黏附之狀態，強迫地拆下內管翻倒抑制構件時，產生由石英等的非金屬材料所形成之螺栓或歧管裂開之新的課題。螺栓裂開，而無法從歧管拆下，或歧管裂開時，必須更換並再製作昂貴的歧管。
本發明之目的在於提供一種基板處理裝置及半導體裝置之製造方法，該裝置可抑制對基板的金屬污染，同時抑制內管的翻倒，以及抑制反應產生物的黏附。
依據本發明的一形態，提供一種基板處理裝置，其具有：外管；歧管，係由和該外管連結的非金屬材料所形成；內管，係在比該外管更內側被載置於該歧管，並在內部處理基板；加熱裝置，係設置於比該外管更外側，並對該外管內部加熱；蓋體，係經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉；以及吸熱構件，係設置於該歧管且該內管的下端插置於該吸熱構件及該歧管之間，該吸熱構件吸收來自該加熱裝置之熱且由非金屬材料所形成。
依據本發明之其他的形態，提供一種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置包含：外管、由和該外管連結之非金屬材料所形成的歧管以及在比該外管更內側被載置於該歧管的內管，該製造方法包含：封閉步驟，係一面將基板搬入該內管的內部，並一面經由密閉構件以蓋體對該歧管的開口部封閉；以及吸熱步驟，係一面以加熱裝置對位於該內管內的基板進行加熱處理，一面以由非金屬材料所形成的吸熱構件吸收來自該加熱裝置的熱，該吸熱構件設置於該歧管，且該內管的下端插置於該吸熱構件及該歧管之間。
依據本發明，可抑制對基板的金屬污染，同時抑制內管的翻倒，以及抑制反應產生物的黏附。
其次，根據圖面，說明本發明之實施形態。
第1圖係適合用在本發明之實施形態之基板處理裝置10之處理爐12的示意構成圖，並以縱剖面圖表示。
如第1圖所示，處理爐12具有屬於加熱裝置的加熱器14。加熱器14是圓筒形，藉由由作為保持板的加熱器底座16支持而垂直地安裝。
在加熱器14的內側，將作為反應管的處理管18配設成和加熱器14成同心圓形。處理管18由作為外部反應管的外管20和作為內部反應管的內管22和所構成。
外管20使用例如石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)之耐熱性材料，並形成為內徑比內管22的外徑更大的圓筒形。外管20形成為上端封閉而下端開口的圓筒形。
內管22使用堆積例如石英(SiO2 )或碳化矽(SiC)之耐熱性材料，並形成為上端及下端開口的圓筒形。內管22的筒中空部形成處理室24。處理室24構成為能利用後述之晶舟將晶圓1以水平姿勢沿垂直方向多段地整列之狀態收容。
外管20和內管22設置成同心圓形。由外管20和內管22的間隙形成筒狀空間26。
在外管20的下側，和外管20成同心圓形地配設歧管28。將外管20及內管22載置於歧管28之上。由處理管18和歧管28構成處理容器30。
在外管20連接排氣管32，從排氣管32排出處理室24內的空氣。排氣管32配置於筒狀空間26的下端部，並和筒狀空間26連通。
在排氣管32之是和外管20的連接側之反側的下游側，經由作為壓力檢測器的壓力感測器36及壓力調整裝置38而連接真空泵等的排氣裝置34。排氣裝置34進行排氣，以使處理室24內的壓力變成既定之壓力(真空度)。
在壓力感測器36及壓力調整裝置38，利用電氣配線B以電氣連接壓力控制部40。壓力控制部40根據壓力感測器36所檢測之壓力控制壓力調整裝置38，以使處理室24內的壓力變成所要之壓力，而且具有所要之時序。
在處理容器30中，將氣體供給部42設置成和處理室24內連通。氣體供給管44和氣體供給部42連接。
在氣體供給管44之和氣體供給部42的連接側相反側的上游側，連接作為氣體流量控制器的MFC(質量流量控制器)46，而MFC46和氣體供給源48連接。氣體供給源48供給處理氣體或惰性氣體。
在MFC46，利用電氣配線C以電氣連接氣體流量控制部50。氣體流量控制部50控制MFC46，以使所供給之氣體的流量變成所要的量，而且具有所要之時序。
密封蓋52設置於處理容器30的下方。密封蓋52構成可氣密地封閉處理室24之下端開口的蓋體。密封蓋52例如使用不銹鋼或鎳合金等金屬材料，形成為圓盤形。
密封蓋套54設置於密封蓋52的處理室24側。
密封蓋套54例如由如石英的非金屬材料所形成。
密封蓋套54藉由被覆密封蓋52，而防止金屬部分在處理室24側露出。
密封蓋套54從垂直方向下側和處理容器30下面抵接。
在密封蓋52中，例如由O環所構成之第1密閉構件52a設置於上面。
在密封蓋套54的上面亦設置例如由O環所構成之第2密閉構件54a。
於密封蓋52，在中央部鑽設圓孔52b，於密封蓋套54，亦在中央部鑽設圓孔54b。密封蓋52的圓孔52b和密封蓋套54的圓孔54b重疊。
在密封蓋52之和密封蓋套54相反側(下側)，設置使晶舟旋轉的旋轉機構58。旋轉機構58的轉軸58a設置成貫穿密封蓋52的圓孔52b和密封蓋套54的圓孔54b，並和晶舟66連接。旋轉機構58構成為藉由使晶舟66旋轉而使晶圓1旋轉。
作為基板保持具的晶舟66例如由石英或碳化矽等的耐熱性材料所形成。晶舟66使複數片晶圓1以水平姿勢且彼此中心對齊之狀態進行整列，並多段地保持。
此外，在晶舟66的下部，以水平姿勢多段地配置複數片作為隔熱構件的隔熱板68。此隔熱板68例如使用石英或碳化矽等的耐熱性材料，形成圓板形。隔熱板68使來自加熱器14的熱難傳至密封蓋52側。
如第1圖所示，底板70由晶舟昇降器72的臂74支持，例如，被垂直地支持。
晶舟昇降器72垂直地設置於處理管18的外部。晶舟昇降器72是使晶舟在垂直方向昇降的昇降機構。即，晶舟昇降器72向處理室24搬入或從處理室24搬出晶舟66。
在旋轉機構58及晶舟昇降器72中利用電氣配線A以電氣連接驅動控制部76。驅動控制部76控制旋轉機構58及晶舟昇降器72，使其進行所要的動作，而且具有所要之時序。
作為溫度檢測器的溫度感測器78設置於處理管18內。
在加熱器14和溫度感測器78中，利用電氣配線D以電氣連接溫度控制部80。溫度控制部80根據由溫度感測器78所檢測之溫度資訊，控制對加熱器14的通電程度，以使處理室24內的溫度變成所要之溫度分布，而且具有所要之時序。
壓力控制部40、氣體流量控制部50、驅動控制部76以及溫度控制部80亦構成操作部及輸出入部，並和控制裝置10整體的主控制部82以電氣連接。
壓力控制部40、氣體流量控制部50、驅動控制部76、溫度控制部80以及主控制部82構成控制器84。
第2圖表示歧管28周邊之構造。
歧管28使用作為非金屬材料的石英，並形成為圓環形的扁平塊狀。歧管28形成為透明或半透明。
又，在歧管28的上部設置段差，而在下段形成載置內管22的第一載置部28a，及在上段形成載置後述之是吸熱構件的隔熱筒90的第二載置部28b。
又，第二載置部28b作為限制內管22之水平方向的位置的位置限制部，並在圓周方向整圈形成。
此外，第二載置部28b亦可不是在圓周方向整圈形成，而隔著既定之間隔，最好等間隔地形成。
在作為是外管20之開口部20a的下面之歧管28的第一接合面110，例如歧管28的上面，在圓周方向整圈所形成的槽，舖設例如以O環所形成之第3密閉構件85。
因此，藉由歧管28經由第3密閉構件85而和外管20之開口部20a的下面抵接，而氣密地封閉處理容器30的開口部。
第3圖表示在本發明之實施形態之具備有隔熱筒90之基板處理裝置之主要部的縱剖面圖。
第4圖表示本發明之實施形態的隔熱筒90。
隔熱筒90是吸熱構件，形成為圓環形，並具有下面90a，其和歧管28的第二載置部28b及內管22之開口部之突起部22a的上面接觸。
此外，雖然隔熱筒90使用作為非金屬材料的不透明石英，但是亦可使用對透明石英實施噴砂處理(不透明研磨)的。但，不透明石英之隔熱(遮熱)效果或吸熱效果比較大。
又，隔熱筒90未限定為一體形狀，亦可是二等分、三等分等的分割形狀。
又，隔熱筒90配置於和內管22同心圓上。
將內管22載置於歧管28的第一載置部28a。隔熱筒90的內面和內管22的外面抵接，從歧管28的第二載置部28b至內管22之開口部之突起部22a的上面，載置隔熱筒90的下面90a。
此外，在隔熱筒90和內管22之熱膨脹係數相異的情況下，亦可配置成隔熱筒90的內面和內管22的外面不會抵接，而形成間隙。
第5圖表示在本發明之實施形態之隔熱筒90的設置例。
將數個螺栓孔90b設置於隔熱筒90之下面90a，將數個螺絲攻孔28c設置於歧管28，並以係屬移動限制構件的螺栓91固定。因而，可防止金屬污染，限制隔熱筒90的移動，進而抑制內管22的翻倒。而且，可作為內管22的地震對策。螺栓91例如使用石英螺栓。
其次，說明使用以上構成的基板處理裝置10之本發明一實施形態之IC的製造方法的成膜步驟及其後面的動作。
此外，在以下說明中，構成基板處理裝置10之各部的動作由控制器84控制。
將複數片晶圓1裝填於晶舟66(wafer charge)時，如第1圖所示，保持有複數片晶圓1的晶舟66，由晶舟昇降器72抬高，並被搬入處理室24(boat loading)。
在此狀態下，密封蓋52成為經由第1密閉構件52a、密封蓋套54以及第2密閉構件54a而將歧管28之下面密封的狀態。
利用排氣裝置34排氣，使處理室24內變成所要之壓力(真空度)。此時，以壓力感測器36測量處理室24內的壓力，並根據該所測量的壓力，對壓力調整裝置38進行回授控制。
又，利用加熱器14加熱，使處理室24內變成所要之溫度，此時，根據溫度感測器78所檢測之溫度資訊，對加熱器14的通電程度進行回授控制，以使處理室24內變成所要之溫度分布。此外，此時，歧管28周邊為，利用隔熱筒90吸收並遮蔽來自加熱器14的熱，該隔熱筒90設置於歧管28的上面，且內管22的下端插置於該隔熱筒90及該 歧管28之間。
接著，藉由旋轉機構58使晶舟66旋轉，而晶圓1旋轉。
從氣體供給源48所供給並由MFC46控制成所要之流量的氣體在氣體供給管44中流動，並從氣體供給部42被引入處理室24內。
所引入的氣體在處理室24內上昇，並從內管22的上端開口向筒狀空間26流出，再從排氣管32排出。
在氣體通過處理室24內時，和晶圓1的表面接觸，此時利用熱CVD反應，而將薄膜沉積(deposition)於晶圓1的表面上。
經過所預定之處理時間時，從氣體供給源48供給惰性氣體，而將處理室24內置換成惰性氣體，同時使處理室24內的壓力回到常壓。
然後，利用晶舟昇降器72使密封蓋52下降，將處理室24的下端打開，同時已處理晶圓1在由晶舟66保持之狀態下，被搬至處理室24的外部(boat unloading)。
然後，從晶舟66取出已處理晶圓1(wafer discharge)。
在本實施形態中，從為了防止對晶圓1的金屬污染而使處理室24內之金屬變成最低限度的觀點，歧管28使用石英。如第2(a)圖所示，作為在處理室處理基板之步驟的製程時，因為複數片晶圓1和複數片不透明石英製的隔熱板68設置於內管22的內部，所以來自加熱器14的熱不會直接碰到第3密閉構件85，而第3密閉構件85的溫度變成耐熱溫度以下。可是，如第2(b)圖所示，在處理室不處理基板，例如作為處理基板之前階段的步驟之準備時，因為在內管22的內部未設置晶圓1和隔熱板68，所以來自加熱器14的熱照射直接照射於第3密閉構件85。尤其，因為第3密閉構件85設置於石英製之歧管28的槽，所以熱難逸出，第3密閉構件85的溫度變成耐熱溫度以上，而熱劣化，無法保持密封性能。此外，熱劣化進展時發生熔解，產生包含有導至基板之污染的有機物的廢氣(outgas)。
又，在以螺栓固定於歧管28而設置內管翻倒抑制構件的情況下，在內管22的內部處理基板中所產生之反應產生物(副產生物)可能黏附於內管翻倒抑制構件附近，在此反應產生物黏附之狀態下，被迫拆下內管翻倒抑制構件時，以非金屬材料所形成之螺栓或歧管可能裂開。
因此，在本實施形態中，將不透明製的隔熱筒90設置於內管22和外管20的下部之間，使得即使在準備時來自加熱器14的放射熱亦難直接照射於第3密閉構件85。利用此隔熱筒90，遮蔽來自熱源的放射熱，而可抑制第3密閉構件85的溫度上昇。因而，可一面保持第3密閉構件85的密封性能，一面抑制熱所引起的熔解。又，此外，設置隔熱筒90，使其成為內管22的地震對策。因而，隔熱筒90亦作為內管翻倒抑制構件發揮功能，而且因為隔熱筒90吸熱，所以成為帶熱之狀態，作為內管翻倒抑制構件的隔熱筒90發揮吸熱構件之功能，可抑制反應產生物附著於隔熱筒90附近。
如第6圖所示，在本發明之實施形態的基板處理裝置10中，將係屬熱源的加熱器14設定成700℃，比較不使用隔熱筒90的情況和使用的情況之第3密閉構件85周邊及隔熱筒90周邊的溫度。
在第3密閉構件85的上方之外管20之開口部附近的溫度在不使用隔熱筒90的情況下是278.7℃，而在使用隔熱筒90的情況下是255.2℃。即，使用隔熱筒90之降溫效果是-23.5℃。
又，第3密閉構件85附近的溫度在不使用隔熱筒90的情況下是265.9℃，而在使用隔熱筒90的情況下是250.5℃。即，使用隔熱筒90之降溫效果是-15.4℃。
又，在第3密閉構件85之下方的歧管28附近的溫度，在不使用隔熱筒90的情況是244.7℃，而在使用隔熱筒90的情況是232.7℃。即，使用隔熱筒90之降溫效果是-12.0℃。
因此，在第3密閉構件85周邊之任一個位置，都可藉由使用隔熱筒90，抑制溫昇。
又，隔熱筒90之歧管28側的溫度在不使用隔熱筒90的情況下是310.1℃，而在使用隔熱筒90的情況下是350.2℃。即，使用隔熱筒90之溫昇效果是40.1℃。
因此，在隔熱筒90周邊，可藉由使溫度上昇而抑制反應副產生物的黏附。
又，例如為了提高生產力，在處理結束後馬上降低加熱器14的溫度時，外管20和內管22之間的殘留氣體固化，而可能黏附壓住隔熱筒90或內管22的螺栓91等。可是，因為隔熱筒90吸熱而帶熱，所以在殘留氣體接觸隔熱筒90或螺栓91時，可抑制殘留氣體的固化。因而，可使得隔熱筒90和內管22的拆下變得容易。
第7圖表示在本發明之第2實施形態之隔熱筒90的設置例。
在第2實施形態中，設置從隔熱筒90之下面90a的外周部向垂直方向下方突出之作為移動限制構件的下部圓筒部90c。而且，將隔熱筒90的下部圓筒部90c插入在歧管28之第二載置部28b所形成的槽28d。因而，可抑制隔熱筒90之橫向的動作和斜上方的動作。同時，以隔熱筒90之下部圓筒部90c和形成於第二載置部28b的槽28d抑制內管22之橫向的動作。此外，將圓筒部90c之厚度A和槽28d之厚度B的關係設為A<B較佳。藉由如此地設定，而可抑制內管22向上方移動時所產生之轉動力矩。
依據第2實施形態，除了第1實施形態之效果以外，雖然如第1實施形態般以螺栓將隔熱筒90固定於槽28d時，由於熱及副產生物的影響，可能螺栓咬住歧管而無法拆下，亦可能必須更換歧管，但是依據本實施形態，因為未使用螺栓，所以可避免上述之難拆下的問題，可使得更易於進行拆裝作業。
作為本發明之第3實施形態，如第8圖所示，將隔熱筒90的高度設定成遮住來自發熱體之熱線的高度以上，以使從加熱器14的上端至下端為止之來自各個加熱器14，即發熱體的熱線不會直接到達第3密閉構件85。即將隔熱筒90的高度設為比連接加熱器14的上端14a和第3密閉構件85之線(熱線)高。因而，可抑制第3密閉構件85之溫升。
在此，由於設置隔熱筒90，位於遠離爐心之位置的排氣管32變成低溫，而副產生物可能附著。因此，在本發明之第4實施形態，如第9圖所示，設置缺口部90d，其和隔熱筒90之排氣管32相對向的部位上方被切出之缺口。因而，排氣管32局部地接受來自加熱器14的熱線，而可使排氣管32的溫度局部地上昇。而且，可防止副產生物附著於排氣管32。尤其，排氣管32內的排氣口附近下方，因為排氣路徑彎曲，所以副產生物易附著，但是藉由將缺口部90d之缺口底面的高度設定成來自加熱器14的熱線直接到達排氣管32內之排氣口附近下方的高度，可更加抑制副產生物的附著。
順便地，將配管加熱器設置於排氣管32的外周，這有費用變貴、空間變成浪費以及控制變得複雜之問題。可是，依據本發明之第4實施形態，可避免那些問題的產生。
又，為了防止缺口部90d周邊之密閉構件的溫升，亦可使設置缺口部90d之正下之隔熱筒90的厚度變厚。因而，可防止排氣管32周邊之第3密閉構件85的溫升。
第10圖表示本發明之第5實施形態。
在第5實施形態中，將埋頭孔28e設置於用以設置歧管28之外管20的面，將貫穿孔28f設置於歧管28之第二載置部28b的側壁。將作為抑制內管22之移動限制構件的內管銷95設置於埋頭孔28e及貫穿孔28f。因而，可防止內管22之橫向的偏移，藉由插入內管銷95，可防止內管22之縱向的偏移。
依據以上，雖然在以螺栓固定的情況下，因副產生物附著，而難拆下，但是藉由作成銷形狀，即使在副產生物附著的情況下，亦可易於拆下。又，使對晶圓之金屬污染變成最低限度，並在發生地震時可保護處理室內的石英元件。
第11圖表示本發明之第6實施形態。
在第1實施形態中，在以螺栓91固定隔熱筒90時，必須從螺栓孔90b的間隙窺視設置於歧管28的螺絲攻孔28c。又，因為相對於內管22之筒部大，而隔熱筒90之作為下端凸緣的下面90a比較小，所以難窺視。又，因為是外管20和內管22之間之狹窄的空間，所以無法使隔熱筒90的下面90a和螺栓91的尺寸變大，在第6實施形態中，替代第1實施形態之設置於是隔熱筒90之下端凸緣部之下面90a的螺栓孔90b，而將從下面90a之外周朝半徑方向被切掉的缺口90e設置於下面90a。而，屬於移動限制構件的螺栓91經由缺口90e，固定於歧管28的螺絲攻孔28c，以限制隔熱筒90的移動。因而，在將該螺栓91固定於歧管28的螺絲攻孔28c時，因為可從下端凸緣部側方視認螺絲攻孔位置，所以作業性提高，並可使下端凸緣部的尺寸變小。
第12圖表示在本發明之第7實施形態。
在上述實施形態中，在以螺栓91固定隔熱筒90時，可能在遠離裝置的位置以螺栓91將隔熱筒90固定於歧管28後，運至裝置。由於此搬運時的振動而螺栓91可能損壞。在第7實施形態中，在第1實施形態及第6實施形態的螺栓91使用是移動限制構件的螺栓92。螺栓92是凸肩螺栓，由插入歧管28之螺絲攻孔28c的下部92c和插入缺口90e之中部92b以及頭部92a所構成。中部92b構成為其直徑比下部92c大，而且比缺口90e小。又，中部92b構成為比隔熱筒90之下端凸緣部的厚度長。頭部92a構成為其直徑比中部92b大，而且比缺口90e大。即，將間隙設置於隔熱筒90之是下端凸緣部的下面90a和螺栓92的頭部92a之間。因而，防止振動所引起的的力直接傳至螺栓92，而可防止螺栓92的損壞。
本發明是有關於半導體製造技術，尤其是將被處理基板收容於處理室並在由加熱器加熱之狀態實施處理的熱處理技術，可應用於例如利用於在對已製入半導體積體電路裝置(半導體組件)之半導體晶圓進行氧化處理或擴散處理、擊入離子後之載子活化或平坦化所需的逆流(reflow)或退火以及藉熱CVD反應的成膜處理等所使用的基板處理裝置有效者。
依據本發明之一形態，提供一種基板處理裝置，其具有：加熱裝置，係對該外管內加熱；蓋體，係經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉；以及吸熱構件，係設置於 該歧管且該內管的下端插置於該吸熱構件及該歧管之間，該吸熱構件吸收來自該加熱裝置之熱且由非金屬材料所形成。
最好將排氣管設置於該外管或該歧管，並具有缺口部，其是該吸熱構件中和該排氣管相對向的部位上方被切出之缺口。
最好於該歧管的上部設置段差，在該段差的下段具有載置該內管的第一載置部，而在該段差的上段則具有載置該吸熱構件的第二載置部，並於該第二載置部設置限制該吸熱構件之移動的移動限制部。
最好於該歧管的上部設置段差，在該段差的下段具有載置該內管的第一載置部，而在該段差的上段則具有載置該吸熱構件的第二載置部，該吸熱構件的內面經由間隙而設置於該內管的外面，從該第二載置部至設置於被載置於該第一載置部之該內管之開口部側的下面設置該吸熱構件，在該吸熱構件的該下面形成在半徑方向被切掉的缺口部，並於該缺口部設置限制該吸熱構件之移動的移動限制部。
依據本發明之其他的形態，提供一種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置包含：外管、由和該外管連結之非金屬材料所形成的歧管以及在比該外管更內側被載置於該歧管的內管，該製造方法包含：封閉步驟，係一面將基板搬入該內管的內部，並一面經由密閉構件以蓋體對該歧管的開口部封閉；以及吸熱步驟，係一面以加熱裝置對位於該內管內的基板進行加熱處理，一面經由該內管的下端設置於該歧管之由非金屬材料所形成的吸熱構件吸收來自該加熱裝置的熱。
最好該歧管由透明石英構件所形成。
最好該吸熱構件由不透明石英構件所形成。
最好該吸熱構件具有突出部，而該突出部設置成插入設於該歧管的槽。
最好該吸熱構件至少延長至遮蔽熱線的位置，該熱線連接對設置於該加熱裝置的該基板加熱之發熱體的上端和該密閉構件。
最好該吸熱構件配置成和該內管成同心圓形。
依據本發明之另外的形態，提供一種基板處理裝置，其具有：外管、和該外管連結的歧管、在比該外管更內側被載置於該歧管並在內部處理基板的內管、設置於比該外管更外側並對該外管內加熱的加熱裝置、經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉的蓋體以及按壓該內管下端的按壓元件，將凸緣部形成於該內管的下端外側，在該歧管具有：載置該內管的內管載置部、自該內管載置部在外周對該內管載置部形成比該凸緣部之高度還高的突出部、以及自該突出部設置於外周的槽部，將該按壓元件的一端插入該突出部，同時將另一端插入該槽部。
依據本發明之另外的形態，提供一種基板處理裝置，其具有：外管、和該外管連結的歧管、在比該外管更內側被載置於該歧管並在內部處理基板的內管、設置於比該外管更外側並對該外管內加熱的加熱裝置、經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉的蓋體、以及按壓該內管下端的按壓元件，將凸緣部形成於該內管的下端外側，在該歧管具有：載置該內管的內管載置部、自該內管載置部在外周對該內管載置部形成比該凸緣部之高度還高的突出部、以及自該突出部設置於外周的槽部，將該按壓元件的一端插入該突出部，同時將另一端插入該槽部。
最好該歧管由透明石英構件所形成。
1．．．晶圓
10．．．基板處理裝置
12．．．處理爐
14．．．加熱器
18．．．處理管
20．．．外管
22．．．內管
24．．．處理室
28．．．歧管
28a．．．第一載置部
28b．．．第二載置部
30．．．處理容器
52．．．密封蓋
85．．．第3密閉構件
90．．．隔熱筒
90a．．．下面
91、92．．．螺栓
第1圖係在本發明之實施形態所使用之基板處理裝置的縱剖面圖。
第2圖係表示以往之基板處理裝置的主要部的縱剖面圖，(a)表示處理時，(b)表示準備時。
第3圖係表示在本發明之實施形態的歧管周邊的剖面圖。
第4圖係表示在本發明之實施形態之隔熱筒的形狀的立體圖。
第5圖係表示在本發明之實施形態之(a)設置隔熱筒時的縱剖面圖、(b)隔熱筒的立體圖。
第6圖係表示在本發明之實施形態之密閉構件周邊的溫度比較。
第7圖係表示在本發明之第2實施形態之(a)設置隔熱筒時的縱剖面圖、(b)隔熱筒的立體圖。
第8圖係表示在本發明之第3實施形態之基板處理裝置之熱照射的縱剖面圖。
第9圖係表示在本發明之第4實施形態之(a)設置隔熱筒時的縱剖面圖、(b)隔熱筒的立體圖。
第10圖係表示本發明之第5實施形態的主要部之(a)縱剖面圖、(b)立體圖。
第11圖係在本發明之第6實施形態之隔熱筒的立體圖。
第12圖係表示在本發明之第7實施形態之(a)隔熱筒的立體圖、(b)被安裝於隔熱筒之螺栓的立體圖。
(a)14．．．加熱器
20．．．外管
22．．．內管
24．．．處理室
28．．．歧管
28a．．．第一載置部
28b．．．第二載置部
28c．．．螺絲攻孔
85．．．第3密閉構件
90．．．隔熱筒
91．．．螺栓
(b)90．．．隔熱筒
91．．．螺栓
90a．．．下面
90a．．．螺栓孔

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其具有：外管；歧管，係和該外管連結；內管，係在比該外管更內側被載置於該歧管，並在內部處理基板；加熱裝置，係設置於比該外管更外側，並對該外管內部加熱；蓋體，係經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉；以及吸熱構件，係設置於該歧管且該內管的下端插置於該吸熱構件及該歧管之間，該吸熱構件吸收來自該加熱裝置之熱且由非金屬材料所形成。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中將排氣管設置於該外管或該歧管，該吸熱構件具有缺口部，該缺口部是該吸熱構件中和該排氣管相對向的部位上方被切除而成之缺口部。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中於該歧管的上部設置段差，在該段差的下段具有載置該內管的第一載置部，而在該段差的上段則具有載置該吸熱構件的第二載置部，並於該第二載置部設置限制該吸熱構件之移動的移動限制部。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中於該歧管的上部設置段差，在該段差的下段具有載置該內管的第一載置部，而在該段差的上段則具有載置該吸熱構件的第二載置部，該吸熱構件的內面隔著間隙而設置於該內管的外面，從該第二載置部至設置於被載置於該第一載置部之該內管之開口部側的下面設置該吸熱構件，在該吸熱構件的該下面形成有在半徑方向被切掉的缺口部，並於該缺口部設置限制該吸熱構件之移動的移動限制部。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該吸熱構件具有突出部，而該突出部設置成插入設於該歧管的槽。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該吸熱構件至少延長至遮蔽熱線的位置，該熱線連接對設置於該加熱裝置的該基板加熱之發熱體的上端和該密閉構件。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該移動限制構件是螺栓。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中該螺栓係構成為於該螺栓頭部和該吸熱構件的下面之間設置間隙。
  9. 一種基板處理裝置，其具有：外管、和該外管連結的歧管、在比該外管更內側被載置於該歧管並在內部處理基板的內管、設置於比該外管更外側並對該外管內加熱的加熱裝置、經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉的 蓋體、以及按壓該內管下端的按壓元件；將凸緣部形成於該內管的下端外側；該歧管具有：載置該內管的內管載置部、位於比該內管載置部更外周且相對於該內管載置部形成比該凸緣部之高度還高的突出部、以及設置於比該突出部更外周的槽部；將該按壓元件的一端插入該突出部，同時將另一端插入該槽部。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，該半導體裝置包含：外管、由和該外管連結的歧管以及在比該外管更內側被載置於該歧管的內管，該製造方法包含：封閉步驟，係一面將基板搬入該內管的內部，並一面經由密閉構件以蓋體對該歧管的開口部封閉；以及吸熱步驟，係一面以加熱裝置對位於該內管內的基板進行加熱處理，一面以由非金屬材料所形成的吸熱構件吸收來自該加熱裝置的熱，該吸熱構件設置於該歧管且該內管的下端插置於該吸熱構件及該歧管之間。
  11. 一種基板處理裝置，其具有：外管；歧管，係和該外管連結；內管，係在比該外管更內側被載置於該歧管，並在內部處理基板；加熱裝置，係設置於比該外管更外側，並對該外管內部加熱； 蓋體，係經由密閉構件對該歧管的開口部進行開閉；以及吸熱構件，係在該歧管的上方，設置於該內管的下端側與該外管的下端側之間，並吸收來自該加熱裝置的熱且由非金屬材料所形成。
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