JP2010219308A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010219308A5
JP2010219308A5 JP2009064394A JP2009064394A JP2010219308A5 JP 2010219308 A5 JP2010219308 A5 JP 2010219308A5 JP 2009064394 A JP2009064394 A JP 2009064394A JP 2009064394 A JP2009064394 A JP 2009064394A JP 2010219308 A5 JP2010219308 A5 JP 2010219308A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
substrate
processing container
containing gas
supplying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009064394A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010219308A (ja
JP5312996B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009064394A priority Critical patent/JP5312996B2/ja
Priority claimed from JP2009064394A external-priority patent/JP5312996B2/ja
Publication of JP2010219308A publication Critical patent/JP2010219308A/ja
Publication of JP2010219308A5 publication Critical patent/JP2010219308A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5312996B2 publication Critical patent/JP5312996B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (3)

  1. 処理容器内に基板を搬入する工程と、
    前記処理容器内に処理ガスを供給して基板に対して処理を行う工程と、
    前記処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、
    前記処理容器内に処理済基板がない状態で、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記処理容器内に付着または堆積した物質を酸化させる工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 処理容器内に基板を搬入する工程と、
    前記処理容器内に処理ガスを供給して基板に対して処理を行う工程と、
    前記処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、
    前記処理容器内に処理済基板がない状態で、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して前記処理容器内に付着または堆積した物質を酸化させる工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  3. 基板を処理する処理容器と、
    前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
    前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
    前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、
    前記処理容器内に基板を搬入または前記処理容器内から基板を搬出する基板搬送部と、
    前記処理容器内に基板を搬入し、処理ガスを供給して基板に対して処理を行い、前記処理容器内から処理済基板を搬出した後、前記処理容器内に処理済基板がない状態で、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内に付着または堆積した物質を酸化させるように、前記処理ガス供給系、前記基板搬送部、前記酸素含有ガス供給系、前記水素含有ガス供給系、および、前記圧力調整部を制御するコントローラと、
    を有することを特徴とする基板処理装置。
JP2009064394A 2009-03-17 2009-03-17 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 Active JP5312996B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009064394A JP5312996B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009064394A JP5312996B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010219308A JP2010219308A (ja) 2010-09-30
JP2010219308A5 true JP2010219308A5 (ja) 2012-08-30
JP5312996B2 JP5312996B2 (ja) 2013-10-09

Family

ID=42977825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009064394A Active JP5312996B2 (ja) 2009-03-17 2009-03-17 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5312996B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6035161B2 (ja) 2012-03-21 2016-11-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6125846B2 (ja) * 2012-03-22 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP6087236B2 (ja) * 2013-07-24 2017-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP7258826B2 (ja) * 2020-06-30 2023-04-17 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
CN115868009A (zh) 2020-09-16 2023-03-28 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、程序、衬底处理装置及衬底处理方法
JP7303168B2 (ja) 2020-09-30 2023-07-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737881A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Hitachi Ltd 薄膜生成装置の後処理方法およびその装置
US6114258A (en) * 1998-10-19 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Method of oxidizing a substrate in the presence of nitride and oxynitride films
JP2001250818A (ja) * 1999-12-28 2001-09-14 Tokyo Electron Ltd 酸化処理装置及びそのクリーニング方法
JP5008957B2 (ja) * 2006-11-30 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム
JP2008283148A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010219308A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2018166142A5 (ja)
JP2012104720A5 (ja)
JP2015053445A5 (ja)
JP2010267925A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
WO2010126902A3 (en) Temperature control of chemical mechanical polishing
GB201121034D0 (en) Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate
CN108074844A (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2010199160A5 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP2011252221A5 (ja)
JP2010161350A5 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2014208883A5 (ja)
TW200701345A (en) Film-forming apparatus and film-forming method
JP2016131210A5 (ja)
JP2011006782A5 (ja)
TWI336906B (ja)
JP2013080907A5 (ja)
JP2011063850A5 (ja)
JP2019067820A5 (ja)
KR20140118815A (ko) 실리콘 산화막의 형성 방법 및 실리콘 산화막의 형성 장치
JP2012084574A5 (ja)
JP2017050466A5 (ja)
JP2009246318A5 (ja)
JP2013197421A5 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2012231001A5 (ja)