CN111101116B - 工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。包括：至少两个工艺气体源；至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。对于K值较低的前驱体，可以在工艺气体源内存储该前驱体，这样，该前驱体可以经由两个并联的供气支路进入到工艺腔室内，可以降低该前躯体在供气管路的滞留，并且增加单次该前驱体进入工艺腔室的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1)，增加该前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。

Description

工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种工艺气体传输装置、一种原子层沉积方法以及一种原子层沉积设备。
背景技术
原子层沉积(Atomic Layer Deposition)是通过将气相前驱体交替地通入反应器并发生化学反应而形成沉积膜的一种方法，该技术可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，因此ALD是一种自限制的薄膜沉积技术。在ALD技术中，吸附为单分子层的化学吸附(物理吸附则为多分子层吸附)，通常可以用Langmuir模型(下述公式1)来描述。
其中，θ为前躯体气体分子在衬底表面的覆盖率，K为一常数，与吸附、解吸附的速率有关，P为反应前躯体的分压，θ随前躯体分压P的增大而增大。
在基本Langmuir方程中，当系数K值不同时，曲线呈现出“软”和“硬”的特性，如图1所示(纵坐标为覆盖率θ，横坐标为前躯体分压P)。显然，K值越大，曲线越“硬”，越容易达到饱和吸附值。以TMA/H2O的ALD工艺为例，这一曲线相当的“硬”，ALD设备上几乎无法观测到这样曲线的上升段，在极短的时间内，已经足以让TMA/H2O的覆盖率达到饱和。
根据研究发现，对于Bi(thd)3/H2O的ALD工艺而言，这样的曲线则“软”了许多，在较短的脉冲时间内，未能达到饱和吸附。
从吸附机制角度分析，以Bi(thd)3/H2O的ALD工艺为例，Bi(thd)3分子可以看做非极性分子，在基底上的吸附既有物理吸附也有化学吸附作用。物理吸附是一种通过范德瓦尔力的弱作用来实现的吸附，它是一种可逆的吸附过程。当物理吸附的Bi(thd)3分子占据基底表面时，化学吸附分子(Bi(thd)3)无法铺满整个基底表面。当较弱物理吸附的Bi(thd)3分子在H2O分子到达基底表面时解吸附，必然在衬底表面留下空的未占据点。或是物理吸附Bi(thd)3分子并未按照化学吸附的结构占据基底表面，而是错位吸附。若干个ALD循环后，生长的Bi2O3薄膜将覆盖未占据点和错位点，这些未占据点及错位将成为ALD薄膜的缺陷。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺气体传输装置、一种原子层沉积方法以及一种原子层沉积设备。
为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种工艺气体传输装置，用于向工艺腔室内传输工艺气体，包括：
至少两个工艺气体源；
至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在所述工艺腔室和对应的所述工艺气体源和所述工艺腔室之间；
其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。
可选地，所述供气管路还包括前段供气管路和后段供气管路；
所述前段供气管路包括前段入口和至少两个前段出口，所述前段入口与所述工艺气体源连接，各所述前段出口与对应的所述供气支路连接；
所述后段供气管路包括后段出口和至少两个后段入口，所述后段入口与对应的所述供气支路连接，所述后段出口与所述工艺腔室连接。
可选地，各所述供气支路上均串接有开关阀，用以控制对应的供气支路的通断。
可选地，所述工艺气体传输装置还包括：
至少两个稀释气体源；
至少两个稀释管路，每个所述稀释管路均连接在对应的所述稀释气体源和所述供气管路之间；
至少两个第一气体流量计，每个所述第一气体流量计均串接在对应的所述稀释管路上。
可选地，所述工艺气体传输装置还包括：
至少两个进气管路，每个所述进气管路的出口均与对应的所述工艺气体源连接；
至少两个载气源；
至少两个载气管路，每个所述载气管路的入口均与对应的所述载气源连接，每个所述载气管路的出口均与对应的所述进气管路的入口连接；
至少两个第二气体流量计，每个所述第二气体流量计均串接在对应的所述载气管路上。
可选地，所述工艺气体传输装置还包括至少两个载气旁路和至少两个三通阀；其中，
每个所述载气旁路的第一端均与对应的所述稀释管路连接；
每个所述三通阀的第一端均与对应的所述载气旁路的第二端连接，每个所述三通阀的第二端均与对应的所述载气管路的出口连接，每个所述三通阀的第三端均与对应的所述进气管路的入口连接。
本发明的第二方面，提供了一种原子层沉积方法，采用前文记载的所述的工艺气体传输装置，所述沉积方法包括依次执行的外循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
所述外循环沉积步骤具体包括：
步骤S110、其中一个所述工艺气体源中的第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S120、对所述工艺腔室抽真空；
步骤S130、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路；
步骤S140、判断循环次数是否达到所述外循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行所述工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110；
所述工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S150、其中一个所述工艺气体源中的所述第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S160、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路；
步骤S170、另外一个所述工艺气体源中的第二前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S180、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第二前驱体的所述供气管路；
步骤S190、判断循环次数是否达到所述工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S150。
可选地，所述外循环沉积步骤的工艺腔室压力大于所述工艺循环沉积步骤的工艺腔室压力；和/或，
所述外循环沉积步骤的稀释气体流量小于所述工艺循环沉积步骤的稀释气体流量。
可选地，所述沉积方法包括依次执行的内循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
所述内循环沉积步骤具体包括：
步骤S110’、其中一个所述工艺气体源中的第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S120’、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的供气管路；
步骤S130’、判断循环次数是否达到所述内循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行所述工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110’；
所述工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S140’、另外一个所述工艺气体源中的第二前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S150’、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第二前驱体的供气管路；
步骤S160’、判断循环次数是否达到所述工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S110’。
本发明的第三方面，提供了一种原子层沉积设备，包括工艺腔室以及用于向所述工艺腔室传输工艺气体的传输装置，所述传输装置采用前文记载的所述的工艺气体传输装置。
本发明的工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。其包括至少两个工艺气体源、至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。对于K值较低的前驱体，可以在工艺气体源内存储该前驱体，这样，该前驱体可以经由两个并联的供气支路进入到工艺腔室内，可以降低该前躯体在供气管路的滞留，并且增加单次该前驱体进入工艺腔室的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1)，增加该前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为不同K值的等温线示意图；
图2为本发明第二实施例中工艺气体传输装置的结构示意图；
图3为本发明第二实施例中原子层沉积方法的流程图；
图4为本发明第三实施例中原子层沉积方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图2所示，本发明的第一方面，涉及一种工艺气体传输装置100，用于向工艺腔室200内传输工艺气体，该工艺气体传输装置尤其可以适用于原子层沉积设备上。
如图2所示，工艺气体传输装置100包括至少两个工艺气体源110以及至少两个供气管路120。每个供气管路120连接在工艺腔室200和对应的工艺气体源110之间。其中，每个供气管路120可以均包括并联的至少两个供气支路130，各供气支路130用于选择性地将工艺气体源110和工艺腔室200连通。
具体地，如图2所示，工艺气体传输装置100可以只包括两个工艺气体源110和两个供气管路120，当然，除了可以包括两个工艺气体源110以及两个供气管路120以外，还可以包括其他数量的工艺气体源110和供气管路120。两个工艺气体源110分别为第一工艺气体源111和第二工艺气体源(图中并未示出)。两个供气管路120分别为第一供气管路121和第二供气管路122。其中，如图2所示，第一供气管路121可以包括两个并联的供气支路130，当然，该第一供气管路121还可以包括其他数量的供气支路130，可以根据实际需要确定。两个供气支路130分别为第一供气支路131和第二供气支路132。第二供气管路122可以与第一供气管路121类似，包括两个并联的供气支路130，当然，该第二供气管路122也可以仅仅为一路进气管路，不存在并联的分支管路，具体可以根据实际需要进行选择。
以将上述结构的工艺气体传输装置100应用于原子层沉积工艺为例进行说明：
具体地，在进行原子层沉积工艺时，根据背景技术部分的记载，对于K值较低的前驱体，例如Bi(thd)3，根据公式(1)：
如果要提高上述前驱体的覆盖率θ，应当要提高该前驱体的分压，也就是说，要提高前驱体进入工艺腔室200的输入量。为此，可以在第一工艺气体源111内存储该前驱体，这样，前驱体可以经由两个并联的供气支路130进入到工艺腔室200内，这样，可以降低前躯体在供气管路120的滞留，并且增加单次前驱体进入工艺腔室200的输入量。根据公式(1)，增加前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
如图2所示，供气管路120还包括前段供气管路150和后段供气管路160。其中，前段供气管路150包括前段入口(图中并未标号)和至少两个前段出口(图中并未标号)，前段入口与工艺气体源110连接，各前段出口与对应的供气支路130连接。后段供气管路160包括后段出口(图中并未标号)和至少两个后段入口(图中并未标号)，后段入口与对应的供气支路130连接，后段出口与工艺腔室200连接。
如图2所示，各供气支路130上均串接有开关阀140，例如，第一供气支路131上串接有第一开关阀141，第二供气支路132上串接有第二开关阀142。第一开关阀141用于控制第一供气支路131的通断，第二开关阀142用于控制第二供气支路132的通断。
需要说明的是，对于开关阀140的具体结构并没有作出限定，例如，开关阀140可以为脉冲阀等结构。
一般地，在进行原子层沉积工艺时，在前驱体进入工艺腔室的过程中，往往会同步传输稀释气体。为此，如图2所示，工艺气体传输装置100还包括至少两个稀释气体源(图中并未示出)、至少两个稀释管路170(图中仅仅示意了一个稀释管路170，另一个稀释管路并未示出)以及至少两个第一气体流量计MFC1(图中仅仅示意了一个第一气体流量计MFC1，另外一个第一气体流量计MFC1并未示出)。其中，稀释管路170连接在对应的稀释气体源和供气管路120之间。第一气体流量计MFC1串接在对应的稀释管路170上，以便控制稀释气体的流量。
一般地，在进行原子层沉积工艺时，前驱体往往是呈液态的物质，因此，为了尽可能地提高前驱体进入工艺腔室200的输入量。为此，如图2所示，工艺气体传输装置100还包括至少两个进气管路180(图中仅仅示意了一个进气管路180，另外一个进气管路并未示出)、至少两个载气源(图中并未示出)、至少两个载气管路191(图中仅仅示意了一个载气管路191，另外一个载气管路并未示出)以及至少两个第二气体流量计MFC2(图中仅仅示意了一个第二气体流量计MFC2，另外一个第二气体流量计MFC2并未示出)。其中，进气管路180的出口与对应的工艺气体源110连接。载气管路191的入口与对应的载气源连接，载气管路191的出口与对应的进气管路180的入口连接。第二气体流量计MFC2串接在对应的载气管路191上。在工艺时，可以利用载气源内所存储的载气(一般为氮气等)，控制载气通入存储前驱体的工艺气体源110中，从而可以使得该部分载气携带一部分前驱体进入工艺腔室200内。
如图2所示，工艺气体传输装置100还包括至少两个载气旁路192(图中仅仅示意了一个载气旁路192，另外一个载气旁路并未示出)和至少两个三通阀193(图中仅仅示意了一个三通阀193，另外一个三通阀并未示出)；其中，载气旁路192的第一端与稀释管路170连接。三通阀193的第一端与载气旁路192的第二端连接，三通阀193的第二端与载气管路191的出口连接，三通阀193的第三端与进气管路180的入口连接。
本发明的第二方面，如图3所示，提供了一种原子层沉积方法S100，采用前文记载的工艺气体传输装置100，具体可以参考前文相关记载，在此不作赘述。沉积方法包括依次执行的外循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
外循环沉积步骤具体包括：
步骤S110、其中一个工艺气体源中的第一前驱体经由对应的供气管路进入工艺腔室。
具体地，如图2所示，稀释气体(氮气)由第一气体流量计MFC1控制流量，经由稀释管路170汇入第一供气管路121。控制三通阀193，使得载气管路191与进气管路180连通。控制第一开关阀141和第二开关阀142开启，载气进入第一工艺气体源111，携带第一前驱体出源瓶。经由前段供气管路150、第一供气支路131和第二供气支路132，与稀释气体在后段供气管路160汇合后进入气体分配器，最终由气体分配器均匀分配至工艺腔室200内。
为增加第一前躯体在基底的饱和吸附，第一前躯体的稀释气体流量为小气流，气流量可以设定为0-500sccm。减少第一前躯体的稀释气体流量，提高第一前躯体的比例，即提高第一前躯体的分压。根据Langmuir公式，第一前躯体分压提高，有利于吸附率提升。腔室压力可以控制在5Torr，相比工艺循环沉积步骤的腔室压力小于等于1Torr，增加腔室压力也就是增加腔室工艺气体。基座到基底的热传导，不仅可以通过基座到基底的接触导热，并且可以通过增加工艺气体提供热量传递。所以工艺压力提高，基底升温速度提升，提高第一前躯体的吸附速率。
步骤S120、对工艺腔室抽真空。
管路阀门为关闭状态。第一前躯体的载气气体、第一前躯体的稀释气体、第二前躯体的载气气体、第二前躯体的稀释气体的流量计均设置为0sccm。腔室压力控制为0Torr，减少腔室通入气体流量，排出腔室内第一前躯体及其完成化学吸附的副产物。
步骤S130、吹扫工艺腔室以及传输第一前驱体的供气管路。
具体地，如图2所示，稀释气体经由稀释管路170，进入工艺腔室200。控制三通阀193，使得载气管路191和载气旁路192导通。载气经由载气管路191和载气旁路192，与稀释气体汇合，并由后段供气管路160进入气体分配器。
步骤S140、判断循环次数是否达到外循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110。
上述步骤S110至步骤S140为本发明所述外循环，其每个步骤所需时间，循环次数试工艺优化而定。根据优化试验，一般循环次数不超过5次。所述外循环步骤时长一般要长于工艺循环步骤时长，以保证充分饱和吸附或前躯体全部排除腔室。
工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S150、其中一个工艺气体源中的第一前驱体经由对应的供气管路进入工艺腔室。
具体地可以参考步骤S110，与步骤S110不同的是，步骤S110的工艺腔室压力大于步骤S150的工艺腔室压力，步骤S110的稀释气体流量小于步骤S150的稀释气体流量。
步骤S160、吹扫工艺腔室以及传输第一前驱体的供气管路，具体可以参考步骤S120。
步骤S170、另外一个工艺气体源中的第二前驱体经由对应的供气管路进入工艺腔室。
步骤S180、吹扫工艺腔室以及传输第二前驱体的供气管路。
步骤S190、判断循环次数是否达到工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S150。
本实施例的原子层沉积方法，采用前文记载的工艺气体传输装置100，并且，在沉积过程中，采用外循环沉积步骤和工艺循环沉积步骤的方式，从而可以进一步提高基底对第一前躯体的饱和吸附率，进而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
如图4所示，提供了另一实施例的原子层沉积方法S100’，沉积方法包括依次执行的内循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
内循环沉积步骤具体包括：
步骤S110’、其中一个工艺气体源中的第一前驱体经由对应的供气管路进入工艺腔室；
步骤S120’、吹扫工艺腔室以及传输第一前驱体的供气管路；
步骤S130’、判断循环次数是否达到内循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110’；
工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S140’、另外一个工艺气体源中的第二前驱体经由对应的供气管路进入工艺腔室；
步骤S150’、吹扫工艺腔室以及传输第二前驱体的供气管路；
步骤S160’、判断循环次数是否达到工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S110’。
本实施例的原子层沉积方法，采用前文记载的工艺气体传输装置100，并且，在沉积过程中，采用内循环沉积步骤和工艺循环沉积步骤的方式，从而可以进一步提高基底对第一前躯体的饱和吸附率，进而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
本发明的第三方面，提供了一种原子层沉积设备，包括工艺腔室以及用于向工艺腔室传输工艺气体的传输装置，传输装置采用前文记载的的工艺气体传输装置。
本实施例结构的原子层沉积设备，具有前文记载的工艺气体传输装置100，其包括至少两个工艺气体源110、至少两个供气管路120，每个供气管路120连接在对应的工艺气体源110和工艺腔室200之间；每个供气管路120均包括并联的至少两个供气支路130，各供气支路130用于选择性地将工艺气体源110和工艺腔室200连通。对于K值较低的前驱体，可以在第一工艺气体源111内存储该前驱体，这样，前驱体可以经由两个并联的供气支路130进入到工艺腔室200内，可以降低该前躯体在供气管路120的滞留，并且增加单次该前驱体进入工艺腔室200的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1)，增加该前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种工艺气体传输装置，用于向工艺腔室内传输工艺气体进行原子层沉积工艺，其特征在于，所述工艺气体传输装置包括：
至少两个工艺气体源；
至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在所述工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；所述至少两个工艺气体源交替地通过各自对应的所述供气管路向所述工艺腔室内通入所述工艺气体，所述工艺气体包括前驱体；
其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通；
各所述供气支路上均串接有开关阀，用以控制对应的供气支路的通断，其中：
在进行原子层沉积工艺的过程中，处于供气状态的所述工艺气体源对应的各所述开关阀处在打开状态，以使所述工艺气体源对应的并联的至少两个供气支路处于通路状态，以用于降低工艺气体在相应的供气管路中的滞留来增加单次进入到工艺腔室的前驱体输入量。
2.根据权利要求1所述的工艺气体传输装置，其特征在于，所述供气管路还包括前段供气管路和后段供气管路；
所述前段供气管路包括前段入口和至少两个前段出口，所述前段入口与所述工艺气体源连接，各所述前段出口与对应的所述供气支路连接；
所述后段供气管路包括后段出口和至少两个后段入口，所述后段入口与对应的所述供气支路连接，所述后段出口与所述工艺腔室连接。
3.根据权利要求1所述的工艺气体传输装置，其特征在于，所述工艺气体传输装置还包括：
至少两个稀释气体源；
至少两个稀释管路，每个所述稀释管路均连接在对应的所述稀释气体源和所述供气管路之间；
至少两个第一气体流量计，每个所述第一气体流量计均串接在对应的所述稀释管路上。
4.根据权利要求3所述的工艺气体传输装置，其特征在于，所述工艺气体传输装置还包括：
至少两个进气管路，每个所述进气管路的出口均与对应的所述工艺气体源连接；
至少两个载气源；
至少两个载气管路，每个所述载气管路的入口均与对应的所述载气源连接，每个所述载气管路的出口均与对应的所述进气管路的入口连接；
至少两个第二气体流量计，每个所述第二气体流量计均串接在对应的所述载气管路上。
5.根据权利要求4所述的工艺气体传输装置，其特征在于，所述工艺气体传输装置还包括至少两个载气旁路和至少两个三通阀；其中，
每个所述载气旁路的第一端均与对应的所述稀释管路连接；
每个所述三通阀的第一端均与对应的所述载气旁路的第二端连接，每个所述三通阀的第二端均与对应的所述载气管路的出口连接，每个所述三通阀的第三端均与对应的所述进气管路的入口连接。
6.一种原子层沉积方法，其特征在于，采用权利要求1至5中任意一项所述的工艺气体传输装置，所述沉积方法包括依次执行的外循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
所述外循环沉积步骤具体包括：
步骤S110、其中一个所述工艺气体源中的第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S120、对所述工艺腔室抽真空；
步骤S130、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路；
步骤S140、判断循环次数是否达到所述外循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行所述工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110；
所述工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S150、其中一个所述工艺气体源中的所述第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S160、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的所述供气管路；
步骤S170、另外一个所述工艺气体源中的第二前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S180、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第二前驱体的所述供气管路；
步骤S190、判断循环次数是否达到所述工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S150。
7.根据权利要求6所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述工艺气体传输装置为权利要求3所述的工艺气体传输装置：
所述外循环沉积步骤的工艺腔室压力大于所述工艺循环沉积步骤的工艺腔室压力；和/或，
所述外循环沉积步骤的稀释气体流量小于所述工艺循环沉积步骤的稀释气体流量。
8.一种原子层沉积方法，其特征在于，采用权利要求1至5中任意一项所述的工艺气体传输装置，所述沉积方法包括依次执行的内循环沉积步骤以及工艺循环沉积步骤；
所述内循环沉积步骤具体包括：
步骤S110’、其中一个所述工艺气体源中的第一前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S120’、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第一前驱体的供气管路；
步骤S130’、判断循环次数是否达到所述内循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，执行所述工艺循环沉积步骤，若否，执行步骤S110’；
所述工艺循环沉积步骤具体包括：
步骤S140’、另外一个所述工艺气体源中的第二前驱体经由对应的所述供气管路进入所述工艺腔室；
步骤S150’、吹扫所述工艺腔室以及传输所述第二前驱体的供气管路；
步骤S160’、判断循环次数是否达到所述工艺循环沉积步骤的预设的循环次数，若是，则结束沉积工艺，若否，则执行步骤S110’。
9.一种原子层沉积设备，包括工艺腔室以及用于向所述工艺腔室传输工艺气体的传输装置，其特征在于，所述传输装置采用权利要求1至5中任意一项所述的工艺气体传输装置。
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