CN219195127U - 一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，包括：容器，用于容置前驱体；载气管路，通过容器与反应腔室连通；稀释气体管路，与载气管路靠近反应腔室一端连通，以通过载气管路与反应腔室连通；第一管路隔离部件，设置于载气管路上、且位于连通容器与稀释气体管路之间的载气管路上，第一管路隔离部件用于在开启时隔离载气管路；抽气管路和第二抽气装置，抽气管路的第一端与载气管路连通、且第一端连接于容器与管路隔离部件之间的载气管路上，抽气管路的第二端与第二抽气装置连通；解决现有技术中原子层沉积的进气系统导致的各个步骤完成工艺目的所需时间较长，导致产能较低的问题。

Description

一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，更具体地，涉及一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备。

背景技术

半导体工艺中，集成电路制造主要包含三大工艺：薄膜、光刻和刻蚀。随着技术水平的不断进步，先进的集成电路设计对薄膜沉积工艺的要求越来越苛刻。随着集成电路制造者不断追求更薄的目标厚度、更好的均匀性和台阶覆盖率，原子层沉积(Atomic LayerDeposition，ALD)这一新兴的薄膜沉积工艺在集成电路制造领域得到了越来越多的关注，其独特的自限制生长(Self limiting growth)可以满足业界对薄膜沉积工艺的要求。但是自限制生长这一特性也导致了原子层沉积的薄膜沉积速率较低，产能远远无法和传统薄膜沉积工艺如物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)或化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，CVD)相媲美。

在热型原子层沉积(Thermal Atomic Layer Deposition，T-ALD)工艺过程中，会有2种反应源交替进入反应腔室，从而通过化学吸附均匀的布满衬底表面或在衬底表面发生化学反应。一个T-ALD循环通常分为4步：1、第一前驱体进入反应腔室；2、吹扫；3、第二前驱体进入反应腔室；4、吹扫。在现有原子层沉积设备中，反应源进入反应腔室的步骤中，反应源会先充满气路而后才进入反应腔室，导致时间延长工作效率的降低；吹扫的步骤中，上一步骤积累于气路中的反应源会首先进入腔室，而后再从腔室中被除去，造成了吹扫时间的增加。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术中存在的不足，提供一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备，解决现有技术中原子层沉积的进气系统导致的各个步骤完成工艺目的所需时间较长，导致产能较低的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种用于原子层沉积的进气系统，所述进气系统与反应腔室连通，所述反应腔室底部设置有排气管路和与所述排气管路连接的第一抽气装置，其特征在于，所述进气系统包括：至少两组气路结构；所述至少两组气路结构中每一组气路结构包括：

容器，所述容器用于容置前驱体；

载气管路，所述载气管路通过所述容器与反应腔室连通；

稀释气体管路，所述稀释气体管路与所述载气管路靠近所述反应腔室一端连通，以通过所述载气管路与所述反应腔室连通；

第一管路隔离部件，所述第一管路隔离部件设置于所述载气管路上、且位于连通所述容器与所述稀释气体管路之间的所述载气管路上，所述第一管路隔离部件用于在开启时隔离所述载气管路；

抽气管路和第二抽气装置，所述抽气管路的第一端与所述载气管路连通、且所述第一端连接于所述容器与所述管路隔离部件之间的所述载气管路上，所述抽气管路的第二端与所述第二抽气装置连通。

可选地，所述每一组气路结构还包括：位于所述抽气管路上的第二管路隔离部件，所述第二管路隔离部件用于在开启时隔离所述抽气管路。

可选地，所述第一管路隔离部件包括气动阀；和/或所述第二管路隔离部件包括气动阀。

可选地，所述每一组气路结构还包括：位于所述抽气管路上的限流装置，所述限流装置用于限制所述第二抽气装置对所述抽气管路的抽气速率，以使所述第二抽气装置对所述抽气管路的抽气速率小于所述第一抽气装置通过所述反应腔室对所述载气管路的抽气速率。

可选地，所述限流装置包括针阀和限流垫片中至少一种。

可选地，所述至少两组气路结构中每一组气路结构公共一个所述第二抽气装置。

可选地，每一所述载气管路包括：第一连接管路、第二连接管路、第一阀门和第二阀门；

所述第一连接管路与所述容器的进口连接，所述第二连接管路连接于所述容器的出口与所述反应腔室之间；

所述第一阀门位于所述第一连接管路上，所述第二阀门位于所述第二连接管路上。

可选地，每一所述载气管路还包括：第三连接管路和第三阀门；

所述第三阀门位于所述第三连接管路上，所述第三连接管路连接于所述第一连接管路和所述第二连接管路之间。

可选地，每一所述稀释气体管路上还设置有第四阀门。

本实用新型还提供一种半导体工艺设备，包括：反应腔室和上述的进气系统；

所述反应腔室内设置有承载部件，所述承载部件用于承载衬底，所述反应腔室内所述承载部件的上方设置有匀流部件；

所述进气系统中每一所述载气管路与所述匀流部件连接。

本实用新型提供一种用于原子层沉积的进气系统及半导体工艺设备，其有益效果在于：该用于原子层沉积的进气系统在每一组气路结构的载气管路上设置有第一管路隔离部件，开启时能够起到隔离载气管路的作用，以包括两组气路结构为例，第一组气路结构用于输送第一前驱体和第一稀释气体，第二组气路结构用于输送第二前驱体和第二稀释气体，在将第二前驱体向反应腔室中输入之前，关闭输送第一前驱体的载气管路上的第一管路隔离部件可以切断该载气管路，可于被切断的载气管路中储存第一前驱体，在下次再将第一前驱体向反应腔室中输入时，降低第一前驱体进入反应腔室内所需的时间，同时被切断的载气管路被吹扫的部分变短，也可以减少第一前驱体输入反应腔室之后的吹扫步骤的所需时间，进而起到提供产能的效果。

本实用新型的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

通过结合附图对本实用新型示例性实施方式进行更详细的描述，本实用新型的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本实用新型示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1示出了现有技术中的一种进气结构的示意图。

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的一种用于原子层沉积的进气系统的结构示意图。

附图标记说明：

1、第一容器；2、第二容器；3、第一载气管路；4、第二载气管路；5、反应腔室；6、第一稀释气体管路；7、第二稀释气体管路；8、第一管路隔离部件A；9、第一管路隔离部件B；10、第一隔离管路；11、第二隔离管路；12、第二抽气装置；13、第一抽气管路；14、第二抽气管路；15、第二管路隔离部件A；16、第二管路隔离部件B；17、第一限流装置；18、第二限流装置；19、第一阀门A；20、第二阀门A；21、第三阀门A；22、第一阀门B；23、第二阀门B；24、第三阀门B；25、第四阀门A；26、第四阀门B；27、承载部件；28、衬底；29、匀流部件；30、蝶阀；31、干泵；32、第一工艺气体；33、第二工艺气体；34、第三工艺气体；35、第四工艺气体。

具体实施方式

下面将更详细地描述本实用新型的优选实施方式。虽然以下描述了本实用新型的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本实用新型而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本实用新型更加透彻和完整，并且能够将本实用新型的范围完整地传达给本领域的技术人员。

如图1，现有技术中的一种进气结构采用液态铪源与水反应制备氧化铪薄膜，该进气结构包括：第一容器1和第二容器2，第一容器1和第二容器2分别用于盛装第一前驱体和第二前驱体；第一载气管路3和第二载气管路4，分别经过第一容器1和第二容器2并用于与反应腔室5连接；第一稀释气体管路6和第二稀释气体管路7，分别与第一载气管路3和第二载气管路4连接。其原子层沉积工艺分为四个主要步骤进行，各步骤工艺目的解释如下：

步骤1)、第一前驱体(例如金属有机前驱体)进入反应腔室5，通过化学吸附或化学反应铺满衬底28表面；

步骤2)、氮气或氩气吹扫，将多余的第一前驱体和步骤1)中的副产物从反应腔室5中除去；

步骤3)、第二前驱体(例如水蒸气)进入反应腔室5，通过化学吸附或化学反应铺满衬底28表面；

步骤4)、氮气或氩气吹扫，将多余的第二前驱体和步骤3)中的副产物从反应腔室5中除去。

以上4个步骤为一个ALD循环，重复进行，即可持续沉积氧化铪薄膜。

在采用现有技术中的进气结构进行原子层沉积工艺中，在步骤1)的过程中，工艺气体携带第一前驱体首先填充第一载气管路3，而后才进入反应腔室5，在步骤3)的过程中同理需要先填充第二载气管路4。在步骤2)的过程中，工艺气体先将第一载气管路3中残留的第一前驱体吹扫进入反应腔室5，而后才能吹扫清除反应腔室5内多余的第一前驱体，在步骤4)的过程中同理需要先将第二载气管路4中残留的第二前驱体吹扫进入反应腔室5；导致了各步骤完成工艺目的所需的时间(cycle time)被延长，从而导致产能降低。

如图2所示，为解决现有技术中存在的原子层沉积的进气系统导致的各个步骤完成工艺目的所需时间较长，导致产能较低的问题；本实用新型提供一种用于原子层沉积的进气系统，进气系统与反应腔室5连通，反应腔室5底部设置有排气管路和与排气管路连接的第一抽气装置，该进气系统主要包括：至少两组气路结构；该至少两组气路结构中每一组气路结构可以包括：容器，载气管路，稀释气体管路，第一管路隔离部件，抽气管路和第二抽气装置12。其中，容器用于容置前驱体；载气管路可以通过容器与反应腔室连通；稀释气体管路与载气管路靠近反应腔室一端连通，以通过载气管路与反应腔室连通；第一管路隔离部件设置于载气管路上、且位于连通容器与稀释气体管路之间的载气管路上，第一管路隔离部件用于在开启时隔离载气管路；抽气管路的第一端与载气管路连通、且第一端连接于容器与管路隔离部件之间的载气管路上，抽气管路的第二端与第二抽气装置12连通。

具体的，该用于原子层沉积的进气系统在每一组气路结构的载气管路上设置有第一管路隔离部件，开启时能够起到隔离载气管路的作用，以包括两组气路结构为例，第一组气路结构用于输送第一前驱体和第一稀释气体，第二组气路结构用于输送第二前驱体和第二稀释气体，在将第二前驱体向反应腔室5中输入之前，关闭输送第一前驱体的载气管路上的第一管路隔离部件可以切断该载气管路，可于被切断的载气管路中储存第一前驱体，在下次再将第一前驱体向反应腔室5中输入时，降低第一前驱体进入反应腔室5内所需的时间，同时被切断隔离的载气管路的被吹扫的部分变短，也可以减少第一前驱体输入反应腔室5之后的吹扫步骤的所需时间，进而起到提供产能的效果。

进一步的，气路结构一般设置有两组，但也不限于两组，可以根据工艺需要设置更多组，现以气路结构为两组为例，两组气路结构中的容器分别为第一容器1和第二容器2，第一容器1和第二容器2内分别用于盛装第一前驱体和第二前驱体；两个载气管路分别为第一载气管路3和第二载气管路4，第一载气管路3和第二载气管路4分别用于传输第一工艺气体32和第二工艺气体33；两个稀释气体管路分别为第一稀释气体管路6和第二稀释气体管路7，第一稀释气体管路6和第二稀释气体管路7分别用于传输第三工艺气体34和第四工艺气体35；两个第一管路隔离部件分别为第一管路隔离部件A8和第一管路隔离部件B9；两个抽气管路分别为第一抽气管路13和第二抽气管路14，第一抽气管路13和第二抽气管路14均连接第二抽气装置12。

那么，在将第二前驱体向反应腔室5中输入之前，关闭第一管路隔离部件A8可以切断第一载气管路3，可于被切断的第一载气管路3中储存第一前驱体，在下次再将第一前驱体向反应腔室5中输入时，降低反应源进入反应腔室5内所需的时间，同时被切断的第一载气管路3被吹扫的部分变短，也可以减少第一前驱体输入反应腔室5之后的吹扫步骤的所需时间，进而起到提供产能的效果；第一管路隔离部件B9与第一管路隔离部件A8同理，也可以起到相同作用。

在本实施例中，如图1所示，第一载气管路3在其与第一稀释气体管路6连接点的下游形成第一隔离管路10，第二载气管路4在其与第二稀释气体管路7连接的下游形成第二隔离管路11，第一管路隔离部件A8在第一载气管路3上靠近第一载气管路3与第一稀释气体管路6连接点的位置设置，当第一管路隔离部件A8关闭时，第一载气管路3内的的第一前驱体储存在其内，不再进入第一隔离管路10，使得在进行吹扫时，吹扫气体不需要吹扫整个第一载气管路3内残留的第一前驱体，吹扫气体经过第一隔离管路10进入反应腔室5进行吹扫，减少吹扫所需时间；并且，在下一次再需要将第一前驱体输入反应腔室5时，由于储存在第一载气管路3内的第一前驱体的存在，第一前驱体也不需要再次填满整个第一载气管路3，只需要填满第一隔离管路10即可进入反应腔室5进行反应，减少了前驱体的浪费，增加了经济效益，也缩短了第一前驱体的输送时间。

可选地，每一组气路结构还包括：位于抽气管路上的第二管路隔离部件，第二管路隔离部件用于在开启时隔离抽气管路。

具体的，第一抽气管路13和第二抽气管路14均与第二抽气装置12连接，通过第二抽气装置12能够将第一隔离管路10和第二隔离管路11中残留的第一前驱体和第二前驱体加速抽出，进一步缩短吹扫步骤的所需时间。

进一步的，以第一抽气管路13为例，其连接在第一管路隔离部件A8与第一稀释气体管路6之间的第一载气管路3上，并连接在与反应腔室5不连通的第二抽气装置12上，防止第一载气管路3被第一管路隔离部件A8切断后，第一管路隔离部件A8的下游端出现死区。

在本实施例中，两个第二管路隔离部件分别为第二管路隔离部件A15和第二管路隔离部件B16，第二管路隔离部件A15和第二管路隔离部件B16的设置使得第二抽气装置12、第一抽气管路13与第二抽气管路14投入使用的时机能够灵活控制，以第一抽气管路13上的第二管路隔离部件A15为例，第一前驱体输入反应腔室5的步骤时关闭第二管路隔离部件A15，可以避免第一前躯体源进入反应腔室5步骤时第一前驱体通过第一抽气管路13被抽走，避免了第一前驱体的浪费。

可选地，第一管路隔离部件包括气动阀；和/或第二管路隔离部件包括气动阀。

在本实施例中，第一管路隔离部件和第二管路隔离部件均采用气动阀，便于实现自动化控制。

可选地，每一组气路结构还包括：位于抽气管路上的限流装置，限流装置用于限制第二抽气装置12对抽气管路的抽气速率，以使第二抽气装置12对抽气管路的抽气速率小于第一抽气装置通过反应腔室5对载气管路的抽气速率。

在本实施例中，第一抽气管路13和第二抽气管路14上分别设置有第一限流装置17和第二限流装置18。

具体的，第一限流装置17和第二限流装置18的设置能够使得第一抽气管路13和第二抽气管路14的抽气速率远低于反应腔室5的排气速率，不会造成反应腔室5内气体反流进入第一隔离管路10和第二隔离管路11。

可选地，限流装置包括针阀和限流垫片中至少一种。

具体的，可以根据需要选用合适的限流装置，第一限流装置17和第二限流装置18使得第二抽气装置12通过第一抽气管路13和第二抽气管路14的抽气速率远小于反应腔室5的排气速率即可。

可选地，至少两组气路结构中每一组气路结构公共一个第二抽气装置12。

在本实施例中，两组气路结构共用同一个第二抽气装置12。

可选地，每一载气管路包括：第一连接管路、第二连接管路、第一阀门和第二阀门；

第一连接管路与容器的进口连接，第二连接管路连接于容器的出口与反应腔室5之间；

第一阀门位于第一连接管路上，第二阀门位于第二连接管路上。

具体的，第一阀门和第二阀门打开时，工艺气体能够携带前驱体进入反应腔室5。

可选地，每一载气管路还包括：第三连接管路和第三阀门；

第三阀门位于第三连接管路上，第三连接管路连接于第一连接管路和第二连接管路之间。

具体的，在第一阀门和第二阀门均关闭且第三阀门打开时，工艺气体不携带前驱体进入反应腔室5，进行吹扫工艺。

在本实施例中，第一容器1上连接第一连接管路A和第二连接管路A，第一连接管路A和第二连接管路A上分别为第一阀门A19和第二阀门A20；第二容器2上连接第一连接管路B和第二连接管路B，第一连接管路B和第二连接管路B上分别为第一阀门B22和第二阀门B23；第一连接管路A和第二连接管路A之间连接第三连接管路A，第一连接管路B和第二连接管路B之间连接第三连接管路B，第三连接管路A和第三连接管路B上分别为第三阀门A21和第三阀门B24；当第一阀门A19和第二阀门A20打开而第三阀门A21关闭时，工艺气体能够携带第一容器1内的第一前驱体进入反应腔室5，当第一阀门B22和第二阀门B23打开而第三阀门B24关闭时，工艺气体能够携带第二容器2内的第二前驱体进入反应腔室5。

可选地，每一稀释气体管路上还设置有第四阀门。

在本实施例中，两个第四阀门分别为设置在第一稀释气体管路6上的第四阀门A25和设置在第二稀释气体管路7上的第四阀门B26。

具体的，第四阀门A25和第四阀门B26分别用于控制第一稀释气体管路6和第二稀释气体管路7的通断，进而实现对第一稀释气体管路6和第二稀释气体管路7中吹扫气体的控制。

本实用新型还提供一种半导体工艺设备，包括：反应腔室5和上述的进气系统；

反应腔室5内设置有承载部件27，承载部件27用于承载衬底28，反应腔室5内承载部件27的上方设置有匀流部件29；

进气系统中每一载气管路与匀流部件29连接。

具体的，反应腔室5的排气由第一抽气装置完成，第一抽气装置设置在反应腔室5的底部，承载部件27可以为加热底座，加热底座对衬底28进行支撑和加热，第一载气管路3和第二载气管路4均连接在匀流部件29上，匀流部件29使得工艺气体均匀进入反应腔室5内进行反应。

可选地，第一抽气装置包括排气管路和依次设置在排气管路上的蝶阀30和干泵31。

具体的，通过干泵31实现对反应腔室5内进行排气，由蝶阀30控制其排气时机。

综上，本实用新型提供的半导体工艺设备采用上述用于原子层沉积的进气系统，该进气系统可以在现有技术中的进气结构的基础上进行改造，改造难度小，改造成本低。以一次原子层沉积工艺为例：

假设第一载气管路3、第二载气管路4、第一稀释气体管路6、第二稀释气体管路7中分别输送第一工艺气体32、第二工艺气体33、第三工艺气体34、第四工艺气体35，且流量分别为a、b、c、d。

步骤1、第一阀门A19、第二阀门A20、第一管路隔离部件A8、第二管路隔离部件B16、第四阀门A25和第四阀门B26开启，第三阀门A21、第二管路隔离部件A15、第一阀门B22、第二阀门B23、第三阀门B24、第一管路隔离部件B9关闭，第二工艺气体33流量降低为0，第四工艺气体35流量增加至2d，第一工艺气体32和第三工艺气体34流量为分别为a、c，第一前驱体通过第一载气管路3进入反应腔室5，于衬底28表面发生化学吸附或化学反应；

步骤2、第二管路隔离部件A15、第二管路隔离部件B16、第四阀门A25、第四阀门B26开启，第一阀门A19、第二阀门A20、第三阀门A21、第一管路隔离部件A8、第一管路隔离部件B9、第一阀门B22、第二阀门B23、第三阀门B24关闭，第一工艺气体32流量降为0，此时因第一管路隔离部件A8的作用，有部分携带第一前驱体的第一反应气体被储存于第一载气管路3中，第三工艺气体34流量增加至2c，第一抽气管路13与第二抽气装置12发挥抽气功能，将第一稀释气体管路6与第一隔离管路10连接点上游的管路中残留的第一前驱体抽走，因第一限流装置17的作用，第一抽气管路13的抽气速率远低于排气组件通过反应腔室5对第一隔离管路10连接点下游的管路的抽气速率，不会造成反应腔室5内气体反流进入第一隔离管路10，第一工艺气体32和第二工艺气体33的流量分别为0和2d，第一隔离管路10和反应腔室5内残留的第一前驱体和反应副产物被迅速清除；

步骤3、第二管路隔离部件A15、第一阀门B22、第二阀门B23、第一管路隔离部件B9、第四阀门A25和第四阀门B26开启，第一阀门A19、第二阀门A20、第三阀门A21、第一管路隔离部件A8、第三阀门B24、第二管路隔离部件B16关闭，第二工艺气体33和第四工艺气体35流量分别恢复为b和d，第一工艺气体32和第三工艺气体34流量分别为0和2c，第二前驱体通过第二载气管路4进入反应腔室5，于衬底28表面发生化学吸附或化学反应；

步骤4、第二管路隔离部件A15、第二管路隔离部件B16、第四阀门A25、第四阀门B26开启，第一阀门A19、第二阀门A20、第三阀门A21第一管路隔离部件A8、第一阀门B22、第二阀门B23、第三阀门B24第一管路隔离部件B9关闭，第二工艺气体33流量降为0，此时因第一管路隔离部件B9的作用，有部分携带第二前驱体的第二工艺气体33被储存于第二载气管路4中，第四工艺气体35流量增加至2d，第二抽气管路14与第二抽气装置12发挥抽气功能，将第二稀释气体管路7与第二隔离管路11连接点的上游的管路中残留的第二前驱体抽走，因第二限流装置18的作用，第二抽气管路14的抽气速率远低于排气组件通过反应腔室5对第二隔离管路11连接点下游的管路的抽气速率，不会造成反应腔室5内气体反流进入第二隔离管路11，第一工艺气体32和第三工艺气体34流量分别为0和2c，第二隔离管路11和反应腔室5内残留的第二前驱体和反应副产物被迅速清除。

以上已经描述了本实用新型的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种用于原子层沉积的进气系统，所述进气系统与反应腔室连通，所述反应腔室底部设置有排气管路和与所述排气管路连接的第一抽气装置，其特征在于，所述进气系统包括：至少两组气路结构；所述至少两组气路结构中每一组气路结构包括：

容器，所述容器用于容置前驱体；

载气管路，所述载气管路通过所述容器与反应腔室连通；

稀释气体管路，所述稀释气体管路与所述载气管路靠近所述反应腔室一端连通，以通过所述载气管路与所述反应腔室连通；

第一管路隔离部件，所述第一管路隔离部件设置于所述载气管路上、且位于连通所述容器与所述稀释气体管路之间的所述载气管路上，所述第一管路隔离部件用于在开启时隔离所述载气管路；

抽气管路和第二抽气装置，所述抽气管路的第一端与所述载气管路连通、且所述第一端连接于所述容器与所述管路隔离部件之间的所述载气管路上，所述抽气管路的第二端与所述第二抽气装置连通。

2.根据权利要求1所述的进气系统，其特征在于，所述每一组气路结构还包括：位于所述抽气管路上的第二管路隔离部件，所述第二管路隔离部件用于在开启时隔离所述抽气管路。

3.根据权利要求2所述的进气系统，其特征在于，所述第一管路隔离部件包括气动阀；和/或所述第二管路隔离部件包括气动阀。

4.根据权利要求2或3所述的进气系统，其特征在于，所述每一组气路结构还包括：位于所述抽气管路上的限流装置，所述限流装置用于限制所述第二抽气装置对所述抽气管路的抽气速率，以使所述第二抽气装置对所述抽气管路的抽气速率小于所述第一抽气装置通过所述反应腔室对所述载气管路的抽气速率。

5.根据权利要求4所述的进气系统，其特征在于，所述限流装置包括针阀和限流垫片中至少一种。

6.根据权利要求1-3任一项所述的进气系统，其特征在于，所述至少两组气路结构中每一组气路结构公共一个所述第二抽气装置。

7.根据权利要求1-3任一项所述的进气系统，其特征在于，每一所述载气管路包括：第一连接管路、第二连接管路、第一阀门和第二阀门；

所述第一连接管路与所述容器的进口连接，所述第二连接管路连接于所述容器的出口与所述反应腔室之间；

所述第一阀门位于所述第一连接管路上，所述第二阀门位于所述第二连接管路上。

8.根据权利要求7所述的进气系统，其特征在于，每一所述载气管路还包括：第三连接管路和第三阀门；

所述第三阀门位于所述第三连接管路上，所述第三连接管路连接于所述第一连接管路和所述第二连接管路之间。

9.根据权利要求1-7任一项所述的进气系统，其特征在于，每一所述稀释气体管路上还设置有第四阀门。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室和如权利要求1-9任一项所述的进气系统；

所述反应腔室内设置有承载部件，所述承载部件用于承载衬底，所述反应腔室内所述承载部件的上方设置有匀流部件；

所述进气系统中每一所述载气管路与所述匀流部件连接。

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