CN110541159A - 原子层沉积设备及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室和气体传输系统；所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。本发明通过在与前驱体源瓶出口连接的前驱体传输管路段内增加气体存储器，保证了对腔室反应的气体有效均匀的供给，并且降低了前驱体源瓶出口处的管路内的高压。

Description

原子层沉积设备及方法

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，具体地，涉及一种原子层沉积设备及方法。

背景技术

原子层沉积(ALD，Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体交替通入反应腔室并发生化学反应而形成沉积膜的一种方法，该方法可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面。ALD反应是自限制反应，即ALD的半反应(half reactions)一直进行到可以获得的反应位置(reaction sites)消耗完，之后没有更多的前驱体进行反应。ALD反应能够在高深宽比的基底上发生共形性沉积是因为表面反应位置是反应的关键要素，并被反应所消耗。

在ALD方法沉积薄膜中，对反应气体传输和颗粒控制的挑战性大，尤其是对于氮化钛(TiN)、氧化铝(Al₂O₃)等的沉积过程中。因此，对于诸如TiN等材料沉积的ALD设备的重复性以及良好的颗粒控制能力非常重要。

例如，ALD方法制备TiN的前驱体主要包括钛的卤化物如氯化钛(TiCl₄)和有机金属钛化合物，如TDMAT(tetrakis diethyl-amino titanium)和TEMAT(tetrakis ethyl-methyl-amino titanium)。有机金属钛化合物主要缺点之一是它的热稳定性差，采用该前驱体具有挑战性。这些化合物中的一些可能在源容器中就发生分解，因为分解和挥发的温度窗口几乎不存在。例如，TDMAT发现在120℃已经分解，分解的结果造成薄膜均匀性和薄膜厚度控制变差，薄膜电阻高；而且，薄膜分解后碳和氧残留浓度通常非常高，必须有后处理以降低碳浓度和改善薄膜密度。

TiCl₄不仅热稳定性非常好，而且它的蒸汽压高，在室温下就能挥发，沉积的薄膜电阻低。在ALD反应制备TiN中，脉冲通入的TiCl₄和NH₃在腔室的衬底表面上形成了TiN薄膜：

6TiCl₄+8NH₃＝6TiN+N₂+24HCl (1)

然而，在制备TiN的ALD反应中，滞留在传输管路和腔室上部空间痕量的前驱体发生反应后在腔室和管道壁上形成化合物，对基底表面就会带来污染并引入杂质。在ALD制备TiN中，除了形成TiN外，还可能形成形成NH₄Cl、TiCl₄.nNH₃(n＝2,4,8等)、TiN_xCl_y等。对于形成TiN薄膜来说，其余三种物质都是颗粒物质的来源，需要尽量减少甚至避免。

传统的ALD技术沉积TiN的工艺流程如图1所示。在传统的ALD沉积设备中，由于源瓶结构限制，工艺吹扫步骤时前驱体TiCl₄管路，尤其是源瓶出口后的管路，无法全段彻底吹扫，该段管路内有TiCl₄源的残留。并且，为了满足ALD工艺的快速切换要求，前驱体传输管路上应用的气动阀均为ALD阀，开启时间短，源传输管路内TiCl₄蒸气释放少，在第二步吹扫TiCl₄传输管路时，前驱体管路内源TiCl₄蒸气和载气N₂形成很高的管内压强，尤其是源瓶出口段管路内；之后，切换到下一个ALD循环，前驱体TiCl₄传输管路内压强高的气体传输过程中压强迅速降低引起温度的降低，造成传输管路内蒸气的局部冷凝产生颗粒。图2是根据经验公式描绘出的20℃～140℃之间TiCl₄蒸汽压-温度曲线。对于TiCl₄，常温下为液体，25℃时蒸气压大约12Torr，60Torr时温度大约60℃。

因此，有必要提出一种能够减少前驱体残留和冷凝颗粒的原子层沉积设备及方法。

公开于本发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的是提供一种原子层沉积设备及方法，以克服现有技术中存在的以上问题。

根据本发明的一方面，提出一种原子层沉积设备。该设备包括反应腔室和气体传输系统；

所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；

所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；

所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。

优选地，所述气体存储器的出气端管口粗于进气端管口。

优选地，与所述气体存储器的出气端连接的前驱体传输管路上设置有气动阀，从所述气动阀出口至所述反应腔室的管路直径比所述前驱体源瓶的出口和所述气体存储器之间的管路直径增加1倍。

优选地，从所述气动阀出口至所述反应腔室的管路上设置有伴热带。

优选地，在所述气体存储器的出气端设置有真空规。

优选地，所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路的入口处分别设置有质量流量控制器。

优选地，所述气体传输系统中，所述前驱体源瓶通过第一阀组件实现与所述前驱体传输管路的可通断性连接，其中，

所述第一阀组件包括两个气动阀和三个手动阀，第一气动阀和第一手动阀串联后设置在所述前驱体源瓶的入口端；第二气动阀和第二手动阀串联后设置在所述前驱体源瓶的出口端；第三手动阀的一端连接在所述第一气动阀和所述第一手动阀之间，另一端连接在所述第二气动阀和所述第二手动阀之间。

优选地，所述连接管路通过第二阀组件连接在所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路之间，所述第二阀组件包括三个气动阀，第三气动阀设置在所述前驱体传输管路上，第四气动阀设置在所述前驱体吹扫管路上，第五气动阀设置在所述连接管路上。

根据本发明的另一方面，提出一种原子层沉积方法。该方法包括以下步骤：

步骤1、惰性气体携带第一前驱体进入原子层沉积设备的反应腔室后吸附在衬底的表面；

步骤2、惰性气体吹扫第一前驱传体输管路；

步骤3、惰性气体携带第二前驱体进入所述反应腔室后与所述衬底表面的第一前驱体反应，以在所述衬底上形成薄膜；

步骤4、惰性气体吹扫所述第二前驱体传输管路；

步骤5、判断所述薄膜的厚度是否达到预期厚度，如否，则重复执行所述步骤1至所述步骤4；如是，则结束；

在步骤1之前，利用惰性气体将前驱体源瓶挥发出的前驱体蒸汽携带到反应腔室，之后利用惰性气体吹扫所有气体管路。

优选地，在步骤1至步骤4的每一步骤之后进行反应腔室抽真空。

本发明通过在与前驱体源瓶出口连接的前驱体传输管路段内增加气体存储器，保证了对腔室反应的气体有效均匀的供给，并且降低了前驱体源瓶出口处的管路内的高压。

进一步地，通过增加前气体存储器至反应腔室的管路直径，避免了前驱体蒸汽在传输过程中因为压强骤降导致温度下降而使得气体冷凝形成颗粒。

本发明的方法具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施例中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施例中进行详细陈述，这些附图和具体实施例共同用于解释本发明的特定原理。

附图说明

通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1示出现有技术中原子层沉积工艺的流程图；

图2示出在图1所示的工艺过程中的TiCl₄蒸汽压-温度曲线；

图3示出根据本发明的示例性实施方案的原子层沉积设备的结构图；

图4示出根据本发明的示例性实施方案的原子层沉积方法的流程图。

主要附图标记说明：

1、反应腔室，2、气体混匀装置，3、衬底，4、基座，5真空泵，6、载气，7、前驱体源瓶，8、气体存储器，9、真空规，11、前驱体传输管路，12、前驱体吹扫管路，13、连接管路，14、第一传输支路，15、第二传输支路，21、第一质量流量控制器，22、第二质量流量控制器，31、第一气动阀，32、第二气动阀，33、第三气动阀，34、第四气动阀，35、第五气动阀，36、第六气动阀，37、第七气动阀，41、第一手动阀，42、第二手动阀，43、第三手动阀，44、第四手动阀，51、第一控制阀，52、第二控制阀，53、第三控制阀。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。

图3示出根据本发明的示例性实施方案的原子层沉积设备的结构图。该设备主要包括反应腔室1和气体传输系统。气体传输系统可以设为至少两路，为简化起见，图3仅示出其中一路气体传输系统，其他气体传输系统未在图中示出，其结构可以与所示系统相似。

如图3所示，反应腔室1包括设置在顶部的气体混匀装置(showerhead)2和设置在底部的基座4、布置在基座4上的衬底(wafer)3，前驱体反应所形成的薄膜沉积在衬底3上。采用气体混匀装置2的目的是使前驱体能够在衬底3上均匀分布，如果是混合气体即使其能够混合均匀。6为携带前驱体进入反应腔室以及进行管路和腔室吹扫的载气，其通常为惰性气体，例如，氩气、氦气、氮气等等。

在根据本发明的原子层沉积设备中，气体传输系统可以包括前驱体传输管路、连接管路、前驱体吹扫管路、与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；前驱体传输管路和连接管路共同向反应腔室通入气体；连接管路可通断性连接前驱体传输管路和前驱体吹扫管路。

如图3所示，该气体传输系统包括前驱体传输管路11、前驱体吹扫管路12、连接管路13、与前驱体传输管路11可通断性连接的前驱体源瓶7，以及设置与前驱体源瓶7的出口连接的前驱体传输管路11上的气体存储器8。

前驱体传输管路11与前驱体源瓶7可通断性连接表示前驱体传输管路11可以与前驱体源瓶7连通，即前驱体传输管路11的一部分与前驱体源瓶7的入口连接，另一部分与前驱体源瓶7的出口连接，也即在前驱体传输管路11中传输的气体能够通过前驱体源瓶后继续进行传输；前驱体传输管路11也可以不经过前驱体源瓶7，即旁通前驱体源瓶7进行传输。

其中，前驱体传输管路11和前驱体吹扫管路共同汇入反应腔室1，连接管路13可通断性连接前驱体传输管路11和所述前驱体吹扫管路12。

连接管路13可通断性连接前驱体传输管路11和所述前驱体吹扫管路12表示，连接管路13可以将前驱体传输管路11与前驱体吹扫管路12连通或断开。

通过在与前驱体源瓶7的出口连接的前驱体传输管路11上设置气体存储器8，在前驱体传输管路11与前驱体源瓶7连通时，载气携带出的前驱体蒸汽首先存储在气体存储器8中，能够更均匀地向反应腔室1提供进行反应的前驱体蒸汽，并且缓解了在吹扫前驱体的过程中，从前驱体源瓶7中持续挥发出的前驱体蒸汽聚集在源瓶出口附近的管路内，使得在工艺过程中该段管路内的压力不断升高的问题。

气体存储器8可以设计成圆形、方形等，体积大约在100毫升左右，例如80～120毫升。大容量的气体存储器可以有效地降低源瓶出口附近管路内的压强。

气体存储器8优选被设计成进气端管口细，出气端管口粗。两端管径的逐渐增加，能够减小焦耳-汤姆逊效应，从而使气体储存器内源蒸气温度均匀。

在一个示例中，与气体存储器8的出气端连接的前驱体携载管路前驱体传输管路11上设置有第二气动阀32，从第二气动阀32的出口至反应腔室1的管路直径相较于前驱体源瓶7的出口和气体存储器8之间的管路直径增加1倍。例如，从1/4inch(6.350mm)统一增加到1/2inch(12.700mm)管径。此外，还可以在增加管径的管路上设置伴热带。

增加气体存储器的出气端至反应腔室的管路管径，避免了前驱体携载管路前驱体传输管路前端的高压气体在传输到腔室的过程中，由于阀门及管路管径等因素引起的焦耳-汤姆逊效应，并配合伴热带产生的管路阶梯式升温，减少了气体传输过程中在管路及阀门块等处的冷凝，也就从根本上减少了ALD工艺中腔室颗粒的来源，从而维护了腔室的结晶度，改善了薄膜纯度，减轻了真空泵的负担，延长了维护周期，提高了泵的使用寿命。实际应用中，可以将腔室运行工艺一段时间后颗粒增加数从千颗量级甚至万级降低到十级或者个位数的水平。

在气体存储器8的出气端优选设置有真空规，以测量前驱体源瓶7出口处的压力。

前驱体传输管路11的入口处设置有第一质量流量控制器21，用于控制进入前驱体传输管路11的惰性气体的流量；前驱体吹扫管路12的入口处设置有第二质量流量控制器22，用于控制进入前驱体吹扫管路12的惰性气体的流量。

在一个示例中，前驱体源瓶7通过第一阀组件实现与前驱体传输管路11的可通断性连接。

前驱体源瓶在加热到一定程度时会产生前驱体蒸汽，此时，当前驱体源瓶与前驱体传输管路连通，惰性气体从前驱体源瓶的入口进入，前驱体蒸汽被惰性气体从前驱体源瓶的出口带出。

第一阀组件优选利用两个气动阀和三个手动阀组合实现。第一气动阀31和第一手动阀41串联后设置在前驱体源瓶7的入口端；第二气动阀32和第二手动阀42串联后设置在前驱体源瓶7的出口端；第三手动阀43的一端连接在第一气动阀31和第一手动阀41之间，另一端连接在第二气动阀32和第二手动阀42之间。

在第一气动阀31、第二气动阀32、第一手动阀41、第二手动阀42开启，第三手动阀43关闭的情况下，在前驱体传输管路11中的惰性气体通过前驱体源瓶7，并携带出前驱体源瓶7中的前驱体在管路中传输；在第一气动阀31、第二气动阀32、第三手动阀开启，第一手动阀41、第二手动阀42关闭的情况下，在前驱体传输管路11中的惰性气体旁通前驱体源瓶7，直接在管路中传输而不携带前驱体；在第一气动阀31、第二气动阀32关闭的情况下，无论三个手动阀处于何种状态，在前驱体传输管路11中的惰性气体被第一气动阀31中断，无法在管路中传输。

在一个示例中，连接管路13通过第二阀组件连接在前驱体传输管路11和前驱体吹扫管路12之间。

第二阀组件优选利用三个气动阀组合实现。第三气动阀33设置在前驱体传输管路11上，第四气动阀34设置在前驱体吹扫管路12上，第五气动阀35设置在连接管路13上。

在第三气动阀33、第四气动阀34开启，第五气动阀35关闭的情况下，惰性气体分别进入前驱体传输管路11和前驱体吹扫管路12，在第一气动阀31、第一手动阀41、第二手动阀42、第二气动阀32开启以及第三手动阀43关闭时，载气进入前驱体源瓶7后携带源瓶中的前驱体蒸汽进入反应腔室1，并吸附在衬底3上。为了维持反应腔室1内的压强并维持良好的均匀性，载气同时通过前驱体吹扫管路12进入反应腔室1。

在第三气动阀33关闭，第四气动阀34、第五气动阀35开启的情况下，前驱体传输管路11中的载气经由连接管路13，与前驱体吹扫管路12中的载气汇合吹扫进入反应腔室的管路。

该原子层沉积设备中还包括真空泵5，前驱体传输管路11选择性地与反应腔室1连通或与1真空泵5连通。

具体地，可通过以下方式实现前驱体传输管路11与反应腔室1和真空泵的选择性连通。

前驱体传输管路11分为两个支路，分别为第一传输支路14和第二传输支路15，第一传输支路14与前驱体吹扫管路12共同汇入反应腔室1，第二传输支路15连接至真空泵5的入口端，并且在连接点与反应腔室1之间优选设置控制阀51，该连接点与真空泵5之间优选设置手动阀44。

在第一传输支路14上和第二传输支路15上分别设有第六气动阀36和第七气动阀37。当第六气动阀36，第七气动阀37关闭，前驱体传输管路11中的气体进入第一传输支路14，随后进入反应腔1；当第六气动阀36关闭，第七气动阀37开启，前驱体传输管路11中的气体进入第二传输支路15。此时，当手动阀44开启，则气体被真空泵5抽吸。

第一传输支路14和前驱体吹扫管路12可以通过第二控制阀52汇入反应腔室1。第二控制阀52优选为三通阀，第一传输支路14和前驱体吹扫管路12分别连接至三通阀的对应入口，三通阀的出口与反应腔室的入口连接。

在反应腔室1的其中一个出口端设置有控制阀53。

图4示出根据本发明的示例性实施方案的原子层沉积方法的流程图。如图4所示，该方法主要包括SP1、SP2、S101～S105。

在步骤S101中，惰性气体携带第一前驱体进入原子层沉积设备的反应腔室后吸附在衬底的表面。

在步骤S102中，惰性气体吹扫第一前驱体传输管路。

通过惰性气体的吹扫，并配合抽真空，去除第一前驱体传输管路及反应腔室中残余的前驱体。

在步骤S103中，惰性气体携带第二前驱体进入反应腔室后与衬底表面的第一前驱体反应，以形成薄膜。

第一前驱体和第二前驱体的类型基于所形成的薄膜类型来确定。例如形成氮化钛薄膜时，第一前驱体可以是四氯化钛，第二前驱体可以是氨气。

在步骤S104中，惰性气体吹扫第二前驱体传输管路。

与步骤S102相似，通过惰性气体的吹扫，配合抽真空，去除第二前驱体传输管路及反应腔室中残余的前驱体。

在步骤S105中，判断薄膜是否达到预期厚度，如否，则重复执行步骤S101至步骤S104；如是，则结束。

该方法还包括步骤SP1～SP2，为在步骤S101之前的预处理步骤。

在步骤SP1中，利用惰性气体将前驱体源瓶挥发出的前驱体蒸汽携带到反应腔室；

在步骤SP2中，利用惰性气体吹扫所有气体管路。

通过增加工艺前的预处理过程，将挥发出的前驱体蒸汽携带到反应腔室，并在下一步的吹扫中从腔室中排出，减少了前驱体在传输管路中的残留。

在一个示例中，该方法还在包括在步骤S101～S104的每一个步骤之后进行反应腔室抽真空。

通过在工艺过程中多次循环抽真空和吹扫前驱体传输管路的过程，减少了前驱体在传输管路和腔室中的残留。

基于以上所述的原子层沉积方法利用的前驱体的种类，确定根据本发明的原子层沉积设备的气体传输系统所包含的气体传输管路前驱体传输管路及对应的前驱体源瓶数量，即能够利用以上所述的原子层沉识设备实施该方法。

利用如图3所示的原子层沉积设备制备氮化钛的工艺过程中，在没有气体存储器8时，测试压力情况如下：

在步骤S101中，前驱体源瓶7出口处真空规9的读数与源瓶设定温度下前驱体的饱和蒸汽压一致。如四氯化钛源瓶温度设定为25℃时，真空规9的读数大约在12Torr。然而在步骤S102吹扫前驱体管路时，真空规9的读数开始升高。升高原因有三方面：第一，由于步骤S101中前驱体蒸汽残留在管路中，由于源瓶结构限制，从第二气动阀32到控制阀52段管路内残留的前驱体一直残存到下一个ALD循环开始；第二，由于在步骤S102到下一个周期前驱体蒸汽进入反应腔室为止的时间内，前驱体源瓶7中持续挥发出的前驱体蒸汽聚集在源瓶出口到第二气动阀32的有限空间内；第三，在步骤S102中，经过第一质量流量控制器21和第五气动阀35的载气和流经第二质量流量控制器22的大流量载气(用于稀释和平衡腔室压强)混合后通过第四气动阀34，由于工艺要求，流经第二质量流量控制器22的载气流量比流经第一质量流量控制器21的载气流量高，从第一质量流量控制器21到第五气动阀35和从第一质量流量控制器21到第三气动阀33前的管路内气体压强高，当工艺进入到下一个ALD循环的步骤S101中，从第一质量流量控制器21到第三气动阀33段内高压强的气体携带出大量的源蒸气流出源瓶，由于前驱体蒸气通入腔室的时间非常短(一般<0.5s)，真空规9的出气端连接的第二气动阀32和第六气动阀36又迅速关闭直至下一个周期时才开启，因此容易在源瓶的出口处聚集前驱体蒸汽。综合以上三个方面的影响因素，从源瓶出口处的手动阀42到第二气动阀32管路内气体不断增加，压强不断增大，最终达到最高值60Torr左右，远远高于工艺开始时的压强。

而依据本发明的方法增加了气体存储器8后，从源瓶出口到第二气动阀32前的大量前驱体蒸气可以储存在气体储存器中，使得整个工艺过程中，前驱体源瓶出口处的真空规9的读数与源瓶设定温度下前驱体饱和蒸汽压基本一致，如四氯化钛源瓶温度设定为25℃时，真空规9的读数大约在12Torr，在进行一个ALD循环过程中，真空规9读数基本保持在12Torr，而且在进行几个ALD循环下来，真空规9的读数还能大致保持在12Torr，与没有气体存储8的方案相比较，降低了源瓶出口处的第二手动阀42到第二气动阀32的管内压强，避免了压强骤降造成的前驱体冷凝形成颗粒污染的问题，保证成膜质量而且还可以确保前驱体蒸汽以较高流量均匀的进入腔室。

以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括反应腔室和气体传输系统；

所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；

所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；

所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述气体存储器的出气端管口粗于进气端管口。

3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，与所述气体存储器的出气端连接的前驱体传输管路上设置有气动阀，从所述气动阀出口至所述反应腔室的管路直径比所述前驱体源瓶的出口和所述气体存储器之间的管路直径增加1倍。

4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，从所述气动阀出口至所述反应腔室的管路上设置有伴热带。

5.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，在所述气体存储器的出气端设置有真空规。

6.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路的入口处分别设置有质量流量控制器。

7.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述气体传输系统中，所述前驱体源瓶通过第一阀组件实现与所述前驱体传输管路的可通断性连接，其中，

所述第一阀组件包括两个气动阀和三个手动阀，第一气动阀和第一手动阀串联后设置在所述前驱体源瓶的入口端；第二气动阀和第二手动阀串联后设置在所述前驱体源瓶的出口端；第三手动阀的一端连接在所述第一气动阀和所述第一手动阀之间，另一端连接在所述第二气动阀和所述第二手动阀之间。

8.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述连接管路通过第二阀组件连接在所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路之间，所述第二阀组件包括三个气动阀，第三气动阀设置在所述前驱体传输管路上，第四气动阀设置在所述前驱体吹扫管路上，第五气动阀设置在所述连接管路上。

9.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、惰性气体携带第一前驱体进入原子层沉积设备的反应腔室后吸附在衬底的表面；

步骤2、惰性气体吹扫第一前驱传体输管路；

步骤3、惰性气体携带第二前驱体进入所述反应腔室后与所述衬底表面的第一前驱体反应，以在所述衬底上形成薄膜；

步骤4、惰性气体吹扫所述第二前驱体传输管路；

步骤5、判断所述薄膜的厚度是否达到预期厚度，如否，则重复执行所述步骤1至所述步骤4；如是，则结束；

在步骤1之前，利用惰性气体将前驱体源瓶挥发出的前驱体蒸汽携带到反应腔室，之后利用惰性气体吹扫所有气体管路。

10.根据权利要求9所述的原子层沉积方法，其特征在于，在步骤1至步骤4的每一步骤之后进行反应腔室抽真空。