JP2014011357A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 真空容器内にて回転テーブルに載置された基板を公転させながら互いに異なる処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回繰り返して窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素からなる反応生成物の分子層を積層して薄膜を得る成膜方法であって、
   前記回転テーブルを回転させて基板を公転させながら、前記反応生成物を得るための原料ガスである第１の処理ガスを前記基板に対して供給する工程と、
   前記第１の処理ガスが基板に供給された位置に対して前記回転テーブルの周方向に離間して設けられた位置にて、前記基板に吸着した第１の処理ガスを窒化するためのガスである第２の処理ガスを基板に供給する工程と、
   前記回転テーブルの周方向において前記第１の処理ガスが供給される位置と第２の処理ガスが供給される位置との間にて第１の処理ガスと第２の処理ガスとを分離する工程と、
   前記薄膜に生じる応力を調節するために、前記回転テーブル上の基板に形成された前記反応生成物の分子層に対して紫外線を照射する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
2. 前記第１の処理ガスを基板に供給する工程と、前記第２の処理ガスを基板に供給する工程と、前記紫外線を照射する工程と、からなるサイクルが回転テーブルの１回転の間に行われることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記薄膜は、前記基板に対して応力を加えるためのストレスライナー膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。
4. 前記基板には凸部が形成されており、前記薄膜は、凸部の壁面に沿って形成されることを特徴とする請求項３に記載の成膜方法。
5. 前記基板には、パターンが形成される被処理膜と、ライン状のマスクパターンとが下方側からこの順に積層され、前記薄膜は、前記マスクパターンのマスク部分の両側壁に接する堆積部分を得るために形成され、この堆積部分は、前記マスク部分を除去した後に当該堆積部分を次のマスク部分として前記被処理膜をパターニングするためのものであり、
   前記紫外線照射部は、前記堆積部分の倒壊を抑えるために、前記反応生成物の分子層に照射される紫外線の量が、下層側よりも上層側の方が大きくなるように紫外線の照射量を調節する工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の成膜方法。
6. 基板に積層される反応生成物の分子層のうち、ｍ層中、ｎ層（但し、ｍ、ｎはｍ＞ｎの関係にある自然数）に対しては紫外線が照射されないように、前記紫外線を照射する工程を間欠的に実行することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の成膜方法。
7. 真空容器内にて回転テーブルに載置された基板を公転させながら互いに異なる処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回繰り返して窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素からなる反応生成物の分子層を積層して薄膜を得る成膜装置であって、
   前記反応生成物を得るための原料ガスである第１の処理ガスを前記基板に対して供給する第１の処理ガス供給部と、
   前記第１の処理ガス供給部に対して前記回転テーブルの周方向に離間して設けられ、前記基板に吸着した第１の処理ガスを窒化するためのガスである第２の処理ガスを基板に供給する第２の処理ガス供給部と、
   前記回転テーブルの周方向において前記第１の処理ガス供給部と第２の処理ガス供給部との間に設けられ、第１の処理ガスと第２の処理ガスとの混合を避けるための分離領域と、
   前記薄膜に生じる応力を調節するために、前記回転テーブル上の基板に形成された前記反応生成物の分子層に対して紫外線を照射する紫外線照射部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
8. 前記基板に第１の処理ガスが吸着されるステップと、吸着されたガスが第２の処理ガスにより窒化されて反応生成物の分子層が形成されるステップと、前記分子層に対して紫外線を照射するステップと、からなるサイクルを複数回繰り返すように制御信号を出力する制御部を備えたことを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
9. 真空容器内にて回転テーブルに載置された基板を公転させながら互いに異なる処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を得る成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
   前記プログラムは請求項１ないし６のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。