KR20110115992A - 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 - Google Patents

광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110115992A
KR20110115992A KR1020110099890A KR20110099890A KR20110115992A KR 20110115992 A KR20110115992 A KR 20110115992A KR 1020110099890 A KR1020110099890 A KR 1020110099890A KR 20110099890 A KR20110099890 A KR 20110099890A KR 20110115992 A KR20110115992 A KR 20110115992A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
adsorption layer
light
chamber
light source
Prior art date
Application number
KR1020110099890A
Other languages
English (en)
Inventor
황철주
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020110099890A priority Critical patent/KR20110115992A/ko
Publication of KR20110115992A publication Critical patent/KR20110115992A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/0231—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to electromagnetic radiation, e.g. UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 일정한 반응 공간을 형성하는 챔버와; 상기 챔버의 내부에 위치하며, 기판을 안치하고 내부히터를 구비하는 하나 이상의 서셉터와; 상기 서셉터의 상부에 2종 이상의 가스를 독립적으로 분사하는 가스분사수단과; 챔버 벽에 하나 이상 형성되는 광 투과창과; 상기 광 투과창을 사이에 두고 상기 챔버의 외부에 하나 이상 설치되는 광원을 포함하는 원자층 증착장치를 제공한다. 또한 이를 이용한 원자층 증착방법을 제공한다.
본 발명에 따르면 저온 영역에서도 박막에 포함된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 막질을 크게 개선할 수 있게 된다. 또한 챔버내 잔류물질도 보다 효과적으로 제거할 수 있게 된다.

Description

광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법{Apparatus for atomic layer deposition comprising light source, and the method of deposition using the same}
본 발명은 반도체소자 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 광원(photo source)을 이용하여 기판 또는 가스를 처리하는 원자층 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 기판의 상면에 수차례에 걸친 박막증착과 패터닝 등의 공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI)로서, 이러한 공정을 수행하는 제조장치는 매우 안정된 공정분위기를 유지하면서 정밀한 공정제어를 할 수 있어야 한다.
특히 최근에는 소자크기를 줄이기 위하여 반도체 회로가 더욱 고집적화 되면서, 박막의 증착두께가 점차 얇아지고 있고, 증착된 박막의 패터닝을 위한 포토레지스트, 에칭 등의 공정에 있어서도 훨씬 높은 공정 정밀도가 요구되고 있다.
특히 게이트 산화막, 커패시터 유전막 등에서 이와 같이 정밀한 미세패턴을 형성할 필요성이 높은데, 예를 들어 커패시터 유전막의 경우에는 커패시터 셀의 사이즈를 줄여야 하기 때문에 동일 또는 향상된 커패시턴스를 얻기 위해서는 고유전율을 가지는 유전막을 이용하거나 유전막의 박막두께를 줄일 수 밖에 없다.
그런데 이와 같이 박막의 두께가 얇아지게 되면 극소량의 디펙트에도 제품불량이 초래되는 문제가 있고, 통상 얇은 박막을 형성하기 위해서는 저온 증착법을 많이 사용하게 되는데, 저온증착법의 경우에는 박막의 밀도가 치밀하지 않거나 결정성이 약하다는 문제점 등이 있다.
예를 들어 Ta2O5와 같은 고유전체막은 저온CVD법으로 증착되기 때문에 산소결핍, 하이드로카본의 박막내 잔류, 결정성 저하 등으로 인해 절연특성이 저하되고 유전율이 열화되는 문제점이 있다.
Ta2O5 커패시터에서 하부전극으로 사용되는 Ru 박막의 경우에도 주로 저온CVD법으로 증착되는데, Ru 박막내에 존재하는 산소가 상부의 Ta2O5 유전막 증착 후 열처리 공정에서 TiN 등의 장벽층을 산화시켜 이중 커패시터를 형성하거나 박막 리프팅의 문제를 유발하기도 한다.
또한, 폴리실리콘 또는 메탈의 하부전극 상에 TaON 유전막을 사이에 두고 상부전극으로 증착되는 TiN 박막의 경우에는, 소스물질로 TiCl4 를 이용하여 저온에서 형성되므로 박막내에 다량의 Cl기가 잔류하여 하부의 TaON 유전막에 손상을 주어 유전율을 저하시키고 막질이 치밀하지 못한 문제점이 있다.
이와 같은 문제점 들을 해소하여 막질을 개선하기 위한 방안으로, 고온열처리, 플라즈마 처리 등의 다양한 후속 공정들이 소개되어 있는데, Ta2O5 막의 경우에는 증착 후에 고온 건식 산소 어닐링 등의 열처리 공정을 통해 Ta2O5 막 하부에 산화막을 생성시켜 절연특성을 향상시키고, 그레인 경계면의 절연성이 양호하지 못한 곳에서 상대적으로 산소의 확산을 촉진시켜 산화막을 한층 두껍게 형성하여 누설전류 문제를 치유하고 있다.
또한 Ru 박막 내에 존재하는 산소는, Ru 증착 후에 NH3 분위기에서 급속열처리(Rapid Thermal Process)를 실시하여 제거하고 있으며, TiN 막의 잔류 Cl기는 암모니아 플라즈마를 이용한 표면처리를 통해 제거하도록 하고 있다.
그런데 이와 같은 후속공정은 또 다른 문제점을 야기할 수 밖에 없는데, 첫째로는, 고온열처리에 대비하여 챔버 내부의 내열성을 높이고, 플라즈마 처리를 대비하여 챔버 내부의 내산화성을 높이는 등 추가적인 하드웨어가 필요하다는 점이 그것이다.
둘째로는 후속공정을 통해 불필요한 부산물이 발생하여 챔버 내부를 오염시킬 우려가 있고, 플라즈마 처리의 경우에는 이온충격에 의하여 이미 생성된 박막에 손상을 입힐 가능성이 높다는 점이다.
특히 이러한 점들은 최근 각광받고 있는 원자층증착(Atomic Layer Deposition, ALD)법에 의해 박막을 증착하는 경우에도 문제가 되고 있다.
ALD법은 반응원료들이 기판의 표면에서 화학반응에 의하여 증착되기 때문에 표면의 요철에 관계없이 균일한 두께의 박막을 성장시킬 수 있어 박막균일도나 계단도포성(step coverage)이 매우 뛰어나고, 원료공급 회수를 조절함으로써 박막두께를 정밀하게 제어할 수 있는 장점이 있어서 미세패턴이 요구되는 게이트 산화막, 커패시터 유전막 등의 증착공정을 중심으로 많이 사용되고 있는 박막증착법이다.
예를 들어, A물질과 B물질의 화합물인 A+B로 이루어지는 박막을 원자층증착법으로 증착하는 과정을 살펴보면, 먼저 A물질을 유입시켜 기판 표면에 흡착시키는 단계, Ar, N2 등의 퍼지가스를 이용하여 챔버 내부의 잔류물질을 퍼지하는 단계, 다시 B물질을 유입시킴으로써 이미 증착되어 있는 A물질과 반응시켜 기판 표면에 화합물 A+B의 박막을 형성하는 단계, 다시 잔류물질을 퍼지하는 단계로 박막증착주기가 이루어지며, 이러한 과정을 반복함으로써 원하는 두께의 박막을 형성할 수 있다.
이러한 ALD 공정도 일반적인 화학기상증착법에 비하여 저온공정이기 때문에, 박막내 불순물 잔류, 결정성 약화 등으로 인한 박막의 절연특성 저하 및 유전율 열화의 문제점을 가지고 있고, 막질개선을 위해 상술한 바와 같이 고온열처리, 플라즈마처리 등의 후속공정이 필요하게 되는데, 동일챔버에서 증착공정과 후속공정을 수행하기 위해서는 저온증착용으로 설계된 공정챔버에 고온열처리 등에 대비하여 별도의 하드웨어를 추가하여야 하는 문제점이 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저온의 후속공정을 통해 공정 중에 발생하는 불순물이나 잔류물질을 보다 효과적으로 제거하여 막질을 향상시킬 수 있는 원자층 증착장치 및 증착방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 기판 상에 제 1 가스를 분사하여 제 1 흡착층을 형성하는 단계; 상기 제 1 가스를 퍼지시키는 단계; 및 상기 제 1 흡착층 상에 제 2 가스를 분사하여 제 2 흡착층을 형성하는 단계; 상기 제 2 가스를 퍼지시키는 단계; 및 상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층을 형성한 후에, 상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층의 불순물을 제거하고 막질을 개선하기 위한 광 에너지를 공급하기 위하여, 광원을 이용한 광을 상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법을 제공한다.
다수의 서셉터 상에 다수의 상기 기판이 위치하고, 상기 광원은 상기 다수의 서셉터와 대응되도록 다수로 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법을 제공한다.
상기 광원은 자외선 또는 적외선 램프인 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법을 제공한다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 1 주기의 증착공정이, 상기 기판 상에 제 1 가스를 분사하여 제 1 흡착층을 형성하는 단계; 상기 제 1 가스를 퍼지시키는 단계; 상기 제 1 흡착층 상에 제 2 가스를 분사하여 제 2 흡착층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 가스를 퍼지시키는 단계;를 포함하는 원자층 증착방법에 있어서, 상기 1주기의 증착공정을 수 회 반복하여 박막증착을 완료한 후, 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층의 불순물을 제거하고 막질을 개선하기 위한 광 에너지를 공급하기 위하여, 광원을 이용한 광을 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계를 포함하는 원자층 증착방법을 제공한다.
상기 광을 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계를 상기 1 주기 마다 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법을 제공한다.
상기 제 1 가스는 TiCl4 가스이고, 상기 제 2 가스는 NH3이며, 상기 TiCl4로 구성되는 상기 제 1 흡착층과 상기 NH3로 구성되는 상기 제 2 흡착층이 반응하여 TiN박막을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법을 제공한다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 반응 공간을 형성하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하며, 기판을 안치하는 서셉터; 상기 서셉터의 상부에 다수의 가스를 독립적으로 분사하는 가스분사수단; 상기 챔버 벽에 형성되는 광 투과창과; 상기 광 투과창과 대응되게 상기 챔버의 외부에 설치되고, 상기 기판에 광을 조사하는 광원; 및 상기 광 투과창의 내측에 개폐가 가능하여 상기 다수의 가스를 분사할 때 상기 광원을 차단할 수 있는 차단부재;를 포함하는 원자층 증착장치를 제공한다.
상기 서셉터는 다수로 구성되고, 다수의 상기 서셉터와 대응되어 상기 광 투과창 및 상기 광원이 다수로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치를 제공한다.
상기 광원은 자외선 또는 적외선 램프인 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치를 제공한다.
상기 광투과창은 퍼지용 가스공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치를 제공한다.
상기 가스분사수단은, 다수의 가스통로를 가지는 회전축; 및 상기 회전축에 연결되고 상기 다수의 가스통로와 연통되어 상기 다수의 가스를 분사하는 다수의 수평 인젝터;를 포함하고, 상기 광원의 출사광은 상기 다수의 수평 인젝터 사이의 공간을 통과하여 상기 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 저온 영역에서도 박막에 포함된 불순물을 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 막질을 크게 개선할 수 있게 된다. 또한 챔버내 잔류물질도 보다 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착장치의 구성도
도 2는 서셉터의 배치를 도시한 평면도
도 3a는 가스밸브어셈블리의 단면도
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면도
도 3c는 다른 유형의 가스밸브 어셈블리
도 4는 회전축과 수평인젝터의 연결을 나타낸 도면
도 5a 내지 도 5c는 원자층 증착장치의 광원과 광투과창의 여러 가지 배치형태를 도시한 평면도
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참고하여 상세히 설명한다.
도 1에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 증착장치는 일정한 반응영역을 정의하는 챔버(110)의 내부에 기판(150)을 안치하는 다수의 서셉터(140a,140c)가 설치되고, 상기 서셉터의 상부에는 공정가스의 분사를 위해 다수의 분사홀(162)을 가지는 다수의 수평인젝터(160a,160c)를 구비하고 있다.
이때 각 수평인젝터의 일단은 챔버 천정(114)에 저면이 노출되도록 결합되는 가스밸브어셈블리(170)에 연결된다.
상기 챔버 천정(114)에는 다수의 광투과창(190a,190c)이 설치되고, 상기 광투과창의 상부에는 각 광투과창(190a,190c)에 대응하는 다수의 광원(180a,180b)이 구비된다.
그리고 챔버 측벽에는 기판(150)의 출입통로인 슬롯밸브(112)가 형성되고, 저면에는 가스배출을 위한 배기구(130)가 형성되어 있다.
그런데 도 1에는 서셉터, 수평인젝터, 광투과창, 광원가 모두 2개씩 도시되어 있으나, 이는 도 1이 측단면도이기 때문이고, 원래는 이후의 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 이들 모두를 각 4개씩 구비한 원자층 증착장치를 예시한 것이다.
한편 서셉터(140a,140c)는 서셉터 지지대(120) 위에 놓여지고, 내부에 기판(150)의 예열을 위한 히터(142)를 포함하고 있다. 서셉터 지지대(120)의 평면을 도시하고 있는 도 2를 참조하면, 제1,2,3,4 서셉터(140a, 140b, 140c, 140d)가 챔버 중심을 기준으로 서로 대칭적으로 서셉터 지지대(120) 위에 배치되어 있음을 알 수 있다.
이와 같이 챔버 내부에 서셉터를 다수 구비하는 이유는, 원자층 증착의 경우 한 주기의 증착공정으로 증착되는 두께가 매우 얇아 원하는 박막두께를 얻기 위해서는 많게는 수백회 정도의 주기를 반복하여야 하기 때문에, 한꺼번에 많은 기판에 대하여 증착공정을 수행할 수 있도록 함으로써 스루풋(throughput)을 향상시키기 위한 것이다. 따라서 서셉터의 개수가 4개에 한정되는 것은 아니다.
도 3a 는 챔버 내부로 공정가스를 유입하는 수단인 가스밸브어셈블리(170)의 구성을 도시한 단면도인데, 이를 살펴보면 가스밸브어셈블리(170)는 챔버천정(114)과 결합되는 플랜지(173)를 하단에 구비하는 원통형의 하우징(171)과, 상기 하우징(171)의 내부를 관통하는 회전축(172)으로 이루어짐을 알 수 있다.
상기 하우징(171)의 측벽에는 외부의 가스저장부로부터 공정가스가 유입되는 제1,2,3,4 가스유입구(175a,175b,175c,175d)가 형성되고, 회전축(172)의 내부에는 상기 제1,2,3,4 가스유입구(175a,175b,175c,175d)와 각 연결되는 제1,2,3,4 가스통로(176a,176b,176c,176d)가 형성된다.
상기 제1,2,3,4 가스통로(176a,176b,176c,176d)의 말단은 챔버 내부로 이어지는데, 후술하는 바와 같이 가스통로의 말단에는 제1,2,3,4 수평인젝터(160a,160b,160c,160d)가 각 연결되어 각 가스통로를 통해 유입되는 공정가스를 서셉터의 상부로 분사하게 된다.
회전축(172)과 하우징(171)의 사이에는 마찰을 줄이기 위하여 환형의 마그네틱 시일(174)이 다수 구비되는데, 이때 유입되는 이종(異種)의 가스가 혼합하여 서로 반응하지 않도록 각 가스통로(176a,176b,176c,176d)를 다른 가스통로와 격리시킬 필요가 있다. 여기서는 각 가스통로의 상하에 위치하는 마그네틱 시일(174)을 이용하고 있다.
한편 도면에는 각 4개의 가스유입구, 가스통로가 각 도시되어 있으나, 이는 공정가스의 종류에 따라 달라질 수 있음은 물론이다.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ선에 따른 단면도로서, 이를 통해 하우징(171) 측벽의 제4 가스유입구(175d)를 통해 유입되는 가스는 마그네틱 시일 사이의 공간(S)으로 확산된 후, 회전축(172) 내부에 형성되는 가스통로(176d)를 통해 챔버 내부로 분사됨을 알 수 있다.
그런데 도 3b와 같은 구성을 가지는 경우에는 일단 하우징의 가스유입구로 가스가 유입되면 챔버 내부까지 아무런 제재없이 유입되기 때문에, 가스밸브 어셈블리(170) 외부에 각 가스의 공급을 제어하는 별도의 유량제어수단을 구비하여야 한다.
그런데 도 3c와 같이 마그네티 시일(174) 사이의 공간(S)을 2개 부분으로 나누는 가스차단부재(177)를 설치하게 되면, 회전축의 제4 가스통로(176d)의 입구가 가스차단부재(177) 사이의 각XOY의 내측에 위치하는 경우에만 제4 가스유입구(175d)를 통해 유입된 가스가 챔버 내부로 공급되고, 제4 가스통로(176d)의 입구가 각XOY의 외측에 위치하게 되는 경우에는 가스공급이 차단된다.
이와 같은 가스차단부재(177)를 모든 가스통로에 적용하고 각 가스차단부재의 각XOY의 크기를 조절하면, 가스밸브어셈블리(170)의 회전축(172)이 회전함에 따라 챔버 내부로 유입되는 가스의 종류 및 양을 자동으로 조절할 수 있게 된다.
도 4는 가스밸브어셈블리(170)의 회전축(172) 말단에 제1,2,3,4 수평인젝터(160a,160b,160c,160d)가 챔버 중심을 기준으로 방사형으로 연결되어, 마치 프로펠러와 같은 형상을 가진 모습을 나타낸 것이다.
즉, 회전축(172) 말단의 제1,2,3,4 가스통로(176a,176b,176c,176d)에 제1,2,3,4 수평인젝터(160a,160b,160c,160d)가 각 연결되므로, 하우징(171)의 제1,2,3,4 가스유입구(175a,175b,175c,175d)로부터 회전축(172) 내부의 상기 가스통로를 통해 유입되는 가스가 각 수평인젝터를 통해 챔버 내부로 분사되는 것이다. 여기서 상기 가스유입구는 외부의 가스저장부에 연결됨은 물론이다.
외부의 구동장치(미도시)에 연결되는 회전축(172)이 회전하게 되면, 회전축(172)에 연결된 각 수평인젝터도 함께 회전하면서 공정가스를 기판의 상부로 분사시키게 되는데, 이를 위해 각 수평인젝터에는 하부방향의 분사홀이 다수 형성된다.
도 5a는 본 발명의 실시예에 따라 설치되는 제1,2,3,4 광원(180a,180b,180c,180d)과 제1,2,3,4 광 투과창(190a,190b,190c,190d)의 배치관계를 설명하기 위하여 챔버의 상부에서 바라본 평면도이다.
4개의 광투과창이 챔버천정(114)에 서로 대칭적으로 배치되고, 각 광투과창의 상부에는 각 광투과창과 일대일로 대응하는 4개의 광원(180a,180b,180c,180d)이 배치되어 있다. 점선으로 도시된 것은 가스밸브어셈블리(170)에 연결되는 제1,2,3,4 수평인젝터(160a,160b,160c,160d)이다.
광투과창과 광원을 4개씩 배치한 이유는, 챔버 내부에 위치하는 4개의 서셉터와 각 일대일로 대응되는 구성을 예시한 때문이며 반드시 이와 같이 일대일로 대응되어야 하는 것은 아니다.
즉, 본 발명은 원자층 증착장치에서 공정 중에 광을 조사할 수 있도록 하기 위한 것이므로, 소정의 공정균일도만 확보될 수 있다면 광원과 서셉터, 광투과창과 서셉터, 또는 광원과 광투과창을 반드시 일대일로 대응시키지 않아도 무방하다.
따라서 도 5b에 도시된 바와 같이 제5,6 광원(182a,182b)만을 챔버 상부에 배치하거나, 도 5c에 도시된 바와 같이 단일 광원(184)을 챔버 상부에 배치하는 것도 가능하다.
한편 상기 광투과창(190)은 내산화성이 뛰어난 쿼츠(Quartz) 재질이 바람직한데, 공정도중에 가스에 의한 증착을 방지하기 위하여 광투과창의 내측에 퍼지가스를 분사하는 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
아니면 광투과창의 내측에 개폐가 가능한 차단부재를 별도 설치하여, 광투과창에 대한 가스 증착을 방지하는 한편 광원을 온/오프하는 용도로 이용할 수도 있다.
본 발명의 실시예에서 사용되는 광원은 공정상 필요에 따라 자외선램프 또는 적외선램프를 사용할 수 있다.
자외선 램프는 온도 상승없이 광화학반응 또는 표면처리를 하는 경우에 사용되고, 적외선 램프는 급속열처리를 하는 데 주로 사용되는데, 자외선 램프로는 UV램프 또는 수은램프 등이 사용되며, 적외선 램프로는 할로겐 램프가 사용된다.
이와 같은 광원에서 조사(照射)된 광은 원료가스의 해리를 촉진하여 반응을 촉진하는 한편, 기 증착된 박막내부의 불순물을 제거하는 역할을 수행하게 된다. 또한 반응에 참여하지 않은 잔류가스를 휘발성 가스로 활성화시켜 효과적으로 퍼지될 수 있도록 하는 역할도 수행한다.
이상과 같이 광원(180)을 포함하는 원자층 증착장치를 이용하여 기판에 대한 공정을 수행하는 과정을 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 챔버측벽에 설치된 슬롯밸브(112)를 통해 기판(150)을 반입하여 서셉터(140)의 상부에 차례로 안치하고, 반입과정에서 유입된 파티클 등 불순물을 제거하기 위하여 배기구(130)를 통하여 배기를 실시한다.
공정분위기가 조성되면, 가스밸브어셈블리(170)와 각 수평인젝터를 통하여 챔버 내부로 가스를 순차적으로 분사한다.
이때 공정가스를 챔버 내부로 분사하는 방법에는 여러 가지가 있을 수 있는데, 첫 번째는 2종 이상의 가스를 동시에 챔버 내부로 분사하는 방법이고, 두 번째는 각 가스를 한 번에 한가지씩 순차적으로 분사하는 방법이다.
첫 번째 방법의 경우, 예를 들어, 원료가스로 TiCl4 와 NH3 를 교대로 분사하여 기판(150) 위에 TiN박막을 형성하는 경우에는, 가스밸브어셈블리(170)의 회전축(172)을 회전시키면서, 제1 수평인젝터(160a) 및 제3 수평인젝터(160c)를 통해서는 Ar 또는 N2 등의 퍼지가스를 분사하고, 제2 수평인젝터(160b)에서는 원료가스인 TiCl4 를 분사하고, 제4 수평인젝터(160d)에서는 원료가스인 NH3를 분사한다.
이때 퍼지가스는 제1 수평인젝터(160a) 및 제3 수평인젝터(160c)를 통해서 지속적으로 분사하고, 원료가스인 TiCl4와 NH3는 제2 수평인젝터(160b)와 제4 수평인젝터(160d)를 통해 1회전시마다 TiCl4 → NH3 → TiCl4 → NH3 →……와 같이 번갈아가며 분사시키면, 원료가스인 TiCl4와 NH3는 뒤따라오는 제1 수평인젝터(160a)와 제3 수평인젝터(160c)에서 분사되는 퍼지가스에 의해 자동적으로 퍼지되므로 별도의 퍼지단계를 거칠 필요가 없다는 장점이 있다.
즉, 첫 번째 방법은 제1 가스, 제2 가스 및 퍼지가스를 동시에 챔버내부로 분사하는 방법인데, 이는 본 발명이 프로펠러 형태의 수평인젝터를 구비하고 있기 때문에 가능한 것이다.
그런데 동시에 분사된다는 것은 챔버 내부로 2종 이상의 가스가 동시에 분사된다는 의미일 뿐, 각 서셉터에 안치되는 기판(150)을 기준으로 볼 때는 전통적인 원자층 증착방법과 마찬가지로 각 가스가 순차적으로 분사되는 것이다.
즉, 제1 서셉터(140a)를 기준으로 설명하면, 가스밸브 어셈블리의 회전축(172)이 회전함에 따라, 어느 시점에 제1 수평인젝터(160)가 퍼지가스를 분사하면서 상부를 지나간 후, 제2 수평인젝터(160b)가 제1 가스인 TiCl4를 분사하면서 지나가면 기판(150)위에 TiCl4가 증착된다.
다음으로 제3 수평인젝터(160c)가 다시 퍼지가스를 분사하면서 기판(150)위를 지나감으로써 잔류 TiCl4 가스를 퍼지한 다음, 마지막으로 제4 수평인젝터(160d)가 제2 가스인 NH3를 분사하면서 지나간다.
제2 가스인 NH3는 이미 기판(150)에 증착된 TiCl4와 반응하여 TiN박막을 형성하게 되고, 반응잔류물과 잔류 NH3는 다시 제1 수평인젝터(160a)가 분사하는 퍼지가스에 의해 퍼지된다.
이와 같은 과정이 반복됨으로써 챔버 내에서는 4개의 기판(150)에 대한 원자층 증착이 동시에 진행되는 것이다.
이와 같이 2종 이상의 공정가스를 챔버 내부로 동시에 분사하기 위해서는, 이와 같이 회전축(172)을 구비한 가스밸브어셈블리(170)를 이용할 수도 있지만, 가스밸브 어셈블리(170)의 회전축(172)을 회전시키는 대신에 챔버 내부의 서셉터 지지대(120)를 챔버 중심을 기준으로 회전시키는 방법을 취하여도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 이를 위해서는 서셉터 지지대(120) 회전수단이 별도 구비되어야 함은 물론이다.
두 번째 분사방법은 각 가스를 한 번에 1가지씩만 분사하는 방법인데, 이 경우에는 제1 또는 제3 수평인젝터(160a, 160c)가 회전하면서 퍼지가스를 분사한 후, 제2 수평인젝터(160a)가 회전하면서 제1 가스인 TiCl4를 분사하여 제1,2,3,4 서셉터의 기판(150)에 TiCl4박막을 증착하고, 다시 제1 또는 제3 수평인젝터(160a, 160c)를 통해 퍼지가스를 분사한다.
*다음으로 제4 수평인젝터(160d)가 NH3를 분사하여 이미 각 기판(150)에 증착된 TiCl4과 반응시켜 TiN박막을 형성하며, 이어서 위의 과정을 반복하게 된다.
한편, 분사된 가스를 활성종으로 여기시키게 되면 각종 반응이 보다 신속하게 이루어지는데, 상술한 바와 같이 본 발명에서는 분사된 가스에 광(光)을 조사(照射)하는 방법을 제안하고 있다.
이와 같이 광에너지를 이용하게 되면 저온영역에서 원료가스가 해리되므로 챔버 내부의 내열성 강화나 RF전자기장에 의한 이온충격에 대비하기 위하여 별도의 하드웨어를 추가할 필요가 없다는 장점이 있다.
원료가스의 해리를 위해서는 각 원료가스의 분사 직후에 광에너지를 조사하는 것이 바람직한데, 제1 가스분사 → 광조사 → 퍼지 → 제2 가스분사 → 광조사 → 퍼지 의 순으로 공정을 진행하게 되면, 광조사에 의하여 해리된 원료가스를 증착공정에 이용할 수 있어 보다 효과적인 박막증착을 수행할 수 있다.
특히 광에너지 조사는 이미 증착된 박막 내부의 불순물을 제거하고, 막질을 개선하기 위해서도 사용될 수 있는데, 이때는 1주기의 증착공정 직후마다 광을 조사할 수도 있고, 원자층 증착의 경우 많게는 수백 회 주기의 증착공정이 수행되는 점을 감안하여 수십 회 이상의 주기마다 광 조사를 실시할 수도 있으며, 나아가 증착공정을 모두 마친 이후에 실시할 수도 있다.
이와 같이 광원을 이용하게 되면, 저온 영역에서도 원료가스의 활성화나 막질 개선이 용이할 뿐만 아니라, 원자층 증착법과 같이 수백 회의 공정주기를 반복하여야 하는 경우에도 연속적인 처리가 가능하다는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 한하여 설명하였으나, 본 발명은 당업자에 의해 다양하게 수정 내지 변형되어 실시될 수 있으며, 그와 같이 수정 내지 변형된 기술도 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 바탕으로 하는 한 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 자명하다 할 것이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110 : 챔버 112 : 슬롯밸브
114 : 챔버 천정 120 : 서셉터 지지대
130 : 배기구 140a,140b,140c,140d : 제1,2,3,4 서셉터
142 : 히터 150 : 기판
160a,160b,160c,160d : 제1,2,3,4 수평인젝터
162 : 분사홀 170 : 가스밸브어셈블리
171 : 하우징 172 : 회전축
173 : 플랜지 174 : 마그네틱 시일
175a,175b,175c,175d : 제1,2,3,4 가스유입구
176a,176b,176c,176d : 제1,2,3,4 가스통로
180a,180b,180c,180d : 제1,2,3,4 광원 177 : 가스차단부재
182a, 182b : 제5, 6 광원
184 : 단일 광원
190a,190b,190c,190d : 제1,2,3,4 광 투과창

Claims (11)

  1. 기판 상에 제 1 가스를 분사하여 제 1 흡착층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 가스를 퍼지시키는 단계; 및
    상기 제 1 흡착층 상에 제 2 가스를 분사하여 제 2 흡착층을 형성하는 단계;
    상기 제 2 가스를 퍼지시키는 단계; 및
    상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층을 형성한 후에, 상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층의 불순물을 제거하고 막질을 개선하기 위한 광 에너지를 공급하기 위하여, 광원을 이용한 광을 상기 제 1 흡착층 또는 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    다수의 서셉터 상에 다수의 상기 기판이 위치하고, 상기 광원은 상기 다수의 서셉터와 대응되도록 다수로 형성하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 광원은 자외선 또는 적외선 램프인 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법.
  4. 1 주기의 증착공정이,
    상기 기판 상에 제 1 가스를 분사하여 제 1 흡착층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 가스를 퍼지시키는 단계;
    상기 제 1 흡착층 상에 제 2 가스를 분사하여 제 2 흡착층을 형성하는 단계; 및
    상기 제 2 가스를 퍼지시키는 단계;
    를 포함하는 원자층 증착방법에 있어서,
    상기 1주기의 증착공정을 수 회 반복하여 박막증착을 완료한 후, 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층의 불순물을 제거하고 막질을 개선하기 위한 광 에너지를 공급하기 위하여, 광원을 이용한 광을 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계를 포함하는 원자층 증착방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 광을 상기 제 1 흡착층 및 상기 제 2 흡착층에 조사하는 단계를 상기 1 주기 마다 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 가스는 TiCl4 가스이고, 상기 제 2 가스는 NH3이며, 상기 TiCl4로 구성되는 상기 제 1 흡착층과 상기 NH3로 구성되는 상기 제 2 흡착층이 반응하여 TiN박막을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착방법.
  7. 반응 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버의 내부에 위치하며, 기판을 안치하는 서셉터;
    상기 서셉터의 상부에 다수의 가스를 독립적으로 분사하는 가스분사수단;
    상기 챔버 벽에 형성되는 광 투과창과;
    상기 광 투과창과 대응되게 상기 챔버의 외부에 설치되고, 상기 기판에 광을 조사하는 광원; 및
    상기 광 투과창의 내측에 개폐가 가능하여 상기 다수의 가스를 분사할 때 상기 광원을 차단할 수 있는 차단부재;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 서셉터는 다수로 구성되고, 다수의 상기 서셉터와 대응되어 상기 광 투과창 및 상기 광원이 다수로 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 광원은 자외선 또는 적외선 램프인 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 광투과창은 퍼지용 가스공급수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스분사수단은,
    다수의 가스통로를 가지는 회전축; 및
    상기 회전축에 연결되고 상기 다수의 가스통로와 연통되어 상기 다수의 가스를 분사하는 다수의 수평 인젝터;
    를 포함하고,
    상기 광원의 출사광은 상기 다수의 수평 인젝터 사이의 공간을 통과하여 상기 기판에 조사되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
KR1020110099890A 2011-09-30 2011-09-30 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법 KR20110115992A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110099890A KR20110115992A (ko) 2011-09-30 2011-09-30 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110099890A KR20110115992A (ko) 2011-09-30 2011-09-30 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040062383A Division KR101114219B1 (ko) 2004-08-09 2004-08-09 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110115992A true KR20110115992A (ko) 2011-10-24

Family

ID=45030493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110099890A KR20110115992A (ko) 2011-09-30 2011-09-30 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110115992A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140002539A (ko) * 2012-06-29 2014-01-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
KR20140037336A (ko) * 2012-09-17 2014-03-27 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140002539A (ko) * 2012-06-29 2014-01-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 성막 방법, 성막 장치 및 기억 매체
KR20140037336A (ko) * 2012-09-17 2014-03-27 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101114219B1 (ko) 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
JP7090118B2 (ja) 空間的原子層堆積法による、自己整合ダブルパターニング
JP6782320B2 (ja) 基板処理方法
JP7447004B2 (ja) 窒化ケイ素の薄膜のための処理方法
TWI602943B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US7582544B2 (en) ALD film forming method
KR101511457B1 (ko) 왕복 서셉터를 갖는 증착 장치를 이용한 층의 증착
TWI523970B (zh) 成膜裝置（一）
KR20170092462A (ko) 성막 방법
JP5093162B2 (ja) 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
TWI737868B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US20050241580A1 (en) Method for depositing thin film and thin film deposition system having separate jet orifices for spraying purge gas
US20150136028A1 (en) Substrate processing apparatus
JP6750534B2 (ja) 成膜装置
KR20100132779A (ko) 박막 형성 방법 및 이의 제조 장치
KR20150090851A (ko) 성막 장치
JP2007067119A (ja) 半導体製造装置
US20160326651A1 (en) Substrate processing apparatus
US10472719B2 (en) Nozzle and substrate processing apparatus using same
KR101862907B1 (ko) 성막 방법
KR102584230B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
KR102080761B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20110115992A (ko) 광원을 포함하는 원자층 증착장치 및 이를 이용한 증착방법
KR102325325B1 (ko) 박막형성방법
KR101426432B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20120605

Effective date: 20131022