JP2013055356A5 - - Google Patents

Description

本発明で適用される処理ガス（第１の反応ガス）としては、上述の例の他に、ＤＣＳ[ジクロロシラン]、ＨＣＤ[ヘキサクロロジシラン]、ＴＭＡ[トリメチルアルミニウム]、３ＤＭＡＳ[トリスジメチルアミノシラン]、ＴＥＭＡＺ[テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム]、ＴＥＭＡＨｆ[テトラキスエチルメチルアミノハフニウム]、Ｓｒ(ＴＨＤ)２ [ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト]、Ｔｉ(ＭＰＤ)(ＴＨＤ)[チタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト]、モノアミノシランなどを挙げることができる。

Claims (7)

1. 真空搬送室と、この真空搬送室に各々気密に接続され、基板に対して成膜処理を行うための成膜装置及び成膜処理が行われた基板に対して熱処理を行うための熱処理装置と、前記真空搬送室内に設けられ、前記成膜装置から前記熱処理装置に基板を搬送するための基板搬送機構と、を備え、
   前記成膜装置は、真空容器と、当該真空容器内において複数枚の基板を前記真空容器の周方向に沿って載置すると共にこれら基板を公転させるための回転テーブルと、基板の表面に反応生成物を形成するために、前記回転テーブル上における基板の移動路に対向して設けられ、基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理ガスが供給される処理領域を前記真空容器内の他の領域から区画するために、この処理領域に対して前記真空容器の周方向に離間して設けられ、前記処理領域とは異なるガス雰囲気に設定された区画領域と、前記真空容器内を排気するための排気機構と、を備え、
   前記熱処理装置は、真空容器と、当該真空容器内において複数枚の基板を前記真空容器の周方向に沿って載置すると共にこれら基板を公転させるための回転テーブルと、この回転テーブル上の基板の熱処理を行うための加熱部と、前記真空容器内を排気するための排気機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記成膜装置は、基板の表面に形成された反応生成物に対してプラズマを供給してプラズマ処理を行うためのプラズマ処理部を備え、
   このプラズマ処理部は、前記処理ガス供給部に対して前記真空容器の周方向に離間して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記成膜装置は、前記処理ガス供給部に対して前記回転テーブルの回転方向下流側に離間して設けられ、基板の表面に吸着した処理ガスの成分を酸化して反応生成物を形成するための酸化ガスを供給する酸化ガス供給部と、
   前記処理領域と酸化ガスが供給される領域との間に設けられた分離領域に対して分離ガスを供給するための分離ガス供給部と、を備え、
   前記処理ガス供給部は、ハフニウムを含む原料ガスを基板に供給するためのものであり、
   前記プラズマ処理部は、前記酸化ガス供給部に対して前記回転テーブルの回転方向下流側に配置されると共に、窒素元素を含むガスをプラズマ化して得たプラズマを基板に供給するためのものであることを特徴する請求項２に記載に記載の基板処理装置。
4. 前記成膜装置は、前記回転テーブル上の基板を成膜温度に加熱するための加熱部を備え、
   前記熱処理装置の前記加熱部は、前記成膜温度よりも高い温度に基板を加熱するためのものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置。
5. 前記成膜装置における前記基板の載置領域の個数と、前記熱処理装置における前記基板の載置領域の個数とは、互いに同じであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 真空容器内に設けられた回転テーブル上に、当該真空容器の周方向に沿って互いに離間させて複数枚の基板を載置する工程と、
   次いで、前記回転テーブル上における基板の移動路に対向するように設けられた処理ガス供給部から処理ガスを供給すると共に、前記回転テーブルを介して各々の基板を公転させて処理ガスが供給される処理領域を複数回通過させて、基板の表面に反応生成物を形成する工程と、
   続いて、真空雰囲気にて各々の基板を前記真空容器とは別の真空容器に順次搬送する工程と、
   しかる後、前記別の真空容器内にて各々の基板に対して熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
7. 真空容器内で基板の表面に反応生成物を形成した後、当該基板の熱処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
   前記コンピュータプログラムは、請求項６に記載の基板処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。