JP2017025412A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017025412A5 JP2017025412A5 JP2016144114A JP2016144114A JP2017025412A5 JP 2017025412 A5 JP2017025412 A5 JP 2017025412A5 JP 2016144114 A JP2016144114 A JP 2016144114A JP 2016144114 A JP2016144114 A JP 2016144114A JP 2017025412 A5 JP2017025412 A5 JP 2017025412A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- group
- reactor
- borane
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 88
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 38
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000090 borane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N diborane Chemical compound B1[H]B[H]1 DMJZZSLVPSMWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N N#B Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KCFRGNTWICAUIP-UHFFFAOYSA-N N-[bis(diethylamino)boranyl]-N-ethylethanamine Chemical compound CCN(CC)B(N(CC)CC)N(CC)CC KCFRGNTWICAUIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N N-[bis(dimethylamino)alumanyl]-N-methylmethanamine Chemical compound [Al+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SOLWORTYZPSMAK-UHFFFAOYSA-N N-[bis(dimethylamino)boranyl]-N-methylmethanamine Chemical compound CN(C)B(N(C)C)N(C)C SOLWORTYZPSMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IMKXKRVWMWJAFF-UHFFFAOYSA-N N-bis[ethyl(methyl)amino]alumanyl-N-methylethanamine Chemical compound CCN(C)[Al](N(C)CC)N(C)CC IMKXKRVWMWJAFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N Triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N Triethylborane Chemical compound CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N Trimethylaluminium Chemical group C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N Trimethylborane Chemical compound CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- YHEBWENCRKXXIJ-UHFFFAOYSA-N C(C)N(C)B(N(CC)C)N(CC)C Chemical compound C(C)N(C)B(N(CC)C)N(CC)C YHEBWENCRKXXIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N Tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC VJDVOZLYDLHLSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N diethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC.CC[N-]CC GOVWJRDDHRBJRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C SRLSISLWUNZOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium(0) Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N n-methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VNNBCHOFNHQJSF-UHFFFAOYSA-N (triethylazaniumyl)boron(1-) Chemical compound CC[N+]([B-])(CC)CC VNNBCHOFNHQJSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DLWFQVAZCQJGPV-UHFFFAOYSA-N (trimethylazaniumyl)boron(1-) Chemical group [B-][N+](C)(C)C DLWFQVAZCQJGPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LDKMWNFUHYHBTF-UHFFFAOYSA-N BN(C)CC Chemical compound BN(C)CC LDKMWNFUHYHBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OTSOGXNIABDRQR-UHFFFAOYSA-N C(C)N(CC)[Ta] Chemical compound C(C)N(CC)[Ta] OTSOGXNIABDRQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BBULAKPGDABGNA-UHFFFAOYSA-N C(C)N(CC)[W]N(CC)CC Chemical compound C(C)N(CC)[W]N(CC)CC BBULAKPGDABGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JVCWKXBYGCJHDF-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)N=[W](N(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)C Chemical compound CC(C)(C)N=[W](N(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)C JVCWKXBYGCJHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QQBINNXWRDRCHB-UHFFFAOYSA-N CCC(C)(C)N=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound CCC(C)(C)N=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C QQBINNXWRDRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PDGHBHKZHSFTHO-UHFFFAOYSA-N CCN(C)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(C)CC)N(C)CC Chemical compound CCN(C)[Ta](=NC(C)(C)C)(N(C)CC)N(C)CC PDGHBHKZHSFTHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GKBKXJWUIIYCBD-UHFFFAOYSA-N CCN(C)[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)=NC(C)(C)CC Chemical compound CCN(C)[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)=NC(C)(C)CC GKBKXJWUIIYCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KKSXSQXELVXONV-UHFFFAOYSA-N CCN(C)[W](=NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)CC Chemical compound CCN(C)[W](=NC(C)(C)C)(=NC(C)(C)C)N(C)CC KKSXSQXELVXONV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GODRSDDUYGEYDK-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)=NC(C)(C)CC Chemical compound CCN(CC)[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)=NC(C)(C)CC GODRSDDUYGEYDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LYWGPKCZWZCWAG-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C Chemical compound CCN=[Ta](N(C)C)(N(C)C)N(C)C LYWGPKCZWZCWAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AEKOOYWLWGERES-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC Chemical compound CCN=[Ta](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC AEKOOYWLWGERES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZLKUSFBEBZOVGX-UHFFFAOYSA-N CCN=[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)N(CC)CC Chemical compound CCN=[Ta](N(CC)CC)(N(CC)CC)N(CC)CC ZLKUSFBEBZOVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N Hafnium Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I Tantalum(V) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J Titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 2
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H Tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I Tungsten(V) chloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)Cl WIDQNNDDTXUPAN-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 2
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J Zirconium(IV) chloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 229910007926 ZrCl Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N azanylidynevanadium Chemical compound [V]#N SKKMWRVAJNPLFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PPJPTAQKIFHZQU-UHFFFAOYSA-N bis(tert-butylimino)tungsten;dimethylazanide Chemical compound C[N-]C.C[N-]C.CC(C)(C)N=[W]=NC(C)(C)C PPJPTAQKIFHZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PVYPHUYXKVVURH-UHFFFAOYSA-N boron;2-methylpropan-2-amine Chemical compound [B].CC(C)(C)N PVYPHUYXKVVURH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QHXLIQMGIGEHJP-UHFFFAOYSA-N boron;2-methylpyridine Chemical compound [B].CC1=CC=CC=N1 QHXLIQMGIGEHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BYKCUMSOQIPHSR-UHFFFAOYSA-N boron;N-ethyl-N-propan-2-ylpropan-2-amine Chemical compound [B].CCN(C(C)C)C(C)C BYKCUMSOQIPHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;N-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NNTOJPXOCKCMKR-UHFFFAOYSA-N boron;pyridine Chemical compound [B].C1=CC=NC=C1 NNTOJPXOCKCMKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C VSLPMIMVDUOYFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C LNKYFCABELSPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- -1 metalloid nitride Chemical class 0.000 claims description 2
- WHVTVPUNFIVIDH-UHFFFAOYSA-N morpholin-4-ylboron Chemical compound [B]N1CCOCC1 WHVTVPUNFIVIDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium(0) Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 201000011452 adrenoleukodystrophy Diseases 0.000 description 1
- 230000002463 transducing Effects 0.000 description 1
Description
図8は、堆積された状態のホウ素ドープ窒化チタンの抵抗率を示し、抵抗率はALD条件を変えることにより調節できることを示している。
本開示は以下も包含する。
[1]
プラズマ増強原子層堆積プロセス(PEALD)又はPEALD様プロセスによる、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化タリウム及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる13族金属又は半金属の窒化物膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.以下の式I
MR n (NR 1 R 2 ) 3-n I
(式中、Mは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Th)及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれ、Rは直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 2 からC 10 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 2 からC 10 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC 6 からC 10 のアリール基から選ばれ、R 1 は水素、直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 10 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 10 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC 6 からC 10 のアリール基から選ばれ、R 2 は直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 6 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 6 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、C 6 からC 10 のアリール基、直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 6 のフッ素化アルキル基、電子求引性基、及びC 4 からC 10 のアリール基から選ばれ、任意選択的にR 1 及びR 2 は相互に結合して、置換された若しくは置換されていない芳香環、又は置換された若しくは置換されていない脂肪族環から選ばれる環を形成し、n=0、1、2、又は3である。)
により表される少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種の前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器をパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[2]
少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる、上記態様1に記載の方法。
[3]
少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、ボラン有機アミン錯体である、上記態様2に記載の方法。
[4]
ボラン有機アミン錯体が、ボラントリメチルアミン錯体、ボラントリエチルアミン錯体、ジメチルアミンボラン、ボランピリジン錯体、ボランモルフォリン錯体、ボランtert‐ブチルアミン錯体、ボラン4‐メチルモルフォリン錯体、ボランN,N‐ジイソプロピルエチルアミン錯体、ボランエチレンジアミン錯体、及び2‐メチルピリジンボラン錯体からなる群から選ばれる、上記態様3に記載の方法。
[5]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[6]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[7]
前記窒素を含むプラズマが、窒素プラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、窒素/アルゴンからなる群から選ばれるガスを含む、上記態様1に記載の方法。
[8]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様1に記載の方法。
[9]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様1に記載の方法。
[10]
R 1 及びR 2 が同じである、上記態様1に記載の方法。
[11]
R 1 及びR 2 が異なる、上記態様1に記載の方法。
[12]
R 1 及びR 2 が相互に結合して環を形成している、上記態様1に記載の方法。
[13]
さらに、工程dの前に、水素を含むプラズマを導入する工程を含む、上記態様1に記載の方法。
[14]
所望の厚さに到達したら、さらに、膜を処理する工程を含み、前記処理が、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、UV照射、IR照射、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれるエネルギーソースに曝露することによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[15]
窒化アルミニウム膜の製造方法であって、前記方法が、
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、及びトリス(エチルメチルアミノ)アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化アルミニウム膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[16]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様15に記載の方法。
[17]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様15に記載の方法。
[18]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様15に記載の方法。
[19]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様15に記載の方法。
[20]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様15に記載の方法。
[21]
窒化ホウ素膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、及びトリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボランからなる群から選ばれる少なくとも1種のホウ素前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種のホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化ホウ素膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[22]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様21に記載の方法。
[23]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様21に記載の方法。
[24]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様21に記載の方法。
[25]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様21に記載の方法。
[26]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様21に記載の方法。
[27]
プラズマ増強原子層堆積プロセス又はPEALD様プロセスによる、アルミニウムドープ窒化チタン、ホウ素ドープ窒化チタン、アルミニウムドープ窒化タンタル、ホウ素ドープ窒化タンタル、アルミニウムドープ窒化タングステン、ホウ素ドープ窒化タングステン、アルミニウムドープ窒化バナジウム、ホウ素ドープ窒化バナジウム膜等の13族元素ドープ金属窒化物の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム又はホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスにより前記反応器をパージする工程と、
f.塩化ジルコニウム(ZrCl 4 )、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(TDMAZ)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(TDEAZ)、テトラキス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(TEMAZ)、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム(TDMAH)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(TDEAH)、及びテトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH)、塩化チタン(TiCl 4 )、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(TDEAT)、テトラキス(エチルメチルアミノ)チタン(TEMAT)、塩化タンタル(TaCl 5 )、tert‐ブチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、tert‐ブチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TBTDMT)、tert‐ブチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(TBTEMT)、エチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(EITDET)、エチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(EITDMT)、エチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(EITEMT)、tert‐アミルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TAIMAT)、tert‐アミルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル、tert‐アミルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル、六塩化タングステン、五塩化タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジメチルアミノ)タングステン(BTBMW)、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジエチルアミノ)タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(エチルメチルアミノ)タングステン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種の金属前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
g.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
h.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
i.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからiが、アルミニウム又はホウ素ドープ金属窒化物膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[28]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様27に記載の方法。
[29]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様27に記載の方法。
[30]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様27に記載の方法。
[31]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様27に記載の方法。
[32]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様27に記載の方法。
[33]
工程eが実施される前に、13族元素窒化物の所望の厚さに到達するように、工程bからeが繰り返される、上記態様27に記載の方法。
[34]
工程fからiが、工程bからeより多くのサイクルが繰り返されて、XPSによる15at.%未満の13族元素含有量である13族元素ドープ金属窒化物を与える、上記態様27に記載の方法。
本開示は以下も包含する。
[1]
プラズマ増強原子層堆積プロセス(PEALD)又はPEALD様プロセスによる、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化タリウム及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる13族金属又は半金属の窒化物膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.以下の式I
MR n (NR 1 R 2 ) 3-n I
(式中、Mは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Th)及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれ、Rは直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 2 からC 10 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 2 からC 10 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC 6 からC 10 のアリール基から選ばれ、R 1 は水素、直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 10 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 10 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC 6 からC 10 のアリール基から選ばれ、R 2 は直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 10 のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 6 のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC 3 からC 6 のアルキニル基、C 1 からC 6 のジアルキルアミノ基、C 6 からC 10 のアリール基、直鎖又は分岐鎖のC 1 からC 6 のフッ素化アルキル基、電子求引性基、及びC 4 からC 10 のアリール基から選ばれ、任意選択的にR 1 及びR 2 は相互に結合して、置換された若しくは置換されていない芳香環、又は置換された若しくは置換されていない脂肪族環から選ばれる環を形成し、n=0、1、2、又は3である。)
により表される少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種の前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器をパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[2]
少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる、上記態様1に記載の方法。
[3]
少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、ボラン有機アミン錯体である、上記態様2に記載の方法。
[4]
ボラン有機アミン錯体が、ボラントリメチルアミン錯体、ボラントリエチルアミン錯体、ジメチルアミンボラン、ボランピリジン錯体、ボランモルフォリン錯体、ボランtert‐ブチルアミン錯体、ボラン4‐メチルモルフォリン錯体、ボランN,N‐ジイソプロピルエチルアミン錯体、ボランエチレンジアミン錯体、及び2‐メチルピリジンボラン錯体からなる群から選ばれる、上記態様3に記載の方法。
[5]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[6]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[7]
前記窒素を含むプラズマが、窒素プラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、窒素/アルゴンからなる群から選ばれるガスを含む、上記態様1に記載の方法。
[8]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様1に記載の方法。
[9]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様1に記載の方法。
[10]
R 1 及びR 2 が同じである、上記態様1に記載の方法。
[11]
R 1 及びR 2 が異なる、上記態様1に記載の方法。
[12]
R 1 及びR 2 が相互に結合して環を形成している、上記態様1に記載の方法。
[13]
さらに、工程dの前に、水素を含むプラズマを導入する工程を含む、上記態様1に記載の方法。
[14]
所望の厚さに到達したら、さらに、膜を処理する工程を含み、前記処理が、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、UV照射、IR照射、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれるエネルギーソースに曝露することによりなされる、上記態様1に記載の方法。
[15]
窒化アルミニウム膜の製造方法であって、前記方法が、
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、及びトリス(エチルメチルアミノ)アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化アルミニウム膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[16]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様15に記載の方法。
[17]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様15に記載の方法。
[18]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様15に記載の方法。
[19]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様15に記載の方法。
[20]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様15に記載の方法。
[21]
窒化ホウ素膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、及びトリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボランからなる群から選ばれる少なくとも1種のホウ素前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種のホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化ホウ素膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[22]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様21に記載の方法。
[23]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様21に記載の方法。
[24]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様21に記載の方法。
[25]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様21に記載の方法。
[26]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様21に記載の方法。
[27]
プラズマ増強原子層堆積プロセス又はPEALD様プロセスによる、アルミニウムドープ窒化チタン、ホウ素ドープ窒化チタン、アルミニウムドープ窒化タンタル、ホウ素ドープ窒化タンタル、アルミニウムドープ窒化タングステン、ホウ素ドープ窒化タングステン、アルミニウムドープ窒化バナジウム、ホウ素ドープ窒化バナジウム膜等の13族元素ドープ金属窒化物の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム又はホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスにより前記反応器をパージする工程と、
f.塩化ジルコニウム(ZrCl 4 )、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(TDMAZ)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(TDEAZ)、テトラキス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(TEMAZ)、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム(TDMAH)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(TDEAH)、及びテトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH)、塩化チタン(TiCl 4 )、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(TDEAT)、テトラキス(エチルメチルアミノ)チタン(TEMAT)、塩化タンタル(TaCl 5 )、tert‐ブチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、tert‐ブチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TBTDMT)、tert‐ブチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(TBTEMT)、エチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(EITDET)、エチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(EITDMT)、エチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(EITEMT)、tert‐アミルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TAIMAT)、tert‐アミルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル、tert‐アミルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル、六塩化タングステン、五塩化タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジメチルアミノ)タングステン(BTBMW)、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジエチルアミノ)タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(エチルメチルアミノ)タングステン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種の金属前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
g.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
h.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm 2 の範囲の出力密度において発生させる工程と、
i.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからiが、アルミニウム又はホウ素ドープ金属窒化物膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。
[28]
前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、上記態様27に記載の方法。
[29]
前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、上記態様27に記載の方法。
[30]
前記水素を含まない窒素プラズマが、N 2 プラズマを含む、上記態様27に記載の方法。
[31]
前記パージガスが、希ガスである、上記態様27に記載の方法。
[32]
プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、上記態様27に記載の方法。
[33]
工程eが実施される前に、13族元素窒化物の所望の厚さに到達するように、工程bからeが繰り返される、上記態様27に記載の方法。
[34]
工程fからiが、工程bからeより多くのサイクルが繰り返されて、XPSによる15at.%未満の13族元素含有量である13族元素ドープ金属窒化物を与える、上記態様27に記載の方法。
Claims (24)
- プラズマ増強原子層堆積プロセス(PEALD)又はPEALD様プロセスによる、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化タリウム及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる13族金属又は半金属の窒化物膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.以下の式I
MRn(NR1R2)3-n I
(式中、Mは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Th)及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれ、Rは直鎖又は分岐鎖のC1からC10のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC2からC10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC2からC10のアルキニル基、C1からC6のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC6からC10のアリール基から選ばれ、R1は水素、直鎖又は分岐鎖のC1からC10のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC3からC10のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3からC10のアルキニル基、C1からC6のジアルキルアミノ基、電子求引性基、及びC6からC10のアリール基から選ばれ、R2は直鎖又は分岐鎖のC1からC10のアルキル基、直鎖又は分岐鎖のC3からC6のアルケニル基、直鎖又は分岐鎖のC3からC6のアルキニル基、C1からC6のジアルキルアミノ基、C6からC10のアリール基、直鎖又は分岐鎖のC1からC6のフッ素化アルキル基、電子求引性基、及びC4からC10のアリール基から選ばれ、任意選択的にR1及びR2は相互に結合して、置換された若しくは置換されていない芳香環、又は置換された若しくは置換されていない脂肪族環から選ばれる環を形成し、n=0、1、2、又は3である。)
により表される少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種の前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器をパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm2の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。 - 少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1種の13族金属又は半金属の前駆体が、ボラン有機アミン錯体である、請求項2に記載の方法。
- ボラン有機アミン錯体が、ボラントリメチルアミン錯体、ボラントリエチルアミン錯体、ジメチルアミンボラン、ボランピリジン錯体、ボランモルフォリン錯体、ボランtert‐ブチルアミン錯体、ボラン4‐メチルモルフォリン錯体、ボランN,N‐ジイソプロピルエチルアミン錯体、ボランエチレンジアミン錯体、及び2‐メチルピリジンボラン錯体からなる群から選ばれる、請求項3に記載の方法。
- 前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、請求項1に記載の方法。
- 前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、請求項1に記載の方法。
- 前記窒素を含むプラズマが、窒素プラズマ、窒素/ヘリウムプラズマ、窒素/アルゴンからなる群から選ばれるガスを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パージガスが、希ガスである、請求項1に記載の方法。
- プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、請求項1に記載の方法。
- R1及びR2が同じである、請求項1に記載の方法。
- R1及びR2が異なる、請求項1に記載の方法。
- R1及びR2が相互に結合して環を形成している、請求項1に記載の方法。
- さらに、工程dの前に、水素を含むプラズマを導入する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 所望の厚さに到達したら、さらに、膜を処理する工程を含み、前記処理が、水素プラズマ、ヘリウムプラズマ、アルゴンプラズマ、UV照射、IR照射、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれるエネルギーソースに曝露することによりなされる、請求項1に記載の方法。
- 窒化アルミニウム膜の製造方法であって、前記方法が、
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、及びトリス(エチルメチルアミノ)アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm2の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化アルミニウム膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。 - 窒化ホウ素膜の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルホウ素、トリエチルホウ素、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、及びトリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボランからなる群から選ばれる少なくとも1種のホウ素前駆体を前記反応器に導入する工程であって、少なくとも1種のホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.パージガスにより前記反応器をパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm2の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからeが、窒化ホウ素膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法。 - プラズマ増強原子層堆積プロセス又はPEALD様プロセスによる、アルミニウムドープ窒化チタン、ホウ素ドープ窒化チタン、アルミニウムドープ窒化タンタル、ホウ素ドープ窒化タンタル、アルミニウムドープ窒化タングステン、ホウ素ドープ窒化タングステン、アルミニウムドープ窒化バナジウム、ホウ素ドープ窒化バナジウム膜等の13族元素ドープ金属窒化物の製造方法であって、前記方法が、:
a.反応器に基材を与える工程と、
b.トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリス(ジメチルアミノ)アルミニウム、トリス(エチルメチルアミノ)アルミニウム、トリメチルボラン、トリエチルボラン、トリス(ジメチルアミノ)ボラン、トリス(エチルメチルアミノ)ボラン、トリス(ジエチルアミノ)ボラン、及びボラン有機アミン錯体からなる群から選ばれる少なくとも1種のアルミニウム前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種のアルミニウム又はホウ素前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
c.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
d.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm2の範囲の出力密度において発生させる工程と、
e.窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスにより前記反応器をパージする工程と、
f.塩化ジルコニウム(ZrCl4)、テトラキス(ジメチルアミノ)ジルコニウム(TDMAZ)、テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウム(TDEAZ)、テトラキス(エチルメチルアミノ)ジルコニウム(TEMAZ)、テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム(TDMAH)、テトラキス(ジエチルアミノ)ハフニウム(TDEAH)、及びテトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(TEMAH)、塩化チタン(TiCl4)、テトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)、テトラキス(ジエチルアミノ)チタン(TDEAT)、テトラキス(エチルメチルアミノ)チタン(TEMAT)、塩化タンタル(TaCl5)、tert‐ブチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(TBTDET)、tert‐ブチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TBTDMT)、tert‐ブチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(TBTEMT)、エチルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル(EITDET)、エチルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(EITDMT)、エチルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル(EITEMT)、tert‐アミルイミノトリ(ジメチルアミノ)タンタル(TAIMAT)、tert‐アミルイミノトリ(ジエチルアミノ)タンタル、ペンタキス(ジメチルアミノ)タンタル、tert‐アミルイミノトリ(エチルメチルアミノ)タンタル、六塩化タングステン、五塩化タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジメチルアミノ)タングステン(BTBMW)、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(ジエチルアミノ)タングステン、ビス(tert‐ブチルイミノ)ビス(エチルメチルアミノ)タングステン、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属前駆体を前記反応器に導入する工程であって、前記少なくとも1種の金属前駆体が、基材の表面の少なくとも一部の上で反応して化学吸着層を与える工程と、
g.前記反応器を、窒素、希ガス、及びこれらの組み合わせから選ばれる少なくとも1種を含むパージガスによりパージする工程と、
h.水素を含まない窒素プラズマを含むプラズマを前記反応器に導入して、化学吸着層の少なくとも一部と反応させ、少なくとも1つの反応サイトを与える工程であって、前記プラズマを、約0.01から約1.5W/cm2の範囲の出力密度において発生させる工程と、
i.任意選択的に不活性ガスにより前記反応器をパージする工程と、
を含み、前記工程bからiが、アルミニウム又はホウ素ドープ金属窒化物膜の所望の厚さが得られるまで繰り返される、方法 - 前記方法が、プラズマ増強原子層堆積プロセスによりなされる、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法が、PEALD様プロセスによりなされる、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水素を含まない窒素プラズマが、N2プラズマを含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記パージガスが、希ガスである、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- プラズマを導入する工程が、エネルギーを与えてプラズマを作り出すことを含み、前記エネルギーが、熱、プラズマ、パルスプラズマ、ヘリコンプラズマ、高密度プラズマ、誘導結合プラズマ、X線、電子線、フォトン、遠隔プラズマ法、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる少なくとも1種のソースにより与えられる、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 工程eが実施される前に、13族元素窒化物の所望の厚さに到達するように、工程bからeが繰り返される、請求項17に記載の方法。
- 工程fからiが、工程bからeより多くのサイクルが繰り返されて、XPSによる15at.%未満の13族元素含有量である13族元素ドープ金属窒化物を与える、請求項17に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562196494P | 2015-07-24 | 2015-07-24 | |
US62/196,494 | 2015-07-24 | ||
US15/210,172 | 2016-07-14 | ||
US15/210,172 US10745808B2 (en) | 2015-07-24 | 2016-07-14 | Methods for depositing Group 13 metal or metalloid nitride films |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017025412A JP2017025412A (ja) | 2017-02-02 |
JP2017025412A5 true JP2017025412A5 (ja) | 2017-04-27 |
JP6437962B2 JP6437962B2 (ja) | 2018-12-12 |
Family
ID=56557514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016144114A Expired - Fee Related JP6437962B2 (ja) | 2015-07-24 | 2016-07-22 | 13族金属又は半金属の窒化物膜の堆積方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10745808B2 (ja) |
EP (1) | EP3121309A1 (ja) |
JP (1) | JP6437962B2 (ja) |
KR (1) | KR101949391B1 (ja) |
CN (1) | CN106367730B (ja) |
TW (1) | TWI591198B (ja) |
Families Citing this family (183)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10763103B2 (en) * | 2015-03-31 | 2020-09-01 | Versum Materials Us, Llc | Boron-containing compounds, compositions, and methods for the deposition of a boron containing films |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10541146B2 (en) * | 2017-04-26 | 2020-01-21 | Tokyo Electron Limited | Method of cyclic plasma etching of organic film using sulfur-based chemistry |
US10535531B2 (en) * | 2017-04-26 | 2020-01-14 | Tokyo Electron Limited | Method of cyclic plasma etching of organic film using carbon-based chemistry |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) * | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10332789B2 (en) * | 2017-11-27 | 2019-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with TiN adhesion layer for forming a contact plug |
US11319332B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-05-03 | Basf Se | Process for the generation of metal-containing films |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
CN108950477A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-12-07 | 圆融光电科技股份有限公司 | 一种氮化铝膜及其制备方法和应用 |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US20200318237A1 (en) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
EP3980578A1 (en) | 2019-06-06 | 2022-04-13 | Basf Se | Process for the generation of metal- or semimetal-containing films |
JP2022536111A (ja) | 2019-06-06 | 2022-08-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 金属又は半金属含有フィルムの生成方法 |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
CN111364017B (zh) * | 2020-04-20 | 2022-04-22 | 国家纳米科学中心 | 一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途 |
JP2021172884A (ja) * | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111440210A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-07-24 | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 | 一种含铌或钽的有机化合物的制备方法、产物及应用 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
JP7479011B2 (ja) | 2020-08-05 | 2024-05-08 | 国立大学法人東海国立大学機構 | 六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
CN112221524B (zh) * | 2020-09-16 | 2023-01-13 | 西安近代化学研究所 | 一种负载型大比表面积氮化镓催化剂的制备方法 |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US11978625B2 (en) * | 2021-10-18 | 2024-05-07 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming metal nitride films |
CN114381710A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-22 | 西安交通大学 | 一种GaN薄膜的制备方法、GaN薄膜及其应用 |
WO2024019381A1 (ko) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6849464B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a multilayer dielectric tunnel barrier structure |
US7141500B2 (en) | 2003-06-05 | 2006-11-28 | American Air Liquide, Inc. | Methods for forming aluminum containing films utilizing amino aluminum precursors |
US7067434B2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen free integration of high-k gate dielectrics |
KR100538096B1 (ko) * | 2004-03-16 | 2005-12-21 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법을 이용하는 커패시터 형성 방법 |
US8291857B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
US20100102417A1 (en) | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition method for ternary compounds |
WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US8288292B2 (en) | 2010-03-30 | 2012-10-16 | Novellus Systems, Inc. | Depositing conformal boron nitride film by CVD without plasma |
US8546161B2 (en) * | 2010-09-13 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device |
US8617305B2 (en) * | 2011-01-25 | 2013-12-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal complexes for metal-containing film deposition |
US8143147B1 (en) * | 2011-02-10 | 2012-03-27 | Intermolecular, Inc. | Methods and systems for forming thin films |
US8993072B2 (en) * | 2011-09-27 | 2015-03-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same |
US8633094B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
TWI563539B (en) * | 2012-01-18 | 2016-12-21 | Sino American Silicon Prod Inc | Composite substrate, manufacturing method thereof and light emitting device having the same |
WO2013134661A1 (en) * | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Barrier materials for display devices |
US20130330473A1 (en) | 2012-06-11 | 2013-12-12 | Wayne State University | Atomic Layer Deposition of Transition Metal Thin Films Using Boranes as the Reducing Agent |
US10937649B2 (en) | 2012-06-18 | 2021-03-02 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Epitaxial growth of cubic and hexagonal InN films and their alloys with AlN and GaN |
US9024324B2 (en) * | 2012-09-05 | 2015-05-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | GaN dual field plate device with single field plate metal |
US9905415B2 (en) | 2013-10-03 | 2018-02-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing silicon nitride films |
TWI583816B (zh) * | 2014-04-15 | 2017-05-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 複合基材、包含該複合基材之半導體元件及其製造方法 |
WO2016094711A2 (en) * | 2014-12-13 | 2016-06-16 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same |
KR102251774B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2021-05-12 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 콘포말한 금속 또는 메탈로이드 실리콘 니트라이드 막을 증착시키는 방법 및 얻어진 막 |
US20180274097A1 (en) * | 2015-10-06 | 2018-09-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film |
US10340135B2 (en) * | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
-
2016
- 2016-07-14 US US15/210,172 patent/US10745808B2/en active Active
- 2016-07-21 TW TW105123108A patent/TWI591198B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-22 JP JP2016144114A patent/JP6437962B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-07-22 KR KR1020160093513A patent/KR101949391B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-25 EP EP16181088.2A patent/EP3121309A1/en not_active Withdrawn
- 2016-07-25 CN CN201610592097.9A patent/CN106367730B/zh not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017025412A5 (ja) | ||
JP6761028B2 (ja) | コンフォーマルな金属又はメタロイド窒化ケイ素膜を堆積するための方法及びその結果として得られる膜 | |
JP6437962B2 (ja) | 13族金属又は半金属の窒化物膜の堆積方法 | |
US11605535B2 (en) | Boron-containing compounds, compositions, and methods for the deposition of a boron containing films | |
US10875774B2 (en) | Tritertbutyl aluminum reactants for vapor deposition | |
JP2011520251A5 (ja) | ||
JP6730429B2 (ja) | コンフォーマルな金属又はメタロイド窒化ケイ素膜の堆積方法 | |
JP6302081B2 (ja) | ゲルマニウムまたは酸化ゲルマニウムの原子層堆積 | |
TWI481615B (zh) | 用於錳的原子層沉積之前驅物及方法 | |
KR102555781B1 (ko) | 주석-함유 전구체들 및 주석-함유 막들을 증착시키는 방법들 | |
WO2020006379A1 (en) | Deposition and etch processes of chromium-containing thin films for semiconductor manufacturing | |
TWI837142B (zh) | 形成含鉻膜的方法與以含氧化鉻膜或含鉻膜填充縫隙的方法 | |
US20220018025A1 (en) | Method and system for forming structures including transition metal layers | |
WO2021065646A1 (ja) | 酸化イットリウム含有膜の製造方法 | |
TW201520369A (zh) | 使用鹵化矽前驅物進行包含矽、碳及氮之膜的原子層沉積 |