JP2015029041A5 - - Google Patents

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実施形態に係る基板処理装置は、
基板を水平状態で支持するテーブルと、
このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記処理液供給部による前記基板への前記処理液の供給が終了する前から、前記溶媒供給部による前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始されるように前記溶媒供給部を制御するとともに、前記加熱部による前記基板の加熱は、前記溶媒供給部による前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されるように制御することを特徴とする。
実施形態に係る基板処理方法は、
水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
を有し、
前記揮発性溶媒を供給する工程では、前記処理液を供給する工程が終了する前から、前記記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始され、
前記加熱する工程では、前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されることを特徴とする。

Claims (10)

  1. 基板を水平状態で支持するテーブルと、
    このテーブルを水平面内で回転させる回転機構と、
    回転している前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
    前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
    制御部とを有し、
    前記制御部は、前記処理液供給部による前記基板への前記処理液の供給が終了する前から、前記溶媒供給部による前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始されるように前記溶媒供給部を制御するとともに、前記加熱部による前記基板の加熱は、前記溶媒供給部による前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されるように制御することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記処理液は純水で、前記揮発性溶媒はＩＰＡであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記基板の表面に対して不活性ガスを供給するガス供給部を有し、
    前記制御部は、前記溶媒供給部による前記揮発性溶媒の供給が開始される前に、前記ガス供給部による前記不活性ガスの供給が開始されるように前記ガス供給部を制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記加熱部を前記基板の表面に対して上下方向に移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記加熱部を前記基板の表面に沿って移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記加熱部は、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射する照射部であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記処理液供給部は前記処理液を吐出する第１ノズル、前記溶媒供給部は前記揮発性溶媒を吐出する第２のノズル、前記加熱部は前記基板を加熱する照射部をそれぞれ有し、前記第１のノズルと前記第２のノズルは、いずれも前記照射部内に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記加熱部は、前記基板を加熱する照射部を有し、この照射部は、前記テーブルと、このテーブルに支持される前記基板との間に、前記基板の前記テーブル側の面に対して光を照射するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 水平面内で回転している基板の表面に処理液を供給する工程と、
    前記処理液が供給され回転している前記基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
    前記揮発性溶媒が供給され回転している前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
    を有し、
    前記揮発性溶媒を供給する工程では、前記処理液を供給する工程が終了する前から、前記基板への前記揮発性溶媒の供給が開始され、
    前記加熱する工程では、前記基板の加熱が、前記基板に対する前記揮発性溶媒の供給完了後、または供給中に開始されることを特徴とする基板処理方法。
  10. 前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
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