JP2014093449A5 - - Google Patents

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前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、リン酸水溶液を貯留する貯留槽(4;204;404)と、前記貯留槽内のリン酸水溶液に基板(W)を浸漬させた状態で、当該基板を水平姿勢に保持する基板保持手段(3;402)と、前記基板保持手段に保持されている基板と対向する発熱部(29;209;304A;409)を有し、当該基板を、前記発熱部からの熱輻射および熱伝達により、前記貯留槽に貯留されている前記リン酸水溶液以上の温度まで加熱する加熱手段(4;203;303;404)とを含む、基板処理装置(1;101;201;301;401)である。

Claims (9)

  1. リン酸水溶液を貯留する貯留槽と、
    前記貯留槽内のリン酸水溶液に基板を浸漬させた状態で、当該基板を水平姿勢に保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持されている基板と対向する発熱部を有し、当該基板を、前記発熱部からの熱輻射および熱伝達により、前記貯留槽に貯留されている前記リン酸水溶液以上の温度まで加熱する加熱手段とを含む、基板処理装置。
  2. 前記貯留槽に貯留されているリン酸水溶液に水を供給する水供給手段と、
    前記水供給手段からの水の供給/供給停止を制御することにより、前記貯留槽に貯留されているリン酸水溶液の濃度を制御する濃度制御手段とを含む、請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記水供給手段は、水の液滴を吐出する多数の吐出口を有する多孔ノズルを含む、請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記水供給手段は、前記貯留部にスプレー状の水を噴射するスプレーノズルを含む、請求項2に記載の基板処理装置。
  5. 前記加熱手段は、前記基板保持手段に保持されている基板を、下方側から加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 前記貯留槽は底面を有し、
    前記貯留槽の前記底面が前記発熱部を構成している、請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記加熱手段は、前記基板保持手段に保持されている基板を、上方側から加熱する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 前記加熱手段は赤外線ランプを有し、
    前記赤外線ランプは、前記基板保持手段に保持されている基板の表面に対向配置されて、当該表面に向けて赤外線を照射する、請求項7に記載の基板処理装置。
  9. 前記基板保持手段は、前記貯留槽に対して非接触状態で、基板を支持する基板支持部を有し、
    前記基板支持部に支持された基板を回転させる基板回転手段をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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