JPH0342828A - 半導体ウエハの処理方法および装置 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法および装置Info
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- JPH0342828A JPH0342828A JP17842289A JP17842289A JPH0342828A JP H0342828 A JPH0342828 A JP H0342828A JP 17842289 A JP17842289 A JP 17842289A JP 17842289 A JP17842289 A JP 17842289A JP H0342828 A JPH0342828 A JP H0342828A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は開口幅の狭いトレンチ溝を表面に有する半導体
ウェハを洗浄したりエツチングしたりする半導体ウェハ
の処理方法および装置に関するものである。
ウェハを洗浄したりエツチングしたりする半導体ウェハ
の処理方法および装置に関するものである。
近年、半導体集積回路の微細化が進み、半導体ウェハ（
以下ウェハという）の表面に形成される回路の構造が複
雑になってきているので、ウェハの表面に付着する汚染
物や不要物を、洗浄処理やエツチング処理で確実に取り
除く必要がある。
以下ウェハという）の表面に形成される回路の構造が複
雑になってきているので、ウェハの表面に付着する汚染
物や不要物を、洗浄処理やエツチング処理で確実に取り
除く必要がある。
第３図は従来におけるこの種の処理方法を説明するため
に示す処理装置の概要構成図、第４図は同じくウェハの
表面近傍の拡大縦断面図であって、これを同図に基づい
て説明すると、処理槽ｌ内には、洗浄液またはエツチン
グ液等の処理液２が蓄えられており、この処理液２内に
設けられた支持台３上には、ウェハ４が固定支持されて
いる。ウェハ４の表面には、開口幅が狭い複数個のトレ
ンチ溝５が形成されており、６はこの処理前においてト
レンチ溝５に残存している気体を示している。
に示す処理装置の概要構成図、第４図は同じくウェハの
表面近傍の拡大縦断面図であって、これを同図に基づい
て説明すると、処理槽ｌ内には、洗浄液またはエツチン
グ液等の処理液２が蓄えられており、この処理液２内に
設けられた支持台３上には、ウェハ４が固定支持されて
いる。ウェハ４の表面には、開口幅が狭い複数個のトレ
ンチ溝５が形成されており、６はこの処理前においてト
レンチ溝５に残存している気体を示している。
このように構成されていることにより、例えばウェハ４
を洗浄処理する場合には、処理槽ｌ内に洗浄処理液２を
蓄えておき、ウェハ４を洗浄処理液２内に浸漬して支持
台３上に載置すると、ウェハ４が洗浄処理される。この
場合、洗浄効果を高めるために超音波エネルギーを処理
液２やウェハ４に加えたり、あるいは、ウェハ４の表面
全体が処理液２によって斑なく均一に濡らされるように
処理液２を加圧したりすることが行われている。
を洗浄処理する場合には、処理槽ｌ内に洗浄処理液２を
蓄えておき、ウェハ４を洗浄処理液２内に浸漬して支持
台３上に載置すると、ウェハ４が洗浄処理される。この
場合、洗浄効果を高めるために超音波エネルギーを処理
液２やウェハ４に加えたり、あるいは、ウェハ４の表面
全体が処理液２によって斑なく均一に濡らされるように
処理液２を加圧したりすることが行われている。
また、このような処理方法の他に、処理液２が供給され
ていない状態でウェハ４を支持台３上に固定し、ウェハ
４の周囲を減圧したのち、処理液２を処理槽ｌ内へ供給
するという方法も採られている。なお、ウェハ４をエツ
チング処理する場合には、洗浄処理液がエツチング処理
液に変るだけであって、処理方法は同じである。
ていない状態でウェハ４を支持台３上に固定し、ウェハ
４の周囲を減圧したのち、処理液２を処理槽ｌ内へ供給
するという方法も採られている。なお、ウェハ４をエツ
チング処理する場合には、洗浄処理液がエツチング処理
液に変るだけであって、処理方法は同じである。
しかしながら、このような従来の処理方法においては、
次のような問題点がある。すなわち、ウェハ４の表面に
形成される回路の構造が複雑な場合には、ウェハ４の表
面に、第４図に示す開口幅が深さ寸法の割に狭いトレン
チ溝５が形成されていて、このトレンチ溝５内には、汚
染物や不要物を含む気体６が処理前から残存しているが
、トレンチ溝５の開口幅が狭いことによりトレンチ溝５
の開口端が表面張力による膜で閉塞されるので、処理液
２２ニドレンチ満５内の気体とが置換されず、処理後に
も汚れた気体６がトレンチ溝５内に残存してウェハ４の
品質を低下させるという問題がある。このような問題点
を解消するため前述したように超音波エネルギーを処理
液２やウェハ４に加えたり、あるいは、処理液２を加圧
したりすることが行われているが、必ずしも満足する効
果を期待することができない。特に最近はトレンチ溝５
の開口寸法がｌｕｍ以下で、深さ寸法が２〜２０μｍと
いうような微細なものが出現しているので、上記の不具
合を解消することが困難となっている。
次のような問題点がある。すなわち、ウェハ４の表面に
形成される回路の構造が複雑な場合には、ウェハ４の表
面に、第４図に示す開口幅が深さ寸法の割に狭いトレン
チ溝５が形成されていて、このトレンチ溝５内には、汚
染物や不要物を含む気体６が処理前から残存しているが
、トレンチ溝５の開口幅が狭いことによりトレンチ溝５
の開口端が表面張力による膜で閉塞されるので、処理液
２２ニドレンチ満５内の気体とが置換されず、処理後に
も汚れた気体６がトレンチ溝５内に残存してウェハ４の
品質を低下させるという問題がある。このような問題点
を解消するため前述したように超音波エネルギーを処理
液２やウェハ４に加えたり、あるいは、処理液２を加圧
したりすることが行われているが、必ずしも満足する効
果を期待することができない。特に最近はトレンチ溝５
の開口寸法がｌｕｍ以下で、深さ寸法が２〜２０μｍと
いうような微細なものが出現しているので、上記の不具
合を解消することが困難となっている。
本発明は以上のような問題点を解消するためになされた
もので、半導体ウェハのトレンチ溝内の汚染物や不要物
を完全に除去することを可能にした半導体ウェハの処理
方法および装置を提供することを目的としている。
もので、半導体ウェハのトレンチ溝内の汚染物や不要物
を完全に除去することを可能にした半導体ウェハの処理
方法および装置を提供することを目的としている。
このような目的を達成するために本発明では、半導体ウ
ェハの処理方法として、半導体ウェハを処理液に溶けや
すい蒸気雰囲気中に晒して蒸気の露点以下まで冷却した
のち、処理液に浸して減圧し、加熱により処理液を沸騰
させたのち、処理液を冷却して半導体ウェハを常圧状態
に戻すという方法を採用した。
ェハの処理方法として、半導体ウェハを処理液に溶けや
すい蒸気雰囲気中に晒して蒸気の露点以下まで冷却した
のち、処理液に浸して減圧し、加熱により処理液を沸騰
させたのち、処理液を冷却して半導体ウェハを常圧状態
に戻すという方法を採用した。
また、半導体ウェハの処理装置として、半導体ウェハを
支持しこの半導体ウェハの加熱、冷却手段が付設された
た支持台と、この支持台を内蔵し処理液が内部へ供給さ
れる密閉容器とを備え、この密閉容器に、前記処理液に
溶けやすい蒸気を発生させる蒸気発生器と、前記処理液
の加熱装置と、前記密閉容器内の減圧装置とを接続した
。
支持しこの半導体ウェハの加熱、冷却手段が付設された
た支持台と、この支持台を内蔵し処理液が内部へ供給さ
れる密閉容器とを備え、この密閉容器に、前記処理液に
溶けやすい蒸気を発生させる蒸気発生器と、前記処理液
の加熱装置と、前記密閉容器内の減圧装置とを接続した
。
処理槽内の支持台上にウェハを支持させて処理槽を密閉
し、蒸気発生器によって処理液に溶けやすい蒸気を発生
させて処理槽内に充満させると、この蒸気に晒されたウ
ェハのトレンチ溝内に残存している気体が蒸気と置換さ
れるので、ウェハを蒸気の露点以下まで冷却すると、ト
レンチ溝の内壁面に結露して液膜を形成する。そこで、
処理槽内へ洗浄液やエツチング処理等の処理液を供給す
ると、トレンチ溝内の液膜がこの処理液で溶けてトレン
チ溝内へも処理液が侵入し、この状態で処理槽内を減圧
すると、トレンチ溝内の気体が追い出される。さらに、
処理液またはウェハを加熱して処理液を沸騰させると、
トレンチ溝内では沸騰により細泡が生じてこれがトレン
チ溝から噴出するので、これに入れ代ってトレンチ溝内
には新鮮な処理液がＷＩ環する。このあと、ウェハを冷
却して常圧にすると、最終的にトレンチ溝内に残存する
気体が処理液で溶解され、トレンチ溝内には完全に処理
液が入れられる。
し、蒸気発生器によって処理液に溶けやすい蒸気を発生
させて処理槽内に充満させると、この蒸気に晒されたウ
ェハのトレンチ溝内に残存している気体が蒸気と置換さ
れるので、ウェハを蒸気の露点以下まで冷却すると、ト
レンチ溝の内壁面に結露して液膜を形成する。そこで、
処理槽内へ洗浄液やエツチング処理等の処理液を供給す
ると、トレンチ溝内の液膜がこの処理液で溶けてトレン
チ溝内へも処理液が侵入し、この状態で処理槽内を減圧
すると、トレンチ溝内の気体が追い出される。さらに、
処理液またはウェハを加熱して処理液を沸騰させると、
トレンチ溝内では沸騰により細泡が生じてこれがトレン
チ溝から噴出するので、これに入れ代ってトレンチ溝内
には新鮮な処理液がＷＩ環する。このあと、ウェハを冷
却して常圧にすると、最終的にトレンチ溝内に残存する
気体が処理液で溶解され、トレンチ溝内には完全に処理
液が入れられる。
第１図および第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る半導
体ウェハの処理方法を説明するために示す本発明に係る
半導体ウェハの処理装置の実施例を示し、第１図はその
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は処理方法の順を追っ
て示す半導体ウェハのトレンチ溝近傍の拡大縦断面図で
ある。なお、半導体ウェハの処理液としては洗浄液とエ
ツチング液とがあるが、本実施例では処理液が洗浄液の
場合を例にとって説明する。
体ウェハの処理方法を説明するために示す本発明に係る
半導体ウェハの処理装置の実施例を示し、第１図はその
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は処理方法の順を追っ
て示す半導体ウェハのトレンチ溝近傍の拡大縦断面図で
ある。なお、半導体ウェハの処理液としては洗浄液とエ
ツチング液とがあるが、本実施例では処理液が洗浄液の
場合を例にとって説明する。
図において、半導体ウェハの処理装置１０は、本体１１
ａとその上端開口を閉塞する蓋体１１ｂとで一体的に形
成された処理槽１１を備えており、この処理槽１１の内
部には、密閉空間が形成されている。処理槽１１の底板
上には、ウェハ支持台１２が固定されていて、このウェ
ハ支持台１２上に固定された真空チャック１３には、第
２図に符号１４ａで示すように狭い開口端を有する複数
個のトレンチ溝を備えた半導体ウェハ１４（以下単にウ
ェハ１４という）が支持されており、真空チャック１３
には、槽外に設けられた制御装置ｆｆｉ ｌ ５が接続
されている。１６はウェハ１４に対向して処理槽１１の
蓋体１１ｂに固定された処理液供給管であり、１７はこ
の処理液供給管１６で供給されて処理槽Ｉｌ内に蓄えら
れた処理液としての洗浄液である。処理槽１１の一隅に
は、蒸気発生器１８の蒸気供給槽１９が隔板２０によっ
て隔成されており、蒸気供給槽１９の底部には、加熱器
２１が配設されている。蒸気供給槽１９内には、洗浄液
１７またはエツチング液に熔けやすい液体２２が蓄えら
れており、この液体２２を加熱器２１で加熱することに
より、洗浄液１７またはエツチング液に溶けやすい蒸気
２３が発生するように構成されている。なお、洗浄液１
７またはエツチング液が、弗酸や硝酸、塩酸、アンモニ
ア、過酸化水素などの場合における洗浄液１７またはエ
ツチング液に熔けやすい蒸気２３としては、エチルアル
コールやメチルアルコール、イソプロピルアルコールな
どのアルコール系の蒸気が用いられ、また洗浄液１７な
どが硫酸の場合には水蒸気が用いられる。
ａとその上端開口を閉塞する蓋体１１ｂとで一体的に形
成された処理槽１１を備えており、この処理槽１１の内
部には、密閉空間が形成されている。処理槽１１の底板
上には、ウェハ支持台１２が固定されていて、このウェ
ハ支持台１２上に固定された真空チャック１３には、第
２図に符号１４ａで示すように狭い開口端を有する複数
個のトレンチ溝を備えた半導体ウェハ１４（以下単にウ
ェハ１４という）が支持されており、真空チャック１３
には、槽外に設けられた制御装置ｆｆｉ ｌ ５が接続
されている。１６はウェハ１４に対向して処理槽１１の
蓋体１１ｂに固定された処理液供給管であり、１７はこ
の処理液供給管１６で供給されて処理槽Ｉｌ内に蓄えら
れた処理液としての洗浄液である。処理槽１１の一隅に
は、蒸気発生器１８の蒸気供給槽１９が隔板２０によっ
て隔成されており、蒸気供給槽１９の底部には、加熱器
２１が配設されている。蒸気供給槽１９内には、洗浄液
１７またはエツチング液に熔けやすい液体２２が蓄えら
れており、この液体２２を加熱器２１で加熱することに
より、洗浄液１７またはエツチング液に溶けやすい蒸気
２３が発生するように構成されている。なお、洗浄液１
７またはエツチング液が、弗酸や硝酸、塩酸、アンモニ
ア、過酸化水素などの場合における洗浄液１７またはエ
ツチング液に熔けやすい蒸気２３としては、エチルアル
コールやメチルアルコール、イソプロピルアルコールな
どのアルコール系の蒸気が用いられ、また洗浄液１７な
どが硫酸の場合には水蒸気が用いられる。
前記ウェハ支持台１２の内部には、ウェハ１４を蒸気発
生器１８から発生した蒸気２３の露点以下の温度になる
ように冷却する冷却手段としての冷却配管２４が配設さ
れており、また、処理槽１１の頂部には処理槽１１内を
常圧にする大気解放口２５が開口されている。２６は処
理槽１１の底部に開口された洗浄液１７を槽外に排出す
る排出管である。
生器１８から発生した蒸気２３の露点以下の温度になる
ように冷却する冷却手段としての冷却配管２４が配設さ
れており、また、処理槽１１の頂部には処理槽１１内を
常圧にする大気解放口２５が開口されている。２６は処
理槽１１の底部に開口された洗浄液１７を槽外に排出す
る排出管である。
処理槽１１の外部には、コントローラ２７が設けられて
いて、これにはウェハ１４を加熱して処理液１７を沸騰
させる加熱手段としてのヒータ２８が温度コントローラ
２９を介して接続されており、このヒータ２８はウェハ
支持台１２の内部に配設されている。３０は温度コント
ローラ２９に接続されて処理槽１１内の処理液１７に係
入された温度センサであって、処理液１７の温度を検出
して温度コントローラ２９に向って信号を発し処理液１
７の温度を制御するように構成されている。
いて、これにはウェハ１４を加熱して処理液１７を沸騰
させる加熱手段としてのヒータ２８が温度コントローラ
２９を介して接続されており、このヒータ２８はウェハ
支持台１２の内部に配設されている。３０は温度コント
ローラ２９に接続されて処理槽１１内の処理液１７に係
入された温度センサであって、処理液１７の温度を検出
して温度コントローラ２９に向って信号を発し処理液１
７の温度を制御するように構成されている。
一方、処理槽１１には排気管３１が、処理液１７の液面
よりも高い位置に開口して接続されており、この排気管
３１には、処理槽１１内を減圧する真空ポンプ３２が接
続されている。また、排気管３■には、コントローラ２
７に電気接続された真空計３３が接続されており、処理
槽１１内の真空度を制御するように構成されている。な
お、第２図において、３４はトレンチ溝１４ａ内に残存
する気体であり、３５は蒸気２３がトレンチ溝１４ａの
壁面に結露することにより形成された液膜である。また
３６は処理液１７が沸騰したときにトレンチ溝１４ａ内
に形成される細部である。
よりも高い位置に開口して接続されており、この排気管
３１には、処理槽１１内を減圧する真空ポンプ３２が接
続されている。また、排気管３■には、コントローラ２
７に電気接続された真空計３３が接続されており、処理
槽１１内の真空度を制御するように構成されている。な
お、第２図において、３４はトレンチ溝１４ａ内に残存
する気体であり、３５は蒸気２３がトレンチ溝１４ａの
壁面に結露することにより形成された液膜である。また
３６は処理液１７が沸騰したときにトレンチ溝１４ａ内
に形成される細部である。
以上のように構成された半導体ウェハの処理装置を用い
て行われる本発明に係る半導体ウェハの処理方法を、処
理液が洗浄液である場合を例にとって説明する。まず、
処理槽１１内に洗浄液１７が供給されていない状態で、
ウェハ支持台１２上の真空チャック１３でウェハ１４を
保持させ、蓋体１１ｂで処理槽ｌｌ内を密閉状態にする
。このとき第２図（ａ）に示すようにウェハ１４のトレ
ンチ溝１４ａ内には、汚染物や不要物を含む気体３４が
残存しており、蒸気発生器１８の蒸気供給槽１９内には
、洗浄液１７に溶けやすい液体２２が蓄えられている。
て行われる本発明に係る半導体ウェハの処理方法を、処
理液が洗浄液である場合を例にとって説明する。まず、
処理槽１１内に洗浄液１７が供給されていない状態で、
ウェハ支持台１２上の真空チャック１３でウェハ１４を
保持させ、蓋体１１ｂで処理槽ｌｌ内を密閉状態にする
。このとき第２図（ａ）に示すようにウェハ１４のトレ
ンチ溝１４ａ内には、汚染物や不要物を含む気体３４が
残存しており、蒸気発生器１８の蒸気供給槽１９内には
、洗浄液１７に溶けやすい液体２２が蓄えられている。
このとき加熱器２１を作動させて液体２２を加熱すると
、液体２２が華発して洗浄液１７に溶けやすい蒸気２３
となり、処理槽ｌｌ内に充満する。この結果、ウェハ１
４が蒸気２３に晒されることになり、第２図（ｂ）に示
すように蒸気２３がウェハ１４のトレンチ溝１４ａ内へ
容易に侵入することができるので、トレンチ溝１４ａ内
の気体３４は、侵入する蒸気２３と置換される。
、液体２２が華発して洗浄液１７に溶けやすい蒸気２３
となり、処理槽ｌｌ内に充満する。この結果、ウェハ１
４が蒸気２３に晒されることになり、第２図（ｂ）に示
すように蒸気２３がウェハ１４のトレンチ溝１４ａ内へ
容易に侵入することができるので、トレンチ溝１４ａ内
の気体３４は、侵入する蒸気２３と置換される。
次いでウェハ支持台１２内の冷却配管２４に冷却液が流
されることにより、ウェハ１４が蒸気２３の露点以下ま
で冷却されるので、蒸気２３はウェハ１４の表面で結露
し、第２図（Ｃ）に示すように、トレンチ溝１４ａの壁
面は液膜３５で覆われる。
されることにより、ウェハ１４が蒸気２３の露点以下ま
で冷却されるので、蒸気２３はウェハ１４の表面で結露
し、第２図（Ｃ）に示すように、トレンチ溝１４ａの壁
面は液膜３５で覆われる。
そこで、処理液供給管１６から洗浄液１７を供給してウ
ェハ１４に注ぐと、ウェハ１４が洗浄されて汚染物や不
要物が除去されるとともに、トレンチ溝１４ａの壁面に
付着した液膜３５が、洗浄液１７に溶けやすい性質を有
していることにより、第２図（ｄ）に示すように洗浄液
１７がトレンチ溝１４ａ内へ侵入し、トレンチ溝１４ａ
の底部には、気体３４の一部が残留する０次いで真空ポ
ンプ３２により処理槽１１の内部を数Ｔｏｒｒないし数
１００ Ｔｏｒｒに減圧したのち、ウェハ支持台１２内
のヒータ２８でウェハ１４を加熱すると、トレンチ溝１
４ａ内の洗浄液１７が沸騰し、第２図（ｅ）に示すよう
に、トレンチ溝１４ａの底部には沸騰による細部３６が
生じ、この細部３６がトレンチ溝１４ａから噴出する。
ェハ１４に注ぐと、ウェハ１４が洗浄されて汚染物や不
要物が除去されるとともに、トレンチ溝１４ａの壁面に
付着した液膜３５が、洗浄液１７に溶けやすい性質を有
していることにより、第２図（ｄ）に示すように洗浄液
１７がトレンチ溝１４ａ内へ侵入し、トレンチ溝１４ａ
の底部には、気体３４の一部が残留する０次いで真空ポ
ンプ３２により処理槽１１の内部を数Ｔｏｒｒないし数
１００ Ｔｏｒｒに減圧したのち、ウェハ支持台１２内
のヒータ２８でウェハ１４を加熱すると、トレンチ溝１
４ａ内の洗浄液１７が沸騰し、第２図（ｅ）に示すよう
に、トレンチ溝１４ａの底部には沸騰による細部３６が
生じ、この細部３６がトレンチ溝１４ａから噴出する。
この結果、新鮮な洗浄液１７が、噴出する細部３６と入
れ代わってトレンチ溝１４ａ内に循環する。このあと、
大気解放口２５を開放することにより、処理槽１１内を
常圧に戻すと、謙終的にトレンチ溝１４ａに残留した気
体３４も加圧効果によって１１５〜ｌ／１００に圧縮さ
れる。さらにウェハ支持台１２内の冷却配管２４に冷却
液を流すことにより、ウェハ１４と洗浄液１７とを冷却
すると、洗浄液１７に対する気体３４の溶解度が増す、
このように気体３４の圧縮効果と、洗浄液１７の溶解度
上昇効果とにより、トレンチ溝１４ａ内には、第２図（
ｆ）に示すように、洗浄液１７が完全に侵入し、この状
態でトレンチ満り４ａ内も洗浄されることになる。ヒー
タ２８による加熱温度は、センサ３０と温度コントロー
ラ２９とによって制御され、また、処理槽１１内の圧力
は真空計３３とコントローラ２７とで制御される。
れ代わってトレンチ溝１４ａ内に循環する。このあと、
大気解放口２５を開放することにより、処理槽１１内を
常圧に戻すと、謙終的にトレンチ溝１４ａに残留した気
体３４も加圧効果によって１１５〜ｌ／１００に圧縮さ
れる。さらにウェハ支持台１２内の冷却配管２４に冷却
液を流すことにより、ウェハ１４と洗浄液１７とを冷却
すると、洗浄液１７に対する気体３４の溶解度が増す、
このように気体３４の圧縮効果と、洗浄液１７の溶解度
上昇効果とにより、トレンチ溝１４ａ内には、第２図（
ｆ）に示すように、洗浄液１７が完全に侵入し、この状
態でトレンチ満り４ａ内も洗浄されることになる。ヒー
タ２８による加熱温度は、センサ３０と温度コントロー
ラ２９とによって制御され、また、処理槽１１内の圧力
は真空計３３とコントローラ２７とで制御される。
なお、本実施例ではウェハ１４をウェハ支持台１２内の
ヒータ２８で加熱する例を示したが、ランプヒータを用
いて加熱してもよい、また、本実施例ではウェハ１４を
ウェハ支持台１２内の冷却配管２４に冷却液を流すこと
によって冷却する例を示したが、排水管２６を開放して
温かい洗浄液１７を排出するとともに、処理液供給管１
３から冷たい洗浄液１７を供給して行ってもよい、さら
に、本実施例では蒸気発生器１８を処理槽１１内に設け
た例を示したが、処理槽１１外に設けてもよい。
ヒータ２８で加熱する例を示したが、ランプヒータを用
いて加熱してもよい、また、本実施例ではウェハ１４を
ウェハ支持台１２内の冷却配管２４に冷却液を流すこと
によって冷却する例を示したが、排水管２６を開放して
温かい洗浄液１７を排出するとともに、処理液供給管１
３から冷たい洗浄液１７を供給して行ってもよい、さら
に、本実施例では蒸気発生器１８を処理槽１１内に設け
た例を示したが、処理槽１１外に設けてもよい。
また、本実施例ではウェハ用の処理液として洗浄液１７
を用いる例を示したが、処理液としてエツチング液を用
いてもよく、この場合も同様の効果が得られる。
を用いる例を示したが、処理液としてエツチング液を用
いてもよく、この場合も同様の効果が得られる。
以上の説明により明らかなように本発明によれば半導体
ウェハの処理方広として、半導体ウェハを処理液に溶け
やすい蒸気雰囲気中に晒して蒸気の露点以下まで冷却し
たのち、処理液に浸して減圧し、加熱により処理液を沸
騰させたのち、処理液を冷却して半導体ウェハを常圧状
態に戻すという方法を採用し、また、半導体ウェハの処
理装置として、半導体ウェハを支持しこの半導体ウェハ
の加熱、冷却手段が付設されたた支持台と、この支持台
を内蔵し処理液が内部へ供給される密閉容器とを備え、
この密閉容器に、前記処理液に溶けやすい蒸気を発生さ
せる蒸気発生器と、前記処理液の加熱装置と、前記密閉
容器内の減圧装置とを接続したことにより、トレンチ溝
内の汚染物や不要物が完全に除去されて洗浄やエツチン
グ等の処理を完全に行うことができるとともに、処理槽
内の圧力を調整することにより、処理液の蒸気圧を制御
して所定の温度で液の沸騰を制御することができて精度
の高い半導体ウェハの洗浄やエツチングなどの処理を行
うことができ、この半導体ウェハを用いた半導体集積回
路の信頼性が向上する。
ウェハの処理方広として、半導体ウェハを処理液に溶け
やすい蒸気雰囲気中に晒して蒸気の露点以下まで冷却し
たのち、処理液に浸して減圧し、加熱により処理液を沸
騰させたのち、処理液を冷却して半導体ウェハを常圧状
態に戻すという方法を採用し、また、半導体ウェハの処
理装置として、半導体ウェハを支持しこの半導体ウェハ
の加熱、冷却手段が付設されたた支持台と、この支持台
を内蔵し処理液が内部へ供給される密閉容器とを備え、
この密閉容器に、前記処理液に溶けやすい蒸気を発生さ
せる蒸気発生器と、前記処理液の加熱装置と、前記密閉
容器内の減圧装置とを接続したことにより、トレンチ溝
内の汚染物や不要物が完全に除去されて洗浄やエツチン
グ等の処理を完全に行うことができるとともに、処理槽
内の圧力を調整することにより、処理液の蒸気圧を制御
して所定の温度で液の沸騰を制御することができて精度
の高い半導体ウェハの洗浄やエツチングなどの処理を行
うことができ、この半導体ウェハを用いた半導体集積回
路の信頼性が向上する。
第１図および第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る半導
体ウェハの処理方法を説明するために示す本発明に係る
半導体ウェハの処理装置の実施例を示し、第１図はその
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は処理方法の順を追っ
て示す半導体ウェハのトレンチ溝近傍の拡大縦断面図、
第３図は従来における半導体ウェハの処理装置の概要構
成図、第４図は同じくウェハの表面近傍の拡大縦断面図
である。 １０・・・・半導体ウェハの処理装置、１１・・・・処
理槽、１２・・・・ウェハ支持台、１４・・・・半導体
ウェハ、１７・・・・洗浄液、１８・・・・蒸気発生器
、２３・・・・蒸気、２４・・・・冷却配管、２８・・
・・ヒータ、３２・・・・真空ポンプ。
体ウェハの処理方法を説明するために示す本発明に係る
半導体ウェハの処理装置の実施例を示し、第１図はその
縦断面図、第２図（ａ）〜（ｆ）は処理方法の順を追っ
て示す半導体ウェハのトレンチ溝近傍の拡大縦断面図、
第３図は従来における半導体ウェハの処理装置の概要構
成図、第４図は同じくウェハの表面近傍の拡大縦断面図
である。 １０・・・・半導体ウェハの処理装置、１１・・・・処
理槽、１２・・・・ウェハ支持台、１４・・・・半導体
ウェハ、１７・・・・洗浄液、１８・・・・蒸気発生器
、２３・・・・蒸気、２４・・・・冷却配管、２８・・
・・ヒータ、３２・・・・真空ポンプ。
Claims (2)
- （１）半導体ウェハを処理液に溶けやすい蒸気雰囲気中
に晒して蒸気の露点以下まで冷却したのち、処理液に浸
して減圧し、加熱により処理液を沸騰させたのち、処理
液を冷却して半導体ウェハを常圧状態に戻すことを特徴
とする半導体ウェハの処理方法。 - （２）半導体ウェハを支持しこの半導体ウェハの加熱、
冷却手段が付設された支持台と、この支持台を内蔵し処
理液が内部へ供給される密閉容器とを備え、この密閉容
器に、前記処理液に溶けやすい蒸気を発生させる蒸気発
生器と、前記処理液を加熱する加熱装置と、前記密閉容
器内を減圧する減圧装置とを接続したことを特徴とする
半導体ウェハの処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842289A JPH0342828A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体ウエハの処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17842289A JPH0342828A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体ウエハの処理方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342828A true JPH0342828A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16048226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17842289A Pending JPH0342828A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 半導体ウエハの処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342828A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093449A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP17842289A patent/JPH0342828A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014093449A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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