JP2003257926A - 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法 - Google Patents
洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法Info
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- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短時間で洗浄物の乾燥を行うことが可能であ
り、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、エネルギー損
失などのない洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法を提供する
こと。 【解決手段】 乾燥槽２０、リンス槽３０とが一体に形
成されて乾燥槽２０の上部が解放されて上方から洗浄物
の収納、取り出しが可能であり、開閉蓋２１の開閉によ
り密閉可能な洗浄物の乾燥装置であり、乾燥槽２０は、
常温の有機溶剤ミストＭを洗浄物に対して供給するため
のミスト整流板２２を有し、このミスト整流板２２から
放射される有機溶剤ミストＭにより洗浄物の乾燥を行う
こと。
り、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、エネルギー損
失などのない洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法を提供する
こと。 【解決手段】 乾燥槽２０、リンス槽３０とが一体に形
成されて乾燥槽２０の上部が解放されて上方から洗浄物
の収納、取り出しが可能であり、開閉蓋２１の開閉によ
り密閉可能な洗浄物の乾燥装置であり、乾燥槽２０は、
常温の有機溶剤ミストＭを洗浄物に対して供給するため
のミスト整流板２２を有し、このミスト整流板２２から
放射される有機溶剤ミストＭにより洗浄物の乾燥を行う
こと。
Description
【０００１】本発明は、洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法
に関し、特に半導体ウエハ等の基板の洗浄、すすぎ、及
び乾燥に適した洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法に関す
る。
に関し、特に半導体ウエハ等の基板の洗浄、すすぎ、及
び乾燥に適した洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細化したウエハ等の洗浄物の精
密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水
分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸
気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤
ベーパーを用いた乾燥装置としては、図１７に示す装置
が知られている。
密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水
分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸
気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤
ベーパーを用いた乾燥装置としては、図１７に示す装置
が知られている。
【０００３】乾燥装置１０１は、図１７に示すように、
上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０
２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加
熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設け
られた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に
設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配
置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置
台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液
受部１０８とからなる。
上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０
２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加
熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設け
られた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に
設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配
置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置
台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液
受部１０８とからなる。
【０００４】乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入
された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加
熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベ
ーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６
を乾燥槽１０２内に挿入配置する。乾燥槽１０２内に挿
入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有
機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着して
いた水分は、より蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾
燥が進行する。有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、
次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に
取り出されることによって、付着された溶剤成分はその
低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。
された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加
熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベ
ーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６
を乾燥槽１０２内に挿入配置する。乾燥槽１０２内に挿
入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有
機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着して
いた水分は、より蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾
燥が進行する。有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、
次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に
取り出されることによって、付着された溶剤成分はその
低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。
【０００５】また、乾燥槽１０２の上部に配置されてい
る冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなっ
た有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下し
て回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０
６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回
収が行われる。
る冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなっ
た有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下し
て回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０
６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回
収が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の乾燥装置１０１
は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱するので火気に
十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を行うのでエ
ネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０３によって
加熱させてベーパー層を形成するまでの時間がかかり、
蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、洗浄物がミ
スト層に触れると、べーパー（気相）の熱が洗浄物に奪
われて急激な相変化（気体→液体）が起こりベーパー層
が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚染、乾燥不良等
が起こりやすくなる。
は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱するので火気に
十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を行うのでエ
ネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０３によって
加熱させてベーパー層を形成するまでの時間がかかり、
蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、洗浄物がミ
スト層に触れると、べーパー（気相）の熱が洗浄物に奪
われて急激な相変化（気体→液体）が起こりベーパー層
が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚染、乾燥不良等
が起こりやすくなる。
【０００７】本発明は、短時間で洗浄物の乾燥を行うこ
とが可能であり、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、
エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥装置及び乾燥方
法の提供を目的とするものである。
とが可能であり、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、
エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥装置及び乾燥方
法の提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による洗浄物の乾
燥装置は、乾燥槽内で有機溶剤ミストを発生して乾燥槽
内の洗浄物に供給する洗浄物の乾燥装置であって、前記
乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄物に対して供給す
るためのミスト整流板を有するものである。
燥装置は、乾燥槽内で有機溶剤ミストを発生して乾燥槽
内の洗浄物に供給する洗浄物の乾燥装置であって、前記
乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄物に対して供給す
るためのミスト整流板を有するものである。
【０００９】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記ミスト整流板は、前記乾燥槽の側壁に設けられ、前記
有機溶剤ミストを放射する面には流体スプレーノズルか
ら所定距離Ｓ離間した位置から上方に複数の微細な開口
が形成され、前記流体スプレーノズルにより放射された
有機溶剤ミストのうち前記開口を通過した有機溶剤ミス
トによって間接的に放射される。
記ミスト整流板は、前記乾燥槽の側壁に設けられ、前記
有機溶剤ミストを放射する面には流体スプレーノズルか
ら所定距離Ｓ離間した位置から上方に複数の微細な開口
が形成され、前記流体スプレーノズルにより放射された
有機溶剤ミストのうち前記開口を通過した有機溶剤ミス
トによって間接的に放射される。
【００１０】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記流体スプレーノズルは、２以上の異なる流体を同時に
放射可能である。
記流体スプレーノズルは、２以上の異なる流体を同時に
放射可能である。
【００１１】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記流体スプレーノズルから放射される流体は、有機溶剤
ミストと不活性ガスである。
記流体スプレーノズルから放射される流体は、有機溶剤
ミストと不活性ガスである。
【００１２】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記開口の形状は、面取りされている。
記開口の形状は、面取りされている。
【００１３】また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、
乾燥槽、リンス槽とが一体に形成されて前記乾燥槽の上
部が解放されて上方から洗浄物の収納、取り出しが可能
であり、開閉蓋の開閉により密閉可能な洗浄物の乾燥装
置であって、前記乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄
物に対して供給するためのミスト整流板を有するもので
ある。
乾燥槽、リンス槽とが一体に形成されて前記乾燥槽の上
部が解放されて上方から洗浄物の収納、取り出しが可能
であり、開閉蓋の開閉により密閉可能な洗浄物の乾燥装
置であって、前記乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄
物に対して供給するためのミスト整流板を有するもので
ある。
【００１４】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記乾燥槽は、前記リンス槽の上部に一体に設けられて該
リンス槽内に供給される純水（ＤＩＷ）をオーバーフロ
ーするオーバーフロー槽を有し、該オーバーフロー槽か
ら排水される経路は、接地されてなるものである。
記乾燥槽は、前記リンス槽の上部に一体に設けられて該
リンス槽内に供給される純水（ＤＩＷ）をオーバーフロ
ーするオーバーフロー槽を有し、該オーバーフロー槽か
ら排水される経路は、接地されてなるものである。
【００１５】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記乾燥槽及びリンス槽内には、洗浄物を載置保持する受
台を有し、該受台は昇降機構により昇降可能であり、前
記洗浄物の一部が液面に直接又は間接的に接触した状態
で停止可能である。
記乾燥槽及びリンス槽内には、洗浄物を載置保持する受
台を有し、該受台は昇降機構により昇降可能であり、前
記洗浄物の一部が液面に直接又は間接的に接触した状態
で停止可能である。
【００１６】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記洗浄物の一部が前記リンス槽の液面に浸漬される部位
は、パターン面以外の部位である。
記洗浄物の一部が前記リンス槽の液面に浸漬される部位
は、パターン面以外の部位である。
【００１７】また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、
乾燥槽、リンス槽とが一体に形成されて前記乾燥槽の上
部が解放されて上方から洗浄物の収納、取り出しが可能
であり、開閉蓋の開閉により密閉可能な乾燥装置により
乾燥を行う洗浄物の乾燥方法であって、前記洗浄物を前
記リンス槽内でリンス処理後該洗浄物を載置保持する受
台を昇降機構により昇降させて前記洗浄物の一部が液面
に直接又は間接的に接触した状態で一時的に停止させる
工程と、前記洗浄物に対してミスト整流板に設けられた
流体スプレーノズルから有機溶剤ミストを放射して該ミ
スト整流板から間接的に放射して乾燥処理を行う工程
と、前記乾燥処理工程後に純水を排水する工程と、前記
排水工程後に高温の不活性ガスを前記乾燥槽内に供給し
て急速に乾燥処理を行う工程とを有するものである。
乾燥槽、リンス槽とが一体に形成されて前記乾燥槽の上
部が解放されて上方から洗浄物の収納、取り出しが可能
であり、開閉蓋の開閉により密閉可能な乾燥装置により
乾燥を行う洗浄物の乾燥方法であって、前記洗浄物を前
記リンス槽内でリンス処理後該洗浄物を載置保持する受
台を昇降機構により昇降させて前記洗浄物の一部が液面
に直接又は間接的に接触した状態で一時的に停止させる
工程と、前記洗浄物に対してミスト整流板に設けられた
流体スプレーノズルから有機溶剤ミストを放射して該ミ
スト整流板から間接的に放射して乾燥処理を行う工程
と、前記乾燥処理工程後に純水を排水する工程と、前記
排水工程後に高温の不活性ガスを前記乾燥槽内に供給し
て急速に乾燥処理を行う工程とを有するものである。
【００１８】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記洗浄物が前記リンス槽から昇降機構により引き上げら
れた後前記洗浄物は濡れているものである。
記洗浄物が前記リンス槽から昇降機構により引き上げら
れた後前記洗浄物は濡れているものである。
【００１９】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ２）又は加温され
た窒素ガス（Ｎ２）である。
記不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ２）又は加温され
た窒素ガス（Ｎ２）である。
【００２０】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記有機溶剤ミストを生成する有機溶剤は、水溶性でかつ
基板に対する純水の表面張力を低下させる作用を有する
アルコール類、ケトン類又はエーテル類から選択される
ものである。
記有機溶剤ミストを生成する有機溶剤は、水溶性でかつ
基板に対する純水の表面張力を低下させる作用を有する
アルコール類、ケトン類又はエーテル類から選択される
ものである。
【００２１】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記ミスト整流板から間接的に放射される有機溶剤ミスト
の粒径は２０μｍ以下である。
記ミスト整流板から間接的に放射される有機溶剤ミスト
の粒径は２０μｍ以下である。
【００２２】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記有機溶剤がＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏ
ｈｏｌ）である場合には、５°Ｃ〜８０°Ｃの範囲で加
熱することができるものである。
記有機溶剤がＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏ
ｈｏｌ）である場合には、５°Ｃ〜８０°Ｃの範囲で加
熱することができるものである。
【００２３】また、本発明による乾燥方法の前記リンス
槽内でリンス処理を行うリンス水は、水素添加水であ
る。
槽内でリンス処理を行うリンス水は、水素添加水であ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明によ
る乾燥装置及び乾燥方法の実施の形態について説明す
る。図１は、本発明による実施の形態である乾燥装置の
一部断面を含む図である。
る乾燥装置及び乾燥方法の実施の形態について説明す
る。図１は、本発明による実施の形態である乾燥装置の
一部断面を含む図である。
【００２５】図１に示すように、乾燥装置１は、乾燥槽
２０、リンス槽３０、給排システム４０とを有する。乾
燥槽２０は、リンス槽３０の上部に設けられて一体に構
成されている。乾燥槽２０の上部は、解放されていて上
方から洗浄物であるウエハＷの収納、取り出しが可能な
構成となっており、開閉蓋２１の開閉により完全に密閉
される構成となっている。すなわち、蓋パッキン２９に
よって外気の混入を完全に防ぐことができる。開閉蓋２
１は、図１に示す紙面に対して垂直方向に図示せぬ案内
機構を介してスライドして開閉する。図１は、閉じた状
態を示している。
２０、リンス槽３０、給排システム４０とを有する。乾
燥槽２０は、リンス槽３０の上部に設けられて一体に構
成されている。乾燥槽２０の上部は、解放されていて上
方から洗浄物であるウエハＷの収納、取り出しが可能な
構成となっており、開閉蓋２１の開閉により完全に密閉
される構成となっている。すなわち、蓋パッキン２９に
よって外気の混入を完全に防ぐことができる。開閉蓋２
１は、図１に示す紙面に対して垂直方向に図示せぬ案内
機構を介してスライドして開閉する。図１は、閉じた状
態を示している。
【００２６】乾燥槽２０、リンス槽３０は、非導電性・
耐腐食性を有する部材で構成され、上部が開口して断面
略コ字状の箱状からなり、乾燥槽２０よりもリンス槽３
０の方がやや小さく、リンス槽３０の上部が乾燥槽２０
の下部にくい込むように設けられている。リンス槽３０
内の純水（ＤＩＷ）がオーバーフローする構成とするた
めである。
耐腐食性を有する部材で構成され、上部が開口して断面
略コ字状の箱状からなり、乾燥槽２０よりもリンス槽３
０の方がやや小さく、リンス槽３０の上部が乾燥槽２０
の下部にくい込むように設けられている。リンス槽３０
内の純水（ＤＩＷ）がオーバーフローする構成とするた
めである。
【００２７】また、図１に示すように、乾燥槽２０の側
壁には、有機溶剤、すなわち、本実施の形態ではＩＰＡ
（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤
ミストを洗浄物であるウエハＷに間接的に供給するため
のミスト整流板２２がウエハＷの外周面を挟むように両
側面に配設されている。乾燥槽２０内のウエハＷは、図
１に示すように、略円形（外周の一部がオリエンテーシ
ョンフラット（オリフラ）のため切り欠けが形成されて
いる）であり、紙面に対して垂直方向に所定の間隔で複
数枚平行に配列されている。通常、半導体ウエハであれ
ば、例えば、直径が８インチのウエハを１００枚載置可
能であるが、径又は枚数は適宜選定可能であり、このウ
エハＷは、本実施の形態では４本の支持部材からなる受
台２３に載置されている。本実施の形態では、ウエハＷ
は、１２インチのものを想定している。受台２３は、図
１に示すように、リンス槽３０と乾燥槽２０との間を図
示せぬ昇降機構により昇降可能となっている。
壁には、有機溶剤、すなわち、本実施の形態ではＩＰＡ
（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤
ミストを洗浄物であるウエハＷに間接的に供給するため
のミスト整流板２２がウエハＷの外周面を挟むように両
側面に配設されている。乾燥槽２０内のウエハＷは、図
１に示すように、略円形（外周の一部がオリエンテーシ
ョンフラット（オリフラ）のため切り欠けが形成されて
いる）であり、紙面に対して垂直方向に所定の間隔で複
数枚平行に配列されている。通常、半導体ウエハであれ
ば、例えば、直径が８インチのウエハを１００枚載置可
能であるが、径又は枚数は適宜選定可能であり、このウ
エハＷは、本実施の形態では４本の支持部材からなる受
台２３に載置されている。本実施の形態では、ウエハＷ
は、１２インチのものを想定している。受台２３は、図
１に示すように、リンス槽３０と乾燥槽２０との間を図
示せぬ昇降機構により昇降可能となっている。
【００２８】また、ミスト整流板２２は、図２に示すよ
うに、全体が横長の直方体で構成されて、複数枚のウエ
ハＷの主面に同時にＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａ
ｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭを供給可能な幅で構
成されている。ミスト整流板２２のウエハＷの周面側に
位置する面２２Ｆには、複数の微細な開口２２ａが形成
されている。開口２２ａの大きさは、本実施の形態では
５ｍｍ程度で形成している。この開口２２ａは、図３に
も示すように、ミスト整流板２２の下方（流体スプレー
ノズル２４の取付位置）から所定距離Ｓの間は形成され
ない構成となっている。ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ
ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭは、図１乃至図
３に示すように、ミスト整流板２２の下部に取り付けら
れた流体スプレーノズル２４（本実施の形態では２つの
異なる流体を供給）からＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ
ａｌｃｏｈｏｌ）の高密度な有機溶剤ミストＭを十分
な量供給し、この有機溶剤ミストＭをミスト整流板２２
内に充満させ、開口２２ａからミスト化された有機溶剤
ミストＭを間接的にウエハＷに供給するものである。流
体スプレーノズル２４の放射口の口径は、１ｍｍ程度で
構成されている。なお、前記有機溶剤ミストを生成する
有機溶剤は、水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力
を低下させる作用を有するアルコール類、ケトン類又は
エーテル類から選択される。
うに、全体が横長の直方体で構成されて、複数枚のウエ
ハＷの主面に同時にＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａ
ｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭを供給可能な幅で構
成されている。ミスト整流板２２のウエハＷの周面側に
位置する面２２Ｆには、複数の微細な開口２２ａが形成
されている。開口２２ａの大きさは、本実施の形態では
５ｍｍ程度で形成している。この開口２２ａは、図３に
も示すように、ミスト整流板２２の下方（流体スプレー
ノズル２４の取付位置）から所定距離Ｓの間は形成され
ない構成となっている。ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ
ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭは、図１乃至図
３に示すように、ミスト整流板２２の下部に取り付けら
れた流体スプレーノズル２４（本実施の形態では２つの
異なる流体を供給）からＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ
ａｌｃｏｈｏｌ）の高密度な有機溶剤ミストＭを十分
な量供給し、この有機溶剤ミストＭをミスト整流板２２
内に充満させ、開口２２ａからミスト化された有機溶剤
ミストＭを間接的にウエハＷに供給するものである。流
体スプレーノズル２４の放射口の口径は、１ｍｍ程度で
構成されている。なお、前記有機溶剤ミストを生成する
有機溶剤は、水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力
を低下させる作用を有するアルコール類、ケトン類又は
エーテル類から選択される。
【００２９】本実施の形態における有機溶剤ミストＭの
状態変化について図３を用いて詳細に説明すると、流体
スプレーノズル２４の先端の放射口から放射された有機
溶剤ミストＭは、距離Ｓ（本実施の形態では、約１００
ｍｍ程度）の領域ａは、２０μｍ以上の大きさの有機溶
剤ミストＭＬで満たされている。そして、更に上方の領
域ｂは、２０μｍ以上の大きさの有機溶剤ミストＭＬと
２０μｍ以下の大きさの有機溶剤ミストＭＳとが混合さ
れている状態となっている。この混合された有機溶剤ミ
ストＭＬと有機溶剤ミストＭＳがミスト整流板２２の開
口２２ａで整流されて有機溶剤ミストＭＳのみが通過し
てウエハＷに供給される。２０μｍ以上の大きさの有機
溶剤ミストＭＬは、ミスト整流板２２の内部で凝縮され
て図２に示す排出口２２ｂから排出される。
状態変化について図３を用いて詳細に説明すると、流体
スプレーノズル２４の先端の放射口から放射された有機
溶剤ミストＭは、距離Ｓ（本実施の形態では、約１００
ｍｍ程度）の領域ａは、２０μｍ以上の大きさの有機溶
剤ミストＭＬで満たされている。そして、更に上方の領
域ｂは、２０μｍ以上の大きさの有機溶剤ミストＭＬと
２０μｍ以下の大きさの有機溶剤ミストＭＳとが混合さ
れている状態となっている。この混合された有機溶剤ミ
ストＭＬと有機溶剤ミストＭＳがミスト整流板２２の開
口２２ａで整流されて有機溶剤ミストＭＳのみが通過し
てウエハＷに供給される。２０μｍ以上の大きさの有機
溶剤ミストＭＬは、ミスト整流板２２の内部で凝縮され
て図２に示す排出口２２ｂから排出される。
【００３０】図１２は、ミスト整流板を用いて有機溶剤
ミストＭの粒径と粒子数を位相ドップラー粒子分析計を
用いて５分間測定する状態を示す図、図１３（ａ）は、
図１２で測定した実験結果、及び（ｂ）は図１２に示す
ミスト整流板を用いないで有機溶剤ミストＭの粒径と粒
子数を測定した実験結果を示す図である。なお、図１３
（ａ）及び（ｂ）の横軸は、ミスト粒径（μｍ）、縦軸
はミストカウント数を示している。
ミストＭの粒径と粒子数を位相ドップラー粒子分析計を
用いて５分間測定する状態を示す図、図１３（ａ）は、
図１２で測定した実験結果、及び（ｂ）は図１２に示す
ミスト整流板を用いないで有機溶剤ミストＭの粒径と粒
子数を測定した実験結果を示す図である。なお、図１３
（ａ）及び（ｂ）の横軸は、ミスト粒径（μｍ）、縦軸
はミストカウント数を示している。
【００３１】図１２及び図１３に示すように、ミスト整
流板２２がない場合には、ミストカウント数のピークが
８μｍ近辺であり、平均粒子径は１１．５μｍであっ
た。また、粒子径が１０μｍ以上の大きな粒子も多数検
出された。
流板２２がない場合には、ミストカウント数のピークが
８μｍ近辺であり、平均粒子径は１１．５μｍであっ
た。また、粒子径が１０μｍ以上の大きな粒子も多数検
出された。
【００３２】一方、ミスト整流板２２がある場合には、
ミストカウント数のピークは５μｍ近辺であり、平均粒
子径は６．４μｍであった。また、粒子径が１０μｍ以
上の大きな粒子はほとんど検出されなかった。
ミストカウント数のピークは５μｍ近辺であり、平均粒
子径は６．４μｍであった。また、粒子径が１０μｍ以
上の大きな粒子はほとんど検出されなかった。
【００３３】このように、本発明によれば、複数枚のウ
エハＷを同時に乾燥処理するためにはウエハＷとウエハ
Ｗとの間の隙間に有機溶剤ミストＭを均一に供給するこ
とが重要であることから、有機溶剤ミストＭの粒径が小
さい方がよいことに鑑みてなされたものである。けだ
し、有機溶剤ミストＭの粒径が小さい方が、大きい粒径
に比してガス化しやすく、気中の拡散速度が大きくなる
からである。図３に示す有機溶剤ミストＭａは、ガス化
される状態を示している。
エハＷを同時に乾燥処理するためにはウエハＷとウエハ
Ｗとの間の隙間に有機溶剤ミストＭを均一に供給するこ
とが重要であることから、有機溶剤ミストＭの粒径が小
さい方がよいことに鑑みてなされたものである。けだ
し、有機溶剤ミストＭの粒径が小さい方が、大きい粒径
に比してガス化しやすく、気中の拡散速度が大きくなる
からである。図３に示す有機溶剤ミストＭａは、ガス化
される状態を示している。
【００３４】したがって、本発明によれば、従来のよう
に有機溶剤ミストＭを形成するために加熱したりせず、
ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有
機溶剤ミストＭをミスト整流板２２を用いることによっ
て間接的に放射する構成としたので、安全性が高く、し
かも有機溶剤ミストＭをすぐに供給することが可能なの
で、装置全体の稼動効率を向上させることができる。
に有機溶剤ミストＭを形成するために加熱したりせず、
ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有
機溶剤ミストＭをミスト整流板２２を用いることによっ
て間接的に放射する構成としたので、安全性が高く、し
かも有機溶剤ミストＭをすぐに供給することが可能なの
で、装置全体の稼動効率を向上させることができる。
【００３５】また、図４（ａ）及び（ｂ）は、ミスト整
流板２２の開口２２ａの開口形状を示した拡大断面図で
ある。
流板２２の開口２２ａの開口形状を示した拡大断面図で
ある。
【００３６】半導体ウエハＷ、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏ
ｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭは、帯電
しやすい性質を帯びている。そのため、図４（ａ）のよ
うに、開口２２ａのエッジ部分が鋭角である場合には、
帯電によって電界集中を起こし放電しやすくなり、ウエ
ハＷが誘導帯電する。したがって、これを防ぐため、本
実施の形態では、図４（ｂ）に示すようなエッジ部分を
鋭角にせず、面取り形状にすることによって帯電時の電
界集中をなくし、放電現象を低減するものである。本実
施の形態では、放電現象を低減するものであれば、他の
面取り形状でも適宜採択可能である。なお、有機溶剤ミ
ストは、ＩＰＡミストとも称する。
ｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストＭは、帯電
しやすい性質を帯びている。そのため、図４（ａ）のよ
うに、開口２２ａのエッジ部分が鋭角である場合には、
帯電によって電界集中を起こし放電しやすくなり、ウエ
ハＷが誘導帯電する。したがって、これを防ぐため、本
実施の形態では、図４（ｂ）に示すようなエッジ部分を
鋭角にせず、面取り形状にすることによって帯電時の電
界集中をなくし、放電現象を低減するものである。本実
施の形態では、放電現象を低減するものであれば、他の
面取り形状でも適宜採択可能である。なお、有機溶剤ミ
ストは、ＩＰＡミストとも称する。
【００３７】また、図１に示すように、乾燥槽２０内に
は、乾燥槽２０の上方に設けられた排気口２６、窒素ガ
ス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給口２７が設けられて
いる。
は、乾燥槽２０の上方に設けられた排気口２６、窒素ガ
ス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給口２７が設けられて
いる。
【００３８】次に、リンス槽３０は、図１に示すよう
に、純水（ＤＩＷ）の供給用の純水供給ノズル３１から
槽内に供給される。リンス槽３０内に供給された純水
（ＤＩＷ）は、純水が一定量に達すると、図１に示すオ
ーバーフロー槽３２に一旦貯留されて排水弁４２の経路
を経由してオーバーフローする。排水弁４２の経路は、
接地されている。そして、この状態で、乾燥槽２０内に
は気相部２５が形成される。また、リンス槽３０の下部
中央には、純水（ＤＩＷ）を排水するための排水弁３３
が設けられており、この排水弁３３が解放されると槽内
の純水（ＤＩＷ）は排水管路を経由して排水される。
に、純水（ＤＩＷ）の供給用の純水供給ノズル３１から
槽内に供給される。リンス槽３０内に供給された純水
（ＤＩＷ）は、純水が一定量に達すると、図１に示すオ
ーバーフロー槽３２に一旦貯留されて排水弁４２の経路
を経由してオーバーフローする。排水弁４２の経路は、
接地されている。そして、この状態で、乾燥槽２０内に
は気相部２５が形成される。また、リンス槽３０の下部
中央には、純水（ＤＩＷ）を排水するための排水弁３３
が設けられており、この排水弁３３が解放されると槽内
の純水（ＤＩＷ）は排水管路を経由して排水される。
【００３９】次に、乾燥槽２０、リンス槽３０と接続さ
れる給排システム４０について説明する。
れる給排システム４０について説明する。
【００４０】給排システム４０は、（１）窒素ガス供給
口２７に窒素ガス（Ｎ２）を供給する経路、（２）流体
スプレーノズル２７に有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓｏ−
ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と、窒素ガス（Ｎ２）
の２流体を供給する経路、（３）乾燥槽２０から排気す
る経路、（４）リンス槽３０内に純水（ＤＩＷ）を供給
する経路、（５）オーバーフロー槽３２から排水する経
路、（６）リンス槽３０内の純水（ＤＩＷ）を排水する
経路を有する。なお、給排システム４０の制御は、図示
せぬ制御手段によってなされる。
口２７に窒素ガス（Ｎ２）を供給する経路、（２）流体
スプレーノズル２７に有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓｏ−
ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と、窒素ガス（Ｎ２）
の２流体を供給する経路、（３）乾燥槽２０から排気す
る経路、（４）リンス槽３０内に純水（ＤＩＷ）を供給
する経路、（５）オーバーフロー槽３２から排水する経
路、（６）リンス槽３０内の純水（ＤＩＷ）を排水する
経路を有する。なお、給排システム４０の制御は、図示
せぬ制御手段によってなされる。
【００４１】（１）まず、窒素ガス供給口２７に窒素ガ
ス（Ｎ２）を供給する経路は、弁４３が開状態（ＯＮ）
で供給される常温の窒素ガス（Ｎ２）をヒータ４４で加
温してフィルタ４５を通して窒素ガス供給口２７に供給
される。ヒータ４４で加温された高温の窒素ガス
（Ｎ２）は、乾燥槽２０内の洗浄物であるウエハＷを急
速に乾燥させるためのものである。また、図１に示すよ
うに、窒素ガス供給口２７に窒素ガス（Ｎ２）を供給す
る経路は、前述した弁４３が開状態（ＯＮ）の場合に
は、他方の弁４６は閉状態（ＯＦＦ）となっている。逆
に、弁４３が閉状態（ＯＦＦ）の場合には、弁４６は開
状態（ＯＮ）となっており、フィルタ４５を通して常温
の窒素ガス（Ｎ２）が乾燥槽２０内に供給される。これ
は、乾燥槽２０内に洗浄物であるウエハＷが存在しない
ような場合にも乾燥槽２０内に常温の清浄な窒素ガス
（Ｎ２）を供給して気相部２５内を充満させておくもの
である。弁４３、弁４６、ヒータ４４の制御は、図示せ
ぬ制御手段によって制御可能となっており、弁４３、弁
４６の開閉及びヒータ４４の温度制御がなされる。
ス（Ｎ２）を供給する経路は、弁４３が開状態（ＯＮ）
で供給される常温の窒素ガス（Ｎ２）をヒータ４４で加
温してフィルタ４５を通して窒素ガス供給口２７に供給
される。ヒータ４４で加温された高温の窒素ガス
（Ｎ２）は、乾燥槽２０内の洗浄物であるウエハＷを急
速に乾燥させるためのものである。また、図１に示すよ
うに、窒素ガス供給口２７に窒素ガス（Ｎ２）を供給す
る経路は、前述した弁４３が開状態（ＯＮ）の場合に
は、他方の弁４６は閉状態（ＯＦＦ）となっている。逆
に、弁４３が閉状態（ＯＦＦ）の場合には、弁４６は開
状態（ＯＮ）となっており、フィルタ４５を通して常温
の窒素ガス（Ｎ２）が乾燥槽２０内に供給される。これ
は、乾燥槽２０内に洗浄物であるウエハＷが存在しない
ような場合にも乾燥槽２０内に常温の清浄な窒素ガス
（Ｎ２）を供給して気相部２５内を充満させておくもの
である。弁４３、弁４６、ヒータ４４の制御は、図示せ
ぬ制御手段によって制御可能となっており、弁４３、弁
４６の開閉及びヒータ４４の温度制御がなされる。
【００４２】（２）流体スプレーノズル２７に有機溶剤
であるＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏ
ｌ）と、窒素ガス（Ｎ２）の２流体を供給する経路は、
ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を貯
留するＩＰＡタンク４９と、ＩＰＡタンク４９からＩＰ
Ａ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を供給す
るためのポンプ５０と、供給されたＩＰＡを清浄するた
めのフィルタ５１と、弁５２、弁５３、ＩＰＡを加熱す
るためのＩＰＡ加熱ヒータ５７、並びに窒素ガス
（Ｎ２）を供給するための弁４７及びフィルタ４８とか
らなる。なお、流体スプレーノズル２４に有機溶剤であ
るＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と
窒素ガス（Ｎ２）の２流体は、同時に供給される。窒素
ガス（Ｎ２）は、安全性を担保するためのものである。
これらの制御は、前述したように、図示せぬ制御手段に
よってなされる。
であるＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏ
ｌ）と、窒素ガス（Ｎ２）の２流体を供給する経路は、
ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を貯
留するＩＰＡタンク４９と、ＩＰＡタンク４９からＩＰ
Ａ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を供給す
るためのポンプ５０と、供給されたＩＰＡを清浄するた
めのフィルタ５１と、弁５２、弁５３、ＩＰＡを加熱す
るためのＩＰＡ加熱ヒータ５７、並びに窒素ガス
（Ｎ２）を供給するための弁４７及びフィルタ４８とか
らなる。なお、流体スプレーノズル２４に有機溶剤であ
るＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と
窒素ガス（Ｎ２）の２流体は、同時に供給される。窒素
ガス（Ｎ２）は、安全性を担保するためのものである。
これらの制御は、前述したように、図示せぬ制御手段に
よってなされる。
【００４３】（３）次に、乾燥槽２０から排気する経路
は、排気口２６から弁５４を開状態（ＯＮ）にして吸引
排気するものである。
は、排気口２６から弁５４を開状態（ＯＮ）にして吸引
排気するものである。
【００４４】（４）また、リンス槽３０内に純水（ＤＩ
Ｗ）を供給する経路は、弁４１を開状態（ＯＮ）にして
純水供給用ノズル３１から純水（ＤＩＷ）を供給するも
のである。
Ｗ）を供給する経路は、弁４１を開状態（ＯＮ）にして
純水供給用ノズル３１から純水（ＤＩＷ）を供給するも
のである。
【００４５】（５）また、オーバーフロー槽３２から排
水する経路は、リンス槽３０内の純水（ＤＩＷ）のオー
バーフロー分や溶解された有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓ
ｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を排水弁４２を介
して排水するものである。
水する経路は、リンス槽３０内の純水（ＤＩＷ）のオー
バーフロー分や溶解された有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓ
ｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）を排水弁４２を介
して排水するものである。
【００４６】（６）また、リンス槽３０内の純水（ＤＩ
Ｗ）を排水する経路は、排水弁３３を介して排水するも
のである。
Ｗ）を排水する経路は、排水弁３３を介して排水するも
のである。
【００４７】次に、本発明による乾燥装置を用いた乾燥
方法は、図５に示すようなマランゴニ効果を用いた乾燥
方法ではない点に特徴を有する。図５は、ＤＨＦ（ＨＦ
／Ｈ 2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後のマ
ランゴニ効果を用いた乾燥、すなわちマランゴニ乾燥に
よるパーティクル転写の状態を示す図、図６は、マラン
ゴニ乾燥による乾燥において、純水リンス→乾燥工程
と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）（図６は、
希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工程によるパーテ
ィクルの増加量を示すグラフである。図５におけるＩＰ
Ａ濃度は、ＣＩ＞ＣIIであり、表面張力がｒＩ＜ｒIIと
なり、ＣII＝ＣIIIのとき、ｒII＝ｒIIIとなる。Ｃは、
ＩＰＡ濃度、ｒは、表面張力を示し、ローマ数字Ｉ〜II
Iは、図５に示す位置を表している。
方法は、図５に示すようなマランゴニ効果を用いた乾燥
方法ではない点に特徴を有する。図５は、ＤＨＦ（ＨＦ
／Ｈ 2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後のマ
ランゴニ効果を用いた乾燥、すなわちマランゴニ乾燥に
よるパーティクル転写の状態を示す図、図６は、マラン
ゴニ乾燥による乾燥において、純水リンス→乾燥工程
と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）（図６は、
希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工程によるパーテ
ィクルの増加量を示すグラフである。図５におけるＩＰ
Ａ濃度は、ＣＩ＞ＣIIであり、表面張力がｒＩ＜ｒIIと
なり、ＣII＝ＣIIIのとき、ｒII＝ｒIIIとなる。Ｃは、
ＩＰＡ濃度、ｒは、表面張力を示し、ローマ数字Ｉ〜II
Iは、図５に示す位置を表している。
【００４８】図５から明らかなように、ベアウエハと酸
化膜ウエハ間にはＩＰＡガス（ＩＰＡミストではない）
が供給されており、この状態で純水（ＤＩＷ）が下方に
引き抜かれると、マランゴニ力によって酸化膜ウエハに
対向するベアウエハに水が吸着しやすくなり、パーティ
クルも一緒にベアウエハに付着しやすくなる。従って、
図６から明らかなように、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希
釈フッ酸）によるエッチング処理後のマランゴニ乾燥に
よる乾燥では、パーティクルが急激に増加することが分
かる。
化膜ウエハ間にはＩＰＡガス（ＩＰＡミストではない）
が供給されており、この状態で純水（ＤＩＷ）が下方に
引き抜かれると、マランゴニ力によって酸化膜ウエハに
対向するベアウエハに水が吸着しやすくなり、パーティ
クルも一緒にベアウエハに付着しやすくなる。従って、
図６から明らかなように、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希
釈フッ酸）によるエッチング処理後のマランゴニ乾燥に
よる乾燥では、パーティクルが急激に増加することが分
かる。
【００４９】図７は、本発明による乾燥装置を用いた乾
燥方法とマランゴニ効果を用いた乾燥方法とを比較した
グラフを示す図であり、本発明は、図５及び図６に示す
ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチン
グ処理後のマランゴニ乾燥によるパーティクルの増加を
起こさせない乾燥方法を提供することを目的とするもの
である。
燥方法とマランゴニ効果を用いた乾燥方法とを比較した
グラフを示す図であり、本発明は、図５及び図６に示す
ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチン
グ処理後のマランゴニ乾燥によるパーティクルの増加を
起こさせない乾燥方法を提供することを目的とするもの
である。
【００５０】次に、本発明による乾燥方法について、図
８乃至図１１を参照して説明する。図８は、本発明によ
る乾燥方法の工程を示す説明図、図９は、本発明による
乾燥工程のタイムチャート、図１０は、図８（ｅ）の状
態の拡大した説明図、図１１は、図１０のウエハ表面の
帯電量を説明する説明図である。
８乃至図１１を参照して説明する。図８は、本発明によ
る乾燥方法の工程を示す説明図、図９は、本発明による
乾燥工程のタイムチャート、図１０は、図８（ｅ）の状
態の拡大した説明図、図１１は、図１０のウエハ表面の
帯電量を説明する説明図である。
【００５１】(1)図８（ａ）に示す乾燥工程
図８（ａ）は、乾燥装置１内にウエハＷがない状態であ
り、図９のステップ１に示すように、開閉蓋２１は閉状
態で純水供給経路（４）からリンス槽３０内に純水を供
給してオーバーフローリンスの状態で、窒素ガス
（Ｎ２）供給経路（１）から弁４６、フィルタ４５、窒
素ガス供給口２７を介して乾燥槽２０内に窒素ガス（Ｎ
２）を供給、同時に排気経路（３）は弁５４を開にして
吸引排気、ＩＰＡ供給経路（２）は、弁５３が閉、弁５
２が開状態でＩＰＡ循環がなされている。このとき、受
台２３は、リンス槽３０内に下降している。
り、図９のステップ１に示すように、開閉蓋２１は閉状
態で純水供給経路（４）からリンス槽３０内に純水を供
給してオーバーフローリンスの状態で、窒素ガス
（Ｎ２）供給経路（１）から弁４６、フィルタ４５、窒
素ガス供給口２７を介して乾燥槽２０内に窒素ガス（Ｎ
２）を供給、同時に排気経路（３）は弁５４を開にして
吸引排気、ＩＰＡ供給経路（２）は、弁５３が閉、弁５
２が開状態でＩＰＡ循環がなされている。このとき、受
台２３は、リンス槽３０内に下降している。
【００５２】(2)図８（ｂ）に示す乾燥工程
乾燥槽２０の開閉蓋２１を開けて洗浄若しくはすすぎ
（リンス）が完了したウエハＷなどの洗浄物を図示せぬ
搬送手段により受台２３に収納して載置支持させる。な
お、開閉蓋２１は、洗浄物であるウエハＷが乾燥槽２０
及びリンス槽３０内にロード若しくはアンロードされる
場合には、自動若しくは手動により開閉可能な構成であ
る。図９のステップ２に示すように、開閉蓋２１は開、
受台２３が上昇する点以外のオーバーフローリンス状
態、窒素ガス（Ｎ２）供給、吸引排気、ＩＰＡ循環など
は、図８（ａ）と同様である。
（リンス）が完了したウエハＷなどの洗浄物を図示せぬ
搬送手段により受台２３に収納して載置支持させる。な
お、開閉蓋２１は、洗浄物であるウエハＷが乾燥槽２０
及びリンス槽３０内にロード若しくはアンロードされる
場合には、自動若しくは手動により開閉可能な構成であ
る。図９のステップ２に示すように、開閉蓋２１は開、
受台２３が上昇する点以外のオーバーフローリンス状
態、窒素ガス（Ｎ２）供給、吸引排気、ＩＰＡ循環など
は、図８（ａ）と同様である。
【００５３】次に、受台２３上にウエハＷなどの洗浄物
が載置されると、図示せぬ搬送手段は乾燥槽２０内から
退避し、開閉蓋２１が閉じられて受台２３はウエハＷと
共にリンス槽３０内に下降する。
が載置されると、図示せぬ搬送手段は乾燥槽２０内から
退避し、開閉蓋２１が閉じられて受台２３はウエハＷと
共にリンス槽３０内に下降する。
【００５４】(3)図８（ｃ）に示す乾燥工程
図８（ｃ）は、リンス槽３０内で行われる純水リンス工
程である。図１に示す（４）の弁４１が開、純水供給用
ノズル３１から純水の供給が行われてオーバーフローリ
ンスが行われる。開閉蓋２１は閉、受台２３は下降状
態、窒素ガス（Ｎ２）供給、吸引排気、ＩＰＡ循環など
は、図８（ｂ）と同様である。なお、オーバーフローリ
ンスは、約３０Ｌ／ｍｉｎ（１分間で３０リットル）の
リンス処理を行い、約６０秒間行われる。
程である。図１に示す（４）の弁４１が開、純水供給用
ノズル３１から純水の供給が行われてオーバーフローリ
ンスが行われる。開閉蓋２１は閉、受台２３は下降状
態、窒素ガス（Ｎ２）供給、吸引排気、ＩＰＡ循環など
は、図８（ｂ）と同様である。なお、オーバーフローリ
ンスは、約３０Ｌ／ｍｉｎ（１分間で３０リットル）の
リンス処理を行い、約６０秒間行われる。
【００５５】(4)図８（ｄ）に示す乾燥工程
図８（ｄ）は、図９のステップ３のオーバーフローリン
ス終了後、ステップ４でリンス槽３０内にあるウエハＷ
が載置されている受台２３を上昇させる。図９にて明ら
かなように、ステップ４の処理は、受台２３の上昇以外
は、ステップ３と同じである。受台２３の上昇のための
処理時間としては、図９のステップ４に示すように、約
３０秒である。しかして、受台２３の上昇は、図８
（ｅ）にて明らかなように、ウエハＷの下面が僅かにリ
ンス槽３０の液面に浸積された状態で停止させる。受台
２３の停止位置制御は、図示せぬ制御手段により制御さ
れるが、その停止位置は予め設定されている。洗浄物が
ウエハＷである場合には、ウエハＷの表面にパターンが
形成されているので、このパターン面が形成されていな
い外周側周辺が液面に接するように停止される。この
時、洗浄物であるウエハＷはリンス槽３０から昇降機構
により引き上げられた後、洗浄物であるウエハＷは濡れ
た状態となっている。
ス終了後、ステップ４でリンス槽３０内にあるウエハＷ
が載置されている受台２３を上昇させる。図９にて明ら
かなように、ステップ４の処理は、受台２３の上昇以外
は、ステップ３と同じである。受台２３の上昇のための
処理時間としては、図９のステップ４に示すように、約
３０秒である。しかして、受台２３の上昇は、図８
（ｅ）にて明らかなように、ウエハＷの下面が僅かにリ
ンス槽３０の液面に浸積された状態で停止させる。受台
２３の停止位置制御は、図示せぬ制御手段により制御さ
れるが、その停止位置は予め設定されている。洗浄物が
ウエハＷである場合には、ウエハＷの表面にパターンが
形成されているので、このパターン面が形成されていな
い外周側周辺が液面に接するように停止される。この
時、洗浄物であるウエハＷはリンス槽３０から昇降機構
により引き上げられた後、洗浄物であるウエハＷは濡れ
た状態となっている。
【００５６】また、ウエハＷの下面がリンス槽３０の液
面に直接的に接触して浸積された状態を説明したが、図
１４に示すように、ウエハＷとリンス水を間接的に接触
させるような水切り棒を用いることによって、ウエハＷ
とリンス槽３０の液面とを間接的に接触させ、この水切
り棒を介して水滴が落下することにより帯電除去ができ
ることを確認した。図１４は、帯電除去がなされる様子
を示す模式図である。
面に直接的に接触して浸積された状態を説明したが、図
１４に示すように、ウエハＷとリンス水を間接的に接触
させるような水切り棒を用いることによって、ウエハＷ
とリンス槽３０の液面とを間接的に接触させ、この水切
り棒を介して水滴が落下することにより帯電除去ができ
ることを確認した。図１４は、帯電除去がなされる様子
を示す模式図である。
【００５７】(5)図８（ｅ）に示す乾燥工程
図８（ｅ）は、図９のステップ５に相当し、図１に示す
弁５２を閉じて弁５３を開き、また、弁４７を開いて流
体スプレーノズル２４から有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓ
ｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と窒素ガス
（Ｎ２）の２流体を乾燥槽２０内に供給する。このＩＰ
Ａミストの供給は、図９に示すように、約１２０秒間な
される。この時、ＩＰＡヒータ５７は、５°Ｃ〜８０°
Ｃの範囲で加熱することが可能であり、ＩＰＡミストの
供給時にＩＰＡヒータ５７がＯＮされる。
弁５２を閉じて弁５３を開き、また、弁４７を開いて流
体スプレーノズル２４から有機溶剤であるＩＰＡ（Ｉｓ
ｏ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）と窒素ガス
（Ｎ２）の２流体を乾燥槽２０内に供給する。このＩＰ
Ａミストの供給は、図９に示すように、約１２０秒間な
される。この時、ＩＰＡヒータ５７は、５°Ｃ〜８０°
Ｃの範囲で加熱することが可能であり、ＩＰＡミストの
供給時にＩＰＡヒータ５７がＯＮされる。
【００５８】しかして、図１０に示すように、乾燥槽２
０内のＩＰＡミスト雰囲気下では、前述したように、＋
側に帯電し易くなっており、ウエハＷも帯電しやすい状
態となっている。そこで、本発明による乾燥方法では、
図１０に示すように、ウエハＷの表面に残留した水分に
ＩＰＡミストが溶解したものがウエハＷの表面を伝わっ
て下方に落下しリンス槽３０内の純水に溶解する。そし
て、図９のステップ５から明らかなように、オーバーフ
ローリンスがなされているので、オーバーフロー槽３２
から排水経路（図１（５））を経由して接地されて＋側
の帯電が除去される。
０内のＩＰＡミスト雰囲気下では、前述したように、＋
側に帯電し易くなっており、ウエハＷも帯電しやすい状
態となっている。そこで、本発明による乾燥方法では、
図１０に示すように、ウエハＷの表面に残留した水分に
ＩＰＡミストが溶解したものがウエハＷの表面を伝わっ
て下方に落下しリンス槽３０内の純水に溶解する。そし
て、図９のステップ５から明らかなように、オーバーフ
ローリンスがなされているので、オーバーフロー槽３２
から排水経路（図１（５））を経由して接地されて＋側
の帯電が除去される。
【００５９】図１１（ａ）は、本発明によらず、ウエハ
Ｗの下面をリンス槽３０の液面に浸積させないで乾燥を
行った場合のウエハ表面の帯電量を測定したグラフであ
る。この測定は、図８（ｅ）、図９のステップ５の乾燥
工程で測定したものである。図１１（ａ）に示す帯電量
の変化は、ウエハＷの表面に残留した水分とＩＰＡがリ
ンス槽３０内のリンス水に落下する際、一時的にウエハ
Ｗが除電される現象によるためである。
Ｗの下面をリンス槽３０の液面に浸積させないで乾燥を
行った場合のウエハ表面の帯電量を測定したグラフであ
る。この測定は、図８（ｅ）、図９のステップ５の乾燥
工程で測定したものである。図１１（ａ）に示す帯電量
の変化は、ウエハＷの表面に残留した水分とＩＰＡがリ
ンス槽３０内のリンス水に落下する際、一時的にウエハ
Ｗが除電される現象によるためである。
【００６０】図１１（ｂ）は、本発明によるものであ
り、ウエハＷの下面をリンス槽３０の液面に直接浸漬さ
せた状態で乾燥を行った場合のウエハ表面の帯電量を測
定したグラフである。この測定は、図８（ｅ）、図９の
ステップ５の乾燥工程で測定したものであり、本発明に
よる場合には、ウエハ表面の帯電量が除去されているこ
とが分かる。なお、ウエハＷの下面をリンス槽３０の液
面に直接浸積させず、間接的に水切り棒などを用いて行
う場合でも同様の効果が得られることは図１４について
説明したとおりである。
り、ウエハＷの下面をリンス槽３０の液面に直接浸漬さ
せた状態で乾燥を行った場合のウエハ表面の帯電量を測
定したグラフである。この測定は、図８（ｅ）、図９の
ステップ５の乾燥工程で測定したものであり、本発明に
よる場合には、ウエハ表面の帯電量が除去されているこ
とが分かる。なお、ウエハＷの下面をリンス槽３０の液
面に直接浸積させず、間接的に水切り棒などを用いて行
う場合でも同様の効果が得られることは図１４について
説明したとおりである。
【００６１】(6)図８（ｆ）に示す乾燥工程
図８（ｆ）は、図１に示す弁５３を閉じ、弁５２を開い
てＩＰＡミストの供給を停止してＩＰＡ循環がなされ
る。そして、排水弁３３を開いてリンス槽３０内の純水
排水を行う。処理時間は、約１０秒である。図９のステ
ップ６に示すように、窒素ガス（Ｎ２）供給経路（１）
から弁４６、フィルタ４５、窒素ガス供給口２７を介し
て乾燥槽２０内に窒素ガス（Ｎ２）を供給、排気経路
（３）は弁５４を開にして吸引排気がなされている。
てＩＰＡミストの供給を停止してＩＰＡ循環がなされ
る。そして、排水弁３３を開いてリンス槽３０内の純水
排水を行う。処理時間は、約１０秒である。図９のステ
ップ６に示すように、窒素ガス（Ｎ２）供給経路（１）
から弁４６、フィルタ４５、窒素ガス供給口２７を介し
て乾燥槽２０内に窒素ガス（Ｎ２）を供給、排気経路
（３）は弁５４を開にして吸引排気がなされている。
【００６２】(7)図８(ｇ)に示す乾燥工程
図８(ｇ)は、図９のステップ７に相当するものであり、
弁４６を閉じて常温の窒素ガス（Ｎ２）の供給を停止
し、弁４３を開き、ヒータ４４により窒素ガス（Ｎ ２）
を加温して高温の窒素ガス（Ｎ２）を乾燥槽２０内に供
給する。高温の窒素ガス（Ｎ２）の供給する処理時間
は、約１５０秒であり、この間に乾燥槽２０内のウエハ
Ｗの表面を急速に乾燥する。
弁４６を閉じて常温の窒素ガス（Ｎ２）の供給を停止
し、弁４３を開き、ヒータ４４により窒素ガス（Ｎ ２）
を加温して高温の窒素ガス（Ｎ２）を乾燥槽２０内に供
給する。高温の窒素ガス（Ｎ２）の供給する処理時間
は、約１５０秒であり、この間に乾燥槽２０内のウエハ
Ｗの表面を急速に乾燥する。
【００６３】(8)図８(ｈ)に示す乾燥工程
図８(ｈ)は、前工程で高温の窒素ガス（Ｎ２）雰囲気下
の状態から弁４３を閉、ヒータ４４をオフ（ＯＦＦ）
し、弁４６を開にして乾燥槽２０内に常温の不活性ガス
である窒素ガス（Ｎ２）を供給して乾燥槽２０内を常温
に戻す。いわゆるクーリングダウンである。この処理時
間としては、約３０秒である。窒素ガス供給口２７から
常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給される
ことによって乾燥槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、
ウエハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を
図ることが可能である。
の状態から弁４３を閉、ヒータ４４をオフ（ＯＦＦ）
し、弁４６を開にして乾燥槽２０内に常温の不活性ガス
である窒素ガス（Ｎ２）を供給して乾燥槽２０内を常温
に戻す。いわゆるクーリングダウンである。この処理時
間としては、約３０秒である。窒素ガス供給口２７から
常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給される
ことによって乾燥槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、
ウエハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を
図ることが可能である。
【００６４】(9)図８(ｉ)に示す乾燥工程
図８（ｉ）は、図９のステップ９に示すように、開閉蓋
２１を開にして受台２３上に載置されている乾燥処理後
のウエハＷを図示せぬ搬送手段によって乾燥槽２０外に
搬出する。
２１を開にして受台２３上に載置されている乾燥処理後
のウエハＷを図示せぬ搬送手段によって乾燥槽２０外に
搬出する。
【００６５】以上のように、本発明による乾燥装置によ
れば、乾燥槽２０、リンス槽３０で構成され、省スペー
ス化を図ることができる。また、本発明によれば、リン
ス槽３０からウエハＷを引き上げる工程において、有機
溶剤ミストの供給を行っていないので、ウエハＷとリン
ス槽３０内のリンス水との界面にマランゴニ効果は発生
しない。したがって、パーティクルの転写も発生しな
い。本発明による乾燥方法は、不活性ガスである窒素ガ
ス（Ｎ２）として常温のガスを使用する。常温の雰囲気
を維持するためである。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）
を気化させて乾燥する工程（図９のステップ７）では、
不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温したものを
使用する。急速な乾燥を行うことができるからである。
この加温する温度は、実験例によれば２０℃〜１００℃
の範囲がよい。しかし、加温せずに常温のものも洗浄物
によって使用してもよい。また、不活性ガスとして窒素
ガス（Ｎ２）を用いているが、その他のガスとしては、
アルゴンガスを用いてもよい。また、本発明によれば、
酸化膜及びパターン付きウエハからのパーティクルの付
着を抑制し、かつシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止
することが可能である。
れば、乾燥槽２０、リンス槽３０で構成され、省スペー
ス化を図ることができる。また、本発明によれば、リン
ス槽３０からウエハＷを引き上げる工程において、有機
溶剤ミストの供給を行っていないので、ウエハＷとリン
ス槽３０内のリンス水との界面にマランゴニ効果は発生
しない。したがって、パーティクルの転写も発生しな
い。本発明による乾燥方法は、不活性ガスである窒素ガ
ス（Ｎ２）として常温のガスを使用する。常温の雰囲気
を維持するためである。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）
を気化させて乾燥する工程（図９のステップ７）では、
不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温したものを
使用する。急速な乾燥を行うことができるからである。
この加温する温度は、実験例によれば２０℃〜１００℃
の範囲がよい。しかし、加温せずに常温のものも洗浄物
によって使用してもよい。また、不活性ガスとして窒素
ガス（Ｎ２）を用いているが、その他のガスとしては、
アルゴンガスを用いてもよい。また、本発明によれば、
酸化膜及びパターン付きウエハからのパーティクルの付
着を抑制し、かつシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止
することが可能である。
【００６６】次に、図１５は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）
（希釈フッ酸）によるエッチング処理後の本発明による
乾燥装置を用いてリンス槽内のリンス水に水素水を添加
した水素添加水を用いてリンス処理を行い、乾燥工程後
のシリコン表面の酸化膜厚を測定した図である。横軸に
リンス時間（ｍｉｎ）、縦軸に自然酸化膜厚み（Å）を
表している。
（希釈フッ酸）によるエッチング処理後の本発明による
乾燥装置を用いてリンス槽内のリンス水に水素水を添加
した水素添加水を用いてリンス処理を行い、乾燥工程後
のシリコン表面の酸化膜厚を測定した図である。横軸に
リンス時間（ｍｉｎ）、縦軸に自然酸化膜厚み（Å）を
表している。
【００６７】図１５に示すように、リンス時間に応じて
シリコン表面に形成される酸化膜厚が増えるが、水素添
加水でリンス処理した場合、Ｏ２濃度１５ｐｐｂの超純
水の場合に比べ、自然酸化膜の成長が抑制されているこ
とを確認した。これはリンス水に水素が存在することに
より、シリコン（Ｓｉ）と水素の結合が促進され、シリ
コン（Ｓｉ）と酸素の結合を妨げたものと考えられるた
めである。以上から、リンス水に水素水を添加した水素
添加水を用いると、シリコン表面の自然酸化膜の成長を
抑制でき、また、ウォーターマークの形成も防止でき
る。したがって、本発明による乾燥装置及び乾燥方法に
よれば、リンス水として水素添加水の選択も可能であ
る。
シリコン表面に形成される酸化膜厚が増えるが、水素添
加水でリンス処理した場合、Ｏ２濃度１５ｐｐｂの超純
水の場合に比べ、自然酸化膜の成長が抑制されているこ
とを確認した。これはリンス水に水素が存在することに
より、シリコン（Ｓｉ）と水素の結合が促進され、シリ
コン（Ｓｉ）と酸素の結合を妨げたものと考えられるた
めである。以上から、リンス水に水素水を添加した水素
添加水を用いると、シリコン表面の自然酸化膜の成長を
抑制でき、また、ウォーターマークの形成も防止でき
る。したがって、本発明による乾燥装置及び乾燥方法に
よれば、リンス水として水素添加水の選択も可能であ
る。
【００６８】次に、本発明による乾燥装置の他の実施例
について図１６を用いて説明する。なお、図１に示す装
置と基本的な構成及び機能は実質的に同一であるので、
相違する点について説明することとする。
について図１６を用いて説明する。なお、図１に示す装
置と基本的な構成及び機能は実質的に同一であるので、
相違する点について説明することとする。
【００６９】図１６に示すように、乾燥装置２０は、リ
ンス槽３０を有しない構成のものであり、その結果、オ
ーバーフロー槽３２も有さない。したがって、図１６に
示す乾燥装置は、他の工程でリンス処理が行われてきた
洗浄物であるウエハＷについて、純粋に乾燥処理のみを
行うものである。
ンス槽３０を有しない構成のものであり、その結果、オ
ーバーフロー槽３２も有さない。したがって、図１６に
示す乾燥装置は、他の工程でリンス処理が行われてきた
洗浄物であるウエハＷについて、純粋に乾燥処理のみを
行うものである。
【００７０】本発明によれば、マランゴニー力によるパ
ーティクルの転写がなく、また、窒素による不活性ガス
雰囲気にするので酸素が排除され、ウォーターマークの
防止が行えるとともに生産性の向上が図れる。また、密
閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がない。
ーティクルの転写がなく、また、窒素による不活性ガス
雰囲気にするので酸素が排除され、ウォーターマークの
防止が行えるとともに生産性の向上が図れる。また、密
閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がない。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機溶剤ミストを間接的に放射するようにしたので、有
機溶剤ミストの粒径を小さくすることができる。また、
本発明によれば、マランゴニー力によるパーティクルの
転写がなく、また、窒素による不活性ガス雰囲気にする
ので酸素が排除され、ウォーターマークの防止が行える
とともに生産性の向上が図れる。また、密閉構造で処理
するので、洗浄物への汚染がない。
有機溶剤ミストを間接的に放射するようにしたので、有
機溶剤ミストの粒径を小さくすることができる。また、
本発明によれば、マランゴニー力によるパーティクルの
転写がなく、また、窒素による不活性ガス雰囲気にする
ので酸素が排除され、ウォーターマークの防止が行える
とともに生産性の向上が図れる。また、密閉構造で処理
するので、洗浄物への汚染がない。
【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部
断面を含む図である。
断面を含む図である。
【図２】ミスト整流板を用いて有機溶剤ミストを間接的
に放射する状態を示す説明図である。
に放射する状態を示す説明図である。
【図３】ミスト整流板から放射された有機溶剤ミストの
粒径及び放射状態を示す説明図である。
粒径及び放射状態を示す説明図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、ミスト整流板の開口の開
口形状を示した拡大断面図である。
口形状を示した拡大断面図である。
【図５】ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）による
エッチング処理後のマランゴニ効果を用いた乾燥、すな
わちマランゴニ乾燥によるパーティクル転写の状態を示
す図である。
エッチング処理後のマランゴニ効果を用いた乾燥、すな
わちマランゴニ乾燥によるパーティクル転写の状態を示
す図である。
【図６】マランゴニ乾燥による乾燥において、純水リン
ス→乾燥工程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ
酸）（図６は、希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工
程によるパーティクルの増加量を示すグラフである。
ス→乾燥工程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ
酸）（図６は、希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工
程によるパーティクルの増加量を示すグラフである。
【図７】マランゴニ乾燥と本発明による乾燥におけるパ
ーティクルの増加量を比較する図である。
ーティクルの増加量を比較する図である。
【図８】本発明による乾燥方法の工程を示す説明図であ
る。
る。
【図９】本発明による乾燥工程のタイムチャートであ
る。
る。
【図１０】図８（ｅ）の状態の拡大した説明図である。
【図１１】図１０のウエハ表面の帯電量を説明する説明
図である。
図である。
【図１２】ミスト整流板を用いて有機溶剤ミストＭの粒
径と粒子数を位相ドップラー粒子分析計を用いて５分間
測定する状態を示す図である。
径と粒子数を位相ドップラー粒子分析計を用いて５分間
測定する状態を示す図である。
【図１３】（ａ）は、図１２で測定した実験結果、及び
（ｂ）は図１２に示すミスト整流板を用いないで有機溶
剤ミストＭの粒径と粒子数を測定した実験結果を示す図
である。
（ｂ）は図１２に示すミスト整流板を用いないで有機溶
剤ミストＭの粒径と粒子数を測定した実験結果を示す図
である。
【図１４】帯電除去がなされる様子を示す模式図であ
る。
る。
【図１５】ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）（希釈フッ酸）によ
るエッチング処理後の本発明による乾燥装置を用いてリ
ンス槽内のリンス水に水素水を添加した水素添加水を用
いてリンス処理を行い、乾燥工程後のシリコン表面の酸
化膜厚を測定した図である。
るエッチング処理後の本発明による乾燥装置を用いてリ
ンス槽内のリンス水に水素水を添加した水素添加水を用
いてリンス処理を行い、乾燥工程後のシリコン表面の酸
化膜厚を測定した図である。
【図１６】乾燥装置の他の実施例を示す図である。
【図１７】従来の乾燥装置を示す図である。
１ 乾燥装置
２０ 乾燥槽
２１ 開閉蓋
２２ ミスト整流板
２３ 受台
２４ 流体スプレーノズル
２５ 気相部
２６ 排気口
２７ 窒素ガス供給口
３０ リンス槽
３１ 純水供給用ノズル
３２ オーバーフロー槽
３３ 排水弁
４０ 給排システム
４１ 弁
４２ 排水弁
４３ 弁
４４ ヒーター
４５ フィルタ
４６，４７ 弁
４８ フィルタ
４９ ＩＰＡタンク
５０ ポンプ
５１ フィルタ
５２，５３，５４ 弁
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 潘 毅
東京都羽村市栄町３−１−５ 株式会社カ
イジョー内
Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB03 BB23 BB33 BB95
BB99 CB12 CC01 CC11
3L113 AA05 AC08 AC67 BA34 DA02
DA10
4K053 PA01 PA13 QA04 QA07 RA04
RA07 RA17 RA40 RA41 RA42
SA04 SA06 TA16 TA17 TA18
TA19 XA11 XA22 XA26 XA27
XA45 XA46 YA02
Claims (16)
- 【請求項１】 乾燥槽内で有機溶剤ミストを発生して乾
燥槽内の洗浄物に供給する洗浄物の乾燥装置であって、 前記乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄物に対して供
給するためのミスト整流板を有することを特徴とする洗
浄物の乾燥装置。 - 【請求項２】 前記ミスト整流板は、前記乾燥槽の側壁
に設けられ、前記有機溶剤ミストを放射する面には流体
スプレーノズルから所定距離Ｓ離間した位置から上方に
複数の微細な開口が形成され、前記流体スプレーノズル
により放射された有機溶剤ミストのうち前記開口を通過
した有機溶剤ミストによって間接的に放射されることを
特徴とする請求項１記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項３】 前記流体スプレーノズルは、２以上の異
なる流体を同時に放射可能であることを特徴とする請求
項２記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項４】 前記流体スプレーノズルから放射される
流体は、有機溶剤ミストと不活性ガスであることを特徴
とする請求項２又は請求項３記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項５】 前記開口の形状は、面取りされているこ
とを特徴とする請求項２記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項６】 乾燥槽、リンス槽とが一体に形成されて
前記乾燥槽の上部が解放されて上方から洗浄物の収納、
取り出しが可能であり、開閉蓋の開閉により密閉可能な
洗浄物の乾燥装置であって、 前記乾燥槽は、有機溶剤ミストを前記洗浄物に対して供
給するためのミスト整流板を有することを特徴とする洗
浄物の乾燥装置。 - 【請求項７】 前記乾燥槽は、前記リンス槽の上部に一
体に設けられて該リンス槽内に供給される純水（ＤＩ
Ｗ）をオーバーフローするオーバーフロー槽を有し、該
オーバーフロー槽から排水される経路は、接地されてな
ることを特徴とする請求項６記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項８】 前記乾燥槽及びリンス槽内には、洗浄物
を載置保持する受台を有し、該受台は昇降機構により昇
降可能であり、前記洗浄物の一部が液面に直接又は間接
的に接触した状態で停止可能であることを特徴とする請
求項６記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項９】 前記洗浄物の一部が前記リンス槽の液面
に浸漬される部位は、パターン面以外の部位であること
を特徴とする請求項８記載の洗浄物の乾燥装置。 - 【請求項１０】 乾燥槽、リンス槽とが一体に形成され
て前記乾燥槽の上部が解放されて上方から洗浄物の収
納、取り出しが可能であり、開閉蓋の開閉により密閉可
能な乾燥装置により乾燥を行う洗浄物の乾燥方法であっ
て、 前記洗浄物を前記リンス槽内でリンス処理後該洗浄物を
載置保持する受台を昇降機構により昇降させて前記洗浄
物の一部が液面に直接又は間接的に接触した状態で一時
的に停止させる工程と、 前記洗浄物に対してミスト整流板に設けられた流体スプ
レーノズルから有機溶剤ミストを放射して該ミスト整流
板から間接的に放射して乾燥処理を行う工程と、 前記乾燥処理工程後に純水を排水する工程と、 前記排水工程後に高温の不活性ガスを前記乾燥槽内に供
給して急速に乾燥処理を行う工程とを有する洗浄物の乾
燥方法。 - 【請求項１１】 前記洗浄物が前記リンス槽から昇降機
構により引き上げられた後前記洗浄物は濡れていること
を特徴とする請求項１０記載の洗浄物の乾燥方法。 - 【請求項１２】 前記不活性ガスは、常温の窒素ガス
（Ｎ２）又は加温された窒素ガス（Ｎ２）であることを
特徴とする請求項１０に記載の洗浄物の乾燥方法。 - 【請求項１３】 前記有機溶剤ミストを生成する有機溶
剤は、水溶性でかつ基板に対する純水の表面張力を低下
させる作用を有するアルコール類、ケトン類又はエーテ
ル類から選択されることを特徴とする請求項１０に記載
の洗浄物の乾燥方法。 - 【請求項１４】 前記ミスト整流板から間接的に放射さ
れる有機溶剤ミストの粒径は２０μｍ以下であることを
特徴とする請求項１０記載の洗浄物の乾燥方法。 - 【請求項１５】 前記有機溶剤がＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒ
ｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）である場合には、５°Ｃ〜
８０°Ｃの範囲で加熱することができることを特徴とす
る請求項１３記載の洗浄物の乾燥方法。 - 【請求項１６】 前記リンス槽内でリンス処理を行うリ
ンス水は、水素添加水であることを特徴とする請求項１
０記載の洗浄物の乾燥方法。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2002058652A JP3684356B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法 |
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| SG200205472A SG107612A1 (en) | 2002-03-05 | 2002-09-11 | An apparatus and a method for drying washed objects |
| SG200406299A SG128481A1 (en) | 2002-03-05 | 2002-09-11 | An apparatus and a method for drying washed objects |
| KR10-2002-0056321A KR100483715B1 (ko) | 2002-03-05 | 2002-09-17 | 세정물의 건조장치 및 건조방법 |
| TW091122532A TW559935B (en) | 2002-03-05 | 2002-09-30 | An apparatus and a method for drying washed objects |
| CN02152961A CN1442881A (zh) | 2002-03-05 | 2002-11-29 | 干燥洗涤物的装置和方法 |
| US10/693,236 US6901685B2 (en) | 2002-03-05 | 2003-10-24 | Method for drying washed objects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058652A JP3684356B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 洗浄物の乾燥装置及び乾燥方法 |
Publications (2)
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|---|---|
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ID=27784713
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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