JP2002353190A

JP2002353190A - 洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置

Info

Publication number: JP2002353190A
Application number: JP2001159570A
Authority: JP
Inventors: Shunsuke Saito; 俊介斉藤; Kensuke Yamaguchi; 謙介山口; Katsuichi Okano; 勝一岡野
Original assignee: Kaijo Corp
Current assignee: Kaijo Corp
Priority date: 2001-05-28
Filing date: 2001-05-28
Publication date: 2002-12-06

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】短時間で洗浄物の乾燥を行うことが可能であ
り、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、エネルギー損
失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄
乾燥装置の提供すること。【解決手段】純水槽２０内の純水に洗浄物５０が浸漬
された状態で純水槽２０内に有機溶剤ミストを供給して
有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に純水の液面に
有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、
純水槽２０内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活
性ガス雰囲気を形成し、純水の液面に形成された有機溶
剤ミストで生成された十分な厚さの層を保持しながら洗
浄物５０が浸漬された状態で純水槽２０内の純水を排出
し、洗浄物５０の表面上の純水が有機溶剤ミストで生成
された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給
して有機溶剤を気化し乾燥すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】本発明は、洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置
並びに洗浄乾燥装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板
の洗浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及
び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、微細化したウエハ等の洗浄物の精
密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水
分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸
気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤
ペーパーを用いた乾燥装置としては、図１５に示す装置
が知られている。

【０００３】乾燥装置１０１は、図１５に示すように、
上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０
２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加
熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設け
られた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に
設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配
置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置
台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液
受部１０８とからなる。

【０００４】乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入
された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加
熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベ
ーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６
を乾燥槽１０２内に挿入配置する。乾燥槽１０２内に挿
入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有
機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着して
いた水分は、より蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾
燥が進行する。有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、
次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に
取り出されることによって、付着された溶剤成分はその
低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。

【０００５】また、乾燥槽１０２の上部に配置されてい
る冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなっ
た有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下し
て回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０
６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回
収が行われる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の乾燥
装置１０１は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱する
ので火気に十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を
行うのでエネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０
３によって加熱させてベーパー層を形成するまでの時間
がかかり、蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、
洗浄物がミスト層に触れると、べーパー（気相）の熱が
洗浄物に奪われて急激な相変化（気体-→液体）が起こ
りベーパー層が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚
染、乾燥不良等が起こりやすくなる。

【０００７】本発明は、短時間で洗浄物の乾燥を行うこ
とが可能であり、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、
エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装
置並びに洗浄乾燥装置の提供を目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による洗浄物の乾
燥方法は、純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬さ
れた状態で前記純水槽内に有機溶剤ミストを供給して有
機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩ
Ｗ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの
層を形成する第１の工程と、前記純水槽内に不活性ガス
を供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する第
２の工程と、前記純水（ＤＩＷ）の液面に形成された有
機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を保持しなが
ら前記洗浄物が浸漬された状態で前記純水槽内の純水
（ＤＩＷ）を排出する第３の工程と、前記洗浄物の表面
上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミストで生成された
層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前
記有機溶剤を気化し乾燥する第４の工程とを有するもの
である。

【０００９】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ２）である。

【００１０】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記第４の工程による不活性ガスは、加温された窒素ガス
（Ｎ２）である。

【００１１】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌａｌｃ
ｏｈｏｌ）である。

【００１２】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記有機溶剤ミストは、スプレー式ノズルで、しかもミス
ト粒径が１００μｍ以下のミストを噴霧可能である。

【００１３】また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により
支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して
前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエ
ッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に
純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に
純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程と、前記槽内
の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内
に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を
形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミ
ストで生成された十分な厚さの層を形成する工程と、前
記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス
雰囲気を形成する工程と、前記純水（ＤＩＷ）の液面に
形成された有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層
を保持しながら前記洗浄物が浸漬された状態で前記槽内
の純水（ＤＩＷ）を排出する工程と、前記洗浄物の表面
上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミストで生成された
層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前
記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有するものであ
る。

【００１４】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）であ
る。

【００１５】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記エッチング処理工程は、前記洗浄物を一定時間若しく
は予め設定した時間薬液中に浸漬するものである。

【００１６】また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前
記槽は、１槽で構成されてなるものである。

【００１７】また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、
純水（ＤＩＷ）と不活性ガスのそれぞれを給排水、給排
気自在に構成した純水槽と、前記純水槽の上方から常温
の有機溶剤ミストを発生して純水槽内に供給する洗浄物
の乾燥装置であって、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に
洗浄物が浸漬された状態で前記純水槽内に有機溶剤ミス
トを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に
前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成され
た十分な厚さ層を形成し、前記純水槽内に不活性ガスを
供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記
純水（ＤＩＷ）の液面に形成された有機溶剤ミストで生
成された十分な厚さの層を保持しながら前記洗浄物が浸
漬された状態で前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出
し、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶
剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不
活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成
としたものである。

【００１８】また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前
記純水槽の上部を密閉可能な構成としたものである。

【００１９】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
は、洗浄物を支持可能な支持台を有し該支持台上で前記
洗浄物を支持して密閉空間を形成して洗浄が可能な槽
と、前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容す
る搬送手段と、前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前記
洗浄物を浸漬して洗浄を行い、該洗浄後は前記洗浄物に
吸着している前記薬液を純水（ＤＩＷ）に置換してすす
ぎ洗浄が可能な液供給排出手段と、前記槽内の純水（Ｄ
ＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤
ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると
共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成
された十分な厚さの層を形成し、前記槽内に不活性ガス
を供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前
記純水（ＤＩＷ）の液面に形成された有機溶剤ミストで
生成された十分な厚さの層を保持しながら前記洗浄物が
浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出し、
前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミ
ストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性
ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成とし
たものである。

【００２０】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄であり、該ＡＰＭ
は、ＮＨ₄ＯＨ（アンモニア）／Ｈ₂Ｏ₂（過水）／Ｈ₂Ｏ
（純水）である。

【００２１】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
は、洗浄物を支持可能な支持台を有し該支持台上で前記
洗浄物を支持して密閉空間を形成して洗浄が可能な洗浄
槽と、前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して
収容する搬送手段と、前記洗浄槽内に薬液を供給し該薬
液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄可能とする第１の液供
給排出手段と、前記洗浄槽での洗浄が完了した前記洗浄
物を前記搬送手段により搬送して前記洗浄物を支持可能
な支持台上に支持して密閉空間内で前記洗浄物に吸着し
ている薬液を純水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄が可
能なリンス槽と、前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の供
給、排出が可能な第２の液供給排出手段と、前記リンス
槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物を前記搬送
手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行う純水槽
と、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬され
た状態で前記純水槽内に有機溶剤ミストを供給して有機
溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩ
Ｗ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの
層を形成し、前記純水槽内に不活性ガスを供給して密閉
空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水（ＤＩ
Ｗ）の液面に形成された有機溶剤ミストで生成された十
分な厚さの層を保持しながら前記洗浄物が浸漬された状
態で前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出し、前記洗浄
物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミストで生
成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供
給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたもので
ある。

【００２２】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個独立した槽であ
る。

【００２３】また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置
の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つの槽である。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明によ
る洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置の
実施の形態について説明する。図１は、本発明による実
施の形態である乾燥装置の一部断面を含む図である。

【００２５】図１に示すように、乾燥装置１０は、純水
槽２０と、純水槽２０と接続される給排システム３０と
を有する。

【００２６】純水槽２０は、液供給弁２１から純水（Ｄ
ＩＷ）を供給し、純水槽２０内の純水が一定量に達する
と、それ以上は排水弁２２ｂの経路を経由してオーバー
フローする。したがって、純水槽２０内の上部には気相
部２３が形成されている。この気相部２３には、窒素ガ
ス供給口２４、外気に連通する排気弁２５が設けられて
おり、また、有機溶剤、すなわち、本実施の形態ではＩ
ＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ）の有機
溶剤ミストを形成して先端から放射するスプレー式ノズ
ル２６（以下、ノズルと称する）が設けられている。ま
た、純水槽２０の上部には、洗浄物の出し入れを行うた
めの完全密閉型の開閉蓋２７が設けられ、これによって
密閉空間が形成される。また、純水槽２０の内部には、
半導体ウエハ等の基板からなる洗浄物５０を複数支持す
ることが可能な支持台２８が備えられており、支持台２
８は、通常、半導体ウエハであれば、例えば、直径が８
インチのウエハを１００枚載置可能であるが、径又は枚
数は適宜選定可能である。

【００２７】また、純水槽２０内の下部中央には、排水
弁２２ａが設けられており、この排水弁２２ａを経由し
て排水される。そして、純水槽２０内には、更に液面セ
ンサー２９が設けられている。この液面センサー２９
は、液面の下降速度が２〜４ｍｍ／ｓｅｃ前後で下降
し、この液面の下降速度を１ｍｍ／ｓｅｃ前後に切り替
えるためのセンサーである。なお、液供給弁２１の給液
の速度並びに排水弁２２ａ，２２ｂの制御は、弁の開閉
をコンピュータなどからなる制御手段（図示せず）によ
り制御する構成となっている。

【００２８】次に、純水槽２０と接続される給排システ
ム３０について説明する。給排システム３０は、(1)窒
素ガス供給口２４に窒素ガス（Ｎ_２）を供給する経路、
(2)ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤ミストを供給する経
路、(3)純水槽２０から排水する経路とを有する。

【００２９】(1)まず、窒素ガス供給口２４に窒素ガス
（Ｎ_２）を供給する経路は、窒素ガス（Ｎ_２）を加温す
るためのヒータ４１，温度制御のための温調器４２，弁
４３、フィルタ４４とからなる。弁４３は、図示せぬ制
御手段によって開閉制御可能となっており、弁４３の開
閉によって窒素ガス供給口２４から窒素ガス（Ｎ_２）が
純水槽２０内に適宜供給される。

【００３０】(2)次に、ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤
ミストを供給する経路は、ＩＰＡを貯留するＩＰＡタン
ク４５、このＩＰＡタンク４５、ポンプ４６、フィルタ
４７、弁４８とでＩＰＡを循環する回路が構成される。
そして、弁４９が開状態で弁４８が閉状態の場合には、
ＩＰＡは循環されず、ＩＰＡタンク４５から供給される
常温のＩＰＡがフィルタ４７，５１を通してノズル２６
に供給される。そして、同時に、ノズル２６には、フィ
ルタ５２を介して常温の窒素ガス（Ｎ_２）が供給される
ようになっている。したがって、ノズル２６からは、Ｉ
ＰＡの有機溶剤ミストが放射される。なお、弁４９が閉
状態で、弁４８が開状態の場合には、ＩＰＡタンク４５
にＩＰＡが循環されるようになっており、また、弁４
８，弁４９の開閉制御は、図示せぬ制御手段により制御
されるようになっている。

【００３１】また、ＩＰＡタンク４５には、ＩＰＡ供給
路から常時必要な量のＩＰＡが供給されると共に、窒素
ガス（Ｎ_２）が供給される。この窒素ガス（Ｎ_２）は、
安全性を担保するためのものである。

【００３２】(3)また、純水槽２０から排水する経路
は、(a)オーバーフロー用の排水弁２２ｂ、(b)排水用の
排水弁２２ａ、ポンプ５３の経路（ＤＲＡＩＮ）と、
(c)排気経路（ＥＸＨ）とからなる。なお、液供給弁２
１及び排水弁２２ａを液供給排出手段と称する。

【００３３】以上のような構成からなる本発明による実
施の形態である洗浄物の乾燥装置を用いた乾燥方法につ
いて以下に説明する。

【００３４】まず、図１に示す乾燥装置１０を始動する
前に乾燥のための準備を行う。すなわち、有機溶剤（Ｉ
ＰＡ）がＩＰＡ供給路からＩＰＡタンク４５内に所定量
供給される。

【００３５】次に、純水槽２０の蓋２７を開けて洗浄若
しくはすすぎ（リンス）が完了したウエハなどの洗浄物
５０を図示せぬ搬送手段により支持台２８に収納して載
置支持させる。なお、蓋２７は、洗浄物５０が純水槽２
０内にロード若しくはアンロードされるときには、自動
若しくは手動により開閉可能な構成である。

【００３６】前述した準備が完了後、本発明による乾燥
装置を用いて乾燥を行う。本発明による乾燥装置を用い
た乾燥方法は、図２に示すようなマランゴニ効果を用い
た乾燥方法ではない点に特徴を有するものである。図２
は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッ
チング処理後のマランゴニ効果を用いた乾燥、すなわち
マランゴニ乾燥によるパーティクル転写の状態を示す
図、図３は、マランゴニ乾燥による乾燥において、純水
リンス→乾燥工程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フ
ッ酸）（図３は、希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥
工程によるパーティクルの増加量を示すグラフである。
図２におけるＩＰＡ濃度は、ＣＩ＞ＣIIであり、表面張
力がｒＩ＜ｒIIとなり、ＣII＝ＣIIIのとき、ｒII＝ｒI
IIとなる。Ｃは、ＩＰＡ濃度、ｒは、表面張力を示し、
ローマ数字Ｉ〜IIIは、図２に示す位置を表している。

【００３７】図２から明らかなように、ベアウエハと酸
化膜ウエハ間にはＩＰＡガス（ＩＰＡミストではない）
が供給されており、この状態で純水（ＤＩＷ）が下方に
引き抜かれると、マランゴニ力によって酸化膜ウエハに
対向するベアウエハに水が吸着しやすくなり、パーティ
クルも一緒にベアウエハに付着しやすくなる。従って、
図３から明らかなように、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希
釈フッ酸）によるエッチング処理後のマランゴニ乾燥に
よる乾燥では、パーティクルが急激に増加することが分
かる。

【００３８】そこで、本発明は、図２及び図３に示すＤ
ＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング
処理後のマランゴニ乾燥によるパーティクルの増加を起
こさせない乾燥方法を提供することを目的とするもので
ある。

【００３９】図４は、本発明によるＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂
Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後の乾燥によ
るパーティクル転写の状態を示す図、図５は、図４によ
る乾燥において、純水リンス→乾燥工程と、ＤＨＦ（Ｈ
Ｆ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）（図５は、希フッ酸と表
示）→純水リンス→乾燥工程によるパーティクルの増加
量を示すグラフである。図４におけるＩＰＡ濃度は、Ｃ
Ｉ＝ＣIIであり、表面張力がｒＩ＝ｒIIとなり、ＣII＝
ＣIIIのとき、ｒII＝ｒIIIとなる。Ｃは、ＩＰＡ濃度、
ｒは、表面張力を示し、ローマ数字Ｉ〜IIIは、図２に
示す位置を表している。

【００４０】本発明による乾燥方法は、図４に示すよう
に、有機溶剤ミストにより生成された十分なＩＰＡ層を
形成してから純水（ＤＩＷ）が下方に引き抜かれるよう
にして、キャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）と純水
（ＤＩＷ）との間に十分なＩＰＡ層が形成されることに
特徴を有している。すなわち、十分な厚さのＩＰＡ層が
形成されることによって比重の軽いＩＰＡ層が常に液面
に存在して、純水（ＤＩＷ）が有機溶剤に置換されてウ
エハ表面に取り残されることはない。従って、図５に示
すように、純水リンス→乾燥工程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ
₂Ｏ）（希釈フッ酸）→純水リンス→乾燥工程によるも
のとでパーティクルの増加量がほとんど変化しないこと
が分かる。なお、図２乃至図５における測定は、半導体
ウエハの直径が、２００ｍｍ、３００ｍｍのもので測定
を行ったものである。

【００４１】次に、本発明による乾燥方法について、図
６乃至図１１を参照して説明する。図６は、本発明によ
る乾燥方法の工程を示すフローチャート、図７（ａ）乃
至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図、図８（ｅ）乃
至（ｉ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明す
る図、図９は、本発明による乾燥工程のタイムチャー
ト、図１０（ａ）乃至（ｃ）は、図８（ｅ）乃至（ｉ）
に示す乾燥工程におけるＩＰＡ層の変移の状態を示す説
明図、図１１は、ＩＰＡの液膜の時間変化を示す図であ
る。

【００４２】図６、図７（ａ）及び図９に示すように、
図１に示す純水槽２０内に洗浄物である半導体ウエハ等
の洗浄物５０を搬送して支持台２８上に収納載置する
（ステップＳ１，図７（ａ）、図９の洗浄処理準備約３
０秒）。

【００４３】次に、洗浄処理工程（ステップＳ２）は、
図７（ｂ）に示すように、液供給排出手段としての液供
給弁２１から予め調合されたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）
（希釈フッ酸）を純水槽２０内に十分な量を供給して洗
浄処理する。この場合の純水槽２０は、薬液槽としての
作用をなす槽となっているが、純水槽としての呼称を使
用している。したがって、単に槽とも称する。

【００４４】槽としての純水槽２０内へのＤＨＦ（ＨＦ
／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）の供給が完了すると、図７
（ｃ）に示すように、ウエハなどの洗浄物５０がＤＨＦ
に浸漬されてエッチング処理が行われる。この浸漬処
理、すなわち洗浄処理は、例えば一定時間行われるが、
本実施の形態によれば、図９のタイムチャートに示すよ
うに、約３００秒行われる。なお、本実施の形態では、
ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチン
グ処理を洗浄処理の名称で説明しているが、本来の洗浄
処理としては、図１３（ａ）及び（ｂ）、図１４（ａ）
に示す洗浄処理工程を指す。

【００４５】図７（ｃ）のエッチング処理が完了する
と、図７（ｄ）に示すように、液供給排出手段としての
液供給弁２１から常温の純水（ＤＩＷ）を一定量以上の
量まで供給してオーバーフローさせ、純水槽２０内のＤ
ＨＦを徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする（図
６に示すステップＳ３）。本実施の形態による常温の純
水（ＤＩＷ）を供給してリンスする工程は、図９のタイ
ムチャートに示すように、すすぎ水（常温）供給が約６
００秒行われる。

【００４６】以上のように、図７（ａ）乃至（ｄ）に示
す洗浄処理工程及びすすぎ水（常温）供給によるリンス
工程が完了する。

【００４７】次に、図６、図８（ｅ）、図９に示すよう
に、弁４９を開けてＩＰＡタンク４５から常温の有機溶
剤（ＩＰＡ）がノズル２６に供給されて有機溶剤ミスト
が純水槽２０内に供給されると同時にフィルタ５２を介
して常温の窒素ガス（Ｎ_２）もノズル２６に供給され
る。常温の有機溶剤（ＩＰＡ）と常温の窒素ガス
（Ｎ_２）によってノズル２６から有機溶剤ミストが形成
される。それによって、有機溶剤ミストの雰囲気が形成
されて、純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成
される層、すなわち、ＩＰＡ層の液膜が形成される（ス
テップＳ４）。本実施の形態によれば、図９に示すよう
に、有機溶剤ミストの供給は約１００秒行われる。

【００４８】次に、すなわち、図６、図８（ｆ）、図９
に示すように、有機溶剤ミストの雰囲気下にある純水槽
２０内への有機溶剤ミストの供給を停止（図６のスッテ
プＳ５のＡ１）すると同時にヒータ４１を作動させず、
温調器４２、弁４３、フィルタ４４から供給される常温
の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ_２）を窒素ガス供給口
２４から純水槽２０内に供給して純水（ＤＩＷ）の液面
上に十分な厚さのＩＰＡ層を形成すると共に窒素ガス
（Ｎ_２）の雰囲気を形成する（図６のスッテプＳ５のＡ
２）。そして、排気弁２５を作動して常温の不活性ガス
である窒素ガス（Ｎ_２）雰囲気にする。この排気弁２５
による排気は、ステップＳ７の工程が終了するまで行わ
れている。常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ_２）の
供給は、図９に示すように、約１５０秒行われる。

【００４９】なお、本発明による実施の形態によれば、
有機溶剤ミストの発生は、スプレー式によるものである
が、これに限らず、超音波を発生して生成するものや超
音波シャワー式の装置などを用いて噴霧して生成するも
のであってもよい。また、本実施の形態による有機溶剤
ミストのミスト粒径は、１００μｍ以下のものがよく、
また、有機溶剤ミストの供給の停止と窒素ガス（Ｎ２）
の供給は、同時制御ではなく、有機溶剤ミストの供給の
停止の後、一定時間おいてから窒素ガス（Ｎ２）の供給
を行うようにしてもよい。

【００５０】次に、図６、図８（ｇ）、図９に示すよう
に、液供給排出手段としての排水弁２２ａ及びポンプ５
３を作動して純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）をハイスピ
ードで排出すると同時に窒素ガス（Ｎ２）の供給をし続
けて純水（ＤＩＷ）の液面上に形成されたＩＰＡ層の液
膜を均一に保持しながら純水（ＤＩＷ）を排出する（図
６に示すステップＳ６）。このハイスピードで排出する
工程は、本実施の形態によれば、約４０秒行われる。な
お、本実施の形態によれば、ポンプ５３を制御すること
によって図示せぬコントローラ側でハイ(high)スピード
及びロウ(low)スピードの切り替えができるようになっ
ている。

【００５１】また、図６に示すステップＳ６によるハイ
スピード排水が所定時間行われて図８（ｈ）に示すよう
な状態となると、液面センサ２９が液面を検知してロー
スピードの排水工程に切り替わる。この排水工程は約８
０秒行われ、完全に排出する。図９では、これらを純水
廃液１（ｈｉｇｈ）、純水廃液２（ｌｏｗ）で示してい
る。なお、これらの排水工程中も窒素ガス供給口２４か
ら常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給され
ることによって純水槽２０内を不活性ガス雰囲気に保
ち、ウエハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防
止を図ることが可能である。

【００５２】次に、図６、図８（ｉ）、図９に示すよう
に、ヒータ４１を作動させて窒素ガス供給口２４から加
温された不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純水槽２
０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）を
急速に気化させて乾燥する（図６に示すステップＳ
７）。この加温された不活性ガスである窒素ガス（Ｎ
２）の供給は、図９に示すように、約１８０秒行われ
る。以上のような工程が完了すると、図１に示す純水槽
２０内の洗浄物である半導体ウエハ等の洗浄物５０が支
持台２８上から搬出される（ステップＳ８）。

【００５３】以上のように、本発明による乾燥装置を備
えた洗浄乾燥装置の実施の形態によれば、純水槽２０で
構成された１槽式の洗浄乾燥装置である。このような構
成からなる１槽式の洗浄乾燥装置は、省スペース化を図
ることができる。

【００５４】本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装
置は、図１０（ａ）乃至（ｃ）に示すように、キャリア
ガスとしての窒素ガス（Ｎ２）と純水（ＤＩＷ）との間
に十分な厚さのＩＰＡ層が形成されるから、純水（ＤＩ
Ｗ）が排水される状態であってもＩＰＡ層による液膜が
形成されるためマランゴニ力が発生せず、パーティクル
の転写がおきない。

【００５５】また、図１１は、本実施の形態によるＩＰ
Ａミストと、バブリングによるＩＰＡガスとの供給と
で、トータルのＩＰＡの供給量が同じになるように、供
給時間を合わせ、ＩＰＡ供給後の純水（ＤＩＷ）の液面
の接触角（ベアウエハー上）を測定した図及び装置の概
略図である。

【００５６】図１１に示すように、ＩＰＡの供給量がほ
ぼ同じ６０ｃｃであってもスプレー式ノズルの場合の接
触角は、ＩＰＡとほぼ同等であるのに対して、ＩＰＡガ
スの場合の接触角は、純水（ＤＩＷ）とほぼ同レベルで
ある。スプレー式ノズルの場合、十分な厚さのＩＰＡ層
が出来ているが、ＩＰＡガスの場合にはＩＰＡ層が形成
されていないことが分かる。ＩＰＡガスの場合、単位時
間あたりのＩＰＡ供給量が少ないので、供給中にＩＰＡ
が純水（ＤＩＷ）中に溶解していることが分かる。図１
２は、ＩＰＡの液膜の時間変化を表す図であり、ＩＰＡ
ガスとＩＰＡミストの液膜の厚さの時間変化を示してい
る。従って、本発明によるＩＰＡミストによる液膜、す
なわちＩＰＡ層の形成は、ＩＰＡガスと異なることは明
らかである。

【００５７】本発明による乾燥方法では、不活性ガスで
ある窒素ガス（Ｎ２）は、常温のガスを使用する（図６
のステップＳ５）。常温の雰囲気を維持するためであ
る。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）を気化させて乾燥す
る不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温したもの
を使用する（図６のステップＳ７）。急速な乾燥を行う
ことができるからである。この加温する温度は、実験例
によれば２０℃〜１００℃の範囲がよい。しかし、加温
せずに常温のものも洗浄物によって使用してもよい。ま
た、不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）を用いている
が、その他のガスとしては、アルゴンガスを用いてもよ
い。また、本発明によれば、酸化膜及びパターン付きウ
エハからのパーティクルの付着を抑制し、かつシリコン
（Ｓｉ）表面の再酸化を防止することが可能である。

【００５８】また、本発明による乾燥装置を備えた洗浄
乾燥装置は、１槽式に限らず、２槽式、３槽式の洗浄乾
燥装置としても構成することが可能である。以下に、そ
れらの実施の形態について説明する。なお、図１、図７
及び図８に示す装置と基本的な構成及び機能は実質的に
同一であるので、相違する点について説明することとす
る。

【００５９】図１３（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄
乾燥装置による処理工程を示す図である。なお、図１３
（ｃ）は、図７及び図８に示す１槽式の洗浄乾燥装置と
同一の構成及び機能を有するので、詳細な説明を省略す
る。

【００６０】図１３（ａ）は、ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａ
ｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１)（ＡＰＭ）洗浄液による
洗浄工程を示す図である。ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ
Ｃｌｅａｎｉｎｇ１，ＡＰＭ)洗浄液による洗浄
は、有機物とパーティクルの除去を行う工程である。洗
浄物であるウエハ表面に有機物が付着していると、洗浄
剤とウエハとの濡れ性が悪くなり、十分な洗浄効果が得
られなくなり、また、前工程から持ち込まれてくるパー
ティクルの除去を行う必要がある。ＡＰＭは、ＮＨ ₄Ｏ
Ｈ（アンモニア）／Ｈ₂Ｏ₂（過水）／Ｈ₂Ｏ（純水）か
らなり、この洗浄液は、強い酸化性があるのでウエハ表
面の有機物を除去することが可能である。

【００６１】図１３（ａ）に示すように、洗浄槽６１内
には、ウエハなどの洗浄物５０が図示せぬ搬送手段によ
り搬送されて支持台上に載置された状態で、液供給排出
手段（図示せず）から給液されたＡＰＭ洗浄液が洗浄槽
６１内に十分給液され加温される。そして、洗浄槽６１
内のＡＰＭ洗浄液は、約６０°Ｃ〜８０°Ｃ前後の温度
で加温されており、洗浄槽６１の上部には、ＡＰＭ洗浄
液の雰囲気を外部に出さないように完全密閉を形成する
ことが可能な蓋６２が設けられている。蓋６２は、洗浄
物５０が洗浄槽６１内にロード若しくはアンロードされ
るときには、自動若しくは手動により開閉可能な構成で
ある。図１３（ａ）に示す処理工程では、有機物とパー
ティクルの除去を行う。

【００６２】図１３（ｂ）は、ＡＰＭ洗浄が行われる
と、蓋６２を開けて洗浄槽６１内に収納されている洗浄
物５０を搬送手段により搬送して２槽目の洗浄槽６５に
搬送して支持台上に受け渡す。洗浄槽６５内に収納され
ている洗浄物５０は、洗浄槽６５内に給液された純水
（ＤＩＷ）によりＡＰＭ洗浄液を洗浄して純水（ＤＩ
Ｗ）に置換してリンスする。洗浄槽６５内の純水（ＤＩ
Ｗ）は、オーバーフローすることによって洗浄物５０の
表面からパーティクルを除去する。また、洗浄槽６５内
に収容載置された洗浄物５０を外方から効果的にリンス
することができるように複数のシャワーパイプ６６が配
設されており、このシャワーパイプ６６からのシャワー
も併用されてリンスされる。なお、純水（ＤＩＷ）でリ
ンスする洗浄槽６５は、リンス槽とも称し、また、シャ
ワーパイプ６６は、液供給排出手段に含まれるものであ
る。また、純水（ＤＩＷ）は、常温のものを使用するこ
とができるが、加温して使用することもできる。加温す
る場合は、常温〜８０°Ｃ程度の温度のものを使用する
ことができる。

【００６３】次に、図１３（ｃ）は、図７及び図８に示
す本実施の形態によるＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フ
ッ酸）洗浄によるエッチング処理工程及び乾燥工程と同
じであるので、説明を省略する。

【００６４】図１４（ａ）は、図１３（ａ）に示すＳＣ
−１(ＳｔａｎｄａｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１)（ＡＰ
Ｍ）洗浄液による工程と、図１３（ｂ）に示す純水（Ｄ
ＩＷ）によるリンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、図１
４（ｂ）は、図７及び図８に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ
₂Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程及
び乾燥工程を１槽で行う２槽式の構成を有する洗浄乾燥
装置である。

【００６５】本発明によれば、洗浄物５０の乾燥を有機
溶剤による常温乾燥で行うため、加熱冷却が必要でな
く、有機溶剤の消費も少ないので、省エネルギー化が図
られ、火気への注意の必要がないので作業が容易であ
り、また、洗浄物が大気に暴露されるおそれもない。ま
た、不活性ガスと純水との間に液膜を形成するのでマラ
ンゴニー力によるパーティクルの転写がなく、また、窒
素による不活性ガス雰囲気にするので酸素が排除され、
ウォーターマークの防止が行えるとともに生産性の向上
が図れる。また、密閉構造で処理するので、洗浄物への
汚染がない。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
洗浄物の乾燥を有機溶剤による常温乾燥で行うため、加
熱冷却が必要でなく、有機溶剤の消費も少ないので、省
エネルギー化が図られ、火気への注意の必要がないので
作業が容易であり、また、洗浄物が大気に暴露されるお
それもない。また、不活性ガスと純水との間に液膜を形
成するのでマランゴニー力によるパーティクルの転写が
なく、また、窒素による不活性ガス雰囲気にするので酸
素が排除され、ウォーターマークの防止が行えるととも
に生産性の向上が図れる。また、密閉構造で処理するの
で、洗浄物への汚染がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部
断面を含む図である。

【図２】ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）による
エッチング処理後のマランゴニ効果を用いた乾燥、すな
わちマランゴニ乾燥による裏面転写の状態を示す図であ
る。

【図３】マランゴニ乾燥による乾燥において、純水リン
ス→乾燥工程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ
酸）（図３は、希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工
程によるパーティクルの増加量を示すグラフである。

【図４】本発明によるＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フ
ッ酸）によるエッチング処理後の乾燥による裏面転写の
状態を示す図である。

【図５】図４による乾燥において、純水リンス→乾燥工
程と、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ酸）（図５
は、希フッ酸と表示）→純水リンス→乾燥工程によるパ
ーティクルの増加量を示すグラフである。

【図６】本発明による乾燥方法の工程を示すフローチャ
ートである。

【図７】図７（ａ）乃至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を
示す図である。

【図８】（ｅ）乃至（ｉ）は、本発明による乾燥方法の
乾燥工程を説明する図である。

【図９】本発明による乾燥工程のタイムチャートであ
る。

【図１０】（ａ）乃至（ｃ）は、図８（ｅ）乃至（ｉ）
に示す乾燥工程におけるＩＰＡ層の変移の状態を示す説
明図である。

【図１１】ＩＰＡミストと、バブリングによるＩＰＡガ
スとの供給とで、トータルのＩＰＡの供給量が同じにな
るように、供給時間を合わせ、ＩＰＡ供給後の純水（Ｄ
ＩＷ）の液面の接触角（ベアウエハー上）を測定した図
及び装置の概略図である。

【図１２】ＩＰＡの液膜の時間変化を示す図である。

【図１３】（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄乾燥装置
による処理工程を示す図である。

【図１４】（ａ）は、図１３（ａ）に示すＳＣ−１(Ｓ
ｔａｎｄａｒｄＣｌｅａｎｉｎｇ１)（ＡＰＭ）洗
浄液による工程と、図１３（ｂ）に示す純水（ＤＩＷ）
によるリンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、（ｂ）は、
図７及び図８に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）（希釈フッ
酸）洗浄によるエッチング処理工程及び乾燥工程を１槽
で行う２槽式の構成を有する洗浄乾燥装置の処理工程を
示す図である。

【図１５】従来の乾燥装置を示す図である。

【符号の説明】

１０乾燥装置２０純水槽２１液供給弁２２ａ，２２ｂ排水弁２３気相部２４窒素ガス供給口２５排気弁２６ノズル２７開閉蓋２８支持台２９液面センサ３０給排システム４１ヒータ４２温調器４３弁４４フィルタ４５ＩＰＡタンク４６ポンプ４７フィルタ４８，４９弁５０洗浄物５１，５２フィルタ５３ポンプ６１洗浄槽６５洗浄槽６７洗浄槽

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡野勝一東京都羽村市栄町３−１−５株式会社カイジョー内Ｆターム(参考） 5F043 AA01 BB27 DD12 DD30 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸
漬された状態で前記純水槽内に有機溶剤ミストを供給し
て有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水
（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な
厚さの層を形成する第１の工程と、前記純水槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活
性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、前記純水（ＤＩＷ）の液面に形成された有機溶剤ミスト
で生成された十分な厚さの層を保持しながら前記洗浄物
が浸漬された状態で前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排
出する第３の工程と、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミ
ストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性
ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する第４の工
程とを有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
【請求項２】前記不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ
２）であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の
乾燥方法。
【請求項３】前記第４の工程による不活性ガスは、加
温された窒素ガス（Ｎ２）であることを特徴とする請求
項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項４】前記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒ
ｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ）であることを特徴とする請
求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項５】前記有機溶剤ミストは、スプレー式ノズ
ルで、しかもミスト粒径が１００μｍ以下のミストを噴
霧可能であることを特徴とする請求項１記載の洗浄物の
乾燥方法。
【請求項６】薬液が供給されていない槽内に洗浄物を
搬送手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬し
てエッチング処理を行うエッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に純水（ＤＩＷ）を前記
槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換
してリンスする工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの
雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有
機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成する工
程と、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガ
ス雰囲気を形成する工程と、前記純水（ＤＩＷ）の液面に形成された有機溶剤ミスト
で生成された十分な厚さの層を保持しながら前記洗浄物
が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出す
る工程と、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミ
ストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性
ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを
有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
【請求項７】前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ₂Ｏ）
（希釈フッ酸）であることを特徴とする請求項６に記載
の洗浄物の乾燥方法。
【請求項８】前記エッチング処理工程は、前記洗浄物
を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬する
ことを特徴とする請求項６に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項９】前記槽は、１槽で構成されてなることを
特徴とする請求項６に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項１０】純水（ＤＩＷ）と不活性ガスのそれぞ
れを給排水、給排気自在に構成した純水槽と、前記純水槽の上方から常温の有機溶剤ミストを発生して
純水槽内に供給する洗浄物の乾燥装置であって、前記純
水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前
記純水槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミスト
の雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に
有機溶剤ミストで生成された十分な厚さ層を形成し、前
記純水槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性
ガス雰囲気を形成し、前記純水（ＤＩＷ）の液面に形成
された有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を保
持しながら前記洗浄物が浸漬された状態で前記純水槽内
の純水（ＤＩＷ）を排出し、前記洗浄物の表面上の純水
（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機
溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶
剤を気化し乾燥する構成としたことを特徴とする洗浄物
の乾燥装置。
【請求項１１】前記純水槽の上部を密閉可能な構成と
したことを特徴とする請求項１０に記載の洗浄物の乾燥
装置。
【請求項１２】洗浄物を支持可能な支持台を有し該支
持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間を形成して洗浄
が可能な槽と、前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬
送手段と、前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬し
て洗浄を行い、該洗浄後は前記洗浄物に吸着している前
記薬液を純水（ＤＩＷ）に置換してすすぎ洗浄が可能な
液供給排出手段と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で
前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの
雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有
機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、前
記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス
雰囲気を形成し、前記純水（ＤＩＷ）の液面に形成され
た有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を保持し
ながら前記洗浄物が浸漬された状態で前記槽内の純水
（ＤＩＷ）を排出し、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩ
Ｗ）が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に
置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気
化し乾燥する構成としたことを特徴とする洗浄物の洗浄
乾燥装置。
【請求項１３】前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄で
あり、該ＡＰＭは、ＮＨ₄ＯＨ（アンモニア）／Ｈ₂Ｏ₂
（過水）／Ｈ₂Ｏ（純水）であることを特徴とする請求
項１２記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１４】洗浄物を支持可能な支持台を有し該支
持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間を形成して洗浄
が可能な洗浄槽と、前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容す
る搬送手段と、前記洗浄槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸
漬して洗浄可能とする第１の液供給排出手段と、前記洗浄槽での洗浄が完了した前記洗浄物を前記搬送手
段により搬送して前記洗浄物を支持可能な支持台上に支
持して密閉空間内で前記洗浄物に吸着している薬液を純
水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄が可能なリンス槽
と、前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の供給、排出が可能な第
２の液供給排出手段と、前記リンス槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物
を前記搬送手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行
う純水槽と、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状
態で前記純水槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤
ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の
液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形
成し、前記純水槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内
に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水（ＤＩＷ）の液
面に形成された有機溶剤ミストで生成された十分な厚さ
の層を保持しながら前記洗浄物が浸漬された状態で前記
純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出し、前記洗浄物の表面
上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤ミストで生成された
層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前
記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたことを特徴とす
る洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１５】前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個
独立した槽であることを特徴とする請求項１４に記載の
洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１６】前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つ
の槽であることを特徴とする請求項１４に記載の洗浄物
の洗浄乾燥装置。