JP2002280339A - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理の反応速度を高めるとともに処理液の活
性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除去能力を
向上できる基板処理装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗを加熱するハロゲンランプ７３
と、加熱された基板Ｗに処理液を作用させてその表面に
処理を施す処理槽１と、基板Ｗに対して紫外線を照射す
るオゾンレスＵＶランプ７５とを備えた。処理液の温度
上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつつ処理温
度を基板表面の温度とほぼ同じにできるので処理の反応
速度を高められる。また、基板に紫外線を照射すること
により、オゾン水を含む処理液に酸素ラジカルを発生さ
せて処理液の活性度を高められる。よって、洗浄能力や
被膜除去能力を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、
光ディスク用の基板等（以下、単に基板と称する）に処
理液を供給して洗浄処理を施したり、塗布被膜が形成さ
れた基板に処理液を供給して被膜除去処理を施したりす
る基板処理方法及びその装置に係り、特にオゾンを含む
処理液を供給して行うフォトレジスト被膜の除去処理や
洗浄処理に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体デバイス製造のフォトリソ
グラフィ工程におけるフォトレジスト被膜剥離という処
理においては、硫酸と過酸化水素水の混合液（CAROまた
はSPMと呼ばれる）が用いられている。しかしながら、
この混合液は、劇物であるとともに高温で使用される関
係上、安全性に多大な労力が払われている。さらに、こ
の混合液は廃液処理が難しく、そのための費用や設備の
負荷が大きい。また、近年、環境への配慮のために、簡
便かつ安全なフォトレジスト被膜の剥離処理方法が求め
られている。

【０００３】そこで最近注目されているのが、オゾンを
純水に溶解してなるオゾン水の利用である。このオゾン
水によれば、オゾンの溶解濃度が高いほどフォトレジス
ト被膜の剥離速度が速く、効果が高くなると言われてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の方法はフォトレジスト被膜の剥
離速度が遅く、処理に時間がかかり過ぎるので現実的で
はないという問題がある。そのため従来の方法をオゾン
水による処理方法で置き換えることが困難になってい
る。

【０００５】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、処理の反応速度を高めるとともに処
理液の活性度を高めることによって、洗浄能力や被膜除
去能力を向上させることができる基板処理方法及びその
装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、オゾンを溶解した処理液
を基板に作用させて基板に表面処理を施す基板処理方法
において、処理液よりも高い温度にされた基板に対して
処理液を作用させる第１の過程と、基板に対して紫外線
を照射して表面処理を促進させる第２の過程と、を備え
ていることを特徴とするものである。

【０００７】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板処理方法において、前記第２の過程では、
処理液にオゾンを気泡状で供給することを特徴とするも
のである。

【０００８】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または２に記載の基板処理方法において、前記第１の過
程と前記第２の過程とを同時に実施することを特徴とす
るものである。

【０００９】また、請求項４に記載の発明は、オゾンを
溶解した処理液を基板に作用させて基板に表面処理を施
す処理部を備えている基板処理装置において、前記処理
部は、基板の温度を処理液よりも高い所定温度に加熱す
る基板加熱手段と、加熱された基板に処理液を作用させ
てその表面に処理を施す表面処理手段と、基板に対して
紫外線を照射する紫外線照射手段とを備えていることを
特徴とするものである。

【００１０】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の基板処理装置において、前記処理部は、処理液
にオゾンを気泡状で供給するバブリング手段を備えてい
ることを特徴とするものである。

【００１１】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
または５に記載の基板処理装置において、前記表面処理
手段による加熱と、前記紫外線照射手段による紫外線の
照射とが同時に行われることを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項７に記載の発明は、請求項４
ないし６のいずれかに記載の基板処理装置において、前
記表面処理手段は、基板の一部位を処理液に浸漬させた
状態でこの基板を回転させ、前記基板加熱手段は、処理
液面から上に露出している基板を加熱することを特徴と
するものである。

【００１３】また、請求項８に記載の発明は、請求項７
に記載の基板処理装置において、前記紫外線照射手段
は、処理液面から上に露出している基板に紫外線を照射
することを特徴とするものである。

【００１４】

【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、第１の過程で処理液よりも高い温度にさ
れた基板に処理液を作用させることにより、処理温度を
基板表面の温度とほぼ同じにすることができるので処理
の反応速度を高めることができる。しかも、処理液の温
度を積極的に上昇させているわけではないので、処理液
の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下が防止でき
る。また、第２の過程で基板に紫外線を照射することに
よって、オゾン水を含む処理液に酸素ラジカルを発生さ
せて処理液の活性度を高めることができる。

【００１５】また、請求項２に記載の発明によれば、オ
ゾンを処理液に供給しつつ処理することになるので、処
理液中に酸素ラジカルを発生させ続けることができる。

【００１６】また、請求項３に記載の発明によれば、第
１の過程と第２の過程とを同時に実施することにより、
処理の反応速度を高めた状態で、しかも処理液の活性度
を高めた状態で処理することができる。

【００１７】また、請求項４に記載の発明によれば、処
理部の基板加熱手段で基板を加熱し、表面処理手段で基
板に処理液を作用させて処理を施すことにより、処理液
の温度を積極的に高めることなく、処理温度を基板表面
の温度とほぼ同じにすることができる。したがって、処
理液の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下が防止で
き、処理の反応速度を高めることができる。また、紫外
線照射手段で基板に紫外線を照射することによって、オ
ゾン水を含む処理液に酸素ラジカルを発生させて処理液
の活性度を高めることができる。

【００１８】また、請求項５に記載の発明によれば、バ
ブリング手段によりオゾンを処理液に供給しつつ処理す
ることになるので、処理液中に酸素ラジカルを発生させ
続けることができる。

【００１９】また、請求項６に記載の発明によれば、表
面処理手段と紫外線照射手段とを同時に作用させること
により、処理の反応速度を高めた状態で、しかも処理液
の活性度を高めた状態で処理することができる。

【００２０】また、請求項７に記載の発明によれば、処
理液面から露出した基板の一部位を加熱することで、効
率的に加熱することができる。

【００２１】また、請求項８に記載の発明によれば、紫
外線照射手段を、処理液面から露出した基板の一部位に
紫外線を照射する構成にすることで、紫外線が大量の処
理液に吸収されるのを防止できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。本発明の実施例に係る基板処理装
置は、オゾンを含む処理液を基板に作用させて表面処理
を施すものである。なお、上述した処理液としては純水
にオゾンを溶解させたオゾン水が例示され、表面処理と
しては基板Ｗの表面上に被着あるいは残留しているフォ
トレジスト被膜を剥離する処理が例示される。

【００２３】図１ないし図４を参照して、実施例に係る
基板処理装置について説明する。図１は実施例に係る基
板処理装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は
その処理槽の概略構成を示す外観斜視図である。また、
図３は処理槽の概略構成を示す縦断面図であり、図４は
基板処理装置の各動作を説明するタイムチャートであ
る。

【００２４】この基板処理装置は、図１に示すように、
大きく分けて、処理液に基板Ｗを浸漬して表面処理を施
すための処理槽１と、この処理槽１にオゾン水や純水な
どを供給するための供給系３と、処理槽１にオゾンガス
を気泡状にして供給するガス供給系５と、この処理槽１
からオゾン水などを排出する排出系７とを備えている。

【００２５】供給系３は、オゾン水のみを処理槽１に供
給したり、純水のみを処理槽１に供給したり、オゾン水
や純水などに所定の薬液を混合させた混合液を処理槽１
に供給したりできるように構成されている。具体的に
は、供給系３は、オゾン水供給源からのオゾン水をイン
ラインミキシングバルブ９に導入するためのオゾン水導
入管１１と、純水供給源からの純水をインラインミキシ
ングバルブ９に導入するための純水導入管１３と、イン
ラインミキシングバルブ９からのオゾン水などを処理槽
１に導入するための共通導入管１５とを備えている。

【００２６】インラインミキシングバルブ９は、オゾン
水や純水などに所定の薬液を混合するものである。この
インラインミキシングバルブ９には、各種の薬液の供給
管１７ａ〜１７ｄが接続されており、各薬液の供給／停
止を切り換えるための開閉弁１９ａ〜１９ｄが供給管１
７ａ〜１７ｄに設けられている。

【００２７】オゾン水導入管１１には、オゾン水の処理
槽１への供給／停止を切り換えるための開閉弁１１ａが
備えられている。純水導入管１３には、純水の処理槽１
への供給／停止を切り換えるための開閉弁１３ａと、与
えられるパイロット圧に応じて二次側の純水の圧力を調
整する圧力調整器２１とが備えられている。

【００２８】処理槽１は、図１ないし図３に示すよう
に、内部が空洞である円筒状を呈し、複数枚の基板Ｗを
起立姿勢にして、かつ各基板Ｗの間隔を空けた状態で槽
内に収納可能である。さらに供給系３からのオゾン水な
どの処理液や純水などの洗浄液がその槽内に供給される
ようになっている。つまり、処理槽１は、オゾン水など
により基板Ｗの表面処理を施すためのものであり、本発
明における処理部及び表面処理手段に相当する。

【００２９】処理槽１の底部には、供給系３の共通導入
管１５に連通された注入管２３が取り付けられている。
この注入管２３は、内部が空洞である円筒形状のもので
あって、その両端部が閉塞されている。そして、円弧状
の側面に多数の噴出孔２５が並設されており、これらの
噴出孔２５が並設されている箇所とは別の側面に注入孔
２７が形成されており、この注入孔２７から導入される
処理液や純水などが各噴出孔２５から噴出される。

【００３０】また、処理槽１の底部であって注入管２３
が取り付けられている箇所の反対側には、注入管２３と
同形状の気泡管２９が取り付けられている。この気泡管
２９は、多数の噴出孔３１が形成されているとともに、
注入孔３３に供給管３５が接続されている。供給管３５
には、オゾンガス供給源からオゾンガスの供給／停止を
制御する開閉弁３５ａが取り付けられている。開閉弁３
５ａを開放すると、オゾンガス供給源からオゾンガスが
気泡管２９に供給され、噴出孔３１から上方に向かって
オゾンガスの気泡Ｂが噴出するようになっている。この
気泡管２９は、本発明におけるバブリング手段に相当す
る。

【００３１】処理槽１の側方には、処理槽１に供給され
たオゾン水を一定量に保つように、余分なオゾン水を槽
外に排出するための処理液排出口３７が配備されてい
る。例えば、この処理液排出口３７は、起立姿勢の基板
Ｗの中心付近に液面が位置する高さに設けられていると
ともに、第１処理液排出管３９が連通されている。

【００３２】排出系７は、上記の第１処理液排出管３９
の他に、処理槽１内に供給された処理液（オゾン水、純
水、混合液など）を全て排出するための第２処理液排出
管４１を備えている。この第２処理液排出管４１は、処
理液の排出／停止を切り換える開閉弁４１ａを備えてい
る。

【００３３】図３に示すように、処理槽１は複数枚の基
板Ｗを起立姿勢で保持するとともに、基板Ｗを面内で回
転させる基板回転保持機構４３を備え、この基板回転保
持機構４３は基板Ｗ間を一定間隔だけ空けて並べる回転
ドラム４５を備えている。この回転ドラム４５は、処理
槽１の長手方向に沿った回転軸４７によって回転可能に
支持されているとともに、一対の回転板４９が複数本の
保持桿５１によって連結されている。例えば、保持桿５
１は３本であって、そのうち一本の保持桿５１ａは基板
Ｗの搬送時に回動可能に構成されている。

【００３４】処理槽１の軸方向には、処理槽１に隣接す
るように回転駆動部５３が配備されている。この回転駆
動部５３は、ベルト５５を介して回転軸４７を回転させ
るためのモータ５７と、保持桿５１ａを回動させる操作
軸５９を駆動するための保持駆動源６１とを備えてい
る。上記の回転軸４７は、処理槽１の対向する側壁に設
けられた軸受６３によって回動自在に取り付けられてい
るとともに、ラビリンスパッキン６５によって液漏れや
ガス漏れが防止されている。なお、回転ドラム４５は、
モータ５７の作動により、例えば、３０ｒｐｍ程度で回
転される。

【００３５】処理槽１の上部には、基板Ｗの温度をオゾ
ン水よりも高い温度にするための基板昇温部７１が配備
されている。この基板昇温部７１は、例えば、処理槽１
の円弧状の天井部に、棒状のハロゲンランプ７３が水平
姿勢で複数本（例えば１２本）取り付けられている。ハ
ロゲンランプ７３は、複数枚の基板Ｗのうち液面から露
出している部分に対して光を照射することにより、基板
Ｗの温度をオゾン水の温度よりも高めるためのものであ
る。基板Ｗは、上述した回転駆動部５３によって回転さ
れ、液面から露出する部分が回転に伴って変わってゆく
ので、全体がほぼ均一に熱されることになる。基板Ｗの
昇温時の表面温度は、処理速度やフォトレジスト被膜な
どの処理対象によって設定すればよいが、例えば６０℃
以上１００℃未満の範囲が好ましい。

【００３６】なお、上述したハロゲンランプ７３が本発
明における基板加熱手段に相当する。

【００３７】また、処理槽１の側壁には、上記のハロゲ
ンランプ７３に沿うように、一対のオゾンレスＵＶラン
プ７５が取り付けられている。これらのオゾンレスＵＶ
ランプ７５には、ＵＶランプ電源７７から所要電力が供
給される。オゾンレスＵＶランプ７５から照射される紫
外線は、オゾン水から低エネルギーで酸素ラジカルを発
生させることができるように242.4nm ＜λ＜300.0nm の
波長領域のものが好ましく、ここでは一例としてλ＝25
4nm のものを採用している。

【００３８】なお、上記のオゾンレスＵＶランプ７５が
本発明における紫外線照射手段に相当する。

【００３９】このように構成された基板処理装置につい
て、図４のタイムチャートを参照しながら説明する。

【００４０】まず、処理槽１の図示しないカバーを開放
し、処理対象の基板Ｗを処理槽１内に搬入する。具体的
には、保持駆動源６１を作動させることにより、操作軸
５９を退出させて保持桿５１ａを回動させる。これによ
り基板Ｗの搬入が可能となるので、図示しない基板搬送
機構によって複数枚の基板Ｗを処理槽１内に搬入すると
ともに、それらを回転ドラム４５に収納する搬入する。
次に、保持駆動源６１を停止させることにより、操作軸
５９を進出させて保持桿５１ａにより基板Ｗを固定す
る。そして、基板Ｗが保持された後は、処理槽１の図示
しないカバーを閉止する。

【００４１】基板Ｗを処理槽１に収容した後は、モータ
５７を回転させることで回転軸４７が回転し、これに伴
い回転ドラム４５が回転する。これによって複数枚の基
板Ｗは、図１中に矢印で示す周方向（符号ａ）に回転す
る。

【００４２】モータ５７の駆動とともに、ハロゲンラン
プ７３による光照射と、処理槽１内へのオゾン水の供給
と、オゾンガスによるオゾン水へのバブリングと、オゾ
ンレスＵＶランプ７５による紫外線の照射とが同時に実
施される。これによって、複数枚の基板Ｗに対するフォ
トレジスト剥離処理が開始される。オゾン水は、オゾン
水導入管１１と、インラインミキシングバルブ９と、共
通導入管１５と、注入管２３とを介して処理槽１内に供
給され、余分なオゾン水は、処理液排出口３７及び第１
処理液排出管３９を通して処理槽１から排出されるの
で、処理槽１内のオゾン水がほぼ一定量に保たれる。な
お、オゾン水の温度は例えば常温（２５℃）であり、基
板Ｗの温度は上述した範囲内で常温よりも高い温度に上
昇される。

【００４３】つまり、オゾン水の温度よりも高められた
基板Ｗに対してオゾン水を作用させる第１の過程と、こ
れらの基板Ｗに対して紫外線を照射して処理を促進させ
る第２の過程とを同時に実施している。なお、基板回転
と、ハロゲンランプ照射と、オゾン水供給と、オゾンバ
ブリングと、ＵＶランプ照射は上記のタイミングに限定
されるものではなく、これらを前後して適宜に実行する
ようにしてもよい。

【００４４】上記のハロゲンランプ７３による光照射
と、オゾンレスＵＶランプ７５による紫外線照射は、基
板Ｗの中央部分も十分にフォトレジスト被膜が剥離でき
るように、処理レートが遅い基板Ｗの中央部分にあわせ
て設定されていることが好ましい。また、処理の面内均
一性を高めるために、これらの照射が行われている間
は、オゾン水の供給と、基板Ｗの回転とが共に継続され
ていることが好ましい。

【００４５】このような処理を施すことにより、オゾン
水の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつ
つも、処理温度を基板Ｗの温度とほぼ同じにできるので
処理の反応速度を高めることができる。また、基板Ｗに
紫外線を照射することによって、オゾン水に酸素ラジカ
ルを発生させてその活性度を高めることができる。した
がって、オゾン水のフォトレジスト被膜除去能力を向上
させることができるようになっている。

【００４６】ハロゲンランプ７３による光照射とオゾン
レスＵＶランプ７５による紫外線の照射が完了すると、
基板Ｗの回転は継続したまま、処理槽１内へのオゾン水
の供給も停止して基板Ｗの洗浄を開始する。この場合の
洗浄とは、例えば、純水による水洗が挙げられる。

【００４７】水洗の一例を具体的に説明する。オゾン水
導入管１１の開閉弁１１ａを閉止してインラインミキシ
ングバルブ９へのオゾン水の供給を停止するとともに、
開閉弁１３ａを開放して純水の供給を開始する。さら
に、第２処理液排出管４１の開閉弁４１ａを開放して処
理槽１内のオゾン水を排出させることにより、オゾン水
を純水で置換しつつ水洗を行う。

【００４８】オゾン水が純水により完全に置換されて水
洗が終了すると、基板Ｗの回転を停止し、純水導入管１
３の開閉弁１３ａを閉止して処理槽１内への純水の供給
を停止する。これによって、処理槽１内に貯留している
純水が完全に外部に排出されることになる。

【００４９】純水の排出が終了すると、処理槽１の図示
しないカバーを開放し、処理済みの複数枚の基板Ｗを処
理槽１から搬出してそれらを次の処理に移す。基板搬出
の具体的な手順は、上述した搬入手順のほぼ逆である。

【００５０】この装置によると、基板Ｗの一部位をオゾ
ン水に浸漬させた状態で基板Ｗを回転させることで、基
板Ｗがオゾン水に接触する部位を移動させ、さらにオゾ
ン水の液面から露出した基板Ｗの一部位を加熱すること
で基板Ｗの全面にわたって均一に効率的に加熱すること
ができる。また、基板Ｗの昇温とオゾン水の作用を同時
に実施する構成を実現することができる。その上、オゾ
ン水の液面から露出している基板Ｗに紫外線を照射する
ことにより、紫外線が処理槽１内に貯留している大量の
オゾン水に吸収されるのを防止でき、確実に酸素ラジカ
ルを発生させ続けることができる。したがって、オゾン
水の活性度を高めてフォトレジスト被膜の除去能力を高
めることができる。また、気泡管２９によってオゾン水
にオゾンバブリングを行っているので、オゾン水中にお
いて酸素ラジカルが絶えることがなく処理中に高活性度
を維持できる。

【００５１】なお、上記の実施例装置では、気泡管２９
によるオゾンバブリングを行うように構成しているが、
処理中に継続的に酸素ラジカルを発生させることができ
るのであれば気泡管２９を備える必要はない。

【００５２】また、基板Ｗを回転させつつ液面から露出
した部分に紫外線を照射する構成を採っているが、紫外
線が基板Ｗ面付近にまで十分に達するのであれば、処理
槽１に貯留しているオゾン水を通して紫外線を照射する
構成を採用するようにしてもよい。

【００５３】上記実施例で採用しているオゾンレスＵＶ
ランプに代えて、高純度の石英ガラス管に低圧の水銀蒸
気を封入した低圧水銀ランプや、エキシマランプを採用
してもよい。

【００５４】また、上記の実施例装置では、基板加熱手
段としてハロゲンランプ７３を採用したが、これに代え
て赤外線ヒータを用いてもよく、加熱蒸気や高温ガスな
どの気体を基板Ｗに対して供給して昇温したり、高温に
した純水を基板Ｗに対して噴射して昇温したりする構成
としてもよい。

【００５５】＜変形例＞上記の実施例装置では基板Ｗを
オゾン水に浸漬する方式であったが、この図５に示すよ
うに構成してもよい。

【００５６】すなわち、真空チャック部９１で基板Ｗを
吸着保持し、そこに埋設されたヒータ９３によって基板
Ｗを裏面から加熱することによりオゾン水よりも高い温
度にまで昇温する。オゾン水は、真空チャック部９１の
上方で側方から進退自在に配備されたノズル９５から供
給する。また、紫外線照射は、真空チャック部９１の上
方に配備されたオゾンレスＵＶランプ９７によって行
う。

【００５７】このような枚葉式の構成であっても、上述
したバッチ式の装置と同様に処理の反応速度を高めると
ともにオゾン水の活性度を高めることによって、フォト
レジスト被膜の除去能力を高めることができる。

【００５８】なお、本発明はさらに以下のように変形実
施が可能である。

【００５９】（１）オゾンを含む処理液に塩基を添加す
るようにしてもよい。これにより、処理液のｐＨを制御
することができ、基板Ｗから剥離されたフォトレジスト
被膜やパーティクルなどを基板Ｗと同じ負極性に帯電さ
せることができる。したがって、これらの間に反発力を
生じさせてパーティクルなどが基板Ｗに静電気力で再付
着することを防止できる。

【００６０】（２）オゾンの半減期を長くするために、
ｐＨの小さい酸（塩酸やフッ酸など）などの薬液をオゾ
ン水に混合するようにしてもよい。

【００６１】（３）処理槽１内を加圧手段によって加圧
し、その状態で処理を施すようにしてもよい。これによ
って処理液の沸点を上げることができ、溶存気体濃度
（上記の場合は溶存オゾン濃度）を高めることができ
る。したがって、処理の反応速度を高めることができ
る。また、基板Ｗの昇温のために温純水を用いている場
合には、その沸点を上げることができるので、基板Ｗの
温度を上げて処理の反応速度を上げることができる。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、処理液の温度上昇によるオゾ
ンの溶存濃度の低下を防止しつつも、処理温度を基板表
面の温度とほぼ同じにできるので処理の反応速度を高め
ることができる。また、第２の過程で基板に紫外線を照
射することによって、オゾン水を含む処理液に酸素ラジ
カルを発生させて処理液の活性度を高めることができ
る。したがって、洗浄能力や被膜除去能力を向上させる
ことができる。

【００６３】また、請求項２に記載の発明によれば、処
理液中に酸素ラジカルを発生させ続けることができ、処
理液の活性度を高いままに維持可能である。

【００６４】また、請求項３に記載の発明によれば、第
１の過程と第２の過程との同時実施により、処理の反応
速度を高め、処理液の活性度を高めた状態で処理するこ
とができるとともに、順次に処理を施す場合に比較して
短時間で処理が可能である。

【００６５】また、請求項４に記載の発明によれば、処
理部の基板加熱手段で基板を加熱し、表面処理手段で基
板に処理液を作用させて処理を施すことにより、処理液
の温度上昇によるオゾンの溶存濃度の低下を防止しつつ
処理温度を基板表面の温度とほぼ同じにできる。また、
紫外線照射手段で基板に紫外線を照射することによっ
て、オゾン水を含む処理液に酸素ラジカルを発生させて
処理液の活性度を高めることができる。したがって、洗
浄能力や被膜除去能力を向上でき、処理時間の短縮、高
スループットの基板処理装置を実現可能である。

【００６６】また、請求項５に記載の発明によれば、バ
ブリング手段を設けたことにより処理液中に酸素ラジカ
ルを発生させ続けることができるので、処理液の高活性
度を維持できる。

【００６７】また、請求項６に記載の発明によれば、表
面処理手段と紫外線照射手段とを同時に作用させて処理
の反応速度を高め、かつ処理液の活性度を高めた状態で
処理することができる。したがって、順次に処理するよ
りも短時間で処理を行うことができる

【００６８】また、請求項７に記載の発明によれば、処
理液面から露出した基板の一部位を加熱することで、処
理液中の基板を加熱するのに比較して効率的に加熱する
ことができる。

【００６９】また、請求項８に記載の発明によれば、処
理液面から露出した基板の一部位に紫外線を照射する構
成にすることで、紫外線が大量の処理液に吸収されるの
を防止できる。したがって、効率的に酸素ラジカルを発
生させて活性度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブ
ロック図である。

【図２】処理槽の概略構成を示す外観斜視図である。

【図３】処理槽の概略構成を示す縦断面図である。

【図４】基板処理装置の各動作を説明するタイムチャー
トである。

【図５】変形例を示す概略構成図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … 処理槽（処理部、表面処理手段） ３ … 供給系 ５ … ガス供給系 ７ … 排出系 １１ … オゾン水導入管 ２９ … 気泡管（バブリング手段） ５３ … 回転駆動部 ７１ … 基板昇温部 ７３ … ハロゲンランプ（基板加熱手段） ７５ … オゾンレスＵＶランプ（紫外線照射手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ 21/306 21/306 Ｄ (72)発明者 田中 眞人 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA30 LA03 3B116 AA02 AA03 AB33 BB02 BB21 BB82 BC00 BC01 CA03 3B201 AA02 AA03 AB33 BB02 BB21 BB82 BB89 BB92 BB93 BB98 BC00 BC01 CA03 5F043 AA01 BB27 CC16 DD07 DD08 EE06 EE08 EE10 5F046 MA02 MA03 MA04 MA05 MA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 オゾンを溶解した処理液を基板に作用さ
   せて基板に表面処理を施す基板処理方法において、 処理液よりも高い温度にされた基板に対して処理液を作
   用させる第１の過程と、 基板に対して紫外線を照射して表面処理を促進させる第
   ２の過程と、 を備えていることを特徴とする基板処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
   て、 前記第２の過程では、処理液にオゾンを気泡状で供給す
   ることを特徴とする基板処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理方法
   において、 前記第１の過程と前記第２の過程とを同時に実施するこ
   とを特徴とする基板処理方法。
4. 【請求項４】 オゾンを溶解した処理液を基板に作用さ
   せて基板に表面処理を施す処理部を備えている基板処理
   装置において、 前記処理部は、 基板の温度を処理液よりも高い所定温度に加熱する基板
   加熱手段と、 加熱された基板に処理液を作用させてその表面に処理を
   施す表面処理手段と、 基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段とを備え
   ていることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理部は、処理液にオゾンを気泡状で供給するバブ
   リング手段を備えていることを特徴とする基板処理装
   置。
6. 【請求項６】 請求項４または５に記載の基板処理装置
   において、 前記表面処理手段による加熱と、前記紫外線照射手段に
   よる紫外線の照射とが同時に行われることを特徴とする
   基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項４ないし６のいずれかに記載の基
   板処理装置において、 前記表面処理手段は、基板の一部位を処理液に浸漬させ
   た状態でこの基板を回転させ、 前記基板加熱手段は、処理液面から上に露出している基
   板を加熱することを特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の基板処理装置におい
   て、 前記紫外線照射手段は、処理液面から上に露出している
   基板に紫外線を照射することを特徴とする基板処理装
   置。