JP2010212293A5 - - Google Patents

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Claims (13)

  1. 液体の付着した基板に乾燥用のガスを接触させて、この基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置において、
    体を加熱して乾燥用のガスを得るための乾燥ガス発生部と、
    この乾燥ガス発生部で得られた乾燥用のガスに含まれるパーティクルを除去するための濾材と、
    この濾材を加熱する濾材加熱部と、
    前記濾材を通流した乾燥用のガスを用いて前記乾燥処理を行う処理部と、
    乾燥処理時には、前記処理部へ供給される乾燥ガスの温度を露点温度以上に維持するために前記濾材を第1の温度に加熱し、前記濾材の再生処理時には、濾材に付着した付着物を気化させて除去するために当該濾材を前記第1の温度よりも高い第2の温度に加熱するように前記濾材加熱部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記濾材は、金属製またはセラミック製であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記濾材は濾材収納部に収納され、
    前記濾材加熱部はこの濾材収納部を加熱するヒーターを含み、
    前記制御部は、濾材の再生処理時における前記ヒーターの発熱量を乾燥処理時よりも大きくするように制御することを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
  4. 前記濾材の再生処理時に、濾材に付着した付着物の気化物を排出するために当該濾材にパージガスを供給するパージガス供給部を備えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 前記パージガス供給部は、パージガスを介して前記濾材を加熱する前記濾材加熱部を兼用するために温度調整機能を備えたことを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
  6. 前記乾燥ガス発生部は、乾燥用のガスの温度調整を行う温度調整機能を備え、前記パージガス供給部の温度調整機能は、この乾燥ガス発生部の温度調整機能を共用していることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記濾材と処理部との間に設けられた排気路と、前記濾材を通過したガスが流れる流路を、前記処理部側と当該排気路側との間で切り替える流路切替部とを備え、前記制御部は、前記濾材の再生処理時には、当該濾材を通過したパージガスの流出先を前記排気路側に切り替えることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記乾燥用のガスは有機溶剤の蒸気と不活性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  9. 前記有機溶剤はイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
  10. 液体の付着した基板に有機物を含む乾燥用のガスを接触させて、この基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置に設けられた濾材の再生方法において、
    記有機物を含む流体を加熱して乾燥用のガスを得る工程と、
    この工程で得られた乾燥用のガスに含まれるパーティクルを濾材にて除去する工程と、
    この濾材を通流した乾燥用のガスを基板の処理部に供給して乾燥処理を行う工程と、
    乾燥処理時には、前記処理部へ供給される乾燥ガスの温度を露点温度以上に維持するために前記濾材を第1の温度に加熱する工程と、
    前記濾材の再生処理時には、濾材に付着した付着物を気化させるために当該濾材を前記第1の温度よりも高い第2の温度に加熱する工程と、を含むことを特徴とする濾材の再生方法。
  11. 前記濾材は濾材収納部に収納され、この濾材収納部は、当該濾材収納部を加熱するヒーターを備え、前記濾材を第2の温度に加熱する加熱する工程においては、濾材の再生処理時における前記ヒーターの発熱量を乾燥処理時よりも大きくすることを特徴とする請求項10に記載の濾材の再生方法。
  12. 前記基板処理装置は、前記濾材の再生処理時に濾材に付着した付着物の気化物を排出するために当該濾材にパージガスを供給する、当該パージガスの温度調整機能を備えたパージガス供給部を備え、前記濾材を第2の温度に加熱する加熱する工程においては、このパージガス供給部から供給されたパージガスを介して前記濾材を加熱することを特徴とする請求項10または11に記載の濾材の再生方法。
  13. 液体の付着した基板に有機物を含む乾燥用のガスを接触させて、この基板を乾燥させる乾燥処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項10ないし12のいずれか一つに記載された濾材の再生方法を実施するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4527670B2 (ja) 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
ES2894623T3 (es) * 2011-03-29 2022-02-15 Kellog Co Procedimiento de reciclado del aire de tratamiento residual utilizado en una zona de horno corriente abajo de un horno
US10046371B2 (en) * 2013-03-29 2018-08-14 Semes Co., Ltd. Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit
KR101661178B1 (ko) * 2014-11-18 2016-10-04 주식회사 테라세미콘 기판 프로세싱 장치
JP2017157800A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体
US10957529B2 (en) * 2016-11-28 2021-03-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for drying wafer with gaseous fluid
JP6762214B2 (ja) * 2016-12-02 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、および基板液処理方法
US10825698B2 (en) * 2017-06-15 2020-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate drying apparatus, facility of manufacturing semiconductor device, and method of drying substrate
KR102636979B1 (ko) * 2019-04-26 2024-02-14 삼성전자주식회사 멀티 챔버 장치
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7323674B1 (ja) 2022-04-27 2023-08-08 セメス株式会社 薬液ヒーティング装置およびそれを備える基板処理システム
CN115031509B (zh) * 2022-05-18 2023-06-30 扬州思普尔科技有限公司 一种升降式半导体晶圆干燥装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5313982A (en) * 1988-07-08 1994-05-24 Tadahiro Ohmi Gas supply piping device for a process apparatus
JPH06103686B2 (ja) * 1989-11-24 1994-12-14 シー エフ エム テクノロジーズ,インコーポレイテッド 表面乾燥処理方法および装置
JP3557599B2 (ja) * 1998-08-07 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 蒸気処理装置
JP4173349B2 (ja) * 2001-11-05 2008-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4056888B2 (ja) 2003-01-07 2008-03-05 株式会社島津製作所 気化器
DE10358275A1 (de) * 2003-12-11 2005-07-21 Wiessner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen wenigstens einer Prozesskammer zum Beschichten wenigstens eines Substrats
US20060048808A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Ruckman Jack H Solar, catalytic, hydrogen generation apparatus and method
US20060117743A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Helmut Swars Regeneratable particle filter
JP4662352B2 (ja) * 2005-08-10 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 蒸気乾燥方法及びその装置並びにその記録媒体
US7637029B2 (en) * 2005-07-08 2009-12-29 Tokyo Electron Limited Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method

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