JP4662352B2 - 蒸気乾燥方法及びその装置並びにその記録媒体 - Google Patents

蒸気乾燥方法及びその装置並びにその記録媒体 Download PDF

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Description

この発明は、蒸気乾燥方法及びその装置並びにその記録媒体に関するものである。
従来、液体又は液的流体等の液を含む流体、例えば、窒素ガス(N2ガス)等の不活性ガス中に霧状の有機溶媒例えばIPA(イソプロピルアルコール)を混合した混合流体を蒸発し、その蒸発ガスを被処理体(被乾燥体)に接触させて乾燥処理するIPA乾燥技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
前記蒸気乾燥方法(装置)によれば、被処理体例えば半導体ウエハ(以下にウエハという)を収容した処理室内にIPAとN2ガスとの混合流体を加熱して生成された蒸気を供給して第1の乾燥を行った後、処理室内にN2ガスのみを供給して、ウエハに付着したIPAを気化して除去する第2の乾燥を行うことができる。
特開平10−125649号公報(特許請求の範囲、段落番号0069〜0071、図8)
しかしながら、従来のこの種の蒸気乾燥方法(装置)においては、IPAとN2ガスを混合する混合手段により混合した後に加熱するため、混合手段は生成されるIPA蒸気の量に応じて流すことが可能なN2ガスの流量が制限されている。また、第1の乾燥工程後に、連続して第2の乾燥工程を行う場合、混合手段にN2ガスのみを供給することで、N2ガスを処理室内に供給している。
しかし、混合手段に供給可能なN2ガスの流量は、IPAの混合に最適な範囲に設定されているため、流量が限られるので、このN2ガスを第2の乾燥に使用すると、供給量が少ないために第2の乾燥処理時間が長くなり、ウォーターマークの発生など乾燥性能に影響を及ぼすという問題があった。また、少量の不活性ガスを長時間供給することにより、不活性ガスの無駄が生じる虞もある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、乾燥時間の短縮及び乾燥性能の向上が図れると共に、不活性ガスを有効に利用できるようにした蒸気乾燥方法及び蒸気乾燥装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、請求項1記載の蒸気乾燥方法は、 不活性ガスと溶剤を混合して混合流体を生成する混合工程と、 前記混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成工程と、 前記蒸気生成工程で生成された蒸気を処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥工程と、 不活性ガスを前記加熱手段で加熱する加熱工程と、 前記加熱工程で加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給して被処理体を乾燥させる第2の乾燥工程とを有し、 前記第1の乾燥工程と第2の乾燥工程に使用する不活性ガスの供給量を別々に設定すると共に、第1の乾燥工程に対する第2の乾燥工程時の不活性ガスの供給量を増加させ、 前記混合流体を生成する手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガスを供給して、前記混合流体を生成する手段に残留する溶剤を除去する、ことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の蒸気乾燥方法において、前記第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給するように制御する、ことを特徴とする。
また、請求項記載の蒸気乾燥装置は、請求項1,2記載の蒸気乾燥方法を具現化するもので、 被処理体を収容する処理室と、 前記処理室内に蒸気又は不活性ガスを供給する供給手段と、 溶剤供給源及び不活性ガス供給源に接続され、溶剤と不活性ガスとの混合流体を生成する混合流体生成手段と、 前記混合流体生成手段により生成された混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成手段と、を具備し、 前記混合流体生成手段の一次側に接続する不活性ガス供給管と、混合流体生成手段の二次側に接続する混合流体供給管とを、開閉弁を介設した分岐管を介して接続し、前記不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを、前記混合流体生成手段又は混合流体生成手段及び前記分岐管を介して前記処理室内に供給可能に形成し、 前記混合流体生成手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガス供給管から分岐される補助分岐管を接続し、補助分岐管から供給される不活性ガスを前記混合流体生成手段に供給して、混合流体生成手段内に残留する溶剤を除去可能に形成してなる、ことを特徴とする。
また、請求項記載の発明は、請求項記載の蒸気乾燥装置において、前記蒸気生成手段で生成された蒸気の処理室内への供給、前記分岐管に介設された開閉弁の開閉、及び前記加熱手段で加熱された不活性ガスの処理室内への供給、並びに前記補助分岐管路に介設される開閉弁の開閉を制御する制御手段を更に具備する、ことを特徴とする。
また、請求項記載の蒸気乾燥用記録媒体は、請求項1,2記載の蒸気乾燥方法及び請求項記載の蒸気乾燥装置を実行させるもので、 コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、 前記制御プログラムは、実行時に、不活性ガスと溶剤を混合して混合流体を生成する混合工程と、前記混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成工程と、前記蒸気生成工程で生成された蒸気を処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥工程と、不活性ガスを前記加熱手段で加熱する加熱工程と、前記加熱工程で加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給して被処理体を乾燥させる第2の乾燥工程と、前記第1の乾燥工程と第2の乾燥工程に使用する不活性ガスの供給量を別々に設定すると共に、第1の乾燥工程に対する第2の乾燥工程時の不活性ガスの供給量を増加させる工程と、前記混合流体を生成する手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガスを供給して、前記混合流体を生成する手段に残留する溶剤を除去する工程が実行されるように、コンピュータが蒸気乾燥装置を制御するものである、ことを特徴とする。
加えて、請求項記載の発明は、請求項記載の蒸気乾燥用記録媒体において、前記制御プログラムは、実行時に、第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給する工程が更に実行されるように、コンピュータが蒸気乾燥装置を制御するものである、ことを特徴とする。
請求項1,3,5記載の発明によれば、被処理体を収容する処理室内に蒸気を供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥と、加熱された不活性ガスを処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第2の乾燥を行った後、第1の乾燥工程時の不活性ガスの供給量より多い流量の不活性ガスを処理室内に供給して被処理体に付着した溶剤を除去することができる。
請求項2,記載の発明によれば、第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給することにより、第2の乾燥工程における不活性ガスの流量を増大させることができる。
また、請求項1,3記載の発明によれば、混合流体生成手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガス供給管から分岐される補助分岐管を接続することにより、混合流体生成手段内に残留する溶剤を補助分岐管から供給される不活性ガスによって除去することができる。
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果が得られる。
(1)請求項1,3,5記載の発明によれば、被処理体を収容する処理室内に蒸気を供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥と、加熱された不活性ガスを処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第2の乾燥を行った後、第1の乾燥工程時の不活性ガスの供給量より多い流量の不活性ガスを処理室内に供給して被処理体に付着した溶剤を除去することができるので、乾燥時間の短縮及び乾燥性能の向上が図れると共に、不活性ガスの有効利用が図れる。
(2)請求項2,記載の発明によれば、第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給することにより、第2の乾燥工程における不活性ガスの流量を増大させることができるので、前記(1)に加えて、更に不活性ガスの有効利用が図れると共に、乾燥時間の短縮が図れる。
(3)請求項1,3,5記載の発明によれば、混合流体生成手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガス供給管から分岐される補助分岐管を接続することにより、混合流体生成手段内に残留する溶剤を補助分岐管から供給される不活性ガスによって除去することができるので、更に以後の乾燥工程の始動時に溶剤が処理室内に供給されるのを確実に防止することができると共に、処理精度の向上を図ることができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る蒸気乾燥装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理システムに適用した場合について説明する。
図1は、前記洗浄・乾燥処理システムの全体を示す概略構成図、図2は、この発明における混合流体生成手段を示す概略断面図である。
上記洗浄・乾燥処理システムは、被処理体である半導体ウエハW(以下にウエハWという)を収容する処理室1aを有する処理容器1と、この処理容器1内のウエハWに向かって乾燥用の蒸気又は不活性ガス例えば窒素(N2)ガスを供給(噴射)する供給手段である供給ノズル2と、蒸気溶剤であるIPA(イソプロピルアルコール)とN2ガスの混合流体の蒸気を生成する蒸気生成手段である蒸気発生装置10と、IPAとN2ガスの混合流体すなわちN2ガス中に霧状のIPAを混合した混合流体を生成する混合流体生成手段である2流体ノズル3と、溶剤供給源であるIPA供給源8に接続するIPA液を貯留するタンク4(以下にIPAタンク4という)と、不活性ガス供給源であるN2ガス供給源5と、前記供給ノズル2,蒸気発生装置10,2流体ノズル3,IPAタンク4及びN2ガス供給源5を接続する蒸気供給管21,混合流体供給管22,N2ガス供給管23及びIPA供給管24と、N2ガス供給管23と混合流体供給管22とを接続する開閉弁V2を介設する分岐管25と、IPA供給管24における2流体ノズル3側付近に介設される開閉弁V3の二次側とN2ガス供給管23とを接続する補助分岐管26等の配管とで主に構成されている。
前記2流体ノズル3は、図2に示すように、N2ガス供給管23に接続するN2ガス供給路3aと、IPA供給管24に接続するIPA供給路3bと、これら供給路3a,3b内を流れるN2ガスとIPAとを混合する混合室3c及び混合室3cに連通すると共に混合流体供給管22に接続する混合流体供給路3dとを具備し、液状のIPAをN2ガスの流速で霧状にして蒸気発生装置10に供給するように構成されている。この2流体ノズル3におけるN2ガス供給路3aに接続されるN2ガス供給管23には、N2ガス供給源5側から順に減圧弁6,開閉弁V1,マスフローコントローラMF及びフィルタF1が介設されている。また、N2ガス供給管23と混合流体供給管22とは分岐管25を介して接続されており、この分岐管25には2流体ノズル3と並列する開閉弁V2が介設されている。
このように、N2ガス供給管23と混合流体供給管22とを分岐管25を介して接続すると共に、分岐管25に2流体ノズル3と並列する開閉弁V2を介設することにより、IPA乾燥処理時(第1の乾燥工程時)には、開閉弁V2を閉じて2流体ノズル3からIPAとN2ガスの混合流体を供給し、N2ガスにより乾燥処理時(第2の乾燥工程時)には、2流体ノズル3からN2ガスのみを供給すると共に、開閉弁V2を開いて分岐管25からN2ガスを供給することによってN2ガスを大量に流すことができる。なお、開閉弁V2を開いている場合、分岐管25の流路面積は2流体ノズル3の流量面積に比べて遙かに大きいため、N2ガスの大部分は分岐管25を介して流れる。つまり、第1乾燥工程時には、N2ガス供給源5から2流体ノズル3に供給される混合流体を生成するに適したN2ガスの流量を処理室1a内に供給し、第2の乾燥工程時には、前記混合流体を生成するに適したN2ガスの流量に加えて、N2ガス供給源5からN2ガス供給管23を介して分岐管25を流れるN2ガスを処理室1a内に供給することができるので、同一のN2ガス供給源5から供給されるN2ガスを適宜設定して、第1の乾燥処理と第2の乾燥処理を効率良く行うことができる。なお、第2の乾燥工程時において、供給されるN2ガスの流量を、第1の乾燥工程時より多くするようにしてもよい。なお、2流体ノズル3の一次側あるいは二次側に図示しない開閉弁を設け、蒸気を生成する際には該開閉弁を開放しておき、N2ガスのみを供給する際には開閉弁を閉じておくようにして、2流体ノズル3側の経路と分岐管25側の経路を切り換えるようにしてもよい。これによりN2乾燥時に2流体ノズル3に残留したIPAが処理室1a内に供給されることが防止される。
なお、前記開閉弁V1,V2,V3は制御手段例えば中央演算処理装置40(以下にCPU40という)に電気的に接続されており、CPU40からの制御信号に基づいて開閉制御されるように構成されている。
また、2流体ノズル3におけるIPA供給路3bは、IPA供給管24を介してIPAタンク4の底部に設けられた吐出口4aに接続されている。この場合、吐出口4aは2個設けられており、一方の吐出口4aに接続されるIPA供給管24に対して、他方の吐出口4aに接続されるIPA供給分岐管24AがIPA供給管24の途中に接続されている。そして、このIPA供給分岐管24AとIPA供給管24にそれぞれ互いに並列に往復駆動式のIPA供給ポンプPA,PBが介設されている。なお、IPA供給分岐管24AとIPA供給管24におけるIPA供給ポンプPA,PBの二次側(吐出側)にはそれぞれ逆止弁Vcが介設されており、IPA供給管24におけるIPA供給分岐管24Aとの接続部の二次側には圧力スイッチPSWとフィルタF3が介設されている。両IPA供給ポンプPA,PB及び圧力スイッチPSWは、CPU40に電気的に接続されており、CPU40からの制御信号に基づいて互いに位相差をもって作動するように構成されている。このように両IPA供給ポンプPA,PBに位相差をもたせて作動させることにより、IPAの供給時の脈動を抑制すると共に、IPAの供給量を正確にすることができる。この際、圧力スイッチPSWによってIPA供給ポンプPA,PBの圧力をモニタすることで流量が確認される。
なお、IPAタンク4の上端と、IPAタンク4の底部に設けられたドレイン口4bに接続するタンクドレイン管27にIPA量測定用の管28が接続されている。この測定用管28には、上方から順に、IPAタンク4内のIPAの上限量を検出する上限センサSa,IPAの適量を検出する適量センサSb,IPA供給ポンプPA,PBの動作をチェックするチェックセンサSc及び下限量を検出する下限センサSdが介設されている。これらセンサSa〜SdはCPU40に電気的に接続されており、センサSa〜Sdによって検出された信号がCPU40に伝達され、CPU40からの制御信号に基づいてIPA供給ポンプPA,PBの作動・停止やIPA供給源8とIPAタンク4とを接続する供給管9に介設された開閉弁V0の開閉等が行われるようになっている。なおこの場合、チェックセンサScには、IPAの吐出開始から規定の通過点までの時間を吐出流量から計算し、確認するシーケンスが組み込まれている。
また、IPAタンク4の上端には、オーバーフロー管60が接続されており、このオーバーフロー管60の途中に、N2ガス供給管23のN2ガス供給源5側から分岐されたN2ガス分岐供給管23Aが接続されている。なお、N2ガス分岐供給管23Aには、N2ガス供給源5側から順に減圧弁6A,手動式の開閉弁Va,オリフィス7A及びフィルタF2が介設されると共に、オーバーフロー管60の接続部の手前側(一次側)にはオリフィス29aが介設されている。
このように構成することにより、オーバーフロー管60を介してIPAタンク4内に常時N2ガスを供給(パージ)することができるので、IPAタンク4からIPAを吐出する時にオーバーフロー管60から汚染された気体がIPAタンク4内に侵入するのを防止することができる。また、オーバーフロー管60の途中にN2ガスをパージすることで、以下のような問題を解決することができる。すなわち、IPAタンク4に直接N2ガスをパージすると、IPAタンク4内のIPAの液面のガス空間のIPA雰囲気の濃度を下げて、IPAが揮発し易くなり、無駄が発生するが、オーバーフロー管60の途中にN2ガスをパージすることで、かかる問題を解決することができる。
また、IPA供給管24における2流体ノズル3のIPA供給部側付近には開閉弁V3が介設されており、この開閉弁V3の二次側と2流体ノズル3との間には、N2ガス供給管23から分岐された補助分岐管26が接続されている。この補助分岐管26には、2流体ノズル3側から順に開閉弁V4とオリフィス29bが介設されている。
このように、IPA供給管24における開閉弁V3の二次側と2流体ノズル3との間に、N2ガス供給管23から分岐された補助分岐管26を接続することにより、IPA供給ポンプPA,PBによるIPAの供給が終了した後、2流体ノズル3までのIPA供給管24中に残留するIPAをN2ガスで2流体ノズル3に送り、IPA供給管24中にIPAが残らないようにすることができる。したがって、N2ガスによる乾燥処理時にIPAが供給される虞がなくなる。
なお、IPA供給管24における開閉弁V3の一次側付近には、開閉弁V5を介設したIPAドレイン管80が接続されている。この場合、開閉弁V5に代えて安全弁をIPAドレイン管80に介設してもよい。
また、前記蒸気発生装置10,2流体ノズル3,IPAタンク4,IPA供給ポンプPA,PB及びこれらの配管類は、外気から遮断されたクリーンルーム70内に配設されており、クリーンルーム70内には、N2ガス供給源5Aに接続するN2ガス供給管23Bを介して清浄化されたN2ガスが供給されるように構成されている(図1参照)。N2ガス供給管23Bには、N2ガス供給源5A側から順に減圧弁6B,手動式の開閉弁Vb及びオリフィス7Bが介設されている。
なお、前記開閉弁V1,V2,V3以外の開閉弁V0,V4,V5,やマスフローコントローラMF等の機器類もCPU40に伝達に電気的に接続されており、CPU40に伝達からの制御信号に基づいて作動するように構成されている。
一方、蒸気発生装置10は、図3に示すように、2流体ノズル3の吐出口に混合流体供給管22を介して接続され、2流体ノズル3によって生成されたIPAとN2ガスの混合流体を蒸発させる第1の加熱手段である第1の加熱ユニット11(以下に気化ユニット11という)と、気化ユニット11によって蒸発した流体を所定の処理温度(例えば150〜200℃)まで昇温する第2の加熱手段である第2の加熱ユニット12(以下に昇温ユニット12という)を具備している。
また、蒸気発生装置10は、気化ユニット11によって蒸発した混合流体の温度を検出する後述する第1の温度検出手段31b(以下に蒸発温度検出手段31bという)と、昇温ユニット12で昇温された蒸気の温度を検出する後述する第2の温度検出手段32c(以下に昇温温度検出手段32cという)と、蒸発温度検出手段31bが検出した温度に基づいて気化ユニット11を構成する加熱手段の加熱温度すなわち後述するハロゲンランプ13の電流を制御すると共に、昇温温度検出手段32cが検出した温度に基づいて昇温ユニット12を構成する加熱手段の加熱温度すなわち後述するハロゲンランプ13の電流を制御するCPU40と、を具備している。
この場合、気化ユニット11は2個の蒸気発生器15を具備し、昇温ユニット12は3個の蒸気発生器15を具備している。なお、気化ユニット11と昇温ユニット12における蒸気発生器15の数はこれに限定されるものではない。
蒸気発生器15は、加熱源に光エネルギを用いており、この光エネルギを熱エネルギに変換して間接的に混合流体に熱を伝える構造となっている。すなわち、蒸気発生器15は、図4に示すように、内壁面に断熱材16を固定した密閉筒状の例えばステンレス製の容器本体17と、この容器本体17の中心軸部に架設される加熱手段であるハロゲンランプ13と、このハロゲンランプ13との間に隙間をおいてハロゲンランプ13を包囲すると共に隣接同士が互いに接触する螺旋状をなすスパイラル管14とで主に構成されている。なお、スパイラル管14の一端は容器本体17の一端側の側壁を貫通して流体の流入口14aを形成し、他端は容器本体17の他端側の側壁を貫通して流体の流出口14bを形成している。また、スパイラル管14は、ステンレス製のパイプ部材にて形成されており、その表面には輻射光吸収用の黒色塗料(図示せず)が塗装されている。このようにスパイラル管14の表面に輻射光吸収用の黒色塗料を塗装することにより、ハロゲンランプ13から照射された光が黒色塗料に吸収されて熱エネルギに変換されてスパイラル管14を介して間接的にスパイラル管14内を流れる流体に均一かつ効率良く伝熱することができる。
なお、容器本体17の一端側の側壁には、N2ガス供給口17aが設けられており、N2ガス供給源5Aから供給されるN2ガスを容器本体17内に供給することにより、容器本体17内をN2ガスでパージすると共に、外部雰囲気例えばIPA雰囲気が容器本体17内に侵入するのを防止することができ、蒸気発生器15の安全性の向上が図られている。
上記のように構成される蒸気発生器15によれば、流入口14aから流出口14bに流れるN2ガス中に霧状のIPAを混合した混合流体を、ハロゲンランプ13から照射された光エネルギを吸収する黒色塗料とスパイラル管14を介して間接的に加熱し、気化ユニット11においては混合流体を蒸発し、昇温ユニット12においては蒸発された混合流体を所定の処理温度に加熱することができる。
なお、気化ユニット11を構成する2個の蒸気発生器15のうち一次側に配置される蒸気発生器15の流入口14aは混合流体供給管22を介して2流体ノズル3に接続され、流出口14bは、第1の接続管19aを介して二次側に配置される蒸気発生器15の流入口14aに接続されている。
また、気化ユニットの二次側に配置される蒸気発生器15の流出口14bと昇温ユニット12の一次側に配置される蒸気発生器15の流入口14aは第2の接続管19bを介して接続され、昇温ユニット12の一次側の蒸気発生器15の流出口14bと中間部に配置される蒸気発生器15の流出口14bは第3の接続管19cを介して接続され、中間部の蒸気発生器15の流出口14bと昇温ユニット12の二次側に配置される蒸気発生器15の流入口14aは第4の接続管19dを介して接続されている。
このように構成される蒸気発生装置10において、第2の接続管19bには気化ユニット11における蒸気発生器15により蒸発した流体の温度を検出する蒸発温度検出手段である蒸発温度センサ31bが介設されている。
また、昇温ユニット12の二次側に配置される蒸気発生器15の流出口14bに接続される蒸気供給管21の蒸気発生器15側には、蒸気発生器15により昇温された蒸気の温度を検出する昇温温度検出手段である昇温温度センサ32cが介設されている。
なお、第1の接続管19a,第3の接続管19c及び第4の接続管19dには、それぞれモニタ用の温度センサ31a,32a及び32bが介設されている。
前記蒸発温度センサ31bと昇温温度センサ32cは、CPU40に電気的に接続されており、検出された温度情報がCPU40に伝達され、CPU40からの制御信号に基づいて各蒸気発生器15のハロゲンランプ13に接続する電力調整器50A,50Bが作動することにより、気化工程及び昇温工程の温度が制御されるようになっている。すなわち、蒸発温度センサ31bによって検出された気化ユニット11における温度情報は、CPU40から電流調整器50Aに伝達されて気化ユニット11のハロゲンランプ13が制御される。また、昇温温度センサ32cによって検出された昇温ユニット12における温度情報は、CPU40から電流調整器50Bに伝達されて昇温ユニット12のハロゲンランプ13が制御される。この場合、気化ユニット11における蒸気発生器15のハロゲンランプ13は、蒸気溶剤であるIPAの沸点(82.4℃)よりやや高い温度例えばIPAの沸点より+20℃以下、好ましくは+10℃以下に設定されている。また、昇温ユニット12における蒸気発生器15のハロゲンランプ13は、蒸発した蒸気を処理温度(150〜200℃)に昇温するように設定されている。なお、モニタ用温度センサ31a,32a,32bによって検出された温度情報はCPV40に伝達され、CPU40からの制御信号に基づいて図示しないモニタ等に表示されることにより、蒸気発生装置10における蒸気の状態が監視できるようになっている。
上記CPU40は、コンピュータ100に内蔵されており、コンピュータ100は、CPU40に接続された入出力部101と、処理工程を作成するための処理工程入力画面を表示する表示部102と、入出力部101に挿着されると共にコンピュータ100に制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体103(記録媒体)が備えられており、制御プログラムに基づいて、実行時に、IPAとN2ガスを混合して混合流体を生成する混合工程と、混合流体を加熱手段である気化ユニット11及び昇温ユニット12で加熱して蒸気を生成する蒸気生成工程と、蒸気生成工程で生成された蒸気を供給ノズル2を介して処理室1a内に供給して、ウエハWを乾燥させる第1の乾燥工程と、N2ガスを気化ユニット11及び昇温ユニット12で加熱する加熱工程と、加熱工程で加熱されたN2ガスを供給ノズル2を介して処理室1a内に供給して、ウエハWを乾燥させる第2の乾燥工程が実行されるように、コンピュータ100が蒸気乾燥装置を制御するように形成されている。
また、制御プログラムに基づいて、第1の乾燥工程の後、2流体ノズル3の一次側に接続する分岐管25に介設される開閉弁V2を開放してN2ガスを処理室1a内に供給する工程が実行されるように、コンピュータ100が蒸気乾燥装置を制御するように形成されている。
上記記録媒体103は、コンピュータ100に固定的に設けられるもの、あるいは、コンピュータ100に設けられた読み取り装置に着脱自在に挿着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態においては、記録媒体103は、基板処理装置のメーカーのサービスマンによって制御ソフトウエアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては、記録媒体103は、制御ソフトウエアが書き込まれたCD−ROM又はDVD−ROMのような読み出し専用のリムーバブルディスクであり、このようなリムーバブルディスクはコンピュータ100に設けられた光学的読み取り装置によって読み取られる。記録媒体103は、RAM(random access memory)又はROM(read only memory)のいずれの形式のものであってもよく、また、記録媒体103は、カッセト式のROMのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体103として用いることが可能である。なお、複数の蒸気乾燥装置が配置される工場においては、各蒸気乾燥装置のコンピュータ100を統括的に制御する管理コンピュータに制御ソフトウエアが格納されていてもよい。この場合、各蒸気乾燥装置に通信回線を介して管理コンピュータにより走査され、所定のプロセスを実行する。
なお、蒸気供給管21にはヒータ付きのメタルフィルタ90が介設されており、このメタルフィルタ90によって処理に供される蒸気中の不純物が除去されるようになっている。
次に、蒸気乾燥装置の動作態様について、図1及び図5に示すフローチャートを参照して説明する。まず、開閉弁V1を開いてN2ガス供給源5からN2ガスをN2ガス供給管23内に充填する。この状態で、開閉弁V0を開いてIPA供給源8からIPAをIPAタンク4内に供給してIPAを貯留する。
次に、処理容器1内にウエハWを投入して、リンス処理を行う(ステップ5−1)。その後、蒸気発生装置10のハロゲンランプ13を通電すると共に、開閉弁V2を開いて、2流体ノズル3を流れる約100リットルのN2ガスと分岐管25を流れる大量例えば200リットルのN2ガスを、気化ユニット11及び昇温ユニット12の蒸気発生器15を構成するスパイラル管14内を流しつつハロゲンランプ13からの光エネルギによって加熱し、加熱されたホットN2ガスを処理容器1内に供給して処理容器1内をN2雰囲気に置換する(ステップ5−2)。その後、開閉弁V2を閉じて2流体ノズル3のみから約100リットルのN2ガスを供給する。
次に、IPA供給管24に介設された開閉弁V3を開くと共に、IPA供給ポンプPA,PBを駆動して2流体ノズル3にIPAを供給する。この際、チェックセンサScによってIPAが適量供給されているかが監視される。このようにしてIPAが供給されると、2流体ノズル3によって液状のIPAがN2ガスに混合されて混合流体が生成され(ステップ5−3)、混合流体供給管22を介して蒸気発生装置10の気化ユニット11に供給され、気化ユニット11の蒸気発生器15によってIPAの沸点(82.4℃)より高く、昇温温度より低い温度例えば83℃で混合流体が蒸発される。蒸発された混合流体は、ついで昇温ユニット12の蒸気発生器15に供給され、同様に、昇温ユニット12の蒸気発生器15によって処理温度例えば200℃まで昇温して、溶剤蒸気(IPA蒸気)が生成される(ステップ5−4)。この際、蒸発温度センサ31bと昇温温度センサ32cによって気化ユニット11の蒸発温度が検出されると共に、蒸発した流体の温度が検出され、その検出情報がCPU40に伝達され、CPU40からの制御信号によって電流調整器50A,50Bが制御されることによって、蒸発温度及び昇温温度が適正温度に維持される。
そして、蒸気発生装置10によって生成されたIPA蒸気は、蒸気供給管21を介して供給ノズル2から処理容器1内のウエハWに向かって供給され、ウエハWのIPA乾燥が行われる(第1の乾燥工程:ステップ5−5)。
IPA乾燥を行った後、IPA供給ポンプPA,PBの駆動を停止し、その後、開閉弁V3を閉じる。次に、第2のN2ガス供給分岐管23Bに介設された開閉弁V4を開くと共に、IPAドレイン管80に介設された開閉弁V5を開き、IPA供給管24における2流体ノズル3と開閉弁V3との間に残留するIPAをN2ガスによって押し出す(ステップ5−6)。これにより、次の乾燥工程の始動時にIPAが処理容器1内に供給されるのを確実に防止することができる。
次に、開閉弁V2を再び開いてN2ガスを分岐管25及び2流体ノズル3の双方から大流量(約300リットル)流して、N2ガスによってウエハWに付着するIPAを気化して除去する(第2の乾燥工程:ステップ5−7)。
N2ガスによる乾燥を行った後、蒸気発生装置10のハロゲンランプ13の電源を切ると共に、開閉弁V1を閉じて処理を終了する。
なお、前記実施形態では、この発明に係る蒸気乾燥装置が、IPAとN2ガスの混合流体の蒸気によるウエハWの乾燥装置に適用される場合について説明したが、この発明は、ウエハW以外の被処理体例えばLCDガラス基板の乾燥装置に適用することができる。
この発明に係る蒸気乾燥装置を適用した洗浄・乾燥処理システムの概略構成図である。 この発明における混合流体生成手段(2流体ノズル)を示す概略断面図である。 この発明における蒸気生成手段(蒸気発生装置)を示す概略断面図である。 前記蒸気発生装置の要部を示す断面図(a)及び(a)のI−I線に沿う断面図(b)である。 前記蒸気乾燥装置の動作態様を示すフローチャートである。
1 処理容器
1a 処理室
2 供給ノズル
3 2流体ノズル(混合流体生成手段)
4 IPAタンク
5 N2ガス供給源
8 IPA供給源(溶剤供給源)
10 蒸気発生装置
21 蒸気供給管
22 混合流体供給管
23 N2ガス供給管
24 IPA供給管
25 分岐管
26 補助分岐管
40 CPU(制御手段)
100 コンピュータ
103 記録媒体
V2,V3 ,V4 開閉弁
W 半導体ウエハ(被処理体)

Claims (6)

  1. 不活性ガスと溶剤を混合して混合流体を生成する混合工程と、
    前記混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成工程と、
    前記蒸気生成工程で生成された蒸気を処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥工程と、
    不活性ガスを前記加熱手段で加熱する加熱工程と、
    前記加熱工程で加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給して被処理体を乾燥させる第2の乾燥工程とを有し、
    前記第1の乾燥工程と第2の乾燥工程に使用する不活性ガスの供給量を別々に設定すると共に、第1の乾燥工程に対する第2の乾燥工程時の不活性ガスの供給量を増加させ、
    前記混合流体を生成する手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガスを供給して、前記混合流体を生成する手段に残留する溶剤を除去する、ことを特徴とする蒸気乾燥方法。
  2. 請求項1記載の蒸気乾燥方法において、
    前記第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給するように制御する、ことを特徴とする蒸気乾燥方法。
  3. 被処理体を収容する処理室と、
    前記処理室内に蒸気又は不活性ガスを供給する供給手段と、
    溶剤供給源及び不活性ガス供給源に接続され、溶剤と不活性ガスとの混合流体を生成する混合流体生成手段と、
    前記混合流体生成手段により生成された混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成手段と、を具備し、
    前記混合流体生成手段の一次側に接続する不活性ガス供給管と、混合流体生成手段の二次側に接続する混合流体供給管とを、開閉弁を介設した分岐管を介して接続し、前記不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを、前記混合流体生成手段又は混合流体生成手段及び前記分岐管を介して前記処理室内に供給可能に形成し、
    前記混合流体生成手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガス供給管から分岐される補助分岐管を接続し、補助分岐管から供給される不活性ガスを前記混合流体生成手段に供給して、混合流体生成手段内に残留する溶剤を除去可能に形成してなる、ことを特徴とする蒸気乾燥装置。
  4. 請求項記載の蒸気乾燥装置において、
    前記蒸気生成手段で生成された蒸気の処理室内への供給、前記分岐管に介設された開閉弁の開閉、及び前記加熱手段で加熱された不活性ガスの処理室内への供給、並びに前記補助分岐管路に介設される開閉弁の開閉を制御する制御手段を更に具備する、ことを特徴とする蒸気乾燥装置。
  5. コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、不活性ガスと溶剤を混合して混合流体を生成する混合工程と、前記混合流体を加熱手段で加熱して蒸気を生成する蒸気生成工程と、前記蒸気生成工程で生成された蒸気を処理室内に供給して、被処理体を乾燥させる第1の乾燥工程と、不活性ガスを前記加熱手段で加熱する加熱工程と、前記加熱工程で加熱された不活性ガスを前記処理室内に供給して被処理体を乾燥させる第2の乾燥工程と、前記第1の乾燥工程と第2の乾燥工程に使用する不活性ガスの供給量を別々に設定すると共に、第1の乾燥工程に対する第2の乾燥工程時の不活性ガスの供給量を増加させる工程と、前記混合流体を生成する手段に接続する溶剤供給管に介設される開閉弁の二次側に、不活性ガスを供給して、前記混合流体を生成する手段に残留する溶剤を除去する工程が実行されるように、コンピュータが蒸気乾燥装置を制御するものである、ことを特徴とする蒸気乾燥用記録媒体。
  6. 請求項記載の蒸気乾燥用記録媒体において、
    前記制御プログラムは、実行時に、第1の乾燥工程の後、混合流体を生成する手段の一次側に接続する分岐管を介して不活性ガスを処理室内に供給する工程が更に実行されるように、コンピュータが蒸気乾燥装置を制御するものである、ことを特徴とする蒸気乾燥用記録媒体。
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