JP2016072613A5 - - Google Patents

Description

実施形態に係る基板処理装置は、
硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面に供給する第１の液供給部と、
前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する第２の液供給部と、
制御部とを有し、
前記制御部は、前記第１の液供給部に対し、前記第１温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面に供給させ、前記基板を前記過酸化水素水の沸点以上の温度になるまで加熱して、前記第１温度の硫酸溶液の供給を止め、前記過酸化水素水の沸点以上の温度に達している上記基板に対して、前記第２の液供給部に対し、前記第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給させることを特徴とする。

実施形態に係る基板処理方法は、
硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面に供給し、前記基板を前記過酸化水素水の沸点以上の温度になるまで加熱する工程と、
前記基板が前記過酸化水素水の沸点以上の温度になった場合、前記第１温度の硫酸溶液の供給を止め、前記過酸化水素水の沸点以上の温度に達している上記基板に対して、前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する工程と、
を有することを特徴とする。

Claims (12)

1. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
   前記過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面に供給する第１の液供給部と、
   前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する第２の液供給部と、
   制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記第１の液供給部に対し、前記第１温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面に供給させ、前記基板を前記過酸化水素水の沸点以上の温度になるまで加熱して、前記第１温度の硫酸溶液の供給を止め、前記過酸化水素水の沸点以上の温度に達している上記基板に対して、前記第２の液供給部に対し、前記第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給させることを特徴とする基板処理装置。
2. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
   前記過酸化水素水の沸点以上で所定の基板処理温度以上の温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面とは反対面に供給する硫酸溶液供給部と、
   前記基板の前記処理対象面とは反対面に供給される前記硫酸溶液の温度より低い温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する混合液供給部と、
   制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記硫酸溶液供給部に対し、前記基板の温度を前記基板処理温度以上とするように前記硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面とは反対面に供給させ、前記基板の温度が前記基板処理温度以上になった場合、前記硫酸溶液供給部に対しては前記基板の前記処理対象面とは反対側面への前記硫酸溶液の供給を継続させつつ、前記混合液供給部に対し、前記硫酸溶液の温度より低い温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給させることを特徴とする基板処理装置。
3. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
   前記過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面に供給する第１の液供給部と、
   前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する第２の液供給部と、
   前記第１温度以上の第３温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面の反対面に供給する第３の液供給部と、
   制御部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記第１の液供給部に対し、前記基板の温度を前記過酸化水素水の沸点以上とするように前記第１温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面に供給させ、前記基板の温度が前記過酸化水素水の沸点以上となった場合、前記第１温度の硫酸溶液の供給を止めさせ、前記第２の液供給部に対し、前記第２温度の混合液を前記基板の前記処理対象面に供給させ、前記第３の液供給部に対しては、前記過酸化水素水の沸点以上となった前記基板の温度を維持するように前記第３温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面の反対面に供給させることを特徴とする基板処理装置。
4. 前記第２温度は、前記過酸化水素水の沸点より低いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記第１の液供給部による前記第１温度の硫酸溶液の供給と、前記第３の液供給部による前記第３温度の硫酸溶液の供給とが、前記基板に対して同時に開始されるように前記第１の液供給部と前記第３の液供給部とを制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、
   前記第１温度の硫酸溶液の供給を止めさせた後も、前記第３の液供給部による前記第３温度の硫酸溶液の供給を継続させることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
   前記過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面に供給し、前記基板を前記過酸化水素水の沸点以上の温度になるまで加熱する工程と、
   前記基板が前記過酸化水素水の沸点以上の温度になった場合、前記第１温度の硫酸溶液の供給を止め、前記過酸化水素水の沸点以上の温度に達している上記基板に対して、前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
8. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
   前記過酸化水素水の沸点以上で所定の基板処理温度以上の温度の硫酸溶液を前記基板の処理対象面とは反対面に供給し、前記基板の温度を前記基板処理温度以上とする工程と、
   前記基板の温度が前記基板処理温度以上になった場合、前記基板の前記処理対象面とは反対側面への前記硫酸溶液の供給を継続させつつ、前記基板の前記処理対象面とは反対面に供給される前記硫酸溶液の温度より低い温度の前記混合液を前記基板の処理対象面に供給する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
9. 硫酸溶液及び過酸化水素水の混合液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、
   過酸化水素水の沸点以上の第１温度の硫酸溶液を基板の処理対象面に供給し、前記基板の温度を前記過酸化水素水の沸点以上とする工程と、
   前記基板の温度が前記過酸化水素水の沸点以上となった場合、前記第１温度の硫酸溶液の供給を停止し、前記第１温度より低い第２温度の前記混合液を前記基板の前記処理対象面に供給する工程と、
   前記過酸化水素水の沸点以上となった前記基板の温度を維持するように、前記第１温度以上の第３温度の硫酸溶液を前記基板の前記処理対象面の反対面に供給する工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
10. 前記第２温度は、前記過酸化水素水の沸点より低いことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の基板処理方法。
11. 前記第１温度の硫酸溶液の供給と、前記第３温度の硫酸溶液の供給とが、前記基板に対して同時に開始されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
12. 前記第１温度の硫酸溶液の供給を停止した後も、 前記第３温度の硫酸溶液の供給を継続させることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。