JP2014187269A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板を処理室に搬入する工程と、
   前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 前記基板に積層された膜は、少なくとも高誘電率膜と金属含有膜とを含み、前記金属含有膜は、前記高誘電率膜上に形成されている請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記基板に積層された膜は、界面酸化膜を含み、前記界面酸化膜は、前記基板と前記高誘電率膜との間に形成されている請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記基板に積層された膜は、少なくとも界面酸化膜と前記界面酸化膜上に形成された高誘電率膜とを含み、前記界面酸化膜は、前記マイクロ波が供給されることで前記マイクロ波を供給する前の前記界面酸化膜の膜厚よりも薄膜化する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
5. 誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板が搬入される処理室と、
   前記基板にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
   前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱させるように前記マイクロ波供給部を制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
6. 誘電率の異なる膜が少なくとも複数積層された基板を処理室に搬入する手順と、
   前記基板にマイクロ波を供給して少なくとも誘電率が最も高い前記膜を選択的に加熱する手順と、
   をコンピュータによって基板処理装置を制御するためのプログラム。