JP2015065424A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Claims (1)
- 絶縁表面上に接して、結晶部を有する酸化物層を形成し、
前記酸化物層は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有し、
８００℃以上１４００℃以下の温度で加熱処理を行い、
前記酸化物層と接する一対の導電層を形成し、
前記酸化物層及び前記一対の導電層と接する絶縁層を形成し、
前記絶縁層上にゲート電極を形成する工程を有することを特徴とする、半導体装置の作製方法。
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