WO2014136670A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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volatile solvent
unit
liquid
heating
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PCT/JP2014/055054
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邦浩 宮崎
林　航之介
崇 大田垣
裕次 長嶋
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芝浦メカトロニクス株式会社
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    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Definitions

  • Embodiments described herein relate generally to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
  • the substrate processing apparatus is an apparatus for supplying a processing liquid to the surface of a substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate to process the substrate surface in a manufacturing process of a semiconductor or the like, and then drying the substrate surface.
  • a processing liquid to the surface of a substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate to process the substrate surface in a manufacturing process of a semiconductor or the like, and then drying the substrate surface.
  • this drying process there is a problem that, for example, the pattern around the memory cell and the gate collapses due to the miniaturization accompanying the recent high integration and high capacity of the semiconductor. This is due to the spacing and structure between patterns, the surface tension of the treatment liquid, and the like.
  • the drying speed of the substrate surface becomes uneven, and if the liquid remains between some patterns, the pattern collapses due to the surface tension of the liquid in that part.
  • the pattern of the remaining part of the liquid collapses due to elastic deformation due to the surface tension of the liquid, the slightly dissolved residue aggregates in the liquid, and then the liquid completely vaporizes, so that the collapsed patterns adhere to each other. Will collapse.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing good substrate drying while suppressing collapse of a pattern.
  • a solvent supply unit that supplies a volatile solvent to the surface of the substrate, and a gas layer is generated on the surface of the substrate to which the volatile solvent is supplied so that the volatile solvent is liquefied.
  • a heating unit for heating the substrate.
  • the substrate processing method includes a step of supplying a volatile solvent to the surface of the substrate, and forming a gas layer on the surface of the substrate to which the volatile solvent is supplied so that the volatile solvent is liquefied. Heating.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a processing box 2 serving as a processing chamber, a cup 3 provided in the processing box 2, and a substrate W in the cup 3.
  • a table 4 that is supported in a horizontal state and a rotating mechanism 5 that rotates the table 4 in a horizontal plane are provided.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a first processing liquid supply unit 6 that supplies a first processing liquid to the surface of the substrate W on the table 4, and a second processing liquid on the surface of the substrate W on the table 4.
  • a second processing liquid supply unit 7 to be supplied, a solvent supply unit 8 to supply a volatile solvent, a gas supply unit 9 to supply a gas, an irradiation unit 10 that emits light, and the irradiation unit 10 are moved.
  • the moving mechanism 11 and the control part 12 which controls each part are provided.
  • the cup 3 is formed in a cylindrical shape, and surrounds the table 4 from the periphery and accommodates it inside.
  • the upper part of the peripheral wall of the cup 3 is inclined toward the inside in the radial direction, and is opened so that the substrate W on the table 4 is exposed.
  • the cup 3 receives the processing liquid that has flowed down or scattered from the rotating substrate W.
  • a discharge pipe (not shown) for discharging the received processing liquid is provided at the bottom of the cup 3.
  • the table 4 is positioned near the center in the cup 3 and is provided to be rotatable in a horizontal plane.
  • the table 4 has a plurality of support members 4a such as pins, and these support members 4a hold a substrate W such as a wafer or a liquid crystal substrate in a detachable manner.
  • the rotating mechanism 5 includes a rotating shaft coupled to the table 4 and a motor (none of which is shown) serving as a driving source for rotating the rotating shaft, and the table 4 is driven by the motor via the rotating shaft. Rotate.
  • the rotation mechanism 5 is electrically connected to the control unit 12, and the driving thereof is controlled by the control unit 12.
  • the first processing liquid supply unit 6 includes a nozzle 6 a that discharges the first processing liquid from an oblique direction with respect to the surface of the substrate W on the table 4, and the substrate W on the table 4 from the nozzle 6 a.
  • a first treatment liquid for example, APM (a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide solution) for resist removal treatment is supplied to the surface of the substrate.
  • the nozzle 6 a is mounted on the upper part of the peripheral wall of the cup 3, and its angle and discharge flow rate are adjusted so that the first processing liquid is supplied near the center of the surface of the substrate W.
  • the first processing liquid supply unit 6 is electrically connected to the control unit 12, and the driving thereof is controlled by the control unit 12.
  • the first processing liquid supply unit 6 includes a tank that stores the first processing liquid, a pump that is a driving source, a valve that is an adjustment valve that adjusts the supply amount (none of which are shown), and the like. .
  • the second processing liquid supply unit 7 includes a nozzle 7 a that discharges the second processing liquid from an oblique direction with respect to the surface of the substrate W on the table 4, and the substrate W on the table 4 from the nozzle 7 a.
  • a second treatment liquid for example, pure water for cleaning treatment (ultra pure water) is supplied to the surface of.
  • the nozzle 7 a is mounted on the upper part of the peripheral wall of the cup 3, and its angle and discharge flow rate are adjusted so that the second processing liquid is supplied near the center of the surface of the substrate W.
  • the second processing liquid supply unit 7 is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • the second processing liquid supply unit 7 includes a tank that stores the second processing liquid, a pump that serves as a drive source, a valve that serves as an adjustment valve that adjusts the supply amount (none of which are shown), and the like. .
  • the solvent supply unit 8 has a nozzle 8 a that discharges a volatile solvent from an oblique direction with respect to the surface of the substrate W on the table 4, and the volatile solvent is applied from the nozzle 8 a to the surface of the substrate W on the table 4.
  • IPA is supplied.
  • the nozzle 8 a is mounted on the upper part of the peripheral wall of the cup 3, and its angle and discharge flow rate are adjusted so that the volatile solvent is supplied near the center of the surface of the substrate W.
  • the solvent supply unit 8 is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • the solvent supply unit 8 includes a tank that stores a volatile solvent, a pump that is a driving source, a valve that is an adjustment valve that adjusts the supply amount (none of which is shown), and the like.
  • IPA for example, monovalent alcohols such as ethanol, ethers such as diethyl ether and ethyl methyl ether, and the like can be used as the volatile solvent.
  • the volatile solvent is preferably soluble in water.
  • the gas supply unit 9 has a nozzle 9 a that discharges gas from an oblique direction with respect to the surface of the substrate W on the table 4. To make the space on the surface of the substrate W into a nitrogen gas atmosphere.
  • the nozzle 9 a is mounted on the upper part of the peripheral wall of the cup 3, and its angle and discharge flow rate are adjusted so that gas is supplied near the center of the surface of the substrate W.
  • the gas supply unit 9 is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • the gas supply unit 9 includes a tank that stores gas, a valve that is an adjustment valve that adjusts the supply amount (none of which is shown), and the like.
  • an inert gas other than nitrogen gas for example, argon gas, carbon dioxide gas, helium gas, or the like can be used. Since this inert gas is supplied to the surface of the substrate W, it is possible to remove oxygen on the surface of the substrate W and prevent the generation of watermarks (water spots).
  • the gas to be supplied is preferably a heated gas.
  • the irradiation unit 10 has a plurality of lamps 10a, is provided above the table 4, and irradiates the surface of the substrate W on the table 4 with light by turning on each lamp 10a.
  • the irradiation unit 10 is configured to be movable in the vertical direction (lifting direction) by the moving mechanism 11, and the irradiation position close to the cup 3 (position close to the surface of the substrate W as shown by the solid line in FIG. 1). ) And a standby position separated from the cup 3 by a predetermined distance (position separated from the surface of the substrate W as indicated by a one-dot chain line in FIG. 1).
  • the irradiation unit 10 is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • the irradiating unit 10 for example, a unit in which a plurality of straight tube type lamps 10a are provided in parallel or a unit in which a plurality of light bulb type lamps 10a are provided in an array can be used.
  • the lamp 10a for example, a halogen lamp or a xenon flash lamp (for example, a flash lamp having a wavelength of 400 to 1000 nm) can be used.
  • the irradiation unit 10 functions as a heating unit that heats the substrate W.
  • various irradiation units that irradiate the substrate W on the table 4 with an electromagnetic wave can be used.
  • the lamp 10 a that irradiates light for example, the substrate on the table 4
  • a far-red heater that irradiates W with far-infrared rays, a microwave heater that irradiates microwaves, or the like can be used.
  • the moving mechanism 11 includes a holding unit that holds the irradiation unit 10, a mechanism that moves the holding unit in the ascending / descending direction of the irradiation unit 10, a motor (not shown) that serves as a drive source, and the like.
  • the irradiation unit 10 is moved together with the holding unit by driving.
  • the moving mechanism 11 is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • the control unit 12 includes a microcomputer that centrally controls each unit, and a storage unit that stores substrate processing information and various programs related to substrate processing. This control unit 12 is based on the substrate processing information and various programs, and includes the rotation mechanism 5, the first processing liquid supply unit 6, the second processing liquid supply unit 7, the solvent supply unit 8, the gas supply unit 9, and the irradiation unit 10.
  • the first processing liquid supply unit 6 supplies the first processing liquid to the surface of the substrate W on the rotating table 4 and the second processing liquid supply unit 7 controls the moving mechanism 11 and the like. 2, supply of a volatile solvent by the solvent supply unit 8, supply of a gas by the gas supply unit 9, and irradiation (heating) by the irradiation unit 10 are performed.
  • the substrate W is set on the table 4 and the preparation is completed.
  • the irradiation unit 10 stands by at a standby position (see the alternate long and short dash line in FIG. 1) separated from the cup 3 by a predetermined distance.
  • the control unit 12 controls the rotation mechanism 5 to rotate the table 4 at a predetermined number of rotations (step S1), and then controls the first processing liquid supply unit 6 to rotate.
  • the first processing liquid that is, APM
  • APM is supplied for a predetermined time from the first nozzle 6a to the surface of the substrate W on the table 4 (step S2).
  • APM as the first processing liquid is discharged from the first nozzle 6a toward the center of the substrate W on the rotating table 4, and spreads over the entire surface of the substrate W due to the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. .
  • the surface of the substrate W on the table 4 is covered with the APM and processed.
  • the processing conditions such as the number of rotations and the predetermined time of the table 4 are set in advance, but can be arbitrarily changed by the operator.
  • step S ⁇ b> 2 the control unit 12 stops the supply of the first processing liquid, and then controls the second processing liquid supply unit 7, so that the second nozzle is formed on the surface of the substrate W on the rotating table 4.
  • a second processing liquid that is, ultrapure water is supplied from 7a for a predetermined time (step S3).
  • the ultrapure water as the second treatment liquid is discharged from the second nozzle 7a toward the center of the substrate W on the rotating table 4, and spreads over the entire surface of the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. To go. As a result, the surface of the substrate W on the table 4 is covered and cleaned with the ultrapure water.
  • step S3 the control unit 12 stops the supply of the second processing liquid, then controls the moving mechanism 11, lowers the irradiation unit 10 from the standby position to the irradiation position, and further turns the gas supply unit 9 on.
  • a controlled gas is supplied from the nozzle 9a to the surface of the substrate W on the rotating table 4 for a predetermined time (step S4). At this time, each lamp 10a of the irradiation unit 10 is not turned on. Nitrogen gas is discharged from the nozzle 9 a toward the center of the substrate W on the rotating table 4, and spreads over the entire surface of the substrate W due to the airflow generated by the rotation of the substrate W.
  • the space between the surface of the substrate W on the table 4 and the irradiation unit 10 becomes a nitrogen atmosphere.
  • the oxygen concentration can be reduced and the generation of watermarks on the surface of the substrate W can be suppressed.
  • the space between the surface of the substrate W on the table 4 and the irradiation unit 10 is narrowed when the irradiation unit 10 is moved from the standby position to the irradiation position, the time for the space to be a nitrogen atmosphere is shortened. The entire processing time can be shortened.
  • step S4 the control unit 12 stops the supply of nitrogen gas, and then controls the solvent supply unit 8, and a predetermined amount of volatile solvent, that is, IPA is supplied from the nozzle 8a to the surface of the substrate W on the rotating table 4.
  • Supply time step S5.
  • the supply of IPA is preferably performed before the ultrapure water is dried.
  • the IPA as the volatile solvent is discharged from the nozzle 8a toward the center of the substrate W on the rotating table 4, and spreads over the entire surface of the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W. As a result, the surface of the substrate W on the table 4 is replaced with IPA from ultrapure water.
  • the temperature of the IPA discharged from the nozzle 8a of the solvent supply unit 8 is less than its boiling point, and the entire surface of the substrate W is supplied by reliably supplying the IPA to the surface of the substrate W in a liquid state.
  • the ultrapure water is evenly replaced with IPA.
  • IPA is continuously supplied to the substrate W in a liquid state.
  • the rotation speed of the table 4 at the time of IPA supply, that is, the substrate W is set so that the volatile solvent film becomes a thin film on the surface of the substrate W so that the surface of the substrate W is not exposed. Further, regarding the supply of the nitrogen gas from the nozzle 9a, the supply of the nitrogen gas may not be stopped after step S4 but may be continued in step S5.
  • step S5 the control unit 12 stops the supply of the volatile solvent, and then controls the irradiation unit 10 to turn on each lamp 10a of the irradiation unit 10 and to set the substrate W on the rotating table 4 to a predetermined level.
  • Heat for a time step S6.
  • the irradiation unit 10 can perform heating that allows the temperature of the substrate W to be 100 degrees or more in 10 seconds. For this reason, it becomes possible to instantaneously dry the surface of the substrate W on which the IPA remains.
  • the heating by irradiation of the irradiation part 10 is started after the supply of IPA is stopped, the present invention is not limited to this, and the heating may be started during the supply of IPA.
  • the irradiation unit 10 in order to suppress the pattern collapse, it is important to heat the substrate W to a high temperature of one hundred degrees or more in several seconds as described above. Furthermore, it is necessary to heat only the substrate W without heating the IPA. In order to reach this instantaneously high temperature, it is desirable to use the irradiation unit 10 having a peak intensity at a wavelength of 400 to 3000 nm.
  • the final temperature of the substrate W (the final temperature reached by heating) is desirably a heating temperature that is 20 ° C. higher than the boiling point of the treatment liquid or solvent at atmospheric pressure.
  • the time to reach the final temperature is within 10 seconds, for example, within a range of several tens of milliseconds to several seconds.
  • step S6 the control unit 12 controls the moving mechanism 11, raises the irradiation unit 10 from the irradiation position to the standby position, then controls the irradiation unit 10, turns off each lamp 10a of the irradiation unit 10, The heating of the substrate W is stopped (step S7). Finally, the rotation mechanism 5 is controlled to stop the rotation of the substrate W (step S8), and the processing is completed. Thereafter, the substrate W is removed from each support member 4a of the table 4 and carried out.
  • the irradiation unit 10 since the irradiation unit 10 is positioned at the standby position prior to the unloading of the substrate W, it is possible to prevent the irradiation unit 10 from becoming an obstacle when the substrate W is unloaded. Further, even when the substrate W is set on the table 4 in the processing box 2, the irradiation unit 10 is positioned at the standby position, thereby preventing the irradiation unit 10 from being in the way when the substrate W is loaded. it can. Further, when the first processing liquid or the second processing liquid is supplied to the substrate W, it is possible to prevent the processing liquid from adhering to the irradiation unit 10 by positioning the irradiation unit 10 at the standby position. .
  • step S6 using the irradiation unit 10 described above, the heating by the irradiation unit 10 causes the liquid A1 to vaporize from around the pattern P on the surface of the substrate W as shown in FIG. The surface will dry instantly.
  • the irradiation unit 10 generates the gas layer A2 on the surface of the substrate W to which the liquid A1 is supplied so as to make the liquid A1 into a liquid ball (generates a liquid ball of the liquid A1). Only the substrate W is heated instantaneously.
  • the liquid A1 in contact with the pattern P on the surface of the substrate W starts to vaporize earlier than the liquid A1 in other portions.
  • a gas layer a collection of bubbles
  • a gas layer A2 is generated like a thin film around the pattern P on the surface of the substrate W by vaporization (boiling) of the liquid A1.
  • the liquid A1 between the adjacent patterns P is dried while being pushed out to the surface of the substrate W by the gas layer A2.
  • the volatile solvent liquid A1 in contact with the pattern P on the surface of the substrate W is instantaneously vaporized, and the volatile solvent in other portions on the surface of the substrate W is obtained.
  • the liquid A1 immediately turns into liquid balls (liquid ball formation phenomenon).
  • the liquid balls thus generated are blown from the substrate W by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate W, and as a result, the drying of the substrate W is completed. In this way, it is possible to suppress the liquid A1 from remaining between some patterns, and the drying speed of the liquid A1 on the surface of the substrate W becomes uniform. Therefore, the collapse force (for example, The pattern P can be prevented from collapsing due to surface tension or the like.
  • the drying speed of the liquid A1 is uneven in the process of drying the IPA liquid A1, and as shown in FIG.
  • the liquid A1 remains, and the pattern P collapses due to the collapse force of the liquid A1 in that portion.
  • one width of the pattern P is 20 nm and its height is 200 nm (the height is 10 times the width).
  • the pattern P is a fine pattern, and the liquid A1 entering the gap between the patterns P is difficult to dry. For this reason, even after the other portions are dried, the liquid A1 remains between some patterns P, and the pattern collapses due to the collapse force of the liquid A1.
  • the substrate W supplied with the volatile solvent for example, IPA
  • the volatile solvent for example, IPA
  • vaporization condensation
  • the surface of the substrate W can be instantly dried without leaving a volatile solvent between the patterns by the gas layer generated at this time.
  • heating by irradiation of the irradiation unit 10 may be started during the supply of the volatile solvent.
  • the drying time of the substrate W can be shortened as compared with the case where heating is started after the supply of the volatile solvent is completed, so that the entire processing time can be shortened.
  • APM is used as the first processing liquid.
  • SPM mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution
  • APM does not easily react with IPA, but SPM easily reacts with IPA.
  • the supply of the volatile solvent such as IPA is started after the supply of the cleaning liquid to the substrate W is stopped.
  • the supply of the volatile solvent may be started from when the processing liquid is supplied to the substrate W.
  • the second embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be omitted.
  • a nozzle 8 a and a nozzle 9 a of the gas supply unit 9 are provided in the irradiation unit 10. These nozzles 6a, 7a, 8a and 9a are formed so as to be able to supply respective fluids (first processing liquid, second processing liquid, volatile solvent or gas) to the surface of the substrate W on the table 4. Yes.
  • each nozzle 6a, 7a, 8a, and 9a the material which is not deform
  • materials such as quartz which is not heated by each lamp
  • the nozzles 6a, 7a, 8a, and 9a are located immediately above the substrate W on the table 4, so that even when the flow rate when supplying liquid or gas is low, The liquid or gas can be easily supplied to the center of the substrate. Further, since the surface of the substrate W can be coated with the liquid even if the flow rate of the supplied liquid is reduced, the amount of liquid used can be reduced. Similarly, even if the flow rate of the supplied gas is reduced, the space on the surface of the substrate W can be made the supplied gas atmosphere, so that the amount of gas used can be reduced.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by providing the nozzles 6a, 7a, 8a, and 9a in the irradiation unit 10, the liquid and the gas can be easily supplied to the center of the substrate even when the flow rate when supplying the liquid and the gas is low. In addition, the flow rate of the liquid or gas can be reduced, and the amount of the liquid or gas used can be reduced.
  • the third embodiment is basically the same as the second embodiment. Therefore, in the third embodiment, differences from the second embodiment will be described, the same parts as those described in the second embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be omitted.
  • the irradiation unit 10 is located below the substrate W, that is, between the substrate W and the table 4 on each support member 4a. It is provided to irradiate light onto the surface of the substrate W on the table 4 side. As in the second embodiment, the irradiation unit 10 can be moved in the ascending / descending direction (vertical direction) by the moving mechanism 11.
  • the irradiation unit 10 is located between the substrate W on each support member 4a and the table 4, a space above the substrate W on each support member 4a is formed. It is possible to open the space, and other members and devices (for example, the nozzles 6a, 7a, 8a, and 9a) can be easily provided in the space without having a complicated structure.
  • the same effect as that of the second embodiment can be obtained. Further, by providing the irradiation unit 10 below the substrate W on each support member 4a, for example, between the substrate W on each support member 4a and the table 4, a space above the substrate W on each support member 4a is provided. Since it becomes possible to open, other members or devices can be easily installed in the space.
  • the fourth embodiment is basically the same as the first embodiment. For this reason, in the fourth embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will also be omitted.
  • the irradiation unit 10A is a line laser that emits line laser light.
  • the irradiation unit 10 ⁇ / b> A has a length in the longitudinal direction longer than the diameter of the substrate W, and is configured to be movable along the surface of the substrate W on the table 4 by the moving mechanism 11 ⁇ / b> A.
  • the irradiation unit 10A heats the substrate W so as to generate a gas layer (gas layer) on the surface of the substrate W supplied with the volatile solvent.
  • the moving mechanism 11A includes a pair of moving mechanisms 21 and 22 (see FIG. 8) that hold and move the irradiation unit 10A, a support 23 that supports the moving mechanism 21, and a support 24 that supports the moving mechanism 22 (see FIG. 8). ).
  • the pair of moving mechanisms 21 and 22 hold the irradiation unit 10A so that the irradiation unit 10A is positioned above the substrate W on the table 4, and move in parallel along the surface of the substrate W on the table 4.
  • these moving mechanisms 21 and 22 for example, a feed screw type moving mechanism using a servo motor as a driving source, a linear motor type moving mechanism using a linear motor as a driving source, or the like can be used.
  • the irradiation unit 10A uses a pair of moving mechanisms 21 and 22 in parallel along the surface of the substrate W on the rotating table 4 when performing heat drying.
  • the irradiation unit 10A moves from the center of the substrate W to the outer periphery, for example.
  • a gas layer gas layer
  • the surface of the substrate W is instantaneously dried. It will be.
  • the irradiation unit 10A is provided on the upper part of the moving mechanism 11B that functions as a support, and the moving mechanism 11B uses the axis of the moving mechanism 11B that is the support as a rotation axis along the surface of the substrate W. It is configured to be swingable (rotatable).
  • the irradiation unit 10A is rotated about the rotation axis by the moving mechanism 11B, and irradiates the laser beam while moving (swinging) in parallel along the surface of the substrate W on the rotating table 4.
  • the entire surface of the substrate W is irradiated with laser light.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, by using the line laser type irradiation unit 10A, it is possible to prevent the irradiation apparatus from becoming larger than the irradiation unit that covers the entire surface of the substrate W on the table 4.
  • the fifth embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the fifth embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be omitted.
  • a decompression unit 31 for decompressing the inside of the processing box 2 is provided.
  • the decompression unit 31 includes a pipe 31a connected to the processing box 2, and a decompression pump 31b provided in the middle of the pipe 31a.
  • the decompression pump 31 b is electrically connected to the control unit 12, and its driving is controlled by the control unit 12.
  • Such a decompression part 31 exhausts the gas in the processing box 2 from the piping 31a by driving the decompression pump 31b, decompresses the inside of the processing box 2, and puts it in a vacuum state.
  • the inside of the processing box 2 is decompressed to a predetermined vacuum pressure by the decompression unit 31.
  • heat drying by the irradiation unit 10 is executed (step S6 in FIG. 2 in the first embodiment).
  • the boiling point of IPA is lowered due to the reduced pressure in the processing box 2, and the above-described liquid ball formation phenomenon can be caused at a heating temperature lower than that in the atmosphere as the boiling point is lowered. For this reason, heating drying can be performed even when the substrate W to be handled is not suitable for high-temperature heating.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, by performing heat drying by the irradiation unit 10 with the inside of the processing box 2 in a reduced pressure state, the boiling point of the liquid existing on the surface of the substrate W in the processing box 2 is lowered, and the boiling point is lowered, so that it is lower than in the atmosphere. It becomes possible to cause a liquid ball formation phenomenon at a low heating temperature. For this reason, even when the substrate W to be handled is not suitable for high-temperature heating as compared with the case where the drying by the irradiation unit 10 is performed without reducing the inside of the processing box 2, the drying is performed at a lower heating temperature than in the atmosphere. It is possible to perform good substrate drying while reliably suppressing pattern collapse.
  • the sixth embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, in the sixth embodiment, differences from the first embodiment will be described, the same parts as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and the description thereof will also be omitted.
  • a transport unit 41 for transporting the substrate W is provided.
  • the transport unit 41 unloads the substrate W from the table 4 in the processing box 2 and transports the substrate W to a buffer unit 42 that accommodates a large number of substrates W.
  • the substrate processing apparatus 1 according to the sixth embodiment does not include the irradiation unit 10 according to the first embodiment, and in the substrate processing step according to the sixth embodiment, heat drying by the irradiation unit 10 is not performed. Without being executed, the swing-off drying is performed by the rotation of the substrate W.
  • the transport unit 41 includes a transport arm 41 a that can transport the substrate W between the processing box 2 and the buffer unit 42, a transport arm heater 41 b that is attached to the transport arm 41 a and supports the substrate W, and a transport arm.
  • a gas blowing part 41c for blowing a gas (for example, an inert gas such as nitrogen gas) toward the substrate W on the heater 41b and an exhaust part 41d for sucking and exhausting the gas returning from the substrate W are provided. .
  • the transfer arm heater 41b heats the substrate W instantaneously to a high temperature during the transfer of the substrate W, supports the substrate W, and functions as a heating unit that heats the supporting substrate W. As in the first embodiment, the transfer arm heater 41b heats the substrate W so as to generate a gas layer (gas layer) on the surface of the substrate W supplied with the volatile solvent. Since the substrate W taken out from the processing box 2 is only shaken and dried in the processing box 2, it is placed on the transport arm heater 41b in a state where the volatile solvent is not completely dried (a state where the volatile solvent is attached to some extent). Will be placed.
  • the gas blowing section 41c and the exhaust section 41d are provided along the transport path of the substrate W from the processing box 2 to the buffer section 42 (transport path of the substrate W by the transport arm 41a).
  • the gas blowing part 41c is positioned upstream of the exhaust part 41d in the transport direction of the substrate W. Therefore, the exhaust part 41d is located on the downstream side of the gas blowing part 41c and is installed so as to suck in the gas blown out from the gas blowing part 41 and hitting the surface of the substrate W.
  • the gas spraying part 41c blows and removes the liquid balls of the volatile solvent generated on the surface of the substrate W by the heating of the transport arm heater 41b, and is located above the transport path of the substrate W. It is provided so as to be inclined with respect to the surface of the substrate W on the arm heater 41b.
  • the gas blowing part 41c blows out gas from a slit-like opening (not shown) having a width substantially equal to or larger than the substrate width in the direction perpendicular to the transport direction of the substrate W.
  • the exhaust part 41d sucks the liquid balls blown off by the gas spraying part 41c so as not to be scattered in the transport path, and is positioned above the transport path of the substrate W, and the transport arm heater 41b. It is provided so as to be perpendicular to the surface of the upper substrate W.
  • the exhaust part 41d sucks gas from a slit-like opening (not shown) having an opening width that is substantially the same as or larger than the substrate width in the direction perpendicular to the transport direction of the substrate W.
  • the substrate W taken out from the processing box 2 is placed on the transport arm heater 41b in the heater-off state.
  • the transfer arm 41a moves from right to left in FIG.
  • the heater is turned on when the transfer arm heater 41b approaches the gas blowing part 41c, and the substrate W is rapidly heated by turning on the heater.
  • a liquid ball of a volatile solvent is generated on the surface of the substrate W.
  • the liquid ball of the volatile solvent generated on the surface of the substrate W is blown off from the surface of the substrate W by the gas from the gas spraying part 41c, and is sucked and removed by the exhaust part 41d.
  • the surface of the substrate W is instantly dried. Note that when the substrate W is heated, the substrate W is transported in one direction and does not rotate.
  • the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by performing heat drying by the transfer arm heater 41b during the transfer of the substrate W, it is possible to perform good substrate drying while suppressing pattern collapse without performing heat drying in the processing box 2. Become. For this reason, heating and drying in the processing box 2 can be omitted, and the substrate processing time in the processing box 2 can be shortened.
  • the gas blowing part 41c and the exhaust part 41d are provided above the transport path of the substrate W (so as to be positioned above the substrate W).
  • the gas blowing part 41c may be provided beside the transport path of the substrate W, and the exhaust part 41d may be provided on the opposite side. In this case, gas is blown from the side to the surface of the substrate W on the transfer arm heater 41b, and the gas is sucked from the opposite side.
  • the liquid ball of the volatile solvent generated on the surface of the substrate W by the rapid heating by the transfer arm heater 41b may be removed from the surface of the substrate W by tilting the substrate W. This is because the substrate W is rapidly heated by the transfer arm heater 41b during the transfer of the substrate W, and then the transfer arm 41a is rotated around an axis along the transfer direction, for example. This can be done by inclining. By tilting the substrate W, the liquid balls of the volatile solvent are removed from the surface of the substrate W so as to slide on the surface of the substrate W.

Abstract

　実施形態に係る基板処理装置（１）は、基板Ｗを支持するテーブル（４）と、そのテーブル（４）上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部（８）と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗに対して光を照射し、その揮発性溶媒が供給された基板Ｗの表面に気層を生じさせて揮発性溶媒を液玉化させるように基板Ｗを加熱する加熱部として機能する照射部（１０）とを備える。これにより、パターンの倒壊を抑えつつ良好な基板乾燥を行うことができる。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　基板処理装置は、半導体などの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液を供給してその基板表面を処理し、その後、基板表面を乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、処理液の表面張力などに起因している。
　そこで、前述のパターン倒壊を抑制することを目的として、表面張力が超純水よりも小さいＩＰＡ（２－プロパノール：イソプロピルアルコール）を用いた基板乾燥が提案されており（例えば、特許文献１参照）、基板表面上の超純水をＩＰＡに置換して基板乾燥を行う処理方法が量産工場などで用いられている。
特開２００８－３４７７９号公報
　しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、ＩＰＡのように揮発性が高い有機溶媒を用いた乾燥であっても、ウェーハの微細パターンが液体の表面張力などにより倒れてしまうことがある。
　例えば、液体が乾燥していく過程で基板表面の乾燥速度に不均一が生じ、一部のパターン間に液体が残ると、その部分の液体の表面張力によってパターンが倒壊してしまう。特に、液体が残った部分のパターン同士が液体の表面張力による弾性変形によって倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集し、その後に液体が完全に気化すると、倒れたパターン同士が固着して倒壊してしまう。
　本発明が解決しようとする課題は、パターンの倒壊を抑えつつ良好な基板乾燥を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
　実施形態に係る基板処理装置は、基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、揮発性溶媒が供給された基板の表面に気層を生じさせて揮発性溶媒を液玉化させるように基板を加熱する加熱部とを備える。
　実施形態に係る基板処理方法は、基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、揮発性溶媒が供給された基板の表面に気層を生じさせて揮発性溶媒を液玉化させるように基板を加熱する工程とを有する。
　本発明によれば、パターンの倒壊を抑えつつ良好な基板乾燥を行うことができる。
第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る基板処理工程の流れを示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る照射部による乾燥を説明するための説明図である。 第１の実施形態に係る照射部を使用しない場合の乾燥を説明するための説明図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第３の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第４の実施形態に係る照射部用の移動機構の概略構成を示す平面図である。 第４の実施形態に係る照射部用の移動機構の他の一例を示す平面図である。 第５の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第６の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
　（第１の実施形態）
　第１の実施形態について図１ないし図４を参照して説明する。
　図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、処理室となる処理ボックス２と、その処理ボックス２内に設けられたカップ３と、そのカップ３内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４と、そのテーブル４を水平面内で回転させる回転機構５とを備えている。さらに、基板処理装置１は、テーブル４上の基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給部６と、テーブル４上の基板Ｗの表面に第２の処理液を供給する第２の処理液供給部７と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部８と、ガスを供給するガス供給部９と、光を照射する照射部１０と、その照射部１０を移動させる移動機構１１と、各部を制御する制御部１２とを備えている。
　カップ３は、円筒形状に形成されており、テーブル４を周囲から囲んで内部に収容する。カップ３の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、テーブル４上の基板Ｗが露出するように開口している。このカップ３は、回転する基板Ｗ上から流れ落ちたあるいは飛散した処理液を受け取る。なお、カップ３の底部には、受け取った処理液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
　テーブル４は、カップ３内の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル４は、ピンなどの支持部材４ａを複数有しており、これらの支持部材４ａにより、ウェーハや液晶基板などの基板Ｗを着脱可能に保持する。
　回転機構５は、テーブル４に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動により回転軸を介してテーブル４を回転させる。この回転機構５は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。
　第１の処理液供給部６は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から第１の処理液を吐出するノズル６ａを有しており、このノズル６ａからテーブル４上の基板Ｗの表面に第１の処理液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。ノズル６ａはカップ３の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速などは基板Ｗの表面中心付近に第１の処理液が供給されるように調整されている。この第１の処理液供給部６は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。なお、第１の処理液供給部６は、第１の処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。
　第２の処理液供給部７は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から第２の処理液を吐出するノズル７ａを有しており、このノズル７ａからテーブル４上の基板Ｗの表面に第２の処理液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。ノズル７ａはカップ３の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速などは基板Ｗの表面中心付近に第２の処理液が供給されるように調整されている。この第２の処理液供給部７は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。なお、第２の処理液供給部７は、第２の処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。
　溶媒供給部８は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から揮発性溶媒を吐出するノズル８ａを有しており、このノズル８ａからテーブル４上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。ノズル８ａはカップ３の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速などは基板Ｗの表面中心付近に揮発性溶媒が供給されるように調整されている。この溶媒供給部８は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。なお、溶媒供給部８は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。
　ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノールなどの１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテルなどのエーテル類などを用いることが可能である。なお、揮発性溶媒は、水に可溶であることが好ましい。
　ガス供給部９は、テーブル４上の基板Ｗの表面に対して斜め方向からガスを吐出するノズル９ａを有しており、このノズル９ａからテーブル４上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガスを供給し、基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル９ａはカップ３の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速などは基板Ｗの表面中心付近にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部９は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。なお、ガス供給部９は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。
　ここで、供給するガスとしては、窒素ガス以外の不活性ガス、例えば、アルゴンガスや二酸化炭素ガス、ヘリウムガスなどを用いることが可能である。この不活性ガスが基板Ｗの表面に供給されるため、基板Ｗの表面上の酸素を除去し、ウォータマーク（水シミ）の生成を防ぐことが可能となる。なお、供給するガスは、加熱されたガスであることが好ましい。
　照射部１０は、複数のランプ１０ａを有しており、テーブル４の上方に設けられ、各ランプ１０ａの点灯によりテーブル４上の基板Ｗの表面に光を照射する。この照射部１０は移動機構１１により上下方向（昇降方向）に移動可能に構成されており、カップ３に近接した照射位置（図１中の実線で示すように、基板Ｗの表面に近接した位置）とカップ３から所定距離だけ離間した待機位置（図１中の一点鎖線で示すように、基板Ｗの表面から離間した位置）とに移動する。照射部１０は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。
　ここで、照射部１０としては、例えば、直管タイプのランプ１０ａを複数本並列に設けたものや電球タイプのランプ１０ａを複数個アレイ状に設けたものなどを用いることが可能である。また、ランプ１０ａとしては、例えば、ハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ（一例として、４００～１０００ｎｍの波長光を有するフラッシュランプ）などを用いることが可能である。
　この照射部１０は、基板Ｗを加熱する加熱部として機能する。なお、照射部１０としては、テーブル４上の基板Ｗに対して電磁波を照射する各種の照射部を用いることが可能であり、光を照射するランプ１０ａ以外にも、例えば、テーブル４上の基板Ｗに対して遠赤外線を照射する遠赤ヒータやマイクロ波を照射するマイクロ波ヒータなどを用いることが可能である。
　移動機構１１は、照射部１０を保持する保持部やその保持部を照射部１０の昇降方向に移動させる機構、駆動源となるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動により保持部と共に照射部１０を移動させる。この移動機構１１は制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。
　制御部１２は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部１２は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構５や第１の処理液供給部６、第２の処理液供給部７、溶媒供給部８、ガス供給部９、照射部１０、移動機構１１などを制御し、回転中のテーブル４上の基板Ｗの表面に対し、第１の処理液供給部６による第１の処理液の供給、第２の処理液供給部７による第２の処理液の供給、溶媒供給部８による揮発性溶媒の供給、ガス供給部９によるガスの供給及び照射部１０による照射（加熱）などの制御を行う。
　次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理（基板処理方法）について図２を参照して説明する。なお、テーブル４上には基板Ｗがセットされており、前準備は完了している。また、照射部１０はカップ３から所定距離だけ離間した待機位置（図１中の一点鎖線参照）で待機している。
　図２に示すように、まず、制御部１２は回転機構５を制御し、テーブル４を所定の回転数で回転させ（ステップＳ１）、次いで、第１の処理液供給部６を制御し、回転するテーブル４上の基板Ｗの表面に第１のノズル６ａから第１の処理液、すなわちＡＰＭを所定時間供給する（ステップＳ２）。第１の処理液としてのＡＰＭは、第１のノズル６ａから、回転するテーブル４上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。なお、テーブル４の回転数や所定時間などの処理条件はあらかじめ設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
　ステップＳ２の後、制御部１２は、第１の処理液の供給を停止させてから、第２の処理液供給部７を制御し、回転するテーブル４上の基板Ｗの表面に第２のノズル７ａから第２の処理液、すなわち超純水を所定時間供給する（ステップＳ３）。第２の処理液としての超純水は、第２のノズル７ａから、回転するテーブル４上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
　ステップＳ３の後、制御部１２は、第２の処理液の供給を停止させてから、移動機構１１を制御し、照射部１０を待機位置から照射位置に下降させ、さらに、ガス供給部９を制御し、回転するテーブル４上の基板Ｗの表面にノズル９ａからガス、すなわち窒素ガスを所定時間供給する（ステップＳ４）。なお、このとき照射部１０の各ランプ１０ａは、点灯させていない。窒素ガスは、ノズル９ａから、回転するテーブル４上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による気流によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４上の基板Ｗの表面と照射部１０との間の空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。なお、照射部１０が待機位置から照射位置に移動することで、テーブル４上の基板Ｗの表面と照射部１０との間の空間は狭くなるので、その空間を窒素雰囲気とする時間を短くし、全体の処理時間を短縮することができる。
　ステップＳ４の後、制御部１２は、窒素ガスの供給を停止させてから、溶媒供給部８を制御し、回転するテーブル４上の基板Ｗの表面にノズル８ａから揮発性溶媒、すなわちＩＰＡを所定時間供給する（ステップＳ５）。なお、ＩＰＡの供給は、超純水が乾燥する前に行われることが好ましい。揮発性溶媒としてのＩＰＡは、ノズル８ａから、回転するテーブル４上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。このとき、溶媒供給部８のノズル８ａから吐出されるＩＰＡの温度はその沸点未満とされており、ＩＰＡを確実に液体の状態として基板Ｗの表面に供給することによって、基板Ｗの表面の全域において超純水がＩＰＡに均等に置換される。本実施形態において、基板Ｗに対してＩＰＡは、液体の状態で連続的に供給される。
　なお、ＩＰＡ供給時のテーブル４、すなわち基板Ｗの回転数は、基板Ｗの表面が露出しない程度に、揮発性溶媒の膜が基板Ｗの表面上で薄膜となるように設定されている。また、ノズル９ａからの窒素ガスの供給に関して、ステップＳ４の後に窒素ガスの供給を停止させず、ステップＳ５においても継続させるようにしても良い。
　ステップＳ５の後、制御部１２は、揮発性溶媒の供給を停止させてから、照射部１０を制御し、照射部１０の各ランプ１０ａを点灯して、回転するテーブル４上の基板Ｗを所定時間加熱する（ステップＳ６）。このとき、照射部１０は、基板Ｗの温度が１０秒で１００度以上になることを可能にする加熱を行うことができる。このため、ＩＰＡが残留している基板Ｗの表面を瞬時に乾燥することが可能となる。なお、照射部１０の照射による加熱はＩＰＡの供給停止後に開始されているが、これに限るものではなく、ＩＰＡの供給中から加熱を開始しても良い。
　ここで、照射部１０による加熱乾燥では、パターン倒壊を抑止するため、前述のように数秒で百度以上の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。さらに、ＩＰＡを加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。この瞬時の高温到達のためには、波長４００～３０００ｎｍにピーク強度を有する照射部１０を用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧における沸点よりも２０℃以上高めの加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が１０秒以内、例えば、数１０ｍｓｅｃ～数秒の範囲内であることが望ましい。
　ステップＳ６の後、制御部１２は移動機構１１を制御し、照射部１０を照射位置から待機位置に上昇させ、次いで、照射部１０を制御し、照射部１０の各ランプ１０ａを消灯して、基板Ｗの加熱を停止し（ステップＳ７）、最後に、回転機構５を制御し、基板Ｗの回転を停止して（ステップＳ８）、処理が完了する。その後、基板Ｗがテーブル４の各支持部材４ａから取り外されて搬出される。
　なお、基板Ｗの搬出に先立ち、照射部１０が待機位置に位置付けられるため、基板Ｗの搬出時に照射部１０が邪魔になることを防止することができる。また、処理ボックス２内のテーブル４に基板Ｗがセットされる時にも、照射部１０を待機位置に位置づけておくことで、基板Ｗの搬入時に照射部１０が邪魔になることを防止することができる。さらに、基板Ｗに第１の処理液や第２の処理液を供給する時、照射部１０を待機位置に位置付けておくことで、処理液が照射部１０に付着することを抑止することができる。
　前述の照射部１０を用いた乾燥工程（ステップＳ６）では、その照射部１０による加熱によって、図３に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲から液体Ａ１が気化するため、基板表面は瞬時に乾燥することになる。このとき、照射部１０は、液体Ａ１が供給された基板Ｗの表面に気層Ａ２を生じさせて液体Ａ１を液玉化させる（液体Ａ１の液玉を生成する）ように、前述の最終温度まで基板Ｗだけを瞬時に加熱する。
　詳しくは、基板Ｗが照射部１０の照射によって瞬時に加熱されると、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している液体Ａ１が他の部分の液体Ａ１よりも早く気化を始める。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、すなわち気層Ａ２が薄膜のように生成される。このため、隣り合うパターンＰの間の液体Ａ１は、気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら乾燥が進行することになる。
　つまり、基板Ｗを瞬時に加熱することで、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が瞬時に気化し、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１が直ちに液玉化する（液玉化現象）。こうして生成された液玉は、基板Ｗの回転による遠心力で基板Ｗ上から飛ばされ、結果的に基板Ｗの乾燥が完了する。このようにして、一部のパターン間に液体Ａ１が残留することを抑えることが可能となり、基板Ｗの表面における液体Ａ１の乾燥速度は均一となるため、残留した液体Ａ１による倒壊力（例えば、表面張力など）によってパターンＰが倒壊することを抑止することができる。
　一方、照射部１０を使用しない場合の乾燥では、ＩＰＡの液体Ａ１が乾燥していく過程で液体Ａ１の乾燥速度に不均一が生じ、図４に示すように、一部のパターンＰの間に液体Ａ１が残り、その部分の液体Ａ１による倒壊力によってパターンＰが倒壊してしまう。例えば、パターンＰの一つの幅は２０ｎｍであり、その高さは２００ｎｍである（幅に対して高さが１０倍である）。このようにパターンＰが微細なパターンであり、そのパターンＰの間の隙間に入り込んだ液体Ａ１は乾燥しづらくなる。このため、他の部分が乾燥した後も、一部のパターンＰの間には液体Ａ１が残り、その液体Ａ１による倒壊力によってパターンが倒壊してしまう。
　以上説明したように、第１の実施形態によれば、揮発性溶媒（例えば、ＩＰＡ）が供給された基板Ｗに対して光を照射し、その揮発性溶媒が供給された基板Ｗの表面にガスの層（気層）を生じさせるように基板Ｗを加熱することによって、基板Ｗ上のパターンに接触する揮発性溶媒から気化（沸騰）を進行させる。このとき発生するガスの層によりパターン間に揮発性溶媒を残すことなく、基板Ｗの表面を瞬時に乾燥することが可能となる。このように、揮発性溶媒がパターン間に残ることを防止し、残留した揮発性溶媒によるパターン倒壊を抑止することが可能となるので、パターン倒壊を抑えつつ良好な基板乾燥を行うことができる。
　また、揮発性溶媒の供給完了後に照射部１０の照射による加熱を行うことによって、揮発性溶媒の供給量が少なくても、揮発性溶媒を基板Ｗの表面全体に確実に行き渡らすことが可能であり、確実な乾燥を実現することができる。つまり、加熱が供給中に実行されると、その熱によって供給中の揮発性溶媒が気化してしまい、揮発性溶媒が基板の表面全体に行き渡らないことがあるが、揮発性溶媒の供給完了後に加熱を行うことによってそれを抑止することが可能となる。
　一方、揮発性溶媒の供給量が十分であり、揮発性溶媒が基板の表面全体に行き渡るときには、揮発性溶媒の供給中に照射部１０の照射による加熱を開始するようにしても良い。この場合には、揮発性溶媒の供給完了後に加熱を開始する場合と比べ、基板Ｗの乾燥時間を短くすることが可能となるので、全体の処理時間を短縮することができる。
　なお、前述の実施形態では、第１の処理液としてＡＰＭを用いているが、これに限るものではなく、例えば、ＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液）を用いることが可能である。ＡＰＭはＩＰＡと反応しにくいが、ＳＰＭはＩＰＡと反応しやすい。このＳＰＭとＩＰＡの反応を避けるために、ＳＰＭ処理を行う第１のスピン処理モジュールと、照射部１０による加熱及びＩＰＡ乾燥を行う第２のスピン処理モジュールとを別体として設けることが望ましい。この場合には、第１のスピン処理モジュールのＳＰＭ処理後、乾燥処理を実行せずに第２のスピン処理モジュールに基板Ｗを搬送し、その第２のスピン処理モジュールにより乾燥処理を行う。
　また、前述の実施形態では、基板Ｗに対する洗浄液の供給が停止してからＩＰＡなどの揮発性溶媒の供給を開始したが、超純水などの第２の処理液による洗浄の終期で、まだその処理液が基板Ｗに対して供給されているときから揮発性溶媒の供給を開始させるようにしても良い。
　（第２の実施形態）
　第２の実施形態について図５を参照して説明する。
　第２の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
　図５に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１においては、第１の処理液供給部６のノズル６ａ、第２の処理液供給部７のノズル７ａ、溶媒供給部８のノズル８ａ及びガス供給部９のノズル９ａが照射部１０内に設けられている。これらのノズル６ａ、７ａ、８ａ及び９ａは、テーブル４上の基板Ｗの表面にそれぞれの流体（第１の処理液、第２の処理液、揮発性溶媒又はガス）を供給可能に形成されている。なお、各ノズル６ａ、７ａ、８ａ及び９ａの材料としては、熱により変形しない材料を用いており、例えば、照射部１０の各ランプ１０ａにより加熱されない石英などの材料を用いることが可能である。
　この第２の実施形態に係る基板処理装置１では、各ノズル６ａ、７ａ、８ａ及び９ａがテーブル４上の基板Ｗの直上に位置するため、液体や気体を供給するときの流速が遅くても、基板中心に液体や気体を容易に供給することができる。また、供給する液体の流量を少なくしても液体により基板Ｗの表面を被覆することが可能となるので、液体の使用量を削減することができる。同様に、供給する気体の流量を少なくしても基板Ｗの表面上の空間を、供給したガス雰囲気にすることが可能となるので、気体の使用量を削減することができる。
　以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、照射部１０内に各ノズル６ａ、７ａ、８ａ及び９ａを設けることによって、液体や気体を供給するときの流速が遅い場合でも、基板中心に液体や気体を容易に供給することができる。加えて、液体や気体の流量を少なくすることも可能であり、それらの液体や気体の使用量を削減することができる。
　（第３の実施形態）
　第３の実施形態について図６を参照して説明する。
　第３の実施形態は基本的に第２の実施形態と同様である。このため、第３の実施形態では、第２の実施形態との相違点について説明し、第２の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
　図６に示すように、第３の実施形態に係る基板処理装置１においては、照射部１０が基板Ｗの下方に、すなわち、各支持部材４ａ上の基板Ｗとテーブル４との間に、その基板Ｗのテーブル４側の面に対して光を照射するように設けられている。この照射部１０は、第２の実施形態と同様、移動機構１１により昇降方向（上下方向）に移動可能である。
　この第３の実施形態に係る基板処理装置１では、照射部１０が各支持部材４ａ上の基板Ｗとテーブル４との間に位置するため、各支持部材４ａ上の基板Ｗの上方の空間を空けることが可能であり、その空間に他の部材や装置など（例えば、ノズル６ａや７ａ、８ａ、９ａなど）を複雑な構造とせずとも容易に設けることができる。
　以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、各支持部材４ａ上の基板Ｗの下方、例えば各支持部材４ａ上の基板Ｗとテーブル４との間に照射部１０を設けることによって、各支持部材４ａ上の基板Ｗの上方の空間を空けることが可能となるため、その空間に他の部材や装置などを容易に設置することができる。
　（第４の実施形態）
　第４の実施形態について図７ないし図９を参照して説明する。
　第４の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第４の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
　図７及び図８に示すように、第４の実施形態に係る基板処理装置１においては、照射部１０Ａがラインレーザ光を照射するラインレーザである。この照射部１０Ａは、その長手方向の長さが基板Ｗの直径よりも長く形成されており、テーブル４上の基板Ｗの表面に沿って移動機構１１Ａにより移動可能に構成されている。照射部１０Ａは、第１の実施形態と同様、揮発性溶媒が供給された基板Ｗの表面にガスの層（気層）を生じさせるようにその基板Ｗを加熱する。
　移動機構１１Ａは、照射部１０Ａを保持して移動させる一対の移動機構２１及び２２（図８参照）と、移動機構２１を支持する支柱２３と、移動機構２２を支持する支柱２４（図８参照）とにより構成されている。一対の移動機構２１及び２２は、照射部１０Ａがテーブル４上の基板Ｗの上方に位置するようにその照射部１０Ａを保持しており、テーブル４上の基板Ｗの表面に沿って平行に移動させる。これらの移動機構２１及び２２としては、例えば、サーボモータを駆動源とする送りねじ式の移動機構やリニアモータを駆動源とするリニアモータ式の移動機構などを用いることが可能である。
　この第４の実施形態に係る基板処理装置１において、照射部１０Ａは、加熱乾燥を行う場合、回転しているテーブル４上の基板Ｗの表面に沿って平行に一対の移動機構２１及び２２により移動しながらレーザ光を照射することで、基板Ｗの表面全体に対するレーザ光の照射を行う。このとき、照射部１０Ａは、例えば基板Ｗの中心から外周に移動する。このような加熱乾燥により、揮発性溶媒が供給された基板Ｗの表面には、第１の実施形態と同様に、ガスの層（気層）が生じるため、基板Ｗの表面は瞬時に乾燥することになる。
　ここで、ラインレーザ型の照射部１０Ａにより基板Ｗの表面全体に対してレーザ光を照射する場合の他の構成の一例について説明する。
　図９に示すように、照射部１０Ａが、支柱として機能する移動機構１１Ｂの上部に設けられ、その支柱である移動機構１１Ｂの軸心を回転軸として移動機構１１Ｂにより基板Ｗの表面に沿って揺動可能（回動可能）に構成されている。この照射部１０Ａは、移動機構１１Ｂにより回転軸を中心として回動し、回転しているテーブル４上の基板Ｗの表面に沿って平行に移動（揺動）しながらレーザ光を照射することで、基板Ｗの表面全体に対するレーザ光の照射を行う。
　以上説明したように、第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、ラインレーザ型の照射部１０Ａを用いることによって、テーブル４上の基板Ｗの表面全体を覆うような照射部に比べ、照射装置の大型化を防止することができる。
　（第５の実施形態）
　第５の実施形態について図１０を参照して説明する。
　第５の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第５の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
　図１０に示すように、第５の実施形態に係る基板処理装置１においては、処理ボックス２内を減圧する減圧部３１が設けられている。この減圧部３１は、処理ボックス２内につながる配管３１ａと、その配管３１ａの途中に設けられた減圧ポンプ３１ｂとを備えている。減圧ポンプ３１ｂは制御部１２に電気的に接続されており、その駆動が制御部１２により制御される。このような減圧部３１は、減圧ポンプ３１ｂの駆動によって処理ボックス２内の気体を配管３１ａから排気してその処理ボックス２内を減圧し、真空状態にする。
　この第５の実施形態に係る基板処理装置１では、照射部１０による加熱乾燥前、例えば、揮発性溶媒であるＩＰＡの供給後に（すなわち、第１の実施形態における図２中のステップＳ５とステップＳ６との間に）、処理ボックス２内が減圧部３１により所定の真空圧まで減圧される。処理ボックス２内が真空状態となると、照射部１０による加熱乾燥が実行される（第１の実施形態における図２中のステップＳ６）。このとき、処理ボックス２内の減圧によってＩＰＡの沸点が下がり、その沸点が下がる分、大気下よりも低い加熱温度で前述の液玉化現象を生じさせることが可能となる。このため、取り扱う基板Ｗが高温加熱に適さない場合などでも加熱乾燥を行うことができる。
　以上説明したように、第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、処理ボックス２内を減圧状態として照射部１０による加熱乾燥を実行することによって、処理ボックス２内の基板Ｗの表面に存在する液体の沸点を下げ、その沸点が下がる分、大気下よりも低い加熱温度で液玉化現象を生じさせることが可能となる。このため、処理ボックス２内を減圧状態とせずに照射部１０による加熱乾燥を実行する場合に比べ、取り扱う基板Ｗが高温加熱に適さない場合などでも、大気下よりも低い加熱温度で加熱乾燥を行い、確実にパターン倒壊を抑えつつ良好な基板乾燥を行うことができる。
　（第６の実施形態）
　第６の実施形態について図１１を参照して説明する。
　第６の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第６の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
　第６の実施形態に係る基板処理装置１においては、図１１に示すように、基板Ｗを搬送する搬送部４１が設けられている。この搬送部４１は処理ボックス２内のテーブル４上から基板Ｗを搬出し、多数の基板Ｗを収容するバッファ部４２まで搬送する。なお、第６の実施形態に係る基板処理装置１は、第１の実施形態に係る照射部１０を備えておらず、第６の実施形態に係る基板処理工程では、照射部１０による加熱乾燥は実行されず、基板Ｗの回転による振り切り乾燥が行われる。
　搬送部４１は、処理ボックス２とバッファ部４２との間の基板Ｗの搬送を可能とする搬送アーム４１ａと、その搬送アーム４１ａに取り付けられて基板Ｗを支持する搬送アームヒータ４１ｂと、搬送アームヒータ４１ｂ上の基板Ｗに向けて気体（例えば、窒素ガスなどの不活性ガス）を吹き付ける気体吹き付け部４１ｃと、基板Ｗから戻ってくる気体を吸引して排気する排気部４１ｄとを備えている。
　搬送アームヒータ４１ｂは、基板Ｗの搬送途中で基板Ｗを瞬間的に高温に加熱するものであり、基板Ｗを支持し、その支持している基板Ｗを加熱する加熱部として機能する。この搬送アームヒータ４１ｂは、第１の実施形態と同様、揮発性溶媒が供給された基板Ｗの表面にガスの層（気層）を生じさせるようにその基板Ｗを加熱する。なお、処理ボックス２から取り出された基板Ｗは、処理ボックス２内では振り切り乾燥しかされていないため、揮発性溶媒が完全に乾燥していない状態（ある程度付着した状態）で搬送アームヒータ４１ｂ上に置かれることになる。
　気体吹き付け部４１ｃ及び排気部４１ｄは、処理ボックス２からバッファ部４２までの基板Ｗの搬送経路（搬送アーム４１ａによる基板Ｗの搬送経路）に沿って設けられている。気体吹き付け部４１ｃは、排気部４１ｄよりも基板Ｗの搬送方向の上流側に位置付けられている。したがって、排気部４１ｄは気体吹き付け部４１ｃよりも下流側に位置しており、気体吹き付け部４１から吹き出されて基板Ｗの表面に当たる気体を吸い込むように設置されている。
　気体吹き付け部４１ｃは、搬送アームヒータ４１ｂの加熱によって基板Ｗの表面に生成される揮発性溶媒の液玉を吹き飛ばして除去するものであり、基板Ｗの搬送経路の上方に位置しており、搬送アームヒータ４１ｂ上の基板Ｗの表面に対して傾斜するように設けられている。この気体吹き付け部４１ｃは、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向の基板幅とほぼ同じか、それより大きい幅を有するスリット状の開口部（図示せず）から気体を吹き出す。
　排気部４１ｄは、気体吹き付け部４１ｃによって吹飛ばされた液玉を吸引して、搬送経路に飛び散らないようにするものであり、基板Ｗの搬送経路の上方に位置しており、搬送アームヒータ４１ｂ上の基板Ｗの表面に対して垂直になるように設けられている。この排気部４１ｄは、基板Ｗの搬送方向に垂直な方向の基板幅とほぼ同じか、それよりも大きい開口幅を有するスリット状の開口部（図示せず）から気体を吸い込む。
　この第６の実施形態に係る基板処理装置１では、処理ボックス２から取り出された基板Ｗが、ヒータオフ状態の搬送アームヒータ４１ｂ上に置かれる。この状態で、搬送アーム４１ａは図１１中の右から左に移動する。搬送アームヒータ４１ｂが気体吹き付け部４１ｃに近づいたときにヒータがオンされ、ヒータのオンによって基板Ｗが急速加熱される。この加熱によって基板Ｗの表面上に揮発性溶媒の液玉が生成される。その後、基板Ｗの表面上に生成された揮発性溶媒の液玉は、気体吹き付け部４１ｃからの気体によって基板Ｗの表面上から吹き飛ばされて、排気部４１ｄにより吸引され除去されることになる。これにより、基板Ｗの表面は瞬時に乾燥することになる。なお、基板Ｗの加熱時には、基板Ｗは一方向に搬送されており、回転することはない。
　以上説明したように、第６の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、基板Ｗの搬送途中に、搬送アームヒータ４１ｂによる加熱乾燥を行うことによって、処理ボックス２内での加熱乾燥を行わなくても、パターン倒壊を抑えて良好な基板乾燥を行うことが可能となる。このため、処理ボックス２内での加熱乾燥を省略し、処理ボックス２内での基板処理時間を短縮することができる。
　なお、第６の実施形態においては、気体吹き付け部４１ｃ及び排気部４１ｄを基板Ｗの搬送経路の上方（基板Ｗの上部に位置するよう）に設けているが、これに限るものではなく、例えば、基板Ｗの搬送経路の横に気体吹き付け部４１ｃを設け、その反対側に排気部４１ｄを設けるようにしても良い。この場合には、搬送アームヒータ４１ｂ上の基板Ｗの表面に対して横から気体を吹き付け、その反対側から気体を吸引することになる。
　また、搬送アームヒータ４１ｂによる急速加熱によって基板Ｗの表面上に生成された揮発性溶媒の液玉を、基板Ｗを傾けることで基板Ｗの表面上から除去するようにしても良い。これは、基板Ｗの搬送途中にて、搬送アームヒータ４１ｂにより基板Ｗを急速加熱した後、搬送アーム４１ａを、例えば搬送方向に沿った軸を中心に回動させ、保持している基板Ｗを傾斜させるようにすることで実施できる。基板Ｗが傾斜させられることで、揮発性溶媒の液玉は、基板Ｗの表面上を滑るようにして基板Ｗの表面上から除去されることになる。
　以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、第１の処理液、第２の処理液、ガス、揮発性溶媒等の供給は、それぞれの供給時間が重ならない実施形態で説明したが、一部重なっても構わない。また、上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Claims (12)

  1. 　基板の表面に揮発性溶媒を供給する溶媒供給部と、
    　前記揮発性溶媒が供給された前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する加熱部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記加熱部を前記基板の表面に対して上下方向に移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記加熱部を前記基板の表面に沿って移動させる移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記加熱部は、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射する照射部であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 　前記溶媒供給部による前記揮発性溶媒の供給中に、前記加熱部に前記基板に対する加熱を実行させる制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 　前記溶媒供給部による前記揮発性溶媒の供給後に、前記加熱部に前記基板に対する加熱を実行させる制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 　前記基板を平面内で回転させる回転機構と、
    　前記回転機構による前記基板の回転中に、前記溶媒供給部に前記揮発性溶媒の供給を実行させ、前記加熱部に前記基板に対する加熱を実行させる制御部と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 　基板の表面に揮発性溶媒を供給する工程と、
    　前記揮発性溶媒が供給された前記基板の表面に気層を生じさせて前記揮発性溶媒を液玉化させるように前記基板を加熱する工程と、
    を有することを特徴とする基板処理方法。
  9. 　前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒が供給された前記基板に対して電磁波を照射することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
  10. 　前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒の供給中に、前記基板を加熱することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
  11. 　前記基板を加熱する工程では、前記揮発性溶媒の供給後に、前記基板を加熱することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
  12. 　前記揮発性溶媒を供給する工程では、前記基板を平面内で回転させながら前記基板の表面に前記揮発性溶媒を供給し、
    　前記基板を加熱する工程では、前記基板を平面内で回転させながら前記基板を加熱することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017169435A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
WO2024047955A1 (ja) * 2022-08-31 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6317837B2 (ja) * 2012-11-08 2018-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6286024B2 (ja) * 2014-03-07 2018-02-28 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101877112B1 (ko) * 2015-01-23 2018-07-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐
JP6687436B2 (ja) * 2015-04-30 2020-04-22 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR101860631B1 (ko) 2015-04-30 2018-05-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6418554B2 (ja) * 2015-06-10 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6742708B2 (ja) * 2015-09-29 2020-08-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理方法
CN107123610B (zh) * 2016-02-25 2021-08-06 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法
JP6722551B2 (ja) 2016-08-31 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6728009B2 (ja) * 2016-09-26 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102249802B1 (ko) * 2018-07-13 2021-05-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7175119B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7077184B2 (ja) * 2018-08-30 2022-05-30 キオクシア株式会社 基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7336306B2 (ja) * 2018-10-23 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
CN109489363A (zh) * 2018-12-24 2019-03-19 国兴(东莞)新能源科技有限公司 一种软包电池除水装置
CN111380331A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 中国科学院微电子研究所 一种微波干燥装置
JP7194645B2 (ja) * 2019-05-31 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN110631342A (zh) * 2019-10-15 2019-12-31 东海县牡丹手套有限公司 一种手套加工用手套存放设备
KR102391973B1 (ko) * 2019-10-21 2022-04-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7406404B2 (ja) 2020-02-28 2023-12-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6886546B2 (ja) * 2020-05-12 2021-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
TWI793744B (zh) * 2020-09-09 2023-02-21 日商國際電氣股份有限公司 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
CN112503894A (zh) * 2020-12-07 2021-03-16 安徽海洋药业有限公司 一种药瓶干燥机
CN114674120A (zh) * 2020-12-24 2022-06-28 中国科学院微电子研究所 半导体干燥装置及方法
CN112856981A (zh) * 2021-01-13 2021-05-28 东莞理工学院 一种用于mems器件圆片的自动干燥设备
CN112902616A (zh) * 2021-01-22 2021-06-04 徐州中辉光伏科技有限公司 一种高效率的太阳能光伏板组件加工用烘干装置
CN112944856B (zh) * 2021-04-18 2022-08-16 黄韶平 试剂盒烘干装置
CN112944831A (zh) * 2021-04-23 2021-06-11 江西省优斯特能源有限公司 一种具有转动结构的电池加工用烘干设备
CN116147309B (zh) * 2023-02-21 2023-09-22 闽海家居(江苏)有限公司 一种木地板生产原木干燥装置及其干燥方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199855A (ja) * 1996-10-01 1998-07-31 Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh 基板の乾燥方法及び装置
JP2002305178A (ja) * 2001-04-09 2002-10-18 Ekoo Giken Kk ウエハの乾燥装置および乾燥方法
JP2008034779A (ja) 2006-06-27 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2010238918A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012138510A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402932B2 (ja) * 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
US6248168B1 (en) * 1997-12-15 2001-06-19 Tokyo Electron Limited Spin coating apparatus including aging unit and solvent replacement unit
JP4333866B2 (ja) * 2002-09-26 2009-09-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US7708751B2 (en) * 2004-05-21 2010-05-04 Ethicon Endo-Surgery, Inc. MRI biopsy device
US20070029536A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Garvin Goode Picket assembly
JP2008034428A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7838425B2 (en) * 2008-06-16 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of treating surface of semiconductor substrate
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
US8153533B2 (en) * 2008-09-24 2012-04-10 Lam Research Methods and systems for preventing feature collapse during microelectronic topography fabrication
JP5359286B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
US20120016027A1 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Brien Holden Vision Institute Composition and Method for Improved Lens Comfort
US20120103371A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Lam Research Ag Method and apparatus for drying a semiconductor wafer
JP5611884B2 (ja) * 2011-04-14 2014-10-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199855A (ja) * 1996-10-01 1998-07-31 Sez Semiconductor Equip Zubehoer Fuer Die Halbleiterfertigung Gmbh 基板の乾燥方法及び装置
JP2002305178A (ja) * 2001-04-09 2002-10-18 Ekoo Giken Kk ウエハの乾燥装置および乾燥方法
JP2008034779A (ja) 2006-06-27 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2010238918A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2012138510A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017169435A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10593587B2 (en) 2016-03-30 2020-03-17 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
WO2024047955A1 (ja) * 2022-08-31 2024-03-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

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