JPH10199855A - 基板の乾燥方法及び装置 - Google Patents
基板の乾燥方法及び装置Info
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- JPH10199855A JPH10199855A JP9266865A JP26686597A JPH10199855A JP H10199855 A JPH10199855 A JP H10199855A JP 9266865 A JP9266865 A JP 9266865A JP 26686597 A JP26686597 A JP 26686597A JP H10199855 A JPH10199855 A JP H10199855A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表面から液体の残りを除去する際の問題、即
ち、基板の処理において基板の表面上の液体を除去した
後に液体の残りに含まれていた不純物が残留したり、基
板材料が乾燥処理中の熱の作用により変化されたり処理
によって他の不純物が付着してしまったりすることを、
簡単かつ効果的に解決することが出来る、基板の乾燥方
法及びそれを実施する為の装置を提供することである。 【解決手段】基板の乾燥方法は、基板１０、特に半導体
技術のウェーハ形状基板、特にシリコン基板、がＩＲ成
分及びＵＶ成分を含む放射線で処理される、ことを特徴
としている。上記乾燥方法を実施する装置は、ＩＲ成分
及びＵＶ成分を含む放射線を放射する少なくとも１つの
放射器１２が設けられているとともに放射器１２と基板
１０との間の相対移動を実行する為の手段が設けられて
いる、ことを特徴としている。
ち、基板の処理において基板の表面上の液体を除去した
後に液体の残りに含まれていた不純物が残留したり、基
板材料が乾燥処理中の熱の作用により変化されたり処理
によって他の不純物が付着してしまったりすることを、
簡単かつ効果的に解決することが出来る、基板の乾燥方
法及びそれを実施する為の装置を提供することである。 【解決手段】基板の乾燥方法は、基板１０、特に半導体
技術のウェーハ形状基板、特にシリコン基板、がＩＲ成
分及びＵＶ成分を含む放射線で処理される、ことを特徴
としている。上記乾燥方法を実施する装置は、ＩＲ成分
及びＵＶ成分を含む放射線を放射する少なくとも１つの
放射器１２が設けられているとともに放射器１２と基板
１０との間の相対移動を実行する為の手段が設けられて
いる、ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板、特に、シリ
コンウェーハやヒ化ガリウムウェーハの如き半導体基
板、ガラス基板及び石英基板、金属基板及びコンパクト
ディスク、を乾燥する為の乾燥方法及び装置に関係して
いる。
コンウェーハやヒ化ガリウムウェーハの如き半導体基
板、ガラス基板及び石英基板、金属基板及びコンパクト
ディスク、を乾燥する為の乾燥方法及び装置に関係して
いる。
【０００２】乾燥の目的で本願発明中で請求されている
如く処理される基板は、円形状又はウェーハ形状のみで
ある必要はなく、いかなる形状を有することも出来る。
しかしながら好ましい適用分野は、ウェーハ形状の基板
の乾燥である。
如く処理される基板は、円形状又はウェーハ形状のみで
ある必要はなく、いかなる形状を有することも出来る。
しかしながら好ましい適用分野は、ウェーハ形状の基板
の乾燥である。
【０００３】本発明においては、シリコンウェーハの如
き半導体基板またはヒ化ガリウムを基礎した半導体基板
の乾燥が特に強調されている。
き半導体基板またはヒ化ガリウムを基礎した半導体基板
の乾燥が特に強調されている。
【０００４】
【従来技術】シリコンウェーハが乾燥される時には、乾
燥工程中に半導体基板に不利な結果をもたらす粒子の増
加が生じて残留物を伴わない乾燥が不可能であること
が、特別な欠点である。このことは、遠心分離により、
イソプロパノール蒸発（isopropanol vapor)の作用によ
り、又はウェーハの表面に対して直角な軸の回りのウェ
ーハの高速回転により、作用する全ての公知の乾燥方法
に適用される。
燥工程中に半導体基板に不利な結果をもたらす粒子の増
加が生じて残留物を伴わない乾燥が不可能であること
が、特別な欠点である。このことは、遠心分離により、
イソプロパノール蒸発（isopropanol vapor)の作用によ
り、又はウェーハの表面に対して直角な軸の回りのウェ
ーハの高速回転により、作用する全ての公知の乾燥方法
に適用される。
【０００５】上述した不利な粒子の形成の原因は、シリ
コンウェーハの場合には、水がシリコンと反応して酸化
ケイ素に似た（石英状の）化合物が形成されるからであ
る。
コンウェーハの場合には、水がシリコンと反応して酸化
ケイ素に似た（石英状の）化合物が形成されるからであ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前処
理段階から、液体の残り、基板、特に板形状の物体、特
にシリコンウェーハの表面に配置されていることが出来
る脱イオン水の残り、を除去して上述した粒子形成を生
じさせないか、あるいは妨げにならない程度にすること
である。
理段階から、液体の残り、基板、特に板形状の物体、特
にシリコンウェーハの表面に配置されていることが出来
る脱イオン水の残り、を除去して上述した粒子形成を生
じさせないか、あるいは妨げにならない程度にすること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述したこの発明の目的
は、基板、特に半導体技術のウェーハ形状の基板、特に
シリコン基板、がＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線で
処理される、ことを特徴としている基板の乾燥方法によ
り達成される。
は、基板、特に半導体技術のウェーハ形状の基板、特に
シリコン基板、がＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線で
処理される、ことを特徴としている基板の乾燥方法によ
り達成される。
【０００８】本発明中で請求されている如き方法は、液
体による処理の後、特にエッチング処理に続く洗浄の後
に、半導体技術のウェーハ形状の基板、特にシリコンウ
ェーハの乾燥の為に主として用いられる。なお基板は赤
外線成分（infrared portion) 及び紫外線成分（ultrav
iolet portion)を含む放射線で処理されている。
体による処理の後、特にエッチング処理に続く洗浄の後
に、半導体技術のウェーハ形状の基板、特にシリコンウ
ェーハの乾燥の為に主として用いられる。なお基板は赤
外線成分（infrared portion) 及び紫外線成分（ultrav
iolet portion)を含む放射線で処理されている。
【０００９】本発明においては、表面から液体の残りを
除去する際の問題、すなわち、基板の処理において、基
板の表面上の液体を除去した後に液体の残りに含まれて
いる不純物が残ってしまったり、基板の材料が乾燥処理
中の熱の作用によって変化されてしまったり処理によっ
て他の不純物が付着されてしまったりすることが、簡単
かつ効果的に解決される。
除去する際の問題、すなわち、基板の処理において、基
板の表面上の液体を除去した後に液体の残りに含まれて
いる不純物が残ってしまったり、基板の材料が乾燥処理
中の熱の作用によって変化されてしまったり処理によっ
て他の不純物が付着されてしまったりすることが、簡単
かつ効果的に解決される。
【００１０】本発明において請求されている如き方法が
使用された時、特に板形状の物体の表面は、基板の表面
上の液体の残りが表面に接触することなく表面から除去
され、そして不純物が残らず、特にウェーハ形状又は板
形状の基板の材料の構造が処理によって変化されない、
ように処理される。
使用された時、特に板形状の物体の表面は、基板の表面
上の液体の残りが表面に接触することなく表面から除去
され、そして不純物が残らず、特にウェーハ形状又は板
形状の基板の材料の構造が処理によって変化されない、
ように処理される。
【００１１】この発明中で請求されている如き方法及び
この方法を実施する為に提案されているこの発明中で請
求されている如き装置（構成）の他の詳細及び特徴は、
添付の図面中に示されている実施の形態の以下の記載及
びこの発明中で請求されている如き方法の為の実施の形
態から明らかになる。
この方法を実施する為に提案されているこの発明中で請
求されている如き装置（構成）の他の詳細及び特徴は、
添付の図面中に示されている実施の形態の以下の記載及
びこの発明中で請求されている如き方法の為の実施の形
態から明らかになる。
【００１２】
【実施の形態】本発明中で請求されている如き乾燥方法
においては、乾燥される基板が、赤外線（ＩＲ）成分及
び紫外線（ＵＶ）成分を含む放射線で処理される。ここ
においては、赤外線成分が紫外線成分よりも多いことが
好ましく、ＵＶ成分に対するＩＲ成分の割合は５０：１
と２０：１との間の範囲中にすることが出来る。
においては、乾燥される基板が、赤外線（ＩＲ）成分及
び紫外線（ＵＶ）成分を含む放射線で処理される。ここ
においては、赤外線成分が紫外線成分よりも多いことが
好ましく、ＵＶ成分に対するＩＲ成分の割合は５０：１
と２０：１との間の範囲中にすることが出来る。
【００１３】図１中に示されている構成において、処理
される基板１０、例えばシリコンウェーハ、は放射器１
２に対して動かされ、放射器１２は実質的に水平に整列
されている。相互に平行に整列された複数の放射器１２
を相互に隣り合わせて設けて、少なくとも１つの棒形状
の放射器１２に対する基板１０の動きとの組み合わせに
より基板１０の表面の均一な処理が達成される、ことも
予期される。
される基板１０、例えばシリコンウェーハ、は放射器１
２に対して動かされ、放射器１２は実質的に水平に整列
されている。相互に平行に整列された複数の放射器１２
を相互に隣り合わせて設けて、少なくとも１つの棒形状
の放射器１２に対する基板１０の動きとの組み合わせに
より基板１０の表面の均一な処理が達成される、ことも
予期される。
【００１４】均等な乾燥を達成するためには、図１中に
示された実施の形態では、放射源と基板１０との間の相
対運動が重要であるので、放射器１２が乾燥される基板
１０に対して動かされることもまた、基本的に考えられ
る。
示された実施の形態では、放射源と基板１０との間の相
対運動が重要であるので、放射器１２が乾燥される基板
１０に対して動かされることもまた、基本的に考えられ
る。
【００１５】図２中に示されている実施の形態において
放射器１４は、乾燥される基板１０、ここではシリコン
ウェーハ、の輪郭に適合した形状を有するよう形成され
ており、従って図２の実施の形態では略円形であり、あ
るいは略洋梨形状を有している。図２中に図示されてい
る実施の形態では、実際の乾燥中に基板１０を放射器１
４に対し動かす必要はもはやない。
放射器１４は、乾燥される基板１０、ここではシリコン
ウェーハ、の輪郭に適合した形状を有するよう形成され
ており、従って図２の実施の形態では略円形であり、あ
るいは略洋梨形状を有している。図２中に図示されてい
る実施の形態では、実際の乾燥中に基板１０を放射器１
４に対し動かす必要はもはやない。
【００１６】図３中に示された実施の形態においては処
理媒体１５を保持している容器１６から上方へ取り出さ
れる基板１０（ここでは、半導体ウェーハ、特にシリコ
ンウェーハ）は、この基板１０が処理媒体１５から出た
直後に平行に整列された２つの放射器１２の間を移動さ
れて、処理媒体１５からの基板１０の取り出し直後に乾
燥が行なわれる。図３中に示された装置の実施の形態に
おいては、相互に平行な複数の放射器１２を乾燥される
基板１０の通路の一側又は両側に積み重ねるように配置
することができる。
理媒体１５を保持している容器１６から上方へ取り出さ
れる基板１０（ここでは、半導体ウェーハ、特にシリコ
ンウェーハ）は、この基板１０が処理媒体１５から出た
直後に平行に整列された２つの放射器１２の間を移動さ
れて、処理媒体１５からの基板１０の取り出し直後に乾
燥が行なわれる。図３中に示された装置の実施の形態に
おいては、相互に平行な複数の放射器１２を乾燥される
基板１０の通路の一側又は両側に積み重ねるように配置
することができる。
【００１７】全ての実施の形態においても、処理時間は
５秒と６０秒との間であることが出来る。図２の実施の
形態においては、１秒と４秒との間の処理時間も可能で
ある。基板１０と放射器１２または１４との間の間隔
は、図１及び図２中に示された実施の形態では１ｍｍ乃
至１５０ｍｍとすることが出来、図３中に示された実施
の形態では放射器１２同士の間隔は２ｍｍ乃至１５０ｍ
ｍであって、好ましくは基板１０が放射器１２の間を正
確に案内されて、これらの放射器１２が基板１０の表面
から１ｍｍと７５ｍｍとの間の距離に配置されている。
５秒と６０秒との間であることが出来る。図２の実施の
形態においては、１秒と４秒との間の処理時間も可能で
ある。基板１０と放射器１２または１４との間の間隔
は、図１及び図２中に示された実施の形態では１ｍｍ乃
至１５０ｍｍとすることが出来、図３中に示された実施
の形態では放射器１２同士の間隔は２ｍｍ乃至１５０ｍ
ｍであって、好ましくは基板１０が放射器１２の間を正
確に案内されて、これらの放射器１２が基板１０の表面
から１ｍｍと７５ｍｍとの間の距離に配置されている。
【００１８】本発明中で請求された如き方法中で使用さ
れるのが好ましい放射器１２または１４はハロゲン赤外
線放射器（halogen infrared radiator)であり、ハロゲ
ン赤外線放射器は例えば図４中の放射分布（radiation
distribution) に対応する相対的スペクトル放射分布
（relative spectral radiation distribution) を伴っ
た放射線を放射する。この実施の形態においては、赤外
線部分（従って、約１１００ナノメートルの波長から始
まる）は９０％を越えており、ＵＶ範囲（約５０ナノメ
ートルの波長以下）は略２％乃至略５％である。本発明
の枠内で使用可能な放射器１２または１４はハロゲン灯
か水銀灯である。
れるのが好ましい放射器１２または１４はハロゲン赤外
線放射器（halogen infrared radiator)であり、ハロゲ
ン赤外線放射器は例えば図４中の放射分布（radiation
distribution) に対応する相対的スペクトル放射分布
（relative spectral radiation distribution) を伴っ
た放射線を放射する。この実施の形態においては、赤外
線部分（従って、約１１００ナノメートルの波長から始
まる）は９０％を越えており、ＵＶ範囲（約５０ナノメ
ートルの波長以下）は略２％乃至略５％である。本発明
の枠内で使用可能な放射器１２または１４はハロゲン灯
か水銀灯である。
【００１９】しかし乍ら、この発明中で請求された如き
方法により乾燥される時には、放射器１２または１４か
ら放射された放射線中のＵＶ成分とＩＲ成分との間の本
発明の枠内の好ましい特別な割合がある。一般的にそれ
は、この発明中に請求されている如く、放射線中でＩＲ
成分がＵＶ成分よりも優勢であることが好ましく、最善
の結果をもたらす、と言うことができる。
方法により乾燥される時には、放射器１２または１４か
ら放射された放射線中のＵＶ成分とＩＲ成分との間の本
発明の枠内の好ましい特別な割合がある。一般的にそれ
は、この発明中に請求されている如く、放射線中でＩＲ
成分がＵＶ成分よりも優勢であることが好ましく、最善
の結果をもたらす、と言うことができる。
【００２０】実験：この実験においては、ＩＲ−ＵＶ放
射源とウェーハを取り扱うための実験装置との清浄度が
検査された。
射源とウェーハを取り扱うための実験装置との清浄度が
検査された。
【００２１】この実験における作業条件は以下の通りで
ある： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は５％のフッ化水素酸による。
ある： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は５％のフッ化水素酸による。
【００２２】図５中に図示された図表は、ウェーハ上に
おける粒子汚染がウェーハの照射後にたった３つの粒子
だけ増大したことを図示している。これは、供給及び取
り出しが手動で行われたにもかかわらずである。
おける粒子汚染がウェーハの照射後にたった３つの粒子
だけ増大したことを図示している。これは、供給及び取
り出しが手動で行われたにもかかわらずである。
【００２３】例１：この例においては、粒子的に最適な
高周波エッチング（清浄）方法（particle-optimized H
F etching(pure) process)が乾燥の際に追加のＩＲ−Ｕ
Ｖ放射を伴った場合と伴わない場合とで試験された。試
験されたウェーハ上の粒子の数は＜１０の粒子≧０．１
２μｍ2 であった。
高周波エッチング（清浄）方法（particle-optimized H
F etching(pure) process)が乾燥の際に追加のＩＲ−Ｕ
Ｖ放射を伴った場合と伴わない場合とで試験された。試
験されたウェーハ上の粒子の数は＜１０の粒子≧０．１
２μｍ2 であった。
【００２４】この例における作業条件は以下の通りであ
った： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は、５％のフッ化水素酸による。
った： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は、５％のフッ化水素酸による。
【００２５】図６中に示された図表においては、乾燥の
間にＩＲ−ＵＶ放射のない場合の粒子の増加がＩＲ−Ｕ
Ｖ放射で処理が行われた時に生じる粒子の増加と比較さ
れている。これは、乾燥の間にＩＲ−ＵＶ放射が使用さ
れた場合には、汚染が５粒子分だけ増加したことを指摘
している。
間にＩＲ−ＵＶ放射のない場合の粒子の増加がＩＲ−Ｕ
Ｖ放射で処理が行われた時に生じる粒子の増加と比較さ
れている。これは、乾燥の間にＩＲ−ＵＶ放射が使用さ
れた場合には、汚染が５粒子分だけ増加したことを指摘
している。
【００２６】例２：この例においては、前もって粒子で
汚染されたシリコンウェーハへの、ＩＲ−ＵＶ放射の影
響が試験された。その結果が図７の図表中に示されてい
る。
汚染されたシリコンウェーハへの、ＩＲ−ＵＶ放射の影
響が試験された。その結果が図７の図表中に示されてい
る。
【００２７】この実験における作業条件は以下の通りで
あった： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は５％のフッ化水素酸による。
あった： 基板：シリコンウェーハ、直径６インチ。 ＩＲ−ＵＶ放射器：図４中の如き放射分布。 基板−放射器 間隔：１５ｍｍ。 放射時間：１８秒。 乾燥によって除去された液体：水。 基板の前処理は５％のフッ化水素酸による。
【００２８】図７中の図表は、フッ化水素酸によるエッ
チング処理と後続の乾燥のためのＩＲ−ＵＶ放射との組
み合せの結果がウェーハを汚染していた粒子の減少であ
ることを示している。このことは驚異的である。何故な
らば、従来はフッ化水素酸による長時間のエッチング方
法が常に粒子の増加を導いていたからである。
チング処理と後続の乾燥のためのＩＲ−ＵＶ放射との組
み合せの結果がウェーハを汚染していた粒子の減少であ
ることを示している。このことは驚異的である。何故な
らば、従来はフッ化水素酸による長時間のエッチング方
法が常に粒子の増加を導いていたからである。
【００２９】要約すれば、実験及びこれらの例は、ＩＲ
−ＵＶ放射による乾燥によって、基板の汚染の程度、特
に（汚染している）粒子によるシリコンウェーハの汚染
の程度、が抑制されることを示しているとともに、フッ
化水素酸によるエッチング後のＩＲ−ＵＶ放射による乾
燥によって、汚染されたウェーハの汚染の程度を減少さ
せることが出来ることを示している。
−ＵＶ放射による乾燥によって、基板の汚染の程度、特
に（汚染している）粒子によるシリコンウェーハの汚染
の程度、が抑制されることを示しているとともに、フッ
化水素酸によるエッチング後のＩＲ−ＵＶ放射による乾
燥によって、汚染されたウェーハの汚染の程度を減少さ
せることが出来ることを示している。
【００３０】要約すれば、本発明の１つの実施の形態を
以下のように記載することができる：半導体基板、特に
エッチング後の洗浄に続くシリコンウェーハ、を乾燥す
るために、基板はＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線の
作用にさらされる。そしてＩＲ成分はＵＶ成分よりも多
い。ＩＲ−ＵＶ放射は基板を急速に乾燥させ、基板が望
ましくない粒子により汚染されるのを防ぐか又は妨げと
ならない程度に汚染を限定する。
以下のように記載することができる：半導体基板、特に
エッチング後の洗浄に続くシリコンウェーハ、を乾燥す
るために、基板はＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線の
作用にさらされる。そしてＩＲ成分はＵＶ成分よりも多
い。ＩＲ−ＵＶ放射は基板を急速に乾燥させ、基板が望
ましくない粒子により汚染されるのを防ぐか又は妨げと
ならない程度に汚染を限定する。
【００３１】ＩＲ−ＵＶ放射による方法を行なうため
に、基板を処理液体（洗浄媒体）から直接移動させて、
ＩＲ−ＵＶ線を放射する２つの棒状の放射器の間を通す
構成が提案されている。
に、基板を処理液体（洗浄媒体）から直接移動させて、
ＩＲ−ＵＶ線を放射する２つの棒状の放射器の間を通す
構成が提案されている。
【図１】この発明の基板の乾燥方法を実施する為の装置
の第１の実施の形態を拡大して概略的に示す斜視図であ
る。
の第１の実施の形態を拡大して概略的に示す斜視図であ
る。
【図２】この発明の基板の乾燥方法を実施する為の装置
の第２の実施の形態を拡大して概略的に示す斜視図であ
る。
の第２の実施の形態を拡大して概略的に示す斜視図であ
る。
【図３】第１の実施の形態の放射器を２つ伴った、この
発明の基板の乾燥方法を実施する為の装置の第３の実施
の形態を拡大して概略的に示す斜視図である。
発明の基板の乾燥方法を実施する為の装置の第３の実施
の形態を拡大して概略的に示す斜視図である。
【図４】この発明の基板の乾燥方法中で使用されている
ことが好ましいハロゲン赤外線放射器（halogen infrar
ed radiator)の相対スペクトル放射分布（relative spe
ctral radiation distribution) を示す図表である。
ことが好ましいハロゲン赤外線放射器（halogen infrar
ed radiator)の相対スペクトル放射分布（relative spe
ctral radiation distribution) を示す図表である。
【図５】この発明の基板の乾燥方法においてＵＶ成分及
びＩＲ成分を含んだ放射線による処理前と処理後のウェ
ーハの粒子汚染の数を示す図表である。
びＩＲ成分を含んだ放射線による処理前と処理後のウェ
ーハの粒子汚染の数を示す図表である。
【図６】この発明の基板の乾燥方法においてＵＶ成分及
びＩＲ成分を含んだ放射線による処理前と処理後の粒子
の増加を示す図表である。
びＩＲ成分を含んだ放射線による処理前と処理後の粒子
の増加を示す図表である。
【図７】この発明の基板の乾燥方法においてフッ化水素
酸によるエッチング処理と後続の乾燥のためのＩＲ−Ｕ
Ｖ放射との組み合せによる処理の前と処理の後の粒子の
数を示す図表である。
酸によるエッチング処理と後続の乾燥のためのＩＲ−Ｕ
Ｖ放射との組み合せによる処理の前と処理の後の粒子の
数を示す図表である。
１０ 基板 １２ 放射器 １４ 放射器 １５ 処理媒体 １６ 容器
Claims (13)
- 【請求項１】 基板、特に半導体技術のウェーハ形状の
基板、特にシリコン基板、がＩＲ成分及びＵＶ成分を含
む放射線で処理される、ことを特徴としている基板の乾
燥方法。 - 【請求項２】 基板がＵＶ成分よりも多くのＩＲ成分を
有する放射線で処理されている、ことを特徴とする請求
項１に記載の基板の乾燥方法。 - 【請求項３】 ＵＶ成分に対するＩＲ成分の割合が５
０：１と２０：１との間の範囲にある放射線が上記処理
の為に使用される、ことを特徴とする請求項１又は請求
項２に記載の基板の乾燥方法。 - 【請求項４】 基板が、図４中に示されている図表に対
応している相対的な放射強度を有する放射線で処理され
ている、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
れか１項に記載の基板の乾燥方法。 - 【請求項５】 基板がウェーハ形状の場合には、ウェー
ハ形状の基板の両側がＩＲ−ＵＶ放射によって処理され
る、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
１項に記載の基板の乾燥方法。 - 【請求項６】 ＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線を放
射する少なくとも１つの放射器が設けられているととも
に放射器と基板との間の相対移動を実行する為の手段が
設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至請求項
５のいずれか１項に記載の基板の乾燥方法を実施する装
置。 - 【請求項７】 放射器が棒形状である、ことを特徴とす
る請求項６に記載の装置。 - 【請求項８】 相並んでかつ相互に平行に整列された複
数の棒形状の放射器が設けられている、ことを特徴とす
る請求項７に記載の装置。 - 【請求項９】 ウェーハ形状の物体を乾燥するために少
なくとも２つの放射器が設けられているとともに照射器
と基板との間の相対移動を実行するための手段が基板を
２つの放射器の間で動かす、ことを特徴とする請求項６
乃至請求項８のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項１０】 相互に平行に整列された２列の放射器
が設けられている、ことを特徴とする請求項９に記載の
装置。 - 【請求項１１】 放射器が、基板を処理する為の、特に
基板を洗浄する為の、室の直ぐ上方に配置されている、
ことを特徴とする請求項６乃至請求項１０のいずれか１
項に記載の装置。 - 【請求項１２】 ＩＲ成分及びＵＶ成分を含む放射線を
放射する少なくとも１つの放射器が設けられているとと
もに、放射線を放射する上記放射器の表面が基板の輪郭
に適合されていること、を特徴とする請求項１乃至請求
項５のいずれか１項に記載の方法を実施する装置。 - 【請求項１３】 ウェーハ形状の基板を処理する為のウ
ェーハ形状の放射表面を有する放射器が設けられてい
る、ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
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