DE3721940A1 - Entfernen von partikeln von oberflaechen fester koerper durch laserbeschuss - Google Patents

Entfernen von partikeln von oberflaechen fester koerper durch laserbeschuss

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Entfernen kleiner Partikel von Oberflächen fester Körper, sowie auf eine Einrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens bei Masken in einer Lithographie- Anlage.
Eine bevorzugte Anwendung der Erfindung besteht im Reinigen von Si-Membranmasken, die z.B. in der Elek­ tronenstrahl-Lithographie zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet werden.
Im Lithographieprozeß müssen solche Partikel von der Maske ferngehalten werden, deren Durchmesser größer ist als etwa 1/4 der minimalen Linienbreite auf der Maske. Für eine Linien­ breite von 0,35 µm bedeutet dies, daß Partikel bis hinab zu einer Größe von etwa 100 nm bei dem Litho­ graphieprozeß störend sind und darum entfernt werden müssen; bisher bekannte Methoden versagen, da bei diesen kleinen Partikeln relativ zu ihrer Größe stärkere Adhäsionskräfte auftreten. Größere Partikel (< 1000 nm) lassen sich etwa mit Flüssigkeits- oder Gasspülungen entfernen, oder werden dadurch entfernt gehalten.
Bei Photolithographieverfahren können dünne durchsich­ tige Folien, sogenannte Pellikel in geringem Abstand über der Maske angeordnet werden, um Partikel von der Maske fernzuhalten. Bei Lithographieverfahren unter Verwendung von Elektronen- oder Ionenstrahlen dürfen hingegen keine materiellen Gegenstände in den Strahlen­ gang gebracht werden. Zudem wirken sich bei diesen Verfahren wegen der angestrebten und möglichen ge­ ringeren Linienbreiten kleinere Partikel als bei der Photolithographie noch als störend aus. Ähnliche Probleme ergeben sich z.B. in der Medizin oder in der Chemie, z.B. in der Katalytik, und allgemein überall dort, wo extrem saubere Oberflächen in einem Her­ stellungs-, Verarbeitungs- oder Bearbeitungsverfahren hergestellt werden müssen.
Die Erfindung, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet ist, löst daher die Aufgabe, kleine Partikel von Oberflächen fester Körper zu entfernen. Dazu wird die zu reinigende Oberfläche mit mindestens einem Puls eines Hochleistungslasers beschossen, dessen Pulsdauer und Leistungsdichte so bemessen sind, daß die Ober­ fläche selbst nicht beschädigt wird.
Es sind wesentliche Vorteile der Erfindung, daß ein effektives, einfaches und zerstörungsfreies Reinigungs­ verfahren für Oberflächen fester Körper bereitgestellt wird. Zudem läßt sich das Verfahren speziell bei dem Anwendungsbeispiel der Maskenreinigung problemlos in Lithographieanlagen zur in-situ Reinigung integrieren.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Skizze einer in der Elektronenstrahl-Lithographie Verwendung findenden Si-Maske.
Fig. 2 eine mit Partikeln verunreinigte Maske entsprechend Fig. 1 vor dem Beschuß mit einem gepulsten Laserstrahl.
Fig. 3 eine mit Partikeln verunreinigte Oberfläche nach dem Beschuß, bei der nur die durch eine Kreuzblende beleuchteten Anteile gesäubert wurden.
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer Elektronen­ strahl-Lithographie-Anlage mit einer Vorrichtung zur in-situ Reinigung der Maske gemäß der Erfindung.
Im folgenden Ausführungsbeispiel der Erfindung wird hauptsächlich auf das Reinigen von Si-Membranmasken Bezug genommen. Jedoch lassen sich die Resultate unter Anpassung der Parameter auch bei anderen Substanzklassen, insbesondere Halbleitern und Isola­ toren, und anderen Anwendungsfällen mit glatten oder strukturierten Oberflächen erzielen.
Fig. 1 zeigt den Querschnitt einer Si-Maske wie sie in der Elektronenstrahl-Lithographie Verwendung findet. (1) H. Bohlen et al, IBM J. RES. DEVELOP., Vol 26, No. 5 (1982) 568-579. Ein Si-Wafer 1 erhält an einer Oberfläche eine 2-3 µm dicke B-dotierte Schicht 2 als Ätzstop und eine Au-Schicht 3 zur Absorption des Elektronenstrahls und zum Wärmetransport. Durch mehrere Prozessschritte (unter Verwendung von reaktivem Ionenätzen und Ätzen von der Rückseite) wird in die Schicht 2 das gewünschte Muster in Form physikalischer Durchgänge 4 übertragen und es entsteht dadurch eine Si-Membran, die als Maske z.B. im Schattenwurfverfahren zu Herstellung der gewünschten Strukturen auf einem weiteren Si-Wafer dient. Im Zuge höherer Integrations­ dichten werden die dazu erforderlichen Linienbreiten, also die Breite der Durchgänge 4, immer geringer, so daß Verunreinigungen und Partikel immer geringerer Ausmaße sich als störend auswirken.
Fig. 2 zeigt eine Zeichnung nach einer SEM-Aufnahme (Sekundär-Elektronen-Mikroskop) von einer verun­ reinigten Elektronenstrahl-Lithographie-Maske, bei der sich die Partikel sowohl auf der Oberfläche 7 als auch in den Durchlässen 8 befinden. Die Partikel können dabei isoliert oder zu Agglomeraten gehäuft vorkommen.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens hat sich nun überraschenderweise gezeigt, daß einige wenige oder gar nur eine einzige Belichtung derartiger strukturierter Oberflächen mit einem Puls eines Hoch­ leistungslasers ausreicht, um insbesondere Submikron- Partikel von der Oberfläche selbst und auch aus den Durchgängen zu entfernen, ohne die Oberfläche zu be­ schädigen oder sonstwie zu beeinträchtigen.
Bei Verwendung eines Lasers zu diesem Zweck muß die Leistungsdichte ausreichend hoch sein, um überhaupt einen Reinigungseffekt zu erzielen, und andererseits zusammen mit den Einstrahldauern so eingestellt werden, daß ein Aufschmelzen oder eine Abtragung der zu reinigenden Oberfläche vermieden wird. Beispielsweise Excimerlaser genügen diesen Anforderungen, da sie einerseits die gewünschten Leistungsdichten besitzen und andererseits mit sehr kurzen Pulsdauern betrieben werden können. Zudem haben diese Laser speziell bei der Anwendung auf Si-Masken den Vorteil, daß ihre Strahlung wegen der kurzen Wellenlänge (im UV-Bereich) größtenteils reflektiert wird und so eine wesentliche Erwärmung bei geeignet gewählten Leistungsdichten vermieden werden kann.
Für das erfindungsgemäße Verfahren gibt es einen relativ weiten Parameterbereich von Wellenlänge, eingestrahlter Leistungsdichte und Einstrahlungsdauer, in dem selektiv nur Partikel von der Oberfläche entfernt werden, die Oberfläche selbst aber unbeschä­ digt bleibt. Dieser Parameterbereich wird von vielen Faktoren der jeweiligen Anwendung bestimmt: Er hängt einmal von der Wellenlänge des Lasers ab, dann von der Art der Verunreinigung, wie stark z.B. die Absorption der Partikel bei der verwendeten Laserwellenlänge ist; er hängt weiterhin von der Größe der Partikel ab, denn es ist zu erwarten, daß sich große Partikel schwieriger entfernen lassen als kleine. Nicht zuletzt hängt der Parameterbereich auch von dem zu reinigenden Material ab, wie stark es absorbiert, ob es leichtschmelzend ist; er hängt darüber hinaus auch von der Beschaffen­ heit der zu reinigenden Materialoberfläche ab, ob sie z.B. amorph oder einkristallin ist.
Die Bestrahlung der Oberfläche kann großflächig erfolgen (wenn Laser hoher Leistungsdichte zur Ver­ fügung stehen) oder auch rasterförmig mit geeignet geformten oder fokussierten Laserstrahlenbündeln.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Reinigungsver­ fahrens wurden auf Si-Masken einmal Polymerpartikel (Latex) und zum anderen Al2O3-Partikeln mit einem Durchmesser von etwa 500 nm aufgebracht (mit einer Äthanolsuspension). Nach Verdampfen des Äthanols liegen die Teilchen dichtgedrängt sowohl als Einzel­ partikel als auch als Agglomerate auf der Oberfläche und auch in den die Maskenstruktur darstellenden Durchgängen der Membran. In den Versuchen wurden Excimerlaser (KrF, XeCl) benutzt mit Pulsdauern zwischen 5-10 ns. Die auf die Maske fokussierte Lei­ stungsdichte betrug bei:
KrF: 21 MW/cm²
XeCl: 15 MW/cm²
Die Mehrzahl der Partikel, selbst derjeniger, die sich in den Durchlässen der Maske befanden, wurden bereits durch einen Laserpuls entfernt. Die Reinigungsversuche zeigten im Erfolg grundsätzlich keinen Unterschied zwischen den organischen Polymerpartikeln und den anorganischen Aluminiumoxidpartikeln.
Zur Untersuchung des Wirkungsmeachanismus für die Partikelentfernung wurden Abtragungsversuche mit geschlossenen Filmen aus Photolack und Polyimidfolien mit einer eingestrahlten Leistungsdichte von etwa 50 MW/cm2 durchgeführt; dabei wurden Ablationstiefen von etwa 200 nm/Puls beobachtet. Das abgetragene Material wird hierbei wahrscheinlich verdampft. Bei Vorliegen des gleichen Wirkungsmechanismusses wäre darum auch bei der Reinigung der Oberfläche von Partikeln zunächst zu erwarten, daß bei ähnlichen Pulsdauern und Leistungs­ dichten nur Partikel bis herauf zu einem Durchmesser von etwa 200 nm mit einem einzigen Laserpuls entfernt werden können. Dies ist jedoch überraschenderweise nicht der Fall: Partikel werden offenbar leichter ent­ fernt als geschlossene Filme. Der genaue Wirkungsmecha­ nismus ist nicht geklärt; obige Beobachtung läßt jedoch vermuten, daß nicht nur reine Verdampfungspro­ zesse eine Rolle spielen. Dies wird auch dadurch nahegelegt, daß die verglichen mit den Polymerpartikeln harten und wenig absorbierenden Aluminiumoxidpartikel dennoch ebenso entfernt wurden wie die Polymerpartikel. Es könnte z.B. der durch das oberflächlich schwingende oder verdampfende Material des Partikels entstehende Rückstoßimpuls zur Überwindung der Adhäsion beitragen und damit die völlige Loslösung des Partikels ein­ leiten.
Speziell bei der Anwendung von Lasern zur Reinigung der sehr dünnen Si-Membran-Masken ist es wesentlich, daß bei den verwendeten Leistungsdichten und Pulsdauern die zu reinigende Maske völlig unbeschädigt bleibt. Es ist keinerlei Veränderung, keinerlei Verformung der Kanten und Strukturen durch eventuell stattfindendes Aufschmelzen der Si-Oberfläche beobachtet worden. Unter Beibehaltung der Pulsdauern von etwa 5-10 ns wurde erst bei wesentlich höheren Leistungsdichten von etwa 1 GW/cm2 eine Zerstörung der Maske beobachtet. Dadurch ist ein großer Parameterbereich gegeben, der zur optimalen Anpassung des Verfahrens bei anderen Verunreinigungen ausgenutzt werden kann.
Fig. 3 stellt eine Zeichnung nach einer SEM-Aufnahme einer mit Partikeln (500 nm Durchmesser) verunreinigten Oberfläche dar, die mit einem Laserstrahl durch eine Kreuzblende (Strichbreite 45 µm) beaufschlagt wurde. Das Resultat zeigt deutlich, daß nur die vom Strahl getroffenen Teile 5 der Oberfläche gesäubert sind, während die von der Blende abgedeckten Teile 6 ungesäu­ bert bleiben. Die Übergänge zwischen beiden Bereichen sind scharf, wodurch belegt wird, daß die Ablösung der Partikel eine direkte Wirkung der Einstrahlung ist und nicht etwa von Maskenschwingungen verursacht wird.
Da möglicherweise bestimmte Arten von Partikeln durch den direkten Laserbeschuß nicht ohne Beschädigung der zu reinigenden Oberfläche entfernt werden können, wird in einer weiteren Ausbildungsform der Erfindung eine Hilfsschicht benutzt, die auf die zu reinigende Fläche unter Einschluß der zu entfernenden Partikel aufge­ bracht wird. Diese Hilfsschicht kann vorzugsweise aus einem stark absorbierenden Material z.B. einem in Abhängigkeit von der Wellenlänge geeignet zu wählenden Metall bestehen. Die Hilfsschicht wird durch Laserbe­ schuß abgetragen und die Partikel werden dabei mitentfernt. Versuche mit Au-Schichten auf Si-Masken ergaben, daß die Masken auch bei dieser speziellen Methode nicht beschädigt werden und daß es wegen der kurzen Pulsdauern zu keiner Legierungsbildung kommt.
Fig. 4 stellt eine schematische Skizze einer Elektro­ nenstrahl-Lithographie-Anlage 10 dar, in die eine Vor­ richtung integriert ist, mit der das erfindungsgemäße Reinigungsverfahren zur in-situ Reinigung der Masken durchgeführt werden kann. Ein Elektronenstrahl 11 wird durch die Ablenkeinheiten 12 a-12 d über die Maske 13 gefächert, die sich während des Belichtungsbetriebes im heruntergeklappten Zustand 14 befindet. Der durch die Durchlässe 4 in der Maske im Step-and-Repeat Ver­ fahren zu belichtende Wafer 16 befindet sich auf einem beweglichen Tisch. Durch die beiden Fenster 21, 22 können mittels der Ablenkeinheiten 19, 20 zwei ge­ pulste und eventuell auch fokussierte Laserstrahlen über Ober- und Unterseite der Maske gerastert werden. Die Maske befindet sich während des Reinigungsprozesses im hochgeklappten Zustand 15. Ein Hochklappen der Maske ermöglicht auch das Reinigen der Unterseite und wirkt zudem einer eventuell möglichen Redeposition der entfernten Partikel entgegen.

Claims (13)

1. Verfahren zum Entfernen kleiner Partikel von Oberflächen fester Körper, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche mit mindestens einem Laserpuls beschossen wird, dessen Leistungsdichte die Oberfläche selbst unbeschädigt läßt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zu entfernenden Partikel Durchmesser im Sub­ mikronbereich haben.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zum Entfernen der Partikel ausreichende Leistungs­ dichte unterhalb der zur vollständigen Verdampfung der Partikel notwendigen Leistungsdichte liegt.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine die Partikel und die Oberfläche bedeckende Hilfsschicht aufgebracht und durch den Laserpuls zusammen mit den Partikeln entfernt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hilfsschicht aus einem die Laserstrahlung absorbierenden Metall besteht.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichntet, daß die Pulsdauer in der Größenordnung von Nanosekun­ den und die eingestrahlte Leistungsdichte in der Größenordnung von MW/cm2 liegt.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Excimerlaser verwendet wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, angewandt zur Reinigung von Halbleiteroberflächen.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, angewandt zur Reinigung von Isolatoroberflächen.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, angewandt zur Reinigung von Lithographiemasken.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Masken Membranmasken aus Silizium sind.
12. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 10 oder 11 in einer Lithographie-Anlage, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel (21, 22) zur Einführung eines Laserstrahls in die Anlage (10) und Mittel zur Handhabung der Maske bereitgestellt sind, die einen Laserbeschuß von Vorder-und Rückseite der Maske erlauben.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß Vorrichtungen vorgesehen sind, mit denen die Maske während der Reinigung senkrecht gestellt wird.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4241575A1 (de) * 1992-12-10 1994-06-16 Baldwin Gegenheimer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum kontaktfreien Entfernen von Schmutz von Gegenständen, insbesondere von Druckmaschinen-Zylindern
DE4332866A1 (de) * 1993-09-27 1995-03-30 Fraunhofer Ges Forschung Oberflächenbehandlung mit Barrierenentladung
US5463951A (en) * 1993-01-20 1995-11-07 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Printing machine spray device
DE10208718A1 (de) * 2002-02-28 2003-10-02 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Entfernung von Partikeln von Oberflächen

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5531857A (en) * 1988-07-08 1996-07-02 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source
US5821175A (en) * 1988-07-08 1998-10-13 Cauldron Limited Partnership Removal of surface contaminants by irradiation using various methods to achieve desired inert gas flow over treated surface
US5643472A (en) * 1988-07-08 1997-07-01 Cauldron Limited Partnership Selective removal of material by irradiation
FR2649702B1 (fr) * 1989-07-13 1991-11-22 Rhone Poulenc Sante Derives d'alkylimino-2 benzothiazoline, leurs procedes de preparation et les medicaments les contenant
US5151135A (en) * 1989-09-15 1992-09-29 Amoco Corporation Method for cleaning surfaces using UV lasers
DE69325171D1 (de) * 1992-03-31 1999-07-08 Cauldron Lp Entfernung von oberflächen-verseuchungen durch ausstrahlung
US5332879A (en) * 1992-12-02 1994-07-26 The Aerospace Corporation Method for removing trace metal contaminants from organic dielectrics
TW285721B (de) * 1994-12-27 1996-09-11 Siemens Ag
TW284907B (en) * 1995-06-07 1996-09-01 Cauldron Lp Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation
AT408287B (de) * 1996-10-01 2001-10-25 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Verfahren und vorrichtung zum trocknen von scheibenförmigen substraten der halbleitertechnik
JP3728829B2 (ja) * 1996-10-11 2005-12-21 株式会社ニコン 荷電粒子線投影装置
US5742065A (en) * 1997-01-22 1998-04-21 International Business Machines Corporation Heater for membrane mask in an electron-beam lithography system
JPH10223512A (ja) * 1997-02-10 1998-08-21 Nikon Corp 電子ビーム投影露光装置
SG77617A1 (en) * 1997-12-18 2001-01-16 Advanced Systems Automation A system for removing surface contaminants on moulds used in semiconductor packaging tools
SG78282A1 (en) * 1997-12-18 2001-02-20 Advanced Systems Automation A method for removing surface contaminants on moulds used in semiconductor packaging tools
JP3518723B2 (ja) * 1998-05-25 2004-04-12 トヨタ自動車株式会社 肉盛方法
WO1999065061A2 (en) * 1998-06-08 1999-12-16 Advanced Systems Automation Limited A portable laser cleaning device for semiconductor packaging machines
DE19830438A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Zeiss Carl Fa Verfahren zur Dekontamination von Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen
US6385290B1 (en) 1998-09-14 2002-05-07 Nikon Corporation X-ray apparatus
US6407385B1 (en) 1998-12-18 2002-06-18 Nikon Corporation Methods and apparatus for removing particulate foreign matter from the surface of a sample
IL127720A0 (en) 1998-12-24 1999-10-28 Oramir Semiconductor Ltd Local particle cleaning
DE19941399A1 (de) * 1999-08-31 2001-04-19 Infineon Technologies Ag Reinigung von Stencilmasken mit Hilfe einer durch Maskenöffnungen hindurchtretenden Gasströmung
US6881687B1 (en) 1999-10-29 2005-04-19 Paul P. Castrucci Method for laser cleaning of a substrate surface using a solid sacrificial film
US6627846B1 (en) 1999-12-16 2003-09-30 Oramir Semiconductor Equipment Ltd. Laser-driven cleaning using reactive gases
US6582857B1 (en) 2000-03-16 2003-06-24 International Business Machines Corporation Repair of masks to promote adhesion of patches
US7276127B2 (en) * 2002-02-01 2007-10-02 Metastable Instruments, Inc. Method and apparatus for cleaning with internally reflected electromagnetic radiation
JP2003302745A (ja) * 2002-04-12 2003-10-24 Dainippon Printing Co Ltd 異物の無害化方法
US6908567B2 (en) * 2002-07-30 2005-06-21 Applied Materials Israel, Ltd. Contaminant removal by laser-accelerated fluid
SG114560A1 (en) * 2002-07-31 2005-09-28 Inst Data Storage A method and apparatus for cleaning surfaces
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
US6864458B2 (en) * 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
US20040224508A1 (en) * 2003-05-06 2004-11-11 Applied Materials Israel Ltd Apparatus and method for cleaning a substrate using a homogenized and non-polarized radiation beam
US20050279453A1 (en) 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
DE102004047798A1 (de) * 2004-09-29 2006-04-06 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Reinigung eines Resonators
JP2006114650A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Canon Inc 露光装置、走査露光装置、デバイス製造方法、原版のクリーニング方法、および原版
JP2007027419A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc 露光装置
JP2008147314A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Canon Inc 洗浄装置及び方法、洗浄装置を有する露光装置
US11311917B2 (en) 2007-08-09 2022-04-26 Bruker Nano, Inc. Apparatus and method for contamination identification
US7993464B2 (en) 2007-08-09 2011-08-09 Rave, Llc Apparatus and method for indirect surface cleaning
US8801497B2 (en) 2009-04-30 2014-08-12 Rdc Holdings, Llc Array of abrasive members with resilient support
US9221148B2 (en) 2009-04-30 2015-12-29 Rdc Holdings, Llc Method and apparatus for processing sliders for disk drives, and to various processing media for the same
US20100330890A1 (en) * 2009-06-30 2010-12-30 Zine-Eddine Boutaghou Polishing pad with array of fluidized gimballed abrasive members
WO2012164546A2 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Microheater-based in situ self-cleaning dynamic stencil lithography
AT513222B1 (de) * 2012-08-03 2016-11-15 Haas Food Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Backoberflächen
WO2019158511A1 (de) * 2018-02-14 2019-08-22 Basf Se Verfahren zur reinigung von lochplatten
WO2021171265A1 (en) * 2020-02-28 2021-09-02 Newtech Llc Surface modification of solder paste stencils
CN113376956A (zh) * 2021-05-07 2021-09-10 深圳市路维光电股份有限公司 光罩内部清洁方法及清洁装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3505449A1 (de) * 1984-02-17 1985-08-22 Robert 6600 Saarbrücken Langen Verfahren zum entfernen von verunreinigungen, insbesondere rost, von einer metalloberflaeche

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990925A (en) * 1975-03-31 1976-11-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Removal of projections on epitaxial layers
JPS5839374B2 (ja) * 1978-12-26 1983-08-30 松下電器産業株式会社 半導体基板の処理方法
US4388517A (en) * 1980-09-22 1983-06-14 Texas Instruments Incorporated Sublimation patterning process
CA1265209A (en) * 1984-02-17 1990-01-30 Robert Langen Process to remove contaminants, particularly rust/from metallic surfaces
JPS6187338A (ja) * 1984-10-05 1986-05-02 Nec Corp 多重ビ−ム照射Ｓｉ表面ドライ洗浄法
GB2169496B (en) * 1985-01-16 1987-12-23 Stc Plc Cleaning metal surfaces
JPS6263929U (de) * 1985-10-12 1987-04-21
DD254086A1 (de) * 1986-11-26 1988-02-10 Univ Schiller Jena Verfahren zur herstellung einer monokristallinen silizidschicht auf einem siliziumsubstrat

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3505449A1 (de) * 1984-02-17 1985-08-22 Robert 6600 Saarbrücken Langen Verfahren zum entfernen von verunreinigungen, insbesondere rost, von einer metalloberflaeche

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP-DS "Pat. abstr. of Japan", 1985, Vol. 9/No.92, M-373 Kokai No. 59-218293 *
US-DS "Laser & Appl.", 1986 H. 5, S. 71-76 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4241575A1 (de) * 1992-12-10 1994-06-16 Baldwin Gegenheimer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum kontaktfreien Entfernen von Schmutz von Gegenständen, insbesondere von Druckmaschinen-Zylindern
US5592879A (en) * 1992-12-10 1997-01-14 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Method and apparatus for the contact-free removal of dirt from the cylinders of printing machines
US5463951A (en) * 1993-01-20 1995-11-07 Baldwin-Gegenheimer Gmbh Printing machine spray device
DE4332866A1 (de) * 1993-09-27 1995-03-30 Fraunhofer Ges Forschung Oberflächenbehandlung mit Barrierenentladung
DE10208718A1 (de) * 2002-02-28 2003-10-02 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Entfernung von Partikeln von Oberflächen

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0695510B2 (ja) 1994-11-24
EP0297506A3 (de) 1991-11-27
US4980536A (en) 1990-12-25
EP0297506A2 (de) 1989-01-04
DE3856187D1 (de) 1998-06-25
DE3721940C2 (de) 1989-04-06
JPS6412526A (en) 1989-01-17
EP0297506B1 (de) 1998-05-20
DE3856187T2 (de) 1999-02-04

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