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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Technisches Gebiet
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück, das einen Reinigungsschritt beinhaltet.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Bisher ist Ablation durch eine Laserbearbeitungsvorrichtung, wie zum Beispiel in der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2004-322168 offenbart ist, bekannt. In der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2004-322168 , um zu verhindern, dass Verschmutzung, die bei der Ablation generiert wird, an den Vorrichtungen anhaftet, wird eine vordere Oberfläche vorläufig mit einem Schutzfilm bedeckt, der einen wasserlöslichen Kunststoff beinhaltet, vor der Ablation. Nach der Ablation wird das Werkstück mit einem Reinigungsfluid gewaschen, wodurch der Schutzfilm von dem Werkstück zusammen mit der Verschmutzung, die an dem Schutzfilm anhaftet, entfernt wird.
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In der
japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2004-322168 ist eine Bauelementkonfiguration offenbart, die zum Ausbilden des Schutzfilms und Entfernen des Schutzfilms durch Reinigen geeignet ist. Solch ein Bauelement wird Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsbauelement und/oder Drehbeschichter genannt. Eine bestimmte Bauelementkonfiguration beinhaltet einen Drehtisch, ein Zufuhrmittel für flüssigen Kunststoff und ein Zufuhrmittel für Reinigungswasser.
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DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Konventionell wird ein gemischtes Fluid, das Gas und Flüssigkeit beinhaltet, als das Reinigungsfluid für das Werkstück verwendet und das gemischte Fluid wird auf das Werkstück ausgestoßen. Jedoch, wenn das gemischte Fluid, das Gas enthält, mit einem hohen Druck auf das Werkstück ausgestoßen wird, kann der Schutzfilm, der durch das gemischte Fluid aufgelöst oder abgelöst wird, in der Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung gestreut werden und kann an dem Inneren eines Gehäuses oder einer Düse, die das gemischte Fluid ausstößt, oder dergleichen anhaften; darum bedarf es einer Verbesserung.
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Entsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück bereitzustellen, das ein Reinigungsverfahren beinhaltet, durch welches ein Streuen eines Schutzfilms in einer Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung verhindert werden kann.
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In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück bereitgestellt, das einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm zum Beschichten einer oberen Oberfläche eines Werkstücks mit einem Schutzfilm, der einen wasserlöslichen Kunststoff beinhaltet, einen Laserbearbeitungsschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass sie in dem Werkstück absorbiert wird, an der oberen Oberfläche, um das Werkstück einer Ablation auszusetzen, nach dem der Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm ausgeführt wurde, und einen Reinigungsschritt zum Entfernen des Schutzfilms von der oberen Oberfläche des Werkstücks zusammen mit der Verschmutzung, die in dem Laserbearbeitungsschritt generiert wird, nachdem der Laserbearbeitungsschritt ausgeführt wurde, beinhaltet. In dem Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück beinhaltet der Reinigungsschritt einen Halteunterschritt zum Halten des Werkstücks durch einen Drehtisch in einem Zustand, in dem die obere Oberfläche des Werkstücks, die mit dem Schutzfilm beschichtet ist, freiliegt, einen ersten Reinigungsunterschritt zum Drehen des Drehtischs, der das Werkstück hält, und Zuführen eines Reinigungsfluids zu der oberen Oberfläche des Werkstücks und einen zweiten Reinigungsunterschritt zum Zuführen eines gemischten Fluids aus Gas und dem Reinigungsfluid zu der oberen Oberfläche des Werkstücks, das durch den Drehtisch gehalten ist, um das Werkstück zu reinigen, nachdem der erste Reinigungsunterschritt ausgeführt wurde.
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Vorzugsweise beinhaltet das Bearbeitungsverfahren für ein Werkstück ferner einen Trocknungsschritt zum Drehen des Drehtischs mit einer höheren Geschwindigkeit als das Drehen des Drehtischs in dem Reinigungsschritt, nachdem der Reinigungsschritt ausgeführt wurde, um dadurch das Werkstück zu trocknen.
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Entsprechend der vorliegenden Erfindung wird in dem ersten Reinigungsunterschritt nur das Reinigungsfluid, das kein Hochdruckgas beinhaltet, zugeführt und der Schutzfilm wird in einer Weise abgelöst, dass er weggewaschen wird. Folglich wird der aufgelöste Schutzfilm daran gehindert, zu der Umgebung zu streuen und der Schutzfilm kann daran gehindert werden, an den Wandoberflächen eines inneren Raums eines Gehäuses jeder der Düsen oder jedem der Arme anzuhaften. Zusätzlich, wird in dem zweiten Reinigungsunterschritt, da der Schutzfilm nicht oder nur teilweise überbleibt, weil der Schutzfilm vorher in dem ersten Reinigungsunterschritt entfernt wurde, der Schutzfilm nicht oder nur leicht gestreut, sogar wenn ein Reinigen mit dem gemischten Fluid, das Hochdruckgas enthält, durchgeführt wird.
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Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Konfigurationsbeispiels einer Laserbearbeitungsvorrichtung;
- 2 ist eine perspektivische Ansicht teilweise im Querschnitt, die ein Konfigurationsbeispiel einer Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung darstellt;
- 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Beispiel eines Bearbeitungsverfahrens darstellt;
- 4 ist eine Schnittansicht, die einen Ausbildungsschritt für einen Schutzfilm darstellt;
- 5 ist eine seitliche Ansicht teilweise im Querschnitt, die einen Laserbearbeitungsschritt darstellt;
- 6 ist eine Schnittansicht, die einen Halteunterschritt darstellt;
- 7 ist eine Schnittansicht, die einen ersten Reinigungsunterschritt darstellt;
- 8 ist eine Schnittansicht, die einen zweiten Reinigungsunterschritt darstellt; und
- 9 ist eine Schnittansicht, die einen Trocknungsschritt darstellt.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer Laserbearbeitungsvorrichtung 2 darstellt. Wie in 1 dargestellt ist, beinhaltet die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 eine Basis 4, die jeden Aufbau trägt.
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Die Basis 4 beinhaltet einen rechteckigen parallelepipeden Basisabschnitt 6 und einen Wandabschnitt 8, der sich nach oben an einem hinteren Ende des Basisabschnitts 6 erstreckt. An einer oberen Oberfläche des Basisabschnitts 6 ist ein Einspanntisch 10, der einen Wafer 11 unter einem Saugen durch ein Schutzband 15 hält, angeordnet.
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An einer unteren Seite des Einspanntischs 10 ist eine Y-Achsen-Bewegungseinheit 16 bereitgestellt, die den Einspanntisch 10 in einer Y-Achsen-Richtung (Index-Zufuhrrichtung) bewegt. Die Y-Achsen-Bewegungseinheit 16 beinhaltet ein Paar Y-Achsen-Führungsschienen 18, das an der oberen Oberfläche des Basisabschnitts 6 fixiert ist, und das parallel zu der Y-Achsen-Richtung ist.
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An den Y-Achsen-Führungsschienen 18 ist ein Y-Achsen-Bewegungstisch 20 gleitend angeordnet. Ein Mutterabschnitt (nicht dargestellt) ist an der hinteren Seite (untere Oberflächenseite) des Y-Achsen-Bewegungstischs 20 bereitgestellt und eine Y-Achsen-Kugelrollspindel 22 parallel zu den Y-Achsen-Führungsschienen 18 ist mit dem Mutterabschnitt in einer drehbaren Weise gekoppelt.
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Ein Y-Achsen-Pulsmotor 24 ist mit einem Endabschnitt der Y-Achsen-Kugelrollspindel 22 verbunden. Wenn die Y-Achsen-Kugelrollspindel 22 durch den Y-Achsen-Pulsmotor 24 gedreht wird, wird der Y-Achsen-Bewegungstisch 20 in der Y-Achsen-Richtung entlang der Y-Achsen-Führungsschienen 18 bewegt.
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An einer vorderen Oberflächenseite (obere Oberflächenseite) des Y-Achsen-Bewegungstischs 20 ist eine X-Achsen-Bewegungseinheit 26, die den Einspanntisch 10 in einer X-Achsen-Richtung (Bearbeitungszufuhrrichtung) orthogonal zu der X-Achsen-Richtung bewegt, bereitgestellt. Die X-Achsen-Bewegungseinheit 26 beinhaltet ein Paar X-Achsen-Führungsschienen 28, das an einer oberen Oberfläche des Y-Achsen-Bewegungstischs 20 fixiert ist und das parallel zu der X-Achsen-Richtung ist.
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An den X-Achsen-Führungsschienen 28 ist ein X-Achsen-Bewegungstischs 30 gleitend angeordnet. Ein Mutterabschnitt (nicht dargestellt) ist an einer hinteren Oberflächenseite (untere Oberflächenseite) des X-Achsen-Bewegungstischs 30 bereitgestellt und eine X-Achsen-Kugelrollspindel 32 parallel zu den X-Achsen-Führungsschienen 28 ist mit dem Mutterabschnitt in einer drehbaren Weise gekoppelt.
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Ein X-Achsen-Pulsmotor 34 ist mit einem Endabschnitt der X-Achsen-Kugelrollspindel 32 verbunden. Wenn die X-Achsen-Kugelrollspindel 32 durch den X-Achsen-Pulsmotor 34 gedreht wird, wird der X-Achsen-Bewegungstisch 30 in der X-Achsen-Richtung entlang der X-Achsen-Führungsschienen 28 bewegt.
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An einer vorderen Oberflächenseite (obere Oberflächenseite) des X-Achsen-Bewegungstischs 30 ist eine Trägerbasis 36 bereitgestellt. An einem oberen Abschnitt der Trägerbasis 36 ist der Einspanntisch 10 angeordnet. Der Einspanntisch 10 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) verbunden, die an einer unteren Seite bereitgestellt ist und um eine Z-Achse gedreht wird. In der Umgebung des Einspanntischs 10 sind vier Klemmen 38 zum Klemmen und Fixieren eines ringförmigen Rahmens 17, der den Wafer 11 trägt, von vier Seiten bereitgestellt.
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Eine vordere Oberfläche des Einspanntischs 10 ist eine Halteoberfläche 10a, die den Wafer 11 unter einem Saugen durch ein kreisförmiges Schutzband 15, das an dem Wafer 11 angebracht ist, hält. An der Halteoberfläche 10a wirkt ein negativer Druck einer Saugquelle (nicht dargestellt) durch einen Flusskanal (nicht dargestellt), der in dem Inneren des Einspanntischs 10 ausgebildet ist, und eine Saugkraft zum Ansaugen des Schutzbands 15 wird ausgebildet.
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Der Wafer 11 ist in einem zentralen Abschnitt einer Öffnung des ringförmigen Rahmens 17, der aus Metall ausgebildet ist, angeordnet und der Wafer 11 und der Rahmen 17 sind an dem Schutzband 15 durch einen Haftvermittler oder dergleichen fixiert. Der Wafer 11, das Schutzband 15 und der Rahmen 17 bilden eine Wafereinheit 19. An dem Wafer 11 sind Straßen in einem Gittermuster gestaltet und entlang der Straßen wird eine Laserbearbeitung (Ablation) durchgeführt und der Wafer 11 wird geplant geteilt.
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Ein Trägerarm 40, der sich nach vorne erstreckt, ist an einer vorderen Oberfläche eines oberen Abschnitts des Wandabschnitts 8 bereitgestellt und ein Bearbeitungskopf 12a einer Aufbringungseinheit 12 für einen Laserstrahl ist an einem Spitzenabschnitt des Trägerarms 40 bereitgestellt. Die Aufbringungseinheit 12 für einen Laserstrahl beinhaltet einen Laseroszillator, der nicht dargestellt ist, und der Bearbeitungskopf 12a beinhaltet eine nicht dargestellte Kondensorlinse, die einen Laserstrahl, der von dem Laseroszillator oszilliert wird, auf dem Wafer 11, der durch den Einspanntisch 10 gehalten ist, sammelt.
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Der Einspanntisch 10 liegt unter dem Bearbeitungskopf 12a der Aufbringungseinheit 12 für einen Laserstrahl und eine Ablation des Wafers 11, der durch die Halteoberfläche 10a gehalten ist, wird durch den Laserstrahl durchgeführt, der von dem Bearbeitungskopf 12a aufgebracht wird.
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An der vorderen Oberfläche des oberen Abschnitts des Wandabschnitts 8 und an einer lateralen Seite des Trägerarms 40 ist eine Fördervorrichtung 60 zum Fördern der Wafereinheit 19 an dem Einspanntisch 10 zu einem Drehtisch 52 einer Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 bereitgestellt.
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Die Fördervorrichtung 60 beinhaltet einen Haltearm 61, der mehrere Saugabschnitte 61a zum saugenden Halten einer oberen Oberfläche des Rahmens 17 der Wafereinheit 19 aufweist, einen Hebeabschnitt 62 zum Heben des Haltearms 61 nach oben und nach unten, einen horizontalen Bewegungsabschnitt 63 mit welchem der Hebeabschnitt 62 verbunden ist und der horizontal in der X-Achsen-Richtung bewegt wird und einen X-Achsen-Bewegungsmechanismus 64 zum Bewegen des horizontalen Bewegungsabschnitts 63.
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Der X-Achsen-Richtungs-Bewegungsmechanismus 64 beinhaltet ein Paar X-Achsen-Führungsschienen 64a, die in einer horizontalen Richtung an einer vorderen Oberfläche des Wandabschnitts 8 bereitgestellt sind, eine X-Achsen-Kugelrollspindel 65, die zwischen den X-Achsen-Führungsschienen 64a angeordnet ist, und ein X-Achsen-Pulsmotor 66, der an einem Ende der X-Achsen-Kugelrollspindel 65 bereitgestellt ist.
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Die X-Achsen-Kugelrollspindel 65 ist in einen Mutterabschnitt (nicht dargestellt) eingesetzt und erstreckt sich durch diesen, der in dem horizontalen Bewegungsabschnitt 63 bereitgestellt ist und, wenn die X-Achsen-Kugelrollspindel 65 durch den X-Achsen-Pulsmotor 66 gedreht wird, wird der horizontale Bewegungsabschnitt 63 in der X-Achsen-Richtung entlang der X-Achsen-Führungsschienen 64 bewegt und gleichzeitig wird der Haltearm 61 auch in der X-Achsen-Richtung bewegt.
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2 ist eine Darstellung, die die Konfiguration der Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 (auch als Drehbeschichter bezeichnet) darstellt. Die Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 beinhaltet den Drehtisch 52, der durch einen nicht dargestellten Motor rotations-angetrieben wird, eine Trägerbasis 53, die einen unteren Abschnitt des Drehtischs 52 trägt und ihn nach oben und unten anhebt, Klemmen 54, die die Wafereinheit 19 (1), die durch den Drehtisch 52 gehalten ist, klemmen, oszillierende Arme 56 bis 58, die jeweils durch nicht dargestellte Motoren oszilliert werden, und ein Gehäuse 51, das einen inneren Raum 51a ausbildet, der diese Komponenten umgibt.
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Der Drehtisch 52 weist einen Saughalteabschnitt 52a auf, der eine flache Oberfläche ausbildet und einen Rahmenhalteabschnitt 52b, der die Umgebung des Saughalteabschnitts 52a umgibt; ein Teil des Wafers 11 der Wafereinheit 19, die in 1 dargestellt ist, wird unter einem Saugen von unten durch den Saughalteabschnitt 52a gehalten, wohingegen der Rahmen 17 der Wafereinheit 19 durch den Rahmenhalteabschnitt 52b getragen ist.
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Wie in 2 dargestellt, sind Klemmen 54 eines Pendeltyps an dem Rahmenhalteabschnitt 52b des Drehtischs 52 bereitgestellt und werden durch eine Zentrifugalkraft, die durch Drehen des Drehtischs 52 generiert wird, geschwenkt, um von oben zu drücken und den Rahmen 17 einzuklemmen (1).
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Die oszillierenden Arme 56 bis 58 sind so bereitgestellt, dass sie in horizontalen Richtungen an einer oberen Seite des Drehtischs 52 oszillieren, eine Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff ist an einem Spitzenabschnitt von einem oszillierenden Arm 56 bereitgestellt und ein wasserlöslicher Kunststoff wird nach unten von der Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff zugeführt. Der wasserlösliche Kunststoff ist ein Material zum Ausbilden des Schutzfilms und ist zum Beispiel Polyvinylalkohol (PVA), Polyethylenglykol (PEG), Polyethylenoxid (PEO), Polyvinylpyrolidon (PVP) oder dergleichen.
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Wie in 4 dargestellt, ist die Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff mit einer Zufuhrquelle 56e für einen wasserlöslichen Kunststoff durch ein Zufuhrsteuerungsventil 56d verbunden und durch Steuern der Öffnung und der Schließung des Zufuhrsteuerungsventils 56d durch die Steuerung 100 (1) wird eine Zufuhr des wasserlöslichen Kunststoffs von der Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff durchgeführt. Der oszillierende Arm 56, der mit einem Ende der Drehträgersäule 59a verbunden ist, wird durch Antreiben eines Motors 56c oszilliert und die Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff wird an einer oberen Seite des Wafers 11 bewegt.
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Wie in 2 dargestellt, ist eine Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid an einem Endabschnitt eines anderen oszillierenden Arms 57 bereitgestellt und ein Reinigungsfluid wird von der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid zugeführt. Das Reinigungsfluid ist eine einzelne Flüssigkeit wie reines Wasser oder ein gemischtes Fluid (Binärfluid), das durch Mischen von Flüssigkeit wie reinem Wasser mit Gas erhalten wird.
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Wie in 7 dargestellt, ist die Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid mit einer Zufuhrquelle 57e für reines Wasser durch einen Mischer 90 und ein Zufuhrsteuerungsventil 57d verbunden und ist ferner mit einer Gaszufuhrquelle 57g durch den Mischer und ein Zufuhrsteuerungsventil 57f verbunden. Der oszillierende Arm 57, der mit einem Ende einer Drehträgersäule 59b verbunden ist, wird durch Antreiben eines Motors 57c oszilliert und die Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid wird an einer oberen Seite des Wafers 11 bewegt.
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Wenn nur das Zufuhrsteuerungsventil 57d durch die Steuerung 100 (1) geöffnet wird, erlaubt der Mischer 90, dass nur reines Wasser zu der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid fließt. Wenn das Zufuhrsteuerungsventil 57d und das Zufuhrsteuerungsventil 57f durch die Steuerung 100 (1) geöffnet werden, mischt der Mischer 90 reines Wasser mit Luft und das gemischte Fluid, das so gemischt wird, kann durch die Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid fließen. Beachte, dass das Mischens in dem Mischer 90 durch ein Mischen in der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid ersetzt werden kann.
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Wie in 2 dargestellt, ist eine Zufuhrdüse 58a für trockene Luft an einem Spitzenabschnitt eines weiteren oszillierenden Arms 58 bereitgestellt und trockene Luft wird von der Zufuhrdüse 58a für trockene Luft zugeführt. Die trockene Luft ist ein Hochdruckgas wie Luft und wird zum Entfernen einer Flüssigkeit, die an der Oberfläche des Wafers 11 (1) anhaftet, verwendet.
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Wie in 9 dargestellt, ist die Zufuhrdüse 58a für trockene Luft mit einer Gaszufuhrquelle 58e verbunden, die ein Trocknungsgas durch ein Zufuhrsteuerungsventil 58d, das durch die Steuerung 100 (1) gesteuert wird, verbunden. Der oszillierende Arm 58, der mit einem Ende einer Drehträgersäule 59b verbunden ist, wird durch Antreiben durch einen Motor 57c oszilliert und die Zufuhrdüse 58a für trockene Luft wird an einer oberen Seite des Wafers 11 bewegt.
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Als nächstes wird eine Ausführungsform eines Bearbeitungsverfahrens unter Verwendung der obigen Vorrichtungskonfiguration beschrieben. Die vorliegende Ausführungsform beinhaltet jeden der Schritte, die in dem Flussdiagramm aus 3 dargestellt sind. Steuern verschiedener Arten von Betätigungen, die im Folgenden beschrieben sind, wird automatisch durch die Steuerung 100 gesteuert, die verschiedene Mechanismen der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 steuert, die in 1 dargestellt sind.
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<Ausbildungsschritt S1 für Schutzfilm>
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Wie in 4 dargestellt, ist dieser Schritt ein Schritt zum Beschichten einer oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 mit einem Schutzfilm 74 (5), der einen wasserlöslichen Kunststoff 72 beinhaltet. Genauer gesagt, wie in 1 dargestellt, wird die Wafereinheit 19 durch einen nicht dargestellten Fördermechanismus zu der Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 gefördert und wird durch den Drehtisch 52 gehalten. Wie in 4 dargestellt, wird der Drehtisch 52 an einer vorbestimmten Höhe positioniert und wird mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit gedreht. Während der Motor 56c angetrieben wird, um den oszillierenden Arm 56 zu oszillieren, wird wasserlöslicher Kunststoff 52 auf die obere Oberfläche 11a des Wafers 11 von der Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilm getropft. Durch Steuern der Öffnung und Schließung des Zufuhrsteuerungsventils 56d wird eine vorbestimmte Menge des wasserlöslichen Kunststoffs 72 zu der Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff zugeführt.
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Mit der vorbestimmten Menge des wasserlöslichen Kunststoffs 72, der von der Zufuhrdüse 56a für einen Schutzfilmkunststoff getropft wird, wird der wasserlösliche Kunststoff 72 über die gesamte Fläche der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 verteilt. Als nächstes wird das Drehen des Drehtischs 52 angehalten und der wasserlösliche Kunststoff 72 wird getrocknet, wodurch ein Schutzfilm 74 (5) an der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 ausgebildet wird.
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<Laserbearbeitungsschritt S2>
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Wie in 5 dargestellt, ist dieser Schritt ein Schritt zum Aufbringen eines Laserstrahls L einer solchen Wellenlänge, dass dieser in dem Wafer 11 absorbiert wird, auf der oberen Oberfläche 11a, um eine Ablation des Wafers 11 durchzuführen. Genauer gesagt, wie in 1 dargestellt, fördert die Fördervorrichtung 60 die Wafereinheit 19 von der Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 zu dem Einspanntisch 10 und der Einspanntisch 10 hält den Wafer 11 unter einem Saugen. Der Einspanntisch 10 wird so gedreht und bewegt, dass die Straße des Wafers 11 parallel zu der Bearbeitungszufuhrrichtung ausgerichtet wird, wodurch die Ausrichtung durchgeführt wird.
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Dann, wie in 5 dargestellt, während der Einspanntisch 10 bearbeitungszugeführt wird, wird der Laser von dem Bearbeitungskopf 12a der Aufbringungseinheit 12 für einen Laserstrahl auf der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 aufgebracht, wodurch eine Ablation zum vollständigen Schneiden (Schneiden) oder Ausbilden von Nuten entlang der Straße durchgeführt wird. Der Einspanntisch 10 wird in eine Indexzufuhr versetzt, um die Ablation an allen Straßen in einer ersten Richtung durchzuführen, worauf der Einspanntisch 10 um 90 Grad gedreht wird und eine Ablation für all die Straßen durchgeführt wird, die sich in einer zweiten Richtung orthogonal zu der ersten Richtung erstrecken.
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Wie in 5 dargestellt, wird die obere Oberfläche 11a des Wafers 11 geschützt, indem sie durch den Schutzfilm 74 bedeckt wird und folglich werden Verschmutzung (Späne durch die Laserbearbeitungen), die bei der Ablation generiert werden, nicht direkt an der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 anhaften.
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<Reinigungsschritt S3>
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Wie in 6 bis 9 dargestellt, ist dieser Schritt ein Schritt zum Entfernen des Schutzfilms 74 (5) von der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 (5) zusammen mit dem Schmutz, der in dem Laserbearbeitungsschritt generiert wird, nachdem der Laserbearbeitungsschritt ausgeführt wird. Wie in 3 dargestellt, beinhaltet der Reinigungsschritt S3 einen Halteunterschritt S30, einen ersten Reinigungsunterschritt S31 und einen zweiten Reinigungsunterschritt S32.
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<Halteunterschritt S30>
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Wie in 6 dargestellt, ist dieser Schritt ein Schritt zum Halten des Wafers 11 durch den Drehtisch 52 in einem Zustand, in dem die obere Oberfläche 11a des Wafers 11, die mit dem Schutzfilm 74 beschichtet ist, freiliegt. Genauer gesagt wird der Drehtisch 52 auf eine vorbestimmte Übertragungsposition angehoben und die Wafereinheit 19, die durch die Fördervorrichtung 60 (1) gefördert wurde, an dem Drehtisch 52 befestigt.
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<Erster Reinigungsunterschritt S31>
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Wie in 7 dargestellt, ist dieser Schritt ein Schritt zum Drehen des Drehtischs 52, Halten des Wafers 11 und Zuführen eines Reinigungsfluids 81 zu der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11. Genauer gesagt ist der Drehtisch 52 an einer vorbestimmten Höhe positioniert und wird mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit gedreht und, während der Motor 57c angetrieben wird, um die oszillierenden Arme 57 zu oszillieren, wird das Reinigungsfluid 81 von der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid zu der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 zugeführt.
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In diesem Fall wird das Zufuhrsteuerungsventil 57d, das mit der Zufuhrquelle 57e für reines Wasser verbunden ist, geöffnet und das Zufuhrsteuerungsventil 57f, das mit der Gaszufuhrquelle 57g verbunden ist, ist geschlossen. Als ein Ergebnis wird nur das Reinigungsfluid 81 (reines Wasser) von dem Mischer 90 zu der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid zugeführt. Dieser erste Reinigungsunterschritt S31 wird für 20 bis 30 Sekunden zum Beispiel ausgeführt an einer Drehgeschwindigkeit des Drehtischs 52 von 80 Umdrehungen/min mit der Zufuhrmenge des reinen Wassers von 200 ml/min.
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In dem ersten Reinigungsunterschritt S31, der oben beschrieben ist, wird nur das Reinigungsfluid 81 (reines Wasser), das kein Hochdruckgas enthält, zugeführt und der Schutzfilm 74 wird in der Weise entfernt, dass er weggewaschen wird. Folglich wird der aufgelöste Schutzfilm 74 daran gehindert, zu der Umgebung zu streuen und der Schutzfilm 74 wird daran gehindert, an Wandoberflächen des inneren Raums 51a (1) des Gehäuses 51, jeder der Düsen 56a bis 58a oder jedem der Arme 56 bis 58 anzuhaften.
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<Zweiter Reinigungsunterschritt S32>
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Dieser Schritt ist ein Schritt zum Reinigen des Wafers 11 durch Zuführen des gemischten Fluids 82, das durch Mischen von Gas mit einem Reinigungsfluid erhalten wird, zu der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11, der durch den Drehtisch 52 gehalten ist, wie in 8 dargestellt, nachdem der erste Reinigungsunterschritt S31 ausgeführt wurde. Genauer gesagt, wird der Drehtisch 52 an einer vorbestimmten Höhe positioniert und wird mit einer vorbestimmten Drehgeschwindigkeit gedreht und, während der Motor 57c angetrieben wird, um den oszillierenden Arm 57 zu oszillieren, wird das gemischte Fluid 82 von der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid zu der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 zugeführt.
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In diesem Fall sind das Zufuhrsteuerungsventil 57d, das mit der Zufuhrquelle 57e für reines Wasser verbunden ist, und das Zufuhrsteuerungsventil 57f, das mit der Gaszufuhrquelle 57g verbunden ist, beide geöffnet, das Reinigungsfluid (reines Wasser) und das Gas (Luft) werden zu dem Mischer 90 zugeführt und das gemischte Fluid 82 wird in dem Mischer 90 ausgebildet. Dann wird das gemischte Fluid 82 (binäres Fluid) von dem Mischer 90 zu der Zufuhrdüse 57a für ein Reinigungsfluid zugeführt.
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Dieser zweite Reinigungsunterschritt S32 wird zum Beispiel 20 bis 30 Sekunden durchgeführt mit einer Drehgeschwindigkeit des Drehtischs 52 von 800 Umdrehungen/min mit einer Zufuhrmenge des reinen Wassers vor 200 ml/min und einem Luftdruck von 0,4 MPa.
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In dem oben beschriebenen zweiten Reinigungsunterschritt S32, da der Schutzfilm 74 nicht oder nur leicht überbleibt, weil der Schutzfilm 74 vorher in dem ersten Reinigungsunterschritt S31 entfernt wurde, wird der Schutzfilm 74 nicht gestreut oder nur leicht gestreut, sogar wenn Reinigen mit dem gemischten Fluid 82 (binären Fluid), welches das Hochdruckgas enthält, durchgeführt wird.
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<Trocknungsschritt S4>
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Dieser Schritt ist ein Schritt zum Trocknen des Wafers 11 durch Drehen des Drehtischs 52 mit einer höheren Geschwindigkeit als das Drehen des Drehtischs 52 in dem Reinigungsschritt S3, wie in 9 dargestellt, nachdem die oben beschriebene Serie von Reinigungsschritten S3 ausgeführt wurde. Genauer gesagt wird das Zufuhrsteuerungsventil 58d geöffnet, um trockene Luft 84 von der Gaszufuhrquelle 58e zu der Zufuhrdüse 58a für trockene Luft zuzuführen, und der Motor 57c wird angetrieben, um den oszillierenden Arm 58 um eine Periode zu oszillieren. Zusätzlich wird der Drehtisch 52 mit einer Drehgeschwindigkeit von 2000 Umdrehungen/min gedreht.
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Durch diesen Trocknungsschritt S4 wird die Flüssigkeit an der oberen Oberfläche 11a des Wafers 11 entfernt. Beachte, dass die Zufuhr der trockenen Luft 84 von der Zufuhrdüse 58a für eine trockene Luft ausgelassen werden kann und das Trocknen nur durch Drehen des Drehtischs 52 ausgeführt werden kann. Nach dem Trocknen wird die Wafereinheit 19 von der Schutzfilmaufbringungs- und Reinigungsvorrichtung 50 durch einen Fördermechanismus, der nicht dargestellt ist, gefördert.
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In dem ersten Reinigungsunterschritt S31 wird nur das Reinigungsfluid 81 (reines Wasser), das kein Hochdruckgas enthält, zugeführt und der Schutzfilm 74 wird in der Weise entfernt, dass er weggewaschen wird. Folglich wird der aufgelöste Schutzfilm 74 daran gehindert, in der Umgebung zu streuen und der Schutzfilm 74 kann daran gehindert werden, an Wandoberflächen des inneren Raums 51a (1) des Gehäuses 51, jede der Düsen 56a bis 58 oder jedem der Arme 56 bis 58 anzuhaften. Zusätzlich, in dem zweiten Reinigungsunterschritt S32, da der Schutzfilm 74 nicht oder nur leicht überbleibt, weil der Schutzfilm 74 vorher in dem ersten Reinigungsschritt S31 entfernt wurde, streut der Schutzfilm 74 nicht oder nur leicht, sogar wenn ein Reinigen mit dem gemischten Fluid 82 (binären Fluid), das Hochdruckgas enthält, durchgeführt wird.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- JP 2004322168 [0002, 0003]
