DE102016218865A1 - Laserbearbeitungsvorrichtung - Google Patents

Laserbearbeitungsvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102016218865A1
DE102016218865A1 DE102016218865.8A DE102016218865A DE102016218865A1 DE 102016218865 A1 DE102016218865 A1 DE 102016218865A1 DE 102016218865 A DE102016218865 A DE 102016218865A DE 102016218865 A1 DE102016218865 A1 DE 102016218865A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
workpiece
laser
chuck table
cassette
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102016218865.8A
Other languages
English (en)
Inventor
Kohei Tanaka
Hidetoshi Mannami
Hisatoshi Fujisawa
Hiroshi Nomura
Wakana Onoe
Taiki Sawabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102016218865A1 publication Critical patent/DE102016218865A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B23K26/046—Automatically focusing the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0626—Energy control of the laser beam
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • B23K26/0673—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into independently operating sub-beams, e.g. beam multiplexing to provide laser beams for several stations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B32B15/011—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic all layers being formed of iron alloys or steels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

Offenbart ist eine Laserbearbeitungsvorrichtung, beinhaltend einen ersten und Lasermechanismus, einen Laseroszillator zum Oszillieren eines ursprünglichen Laserstrahls, ein optisches System zum Aufteilen des ursprünglichen Laserstrahls in einen ersten und einen zweiten Laserstrahl, und eine erste und zweite Bedientafel zum jeweiligen Setzen einer ersten und zweiten Bearbeitungsbedingung für den ersten und zweiten Lasermechanismus. Der erste und zweite Lasermechanismus beinhaltet einen ersten und zweiten Einspanntisch zum Halten eines ersten und zweiten Werkstücks, eine erste und zweite X-Bewegungseinheit zum Bewegen des ersten und zweiten Einspanntischs in einer X Richtung, eine erste und zweite Y-Bewegungseinheit zum Bewegen des ersten und zweiten Einspanntischs in einer Y Richtung senkrecht zu der X Richtung und eine erste und zweite Fokuseinheit zum Fokussieren des ersten und zweiten Laserstrahls auf das erste und zweite Werkstück, die jeweils an dem ersten und zweiten Einspanntisch gehalten werden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Bearbeiten eines Werkstücks wie einem Halbleiter-Wafer durch darauf Aufbringen eines Laserstrahls.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • In einem Prozess zum Herstellen mehrerer Halbleiterbauelementchips unter Verwendung einer Laserbearbeitungsvorrichtung werden mehrere sich schneidende Teilungslinien an einer vorderen Seite eines im Wesentlichen scheibenförmigen Halbleiter-Wafers ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu bilden, in denen mehrere Halbleiterbauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integration-Schaltungen (LSI) jeweils ausgebildet sind. Der Halbleiter-Wafer wird entlang der Teilungslinien durch Aufbringen eines Laserstrahls geschnitten, um dadurch die Bereiche, in denen Halbleiter-Bauelemente ausgebildet sind, voneinander zu trennen, wodurch die einzelnen Halbleiter-Bauelementchips erhalten werden.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet einen Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, ein Aufbringungsmittel für einen Laserstrahl, um einen Laserstrahl auf dem Werkstück, das an dem Einspanntisch gehalten wird, aufzubringen, und ein Zufuhrmittel zum Zuführen des Einspanntischs, wobei das Aufbringungsmittel für den Laserstrahl einen Laseroszillator zum Oszillieren eines Laserstrahls, ein Fokusmittel zum Fokussieren des Laserstrahls, der durch den Laser Oszillator oszilliert wird, um dadurch den fokussierten Laserstrahl auf dem Werkstück, der an dem Einspanntisch gehalten wird, aufzubringen, und einen Dämpfer beinhaltet, der zwischen dem Laseroszillator und dem Fokusmittel zum Anpassen der Leistung des Laserstrahls bereitgestellt ist, wodurch die gewünschte Laserbearbeitung an dem Werkstück durchgeführt wird (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2010-158691 .
  • Ferner ist in vielen Fällen der Laseroszillator, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung verwendet wird, so gestaltet, dass dieser einen Laserstrahl, der eine relativ große Leistung aufweist, um verschiedene Arten der Bearbeitung zu unterstützen, oszilliert. Entsprechend wird der Dämpfer im Allgemeinen verwendet, um die Leistung des Laserstrahls auf eine reduzierte Leistung anzupassen, die für das Werkstück geeignet ist.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wie oben beschrieben wird der Laserstrahl, der von dem Laseroszillator in der Laserbearbeitungsvorrichtung generiert wird, nach einem Anpassen der Leistung des Laserstrahls auf eine reduzierte Leistung verwendet. Zum Beispiel wird die Hälfte oder weniger der Leistung, die ursprünglich durch den Laseroszillator vorhanden ist, für die Laserbearbeitung des Werkstücks verwendet. In diesem Fall wird die Hälfte oder mehr der Leistung des Laserstrahls, der durch den Laseroszillator oszilliert wird, verschwendet. Folglich ist die Leistung des Laseroszillators nicht ausreichend verwendet werden, was eine geringe Wirtschaftlichkeit verursacht.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, welche die Leistung eines Laseroszillators ausreichend verwenden kann, der dazu in der Lage ist, einen Laserstrahl mit einer großen Leistung zu oszillieren.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Laserbearbeitungsvorrichtung bereitgestellt, die einen ersten Lasermechanismus, der einen ersten Einspanntisch zum Halten eines ersten Werkstücks beinhaltet, ein erstes X-Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Einspanntischs in einer X Richtung, ein erstes Y-Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Einspanntischs in einer Y Richtung senkrecht zu der X Richtung und ein erstes Fokusmittel zum Fokussieren eines ersten Laserstrahls auf das Werkstück, das an dem ersten Einspanntisch gehalten wird; einen zweiten Lasermechanismus, der einen zweiten Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, ein zweites X-Bewegungsmittel zum Bewegen des zweiten Einspanntischs in der X Richtung, ein zweites Y-Bewegungsmittel zum Bewegen des zweiten Einspanntischs in der Y Richtung und ein zweites Fokusmittel zum Fokussieren eines zweiten Laserstrahls auf das zweiten Werkstück, das an dem Einspanntisch gehalten wird, beinhaltet; einen Laseroszillator zum Oszillieren eines ursprünglichen Laserstrahls; ein optisches System zum jeweils Abzweigen des ursprünglichen Laserstrahls, der durch den Laserstrahloszillator oszilliert wird, in den ersten und zweiten Laserstrahl zu dem ersten und zweiten Fokusmittel; eine erste Bedientafel zum Setzen einer ersten Bearbeitungsbedingung für den ersten Lasermechanismus; einer zweiten Bedientafel zum Gesetzen einer zweiten Bearbeitungsbedingung für den zweiten Lasermechanismus beinhaltet.
  • Vorzugsweise beinhaltet Laserbearbeitungsvorrichtung ferner ein Gehäuse zum Abdecken des ersten Lasermechanismus und des zweiten Lasermechanismus beinhaltet; wobei das Gehäuse mit einer ersten Klappe in einer Position, an welcher das Werkstück zu dem ersten Lasermechanismus geladen wird, und einer zweiten Klappe bereitgestellt ist, an einer Position an welcher das zweite Werkstück zu dem zweiten Lasermechanismus geladen wird; wobei die erste und zweite Bedientafel an der ersten und zweiten Klappe jeweils montiert ist; die erste Klappe und die zweite Klappe parallel in der Y Richtung an einer Ebene senkrecht zu der X Richtung angeordnet sind.
  • Vorzugsweise wird der erste Einspanntisch durch das erste X-Bewegungsmittel zwischen einem Haltebereich, an welchen das Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des ersten Einspanntischs ist, und einem ersten Bearbeitungsbereich, an dem der erste Laserstrahl von dem ersten Fokusmittel auf dem ersten Werkstück aufgebracht wird, das an dem ersten Einspanntisch gehalten wird, bewegt; wobei der erste Haltebereich einen ersten Kassettentisch zum Montieren einer ersten Kassette beinhaltet, die das erste Werkstück aufnimmt, einen erstes temporäres Setzmittel zum temporären Absetzen des ersten Werkstücks, ein erstes Handhabungsmittel zum Aufnehmen des ersten Werkstücks aus der ersten Kassette, die an dem ersten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des ersten Werkstücks zu dem ersten temporären Setzmittel und ein erstes Transfermittel zum Transferieren des ersten Werkstücks von dem ersten temporären Setzmittel zu dem ersten Einspanntisch beinhaltet; wobei die erste Klappe beim Laden/Entladen der erste Kassetten zu/von dem ersten Kassettentisch geöffnet ist; und der zweite Einspanntisch durch das zweite X-Bewegungsmittel zwischen einem zweiten Haltebereich, an welchem das zweite Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des zweiten Einspanntischs ist, und einem zweiten Bearbeitungsbereich bewegt wird, an welchem der zweite Laserstrahl von den zweiten Fokusmittel auf dem zweiten Werkstück, das an dem zweiten Einspanntisch gehalten wird, aufgebracht wird; wobei der zweite Haltebereichs einen zweiten Kassettentisch zum Montieren einer zweiten Kassette beinhaltet, die das zweite Werkstück aufnimmt, ein zweites temporäres Setzmittel zum temporären Absetzen des zweiten Werkstücks, ein zweites Handhabungsmittel zum Aufnehmen des zweiten Werkstücks aus der zweiten Kassette, die an den zweiten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des zweiten Werkstücks zu dem zweiten temporären Setzmittel und ein zweites Transfermittel zum Transferieren des zweiten Werkstücks von dem zweiten temporären Setzmittel zu dem zweiten Einspanntisch beinhaltet; wobei die zweite Klappe beim Laden/Entladen der zweiten Kassette zu/von dem zweiten Kassettentisch geöffnet ist.
  • Entsprechend der Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung wird die Leistung des einzelnen Laseroszillators aufgeteilt, um einen 2-Lasermechanismus auszubilden. D. h., dass im Wesentlichen zwei Laserbearbeitungsvorrichtungen bereitgestellt werden können. Ferner sind die erste und zweite Bedientafel zum Betätigen des ersten und zweiten Lasermechanismus so bereitgestellt, dass sie jeweils mit dem ersten und zweiten Lasermechanismus korrespondieren. Entsprechend kann die Leistung des Laseroszillators ausreichend verwendet werden und zwei Sorten Laserbearbeitung können gleichzeitig durchgeführt werden, sodass eine gute Wirtschaftlichkeit dadurch erhalten werden kann. Ferner, da der Laseroszillator zum Oszillieren eines Laserstrahls teuer ist, können die Kosten der Laserbearbeitungsvorrichtung im Wesentlichen auf die Hälfte reduziert werden.
  • Ferner ist in der Laserbearbeitungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung die erste Bedientafel an der ersten Klappe und die zweite Bedientafel an der zweiten Klappe montiert. Die erste Klappe und die zweite Klappe sind parallel in der Y Richtung an einer Ebene senkrecht zu der X Richtung montiert. Mit dieser Anordnung kann der Lasermechanismus effizient durch zwei Bedientafeln jeweils betätigt werden.
  • Ferner wird der erste Einspanntisch durch das erste X-Bewegungsmittel zwischen einem ersten Haltebereich, an welchem das Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des ersten Einspanntischs ist, und einem ersten Bearbeitungsbereich bewegt, an welchem der erste Laserstrahl von dem ersten Fokusmittel auf dem ersten Werkstück, das an dem ersten Einspanntisch gehalten wird, aufgebracht wird, wobei der erste Haltebereich einen ersten Kassettentisch zum Montieren einer ersten Kassette, welche das erste Werkstück aufnimmt, ein erstes temporäres Setzmittel zum temporären Absetzen des ersten Werkstücks, ein erstes Handhabungsmittel zum Entnehmen des ersten Werkstücks aus der ersten Kassette, die an dem ersten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des ersten Werkstücks zu dem ersten temporären Setzmittel und ein erstes Transfermittel zum Transferieren des ersten Werkstücks von dem ersten temporären Setzmittel zu dem ersten Einspanntisch beinhaltet. Ferner wird die erste Klappe beim Laden/Entladen der ersten Kassette zu/von dem ersten Kassettentisch geöffnet. Ähnlich wird der zweite Einspanntisch durch das zweite X-Bewegungsmittel zwischen einem zweiten Haltebereich, an welchen das zweite Werkstück gehalten oder freigegeben mit Bezug zu dem zweiten Einspanntisch ist, und einem zweiten Bearbeitungsbereich bewegt, an welchen der zweite Laserstrahl von dem zweiten Fokusmittel auf dem zweiten Werkstück, das an den zweiten Einspanntisch gehalten wird, aufgebracht wird, wobei der zweite Haltebereich einen zweiten Kassettentisch zum Montieren einer zweiten Kassette, die das zweite Werkstück aufnimmt, ein zweites temporäres Setzmittel zum temporären Absetzen des zweiten Werkstücks, ein zweites Handhabungsmittel zum Aufnehmen des zweiten Werkstücks aus der zweiten Kassette, die an dem zweiten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des zweiten Werkstücks zu dem zweiten temporären Setzmittel, und ein zweites Transfermittel zum Transferieren des zweiten Werkstücks von dem zweiten temporären Setzmittel zu dem zweiten Einspanntisch beinhaltet. Entsprechend existiert keine Möglichkeit, dass, wenn die erste Klappe in einem offenen Zustand beim Laden der ersten Kassette zu dem ersten Kassettentisch ist, ein Bediener fehlerhafterweise die erste Bedientafel bedient, um den ersten Lasermechanismus zu starten. Auch in einem Fall, in welchen die zweite Klappe in einem offenen Zustand ist, kann ein ähnlicher Effekt erhalten werden.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren verstanden, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 seine perspektivische Ansicht, die einen essenziellen Teil der Laserbearbeitungsvorrichtung zeigt, die in 1 gezeigt ist;
  • 3 ist ein Blockdiagramm eines Aufbringungsmittels für einen Laserstrahl, das in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet ist;
  • 4 ist eine perspektivische Ansicht eines ersten und zweiten Kassettentischmechanismus, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet ist, die in 1 gezeigt ist;
  • 5 ist eine perspektivische Ansicht eines ersten und zweiten vorläufigen Setzmittels, das in der Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet ist, die in 1 gezeigt ist
  • 6 ist eine perspektivische Ansicht eines ersten und zweiten Handhabungsmechanismus, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet ist;
  • 7 ist eine perspektivische Ansicht eines ersten und zweiten Transfermittels, das in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet ist;
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Bedingung zeigt, in welcher das erste Handhabungsmittel so positioniert ist, dass es einen Halbleiter aus einer ersten Kassette nimmt, die an dem ersten Kassettentischmechanismus in der Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist, abgesetzt ist;
  • 9 ist eine Ansicht ähnlich zu 8, die eine Bedingung zeigt, in welcher der Halbleiter-Wafer, der durch den ersten Handhabungsmechanismus verarbeitet wird, temporär an dem ersten temporären Setzmittel abgesetzt ist;
  • 10 ist eine Ansicht ähnlich zu 8, die eine Bedingung zeigt, in welcher der Halbleiter-Wafer, der temporär an dem ersten temporären Setzmittel abgesetzt ist, durch das erste Transfermittel gehalten wird;
  • 11 ist eine Ansicht ähnlich zu 8, die eine Bedingung zeigt, in welcher der Halbleiter-Wafer, der durch das erste Transfermittel gehalten wird, transferiert ist und an einem ersten Einspanntisch, der in der Laserbearbeitungsvorrichtung beinhaltet ist, die in 1 gezeigt ist, abgesetzt ist; und
  • 12 seine perspektivische Ansicht, die eine Bedingung zeigt, in welcher die Laserbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist, durch ein Gehäuse eingeschlossen ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Laserbearbeitungsvorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden detailliert mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend dieser bevorzugten Ausführungsform. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 1, die in 1 gezeigt ist, beinhaltet eine stationäre Basis 2, einen ersten Einspanntischmechanismus 3 zum Halten eines ersten Werkstücks, wobei der erste Einspanntischmechanismus 3 an der stationären Basis 2 bereitgestellt ist, sodass dieser in X Richtung, die durch Pfeil X gezeigt ist, beweglich ist, einen zweiten Einspanntischmechanismus 3' zum Halten eines zweiten Werkstücks, wobei der zweite Einspanntisch 3' an der stationären Basis 2 parallel zu dem ersten Einspanntischmechanismus 3 bereitgestellt ist, sodass dieser in der X Richtung beweglich ist, und eine Aufbringungseinheit 4 für einen Laserstrahl, die an der stationären Basis 2 in einem zentralen Bereich bereitgestellt ist, der zwischen dem ersten und zweiten Einspanntischmechanismus 3 und 3' gebildet ist. Ein erster Lasermechanismus 1a, der den ersten Einspanntisch Mechanismus 3 beinhaltet, ist an der vorderen Seite, wie in 1 gesehen, ausgebildet und ein zweiter Lasermechanismus 1b, der den zweiten Einspanntischmechanismus beinhaltet, ist an der hinteren Seite, wie in 1 gesehen, ausgebildet.
  • 2 ist eine perspektivische Ansicht zum detaillierten Darstellen eines Aufbaus Laserbearbeitungsvorrichtung 1, die in 1 gezeigt ist. D. h., 2 zeigt eine Bedingung, die durch ein Entfernen eines ersten und zweiten Kassettentischmechanismus 7 und 7', eines ersten und zweiten temporären Setzmittels 8 und 8', eines ersten und zweiten Handhabungsmittels 9 und 9' und eines ersten und zweiten Transfermittels 10 und 10' von der stationären Basis 2 erhalten wird. Wie in 2 gezeigt, ist die Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl an einer im Wesentlichen zentralen Position an der stationären Basis 2 bereitgestellt und der erste Einspanntischmechanismus 3 ist an der vorderen Seite der Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl, wie in 2 gesehen, bereitgestellt. Der erste Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet ein Paar parallele Führungsschienen 31, das an der stationären Basis 2 bereitgestellt ist, sodass sie sich in der X Richtung erstrecken, eine Bewegungsbasis 32, die gleitbar an den Führungsschienen 31 bereitgestellt ist, sodass sie in der X Richtung beweglich ist, einen Gleitblock 33, der gleitbar an der Bewegungsbasis 32 bereitgestellt ist, sodass dieser in einer Y Richtung, die durch einen Pfeil Y senkrecht zu der X Richtung gezeigt ist, beweglich ist, einen Abdeckungstisch 35, der durch ein zylindrisches Element 34 getragen wird, das an dem ersten Gleitblock 33 steht, und einen ersten Einspanntisch 36 (erstes Haltemittel) zum Halten des ersten Werkstücks. Der erste Einspanntisch 36 weist eine Vakuumeinspannung 361 auf, die aus einem porösen Material ausgebildet ist. Das erste Werkstück ist angepasst, sodass es unter einem Saugen an der oberen Oberfläche der Vakuumeinspannung 361 als eine Halteoberfläche durch ein Betätigen eines Saugmittels (nicht dargestellt) gehalten wird. Der erste Einspanntisch 36 ist durch einen Pulsmotor (nicht dargestellt) drehbar, der in dem zylindrischen Element 34 bereitgestellt ist. Der erste Einspanntisch 36 ist mit Klemmen 362 zum Fixieren eines ringförmigen Rahmen F (siehe 1), der einen Halbleiter-Wafer W als das erste Werkstück durch ein Schutzband T trägt, bereitgestellt.
  • Die untere Oberfläche der Bewegungsbasis 32 ist mit einem Paar Führungsnuten 321 für einen gleitenden Eingriff des Paars Führungsschienen 31, die oben genannt sind, bereitgestellt. Ein Paar paralleler Führungsschienen 322 ist an der oberen Oberfläche der Bewegungsbasis 32 bereitgestellt, sodass es sich in der Y Richtung erstreckt. Entsprechend ist die Bewegungsbasis 32 in der X Richtung entlang der Führungsschienen 31 durch den gleitenden Eingriff der Führungsnuten 321 mit den Führungsschienen 31 bewegbar. Der erste Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet ferner ein erstes X-Bewegungsmittel 37 zum Bewegen der Bewegungsbasis 32 in der X Richtung entlang der Führungsschienen 31. Das erste X-Bewegungsmittel 37 beinhaltet eine Gewindestange 371, die sich parallel zu den Führungsschienen 31 erstreckt, sodass sie dazwischen liegt und einen Pulsmotor 372 als einer Antriebsquelle für ein drehendes Antreiben der Gewindestange 371. Die Gewindestange 371 ist drehbar an einem Ende davon an einem Lagerblock 373 an der stationären Basis 2 fixiert und ist an dem anderen Ende mit der Ausgabewelle des Pulsmotors 372 verbunden, um ein Drehmoment davon aufzunehmen. Die Gewindestange 371 ist mit einer Gewindebohrung in Eingriff, die in einem Block mit Innengewinde (nicht dargestellt), der von der unteren Oberfläche der Bewegungsbasis 32 an einem zentralen Abstand davon hervorsteht, in Eingriff. Entsprechend wird die Bewegungsbasis 32 in der X Richtung entlang der Führungsschienen 31 durch betätigen des Pulsmotors 372 bewegt, der die Gewindestange 371 normal oder umgekehrt dreht.
  • Der erste Einspanntischmechanismus 3 ist mit einem Detektionsmittel für eine X Position (nicht dargestellt) bereitgestellt, um die X Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren. Das Detektionsmittel für die X Position ist so ausgestaltet, dass es ein Pulssignal von einem Puls pro Mikrometer zum Beispiel an ein Kontrollmittel (nicht dargestellt) überträgt. Das Kontrollmittel zählt die Anzahl der Pulse als die Eingabe des Pulssignals von dem Detektionsmittel für die X-Position, um dadurch die X Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren. In dem Fall, dass der Pulsmotor 372 als die Antriebsquelle für das X-Bewegungsmittel 37 wie in der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, kann die Anzahl der Pulse als ein Antriebssignal, das von dem Steuerungsmittel an den Pulsmotor 372 ausgegeben wird, gezählt werden, um dadurch die X Position des ersten Einspanntisch 36 zu detektieren. In dem Fall, dass ein Servomotor als die Antriebsquelle für das erste X-Bewegungsmittel 37 verwendet wird, kann ein Pulssignal, das von einem Drehencoder zum Detektieren der Rotationsgeschwindigkeit des Servomotors ausgegeben wird, zu dem Steuerungsmittel gesendet werden und die Anzahl der Pulse, die als das Pulssignal von dem Drehencoder an das Steuerungsmittel eingegeben werden, können durch das Steuerungsmittel gezählt werden, um dadurch die X Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren.
  • Die untere Oberfläche des Gleitblocks 33 ist mit einem Paar Führungsnuten 331 für einen gleitenden Eingriff mit dem Paar Führungsschienen 322 an der oberen Oberfläche der Bewegungsbasis 32 wie oben beschrieben bereitgestellt. Entsprechend ist der Gleitblock 33 in der Y Richtung entlang der Führungsschienen durch den gleitenden Eingriff der Führungsnuten 331 mit den Führungsschienen 322 beweglich. Der erste Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet ferner ein erstes Y-Bewegungsmittel 38 zum Bewegen des Gleitblocks 33 in der Y Richtung entlang der Führungsschienen 322. Das erste Y-Bewegungsmittel 38 beinhaltet eine Gewindestange 381, die sich parallel zu den Führungsschienen 322 erstreckt, sodass sie dazwischen angeordnet ist, und einen Pulsmotor 382 als eine Antriebsquelle zum drehenden Antreiben der Gewindestange 381. Die Gewindestange 381 ist drehbar an einem Ende davon an einem Lagerblock 383 an der oberen Oberfläche der Bewegungsbasis 32 fixiert und ist an dem anderen Ende der Welle des Pulsmotors 382 verbunden, um ein Drehmoment davon aufzunehmen. Die Gewindestange 381 ist mit einer Gewindebohrung in Eingriff, die an einem Block mit Innengewinde (nicht dargestellt) ausgebildet ist, der von der unteren Oberfläche des Gleitblocks 33 an einem zentralen Abschnitt davon hervorsteht. Entsprechend wird der Gleitblock 33 in der Y Richtung entlang der Führungsschienen 322 durch Betätigen des Pulsmotors 382 bewegt, der die Gewindestange 381 normal oder umgekehrt dreht.
  • Die erste Einspanntischmechanismus 3 ist mit einem Detektionsmittel für eine Y Position (nicht dargestellt) bereitgestellt, um die Y Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren. Die Konfiguration des Detektionsmittels für die Y Position ist ähnlich zu der des Detektionsmittels für die X Position, das oben beschrieben wurde. D. h., dass das Detektionsmittel für die Y Position so ausgestaltet ist, dass es ein Pulssignal von einem Puls pro Mikrometer zum Beispiel an das Steuerungsmittel überträgt. Das Steuerungsmittel zählt die Anzahl der Pulse als das Pulssignal, das von den Detektionsmittel für die Y Position eingegeben wird, um dadurch die Y Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren. In dem Fall, dass der Pulsmotor 382 als die Antriebsquelle für das erste Y-Bewegungsmittel 38 wie in der bevorzugten Ausführungsform verwendet wird, kann die Anzahl der Pulse als ein Antriebssignal, das von dem Steuerungsmittel an den Pulsmotor 382 ausgegeben wird, durch das Steuerungsmittel gezählt werden, um dadurch die Y Position des ersten Einspanntisch 36 zu detektieren. In dem Fall, dass ein Servomotor als die Antriebsquelle für das erste Y-Bewegungsmittel 38 verwendet wird, kann ein Pulssignal, das von einem Drehencoder zum Detektieren der Rotationsgeschwindigkeit des Servomotors ausgegeben wird, zu dem Steuerungsmittel gesendet werden und die Anzahl der Pulse, die als das Pulssignal von dem Drehencoder in das Steuerungsmittel eingegeben werden, kann durch das Steuerungsmittel gezählt werden, um dadurch die Y Position des ersten Einspanntischs 36 zu detektieren.
  • Wie in 2 gezeigt ist der zweite Einspanntischmechanismus 3' an der hinteren Seite der Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl bereitgestellt, die an dem zentralen Bereich der stationären Basis 2 liegt. D. h., dass die Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl zwischen dem ersten Einspanntischmechanismus 3 und dem zweiten Einspanntischmechanismus 3' der Y Richtung angeordnet ist. Ähnlich zu dem ersten Einspanntischmechanismus 3 beinhaltet der zweite Einspanntischmechanismus 3' einen zweiten Einspanntisch 36' (zweites Haltemittel) zum Halten des zweiten Werkstücks, ein zweites X-Bewegungsmittel 37' zum Bewegen des zweiten Einspanntisch 36' in der X Richtung und ein zweites Y-Bewegungsmittel 38' zum Bewegen des zweiten Einspanntischs 36' in der Y Richtung. In 2 sind im Wesentlichen die gleichen Teile die des ersten Einspanntischmechanismus 3 durch die gleichen Bezugszeichen mit ”'” gekennzeichnet und die Betätigung des zweiten Einspanntischmechanismus 3' ist im Wesentlichen die gleiche wie die des ersten Einspanntischmechanismus 3, sodass eine detaillierte Beschreibung davon hier ausgelassen wird.
  • Die Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl beinhaltet ein Trägerelement 41, das an der stationären Basis 2 bereitgestellt ist, und ein Gehäuse 42, das an dem Trägerelement 41 getragen wird. Das Gehäuse 42 beinhaltet ein paar Zweigabschnitte 42a und 42b, die sich horizontal zu dem ersten und zweiten Einspanntischmechanismus 3 und 3' jeweils erstrecken. Ein optisches System, dass ein Aufbringungsmittel 5 für den Laserstrahl bildet, das im folgende beschrieben wird, ist in den Zweigabschnitten 42a und 42b aufgenommen. Ein paar eines ersten und zweiten Fokusmittels 51 und 51', das ein Teil des Aufbringungsmittels 5 für den Laserstrahl bildet, ist an den Zweigabschnitten 42a und 42b jeweils bereitgestellt. Ferner ist ein Paar eines ersten und zweiten bildgebenden Mittels 6 und 6' zum Detektieren eines Zielbereichs, der laserbearbeitet werden soll, auch an den Zweigabschnitten 42a und 42b jeweils bereitgestellt, wobei das erste und zweite bildgebende Mittel 6 und 6' in der Nähe des ersten und zweiten Fokusmittels 51 und 51' jeweils liegen. Jedes das erste und zweite Bildgebungsmittel 6 und 6' beinhalten ein Beleuchtungsmittel zum Beleuchten eines Werkstücks, ein optisches System zum Aufnehmen eines Bereichs, der durch das Beleuchtungsmittel beleuchtet wird, und ein bildgebendes Mittel (eine ladungsgekoppelte Einrichtung (CCD)) zum Aufnehmen des Bereichs, der durch das optische System eingeschlossen ist. Ein Bildsignal, das von jedem dem ersten und zweiten Bildgebungsmittel 6 und 6' ausgegeben wird, wird zu dem Steuerungsmittel übertragen.
  • Das Aufbringungsmittel 5 für den Laserstrahl wird im Folgenden detailliert mit Bezug zu 3 beschrieben. Das Aufbringungsmittel 5 für den Laserstrahl beinhaltet ein Oszillatormittel 52 für einen gepulsten Laserstrahl, eine 1/2-Platte 53, die in einem optischen Pfad, der abgezweigt wird, bereitgestellt ist, einen Polarisationsstrahlteiler 54, einen ersten und zweiten Strahlverschluss 55 und 59, erste und zweite Dämpfer 56 und 60, erste und zweite Setzmittel 57 und 61 für eine Wellenlänge, erste und zweite 1/2-Platten 58 und 62, die in dem abgezweigten ersten und zweiten optischen Pfad bereitgestellt sind, und das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51'. Das Oszillatormittel 52 für den gepulsten Laserstrahl beinhaltet einen Laseroszillator und ein Setzmittel für eine Wiederholungsfrequenz (beide nicht dargestellt), wobei das Oszillatormittel 52 für den gepulsten Laserstrahl einen Laserstrahl LB oszilliert, der eine Wellenlänge von 1064 nm und eine Wiederholungsfrequenz von 50 kHz zum Beispiel aufweist. Der Laserstrahl LB wird in einen ersten Laserstrahl LB1 (erster optischer Pfad) und einen zweiten Laserstrahl LB2 (zweiter optischer Pfad) durch den Polarisationsstrahlteiler 54 geteilt, wobei der erste Laserstrahl LB1 S-polarisiertes Licht ist, das durch den Polarisationsstrahlteiler 54 reflektiert wird, und der zweite Laserstrahl LB2 P-polarisiertes Licht ist, das durch den Polarisationsstrahlteiler 54 transmittiert.
  • Die 1/2-Platte 53 ist zwischen dem gepulsten Laserstrahl und dem Polarisationsstrahlteiler 54 eingefügt. Der Drehwinkel der 1/2-Platte 53 wird durch ein Anpassungsmittel für einen Rotationswinkel (nicht dargestellt) angepasst, wodurch eine Drehung der Polarisationsebene des Lichts, das von der 1/2-Platte 53 ankommt, ermöglicht wird. Entsprechend durch Drehen der 1/2-Platte 53 wird das Intensitätsverhältnis zwischen dem ersten Laserstrahl LB1 als S-polarisiertes Licht und dem zweiten Laserstrahl LB2 als P-polarisiertes Licht, das von dem Polarisationsstrahlteiler 54 ausgegeben wird, kontinuierlich verändert.
  • Der erste und zweite Strahlverschluss 55 und 59 sind in den optischen Pfaden des ersten und zweiten Laserstrahls LB1 und LB2, die von dem Polarisationsstrahlteiler 54 jeweils ausgegeben werden, angeordnet. Jeder, der erste und zweite Strahlverschluss 55 und 59 ist mit einer Antriebsvorrichtung für einen Verschluss (nicht dargestellt) bereitgestellt, wobei der erste Verschluss 55 zu einer Position angetrieben werden kann, in welcher der erste Laserstrahl LB1 unterbrochen ist, und eine Position, in welcher der erste Laserstrahl LB1 nicht unterbrochen ist, und der zweite Strahlverschluss 59 zu einer Position, in welcher der zweite Laserstrahl LB2 unterbrochen ist, und einer Position angetrieben werden, in welcher der zweite Laserstrahl LB2 nicht unterbrochen ist. Entsprechend können der erste und zweite Strahlteiler 55 und 59 betätigt werden, sodass sie einen geeigneten Modus wählen können, in dem nur der erste Laserstrahl LB1 auf dem ersten Werkstück aufgebracht wird, ein Modus, in dem nur der zweite Laserstrahl LB2 an dem zweiten Werkstück aufgebracht wird, oder eine Modus, in dem beide der erste und zweite Laserstrahl LB1 und L2 an dem ersten und zweiten Werkstück aufgebracht werden.
  • Der erste und zweite Laserstrahl LB1 und LB2, die durch den ersten und zweiten Strahlverschluss 55 und 59 gelaufen sind, werden in ihrer Intensität durch den ersten und zweiten Dämpfer 56 und 60 jeweils angepasst. Jeder der erste und zweite Dämpfer 56 und 60 kann durch einen variablen Dämpfer für einen Laserstrahl, der im Stand der Technik bekannt ist, bereitgestellt sein, wobei die Laserintensität variabel entsprechend einer Prozessbedingung, die für jedes Werkstück benötigt wird, angepasst werden kann.
  • Setzmittel 57 und 61 für die erste und zweite Wellenlänge sind in dem optischen Pfad des ersten und zweiten Laserstrahls LB1 und LB2, die durch den ersten und zweiten Dämpfer 56 und 60 jeweils gelaufen sind, bereitgestellt. Zum Beispiel kann die Wellenlänge (1064 nm) des Laserstrahls, der durch das Oszillatormittel 52 für den Laserstrahl oszilliert wurde, in eine Wellenlänge von 532 nm konvertiert werden, indem dieses durch einen nichtlinearen Kristall läuft, oder in eine Wellenlänge von 355 nm konvertiert werden, indem der Laserstrahl durch einen Einkristall läuft. Das erste und zweite Setzmittel 57 und 61 für die Wellenlänge kann betätigt werden, sodass ein geeigneter Modus gewählt werden kann, in dem die Transmissionswellenlänge (1064 nm) zu jedem Werkstück verwendet wird, um eine modifizierte Schicht in jedem Werkstück auszubilden, oder eine Modus, in dem die Absorbtionswellenlänge (355 nm) für jedes Werkstück verwendet wird, um eine Ablation der oberen Oberfläche von jedem Werkstück durchzuführen. Entsprechend kann durch Bereitstellen des ersten und zweiten Setzmittels 57 und 61 für die Wellenlänge in dem ersten zweiten optischen Pfad, die Wellenlänge des ersten und zweiten Laserstrahls LB1 und LB2 unterschiedlich voneinander gesetzt sein.
  • Die erste und zweite 1/2-Platte 58 und 62 sind in dem optischen Pfad des ersten und zweiten Laserstrahls LB1 und LB2 bereitgestellt, die durch das erste und zweite Setzmittel 57 und 61 für die Wellenlänge jeweils gelaufen sind. Jede die erste und zweite 1/2-Platte 58 und 62 ist mit einem Antriebsmittel für eine Drehung (nicht dargestellt) bereitgestellt. Entsprechend kann die erste 1/2-Platte 58 gedreht werden, um die Richtung der Polarisationsebene des ersten Laserstrahls LB1 entsprechend dem Material des ersten Werkstücks anzupassen. Ähnlich kann die 1/2-Platte 62 gedreht werden, um die Richtung der Polarisationsebene des zweiten Laserstrahls LB2 entsprechend dem Material des zweiten Werkstücks anzupassen.
  • Der erste und zweite Laserstrahl LB1 und LB2, die durch die erste und zweite 1/2-Platte 58 und 62 laufen, treten in das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51' ein, die an den Enden des ersten und zweiten optischen Pfads jeweils bereitgestellt sind. Jedes das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51' beinhaltet eine Fokuslinse. Entsprechend wird der erste Laserstrahl LB1 auf dem ersten Werkstück, das an dem Einspanntisch 36 gehalten wird, durch die Fokuslinse des ersten Fokusmittels 51 fokussiert. Ähnlich wird der zweite Laserstrahl LB2 auf dem zweiten Werkstück, das an dem zweiten Einspanntisch 36' eingespannt ist, durch die Fokuslinse des zweiten Fokusmittels 51' fokussiert.
  • Das optische System des Aufbringungsmittels 5 für den Laserstrahl, das oben genannt wurde, ist in dem Zweigabschnitt 42a und 42b des Gehäuses 42 aufgenommen, der an der im Wesentlichen zentralen Position an der stationären Basis 2 liegt, sodass dieses zwischen dem ersten und zweiten Einspanntischmechanismus 3 und 3' liegt. Das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51' sind an den Enden der Zweigabschnitte 42a und 42b bereitgestellt, an denen das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51' gegenüber dem ersten und zweiten Einspanntisch 36 und 36' jeweils sein kann. D. h., dass das erste und zweite Fokusmittel 51 und 51' so liegen, dass sie gegenüber dem ersten und zweiten Bearbeitungsbereich sind, in denen eine Laserbearbeitung an dem ersten und zweiten Werkstück, die an dem ersten und zweiten Einspanntisch 36 und 36' jeweils gehalten werden, durchgeführt wird.
  • In dieser bevorzugten Ausführungsform beinhaltet jedes das X- und Y-Bewegungsmittel, die oben genannt sind, eine Gewindestange, die parallel zu einem Paar Führungsschienen ist, einen Block mit Innengewinde, der eine Gewindebohrung beinhaltet, der an der unteren Oberfläche einer Bewegungsbasis oder eines Gleitblocks bereitgestellt ist und mit der Gewindestange in Schraubeingriff ist, und einen Pulsmotor als eine Antriebsquelle für ein drehendes Antreiben der Gewindestange. Jedoch ist diese Konfiguration lediglich erläuternd. Zum Beispiel kann jedes das X- und Y-Bewegungsmittel durch einen sogenannten linearen Wellenmotor bereitgestellt sein, der eine gerade Schiene beinhaltet, die sich in der X Richtung oder der Y Richtung anstelle der Gewindestange erstreckt und ein bewegliches Spulenelement, das in beweglichem Eingriffen mit der geraden Schiene in einer solchen Weise ist, dass die gerade Schiene durch das bewegliche Spulenelement eingeführt ist, wobei das bewegliche Spulenelement an einer Bewegungsbasis oder einem Gleitblock oberhalb des Einspanntischs bereitgestellt ist.
  • Mit Bezug zu 1 ist an der stationären Basis 2 der erste und zweite Kassettentischmechanismus 7 und 7' zum Montieren der ersten und zweiten Kassetten 70 und 70' bereitgestellt, in welchem mehrere der ersten Werkstücke wie die Halbleiter-Wafer und mehrere der zweiten Werkstücke wie die Halbleiter-Wafer aufgenommen sind, das erste und zweite temporäre Setzmittel 8 und 8' zum temporären Absetzen des ersten und zweiten Werkstücks, das aus der ersten und zweiten Kassette 70 und 70' genommen wurde, das erste und zweite Handhabungsmittel 9 und 9' zum Herausnehmen des ersten und zweiten Werkstücks aus der ersten und zweiten Kassette 70 und 70' vor einem Bearbeiten und zum Zurückgeben des ersten und zweiten Werkstücks in die erste und zweite Kassette 70 und 70' nach einem Bearbeiten und das erste und zweite Transfermittel 10 und 10' zum Transferieren des ersten und zweiten Werkstücks von dem ersten und zweiten temporären Setzmittel 8 und 8' zu dem ersten und zweiten Einspanntisch 36 und 36' vor einem Bearbeiten und zum Transferieren des ersten und zweiten Werkstücks von dem ersten und zweiten Einspanntisch 36 und 36' zu dem ersten und zweiten temporären Setzmittel 8 und 8' nach einem Bearbeiten bereitgestellt.
  • Dieser Kassettentischmechanismus 7 und 7', das temporäre Setzmittel 8 und 8', Handhabungsmittel 9 und 9' und Transfermittel 10 und 10' werden im Folgenden detailliert beschrieben. Wie in 1 und 4 gezeigt, ist der Kassettentischmechanismus 7 benachbart zu einem ersten Haltebereich bereitgestellt, an dem das erste Werkstück an dem Einspanntisch 36 des ersten Einspanntischmechanismus 3 vor einer Bearbeitung gehalten wird und von dem ersten Einspanntisch 36 nach einer Bearbeitung gelöst wird. Ähnlich ist der zweite Kassettentischmechanismus 7' benachbart zu einem zweiten Haltebereich bereitgestellt, indem das zweite Werkstück an dem zweiten Einspanntisch 36' des zweiten Einspanntischmechanismus 3' vor einem Bearbeiten gehalten wird oder von dem zweiten Einspanntisch 36' nach einem Bearbeiten gelöst wird. Der erste und zweite Kassettentischmechanismus 7 und 7' beinhaltet einen ersten und zweiten Kassettentisch 71 und 71' zum jeweiligen Montieren der ersten und zweiten Kassette 70 und 70'. Jeder der erste und zweite Kassettentisch 71 und 71' ist vertikal durch ein Hebemittel (nicht dargestellt) beweglich.
  • Das erste und zweite temporäre Setzmittel 8 und 8' wird im Folgenden mit Bezug zu den 1 und 5 beschrieben. Das erste und zweite temporäre Setzmittel 8 und 8' liegen benachbart zu dem ersten und zweiten Kassettentischmechanismus 7 und 7' jeweils in der X Richtung. Insbesondere liegt das erste temporäre Setzmittel 8 unmittelbar oberhalb des ersten Haltebereichs, in dem das erste Werkstück gehalten oder losgelassen bezüglich des ersten Einspanntisch 36 ist. Ähnlich liegt das zweite temporäre Setzmittel 8' unmittelbar oberhalb des zweiten Haltebereichs, in dem das zweite Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des zweiten Einspanntischs 36' ist. Wie in 5 gezeigt, beinhaltet das erste temporäre Setzmittel 8 ein Paar paralleler im Querschnitt L-förmiger Trägerschienen 81a und 81b, die sich in der X Richtung erstrecken, und ein Bewegungsmittel 82 für Trägerschienen, um Endabschnitte der Trägerschienen 81a und 81b zu tragen, sodass die Bewegung der Trägerschienen 81a und 81b in der Y Richtung ermöglicht wird, wodurch ein Ändern des Abstands zwischen den Trägerschienen 81a und 81b ermöglicht wird. Ähnlich beinhaltet das zweite temporäre Setzmittel 8' ein Paar paralleler im Querschnitt L-förmiger Trägerschienen 81a' und 81b', die sich in der X Richtung erstrecken, und ein Bewegungsmittel 82' für Trägerschienen 81a' und 81b', um die Bewegung der Trägerschienen 81a' und 81b' in der Y Richtung zu ermöglicht, wodurch der Abstand zwischen zwischen den Trägerschienen 81a' und 81b' geändert wird. Der Abstand zwischen den Trägerschienen 81a und 81b ist so gesetzt, dass wenn die Trägerschienen 81a und 81b zueinander bewegt werden, dieser Abstand kleiner als der äußere Durchmesser des ringförmigen Rahmens F wird, welcher den Halbleiter-Wafer W als das erste Werkstück durch das Schutzband T (insbesondere ist dieser Abstand der Abstand zwischen horizontalen Abschnitten der Trägerschienen 81a und 81b) trägt, wohingegen wenn die Träger schienen 81a und 81b ich voneinander wegbewegen, dieser Abstand größer als der äußere Durchmesser des ringförmigen Rahmens F wird. Ähnlich ist der Abstand zwischen den Trägerschienen 81a' und 81b' so gesetzt, dass dieser wenn die Trägerschienen 81a' und 81b' zueinander bewegt werden, der Abstand kleiner als der äußere Durchmesser des ringförmigen Rahmens F wird, welcher den Halbleiter-Wafer W als das zweite Werkstück durch das Schutzband T trägt (insbesondere ist dieser Abstand der Abstand zwischen horizontalen Abschnitten der Träger schienen 81a' und 81b'), wohingegen wenn die Trägerschienen 81a' und 81b' voneinander wegbewegt werden, dieser Abstand größer als der äußere Durchmesser des ringförmigen Rahmens F wird.
  • Das erste und zweite Handhabungsmittel 9 und 9' wird im Folgenden mit Bezug zu 1 und 6 beschrieben. Das erste Handhabungsmittel 9 beinhaltet einen Handhabungsarm 91, ein Fangelement 92, das an einem Endabschnitt des Handhabungsarms an der Seite gegenüber des ersten Kassettentischmechanismus 7 zum Fangen des ringförmigen Rahmens F, der den Halbleiter-Wafer W als das erste Werkstück trägt, der in der ersten Kassette 70 aufgenommen ist, bereitgestellt ist, und ein Bewegungsmittel 93 für den Arm zum Tragen des Handhabungsarms 91, um die Bewegung des Handhabungsarms 91 in der X Richtung zu ermöglichen. Ähnlich beinhaltet das zweite Handhabungsmittel 9' einen Handhabungsarms 91', ein Fangelement 92', das an einem Endabschnitt des Handhabungsarms 91' an der Seite gegenüber dem zweiten Kassettentischmechanismus 7' zum Fangen des ringförmigen Rahmens F, der den Halbleiter-Wafer W als das zweite Werkstück trägt, der in der zweiten Kassette 70' aufgenommen ist, bereitgestellt ist, und ein Bewegungsmittel 93' für einen Arm, um den Handhabungsarm 91' zu tragen, sodass die Bewegung des Handhabungsarms 91' in der X Richtung ermöglicht wird. Jedes der Fangelemente 92 und 92' wird durch einen Luftdruck angetrieben, der von einem Luftzylinders (nicht dargestellt) zugeführt wird, wodurch der ringförmigen Rahmen F gefangen wird.
  • Das erste und zweite Transfermittel 10 und 10' werden mit Bezug zu 1 und 7 beschrieben. Das erste Transfermittel 10 beinhaltet mehrere Sauggreifer 11 zum Halten des ringförmigen Rahmens F, der den Halbleiter-Wafer W als das erste Werkstück trägt, unter einem Saugen, einen Transferarm 12, der ein vorderes Ende aufweist, an dem die Sauggreifer liegen, eine Betätigungsstange 13 zum vertikalen bewegen des Transferarms 12 und ein Erhöhungsmittel 14 zum vertikalen Bewegen der Betätigungsstange 13. Ähnlich beinhaltet das zweite Transfermittel 10' mehrere Sauggreifer 11' zum Halten des ringförmigen Rahmens F, der den Halbleiter-Wafer W als das zweite Werkstück unter einem Saugen trägt, einen Transferarm 12', der ein vorderes Ende aufweist, an welchen die Sauggreifer 11' liegen, eine Betätigungsstange 13' zum vertikalen bewegen des Transferarms 12', ein Erhöhungsmittel 14' zum vertikalen Bewegen der Betätigungsstange 13'. Zum Beispiel ist jedes der Erhöhungsmittel 14 und 14' durch einen Luftkolben bereitgestellt. In dieser bevorzugten Ausführungsform werden vier Sauggreifer 11 an dem Transferarm 12 getragen und vier Sauggreifer 11' werden an dem Transferarm 12' getragen. Jeder der Sauggreifer 11 und 11' ist nach unten durch eine Schraubenfeder oder dergleichen beaufschlagt und durch ein flexibles Rohr an einem Vakuumverteiler (nicht dargestellt) angeschlossen, welcher mit einem Saugmittels (nicht dargestellt) verbunden ist.
  • Das Aufbringungsmittel 5 für den Laserstrahl, der Kassettentischmechanismus 7 und 7', das temporäre Setzmittel 8 und 8', das Handhabungsmittel 9 und 9' und das Transfermittel 10 und 10', die oben genannt sind, sind an der stationären Basis 2, wie in 1 gezeigt, bereitgestellt.
  • Die Betätigung des ersten Lasermechanismus 1a inklusive des ersten Einspanntischmechanismus 3, eines Teils des Aufbringmittels 5 für den Laserstrahl, des ersten Kassettentischmechanismus 7, des ersten temporäre Setzmittels 8, des ersten Handhabungsmittels 9 und des ersten Transfermittels 10 wird im Folgenden mit Bezug zu 1 und 8–11 beschrieben. Die Betätigung des zweiten Lasermechanismus 1b inklusive des zweiten Einspanntischmechanismus 3', eines Teils des Aufbringungsmittels 5 für den Laserstrahl, des zweiten Kassettentischmechanismus 7', des zweiten temporären Setzmittels 8', des zweiten Handhabungsmittels 9' und des zweiten Transfermittels 10' ist im Wesentlichen das gleiche wie das des ersten Lasermechanismus 1a und eine detaillierte Beschreibung davon wird hier ausgelassen.
  • Wie in 1 und 8 gezeigt liegt der erste Kassettentischmechanismus 7 benachbart zu dem ersten Einspanntischmechanismus 3 in der X Richtung. Das erste temporäre Setzmittel 8 liegt direkt oberhalb des ersten Haltebereichs, in dem das erste Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des ersten Einspanntisch 36 ist. Das erste Handhabungsmittel neun liegt an einer Seite des ersten Haltebereichs, d. h. an der Seite gegenüber des ersten Handhabungsmittels 9 bezüglich des ersten Einspanntischmechanismus 3.
  • Im Folgenden wird ein Setzschritt eines Wafers zum Nehmen des Halbleiter-Wafers W als das erste Werkstück aus der Kassette 70 und danach Absetzen des Halbleiter-Wafers W an dem ersten Einspanntisch 36 beschrieben. Wie in 8 gezeigt, wird das erste Bewegungsmittel 82 für die Trägerschienen des ersten temporären Setzmittels 8 betätigt, um die Trägerschienen 81a und 81b zueinander zu bewegen, wodurch der Abstand zwischen den Trägerschienen 81a und 81b entsprechend dem äußeren Durchmesser des ringförmigen Rahmens F, welche den Halbleiter-Wafer W trägt, reduziert wird. Danach wird der erste Kassettentisch 71 vertikal bewegt, um die Höhe des Halbleiter-Wafers W, der in der ersten Kassette 70 aufgenommen ist, auf die Höhe des Fangelements 92 des ersten Handhabungsmittels 9 zu bewegen, weil die Höhe des Fangelements 92 fixiert ist.
  • Nach dem Anpassen der Höhe des Halbleiter-Wafers W, der in der ersten Kassette 70 aufgenommen ist, auf eine Höhe des Fangelements 92, wird der Handhabungsarm 91 zu der ersten Kassette 70 bewegt, bis das Fangelements 92 in Eingriff mit dem ringförmigen Rahmen F kommt, welcher den Halbleiter-Wafer W, der in der ersten Kassette 70 aufgenommen ist, trägt. In diesem Zustand wird das Fangelement 92 durch den Luftdruck, der durch den Luftzylinder zugeführt wird (nicht dargestellt), angetrieben, um dadurch den ringförmigen Rahmen F zu fangen. Danach wird das Bewegungsmittel 93 für den Arm betätigt, um den Handhabungsarm 91 weg von dem ersten Kassettentischmechanismus 7 zu bewegen, wodurch der Halbleiter-Wafer W aus der ersten Kassette 70 genommen wird und diesen zu den Trägerschienen 81a und 81b des ersten temporären Setzmittels 8, wie in 9 gezeigt, trägt. Danach wird die Betätigung des Fangelements 92, das den ringförmigen Rahmen F fängt, abgebrochen, um den Halbleiter-Wafer W temporär auf den Trägerschienen 81a und 81b abzusetzen.
  • Nach einem temporären Absetzen des Halbleiter-Wafers W an den Trägerschienen 81a und 81b des ersten temporären Setzmittels 8, wird das Erhöhungsmittel 14 des ersten Transfermittels 10 betätigt, um die Betätigungsstange 13 abzusenken. Wie oben beschrieben ist der Transferarms 12, der die Sauggreifer 11 an dem vorderen Ende aufweist, mit dem oberen Ende des Betätigung Arms 13 verbunden, entsprechend, wenn die Betätigungsstange 13 abgesenkt ist, kommen die Sauggreifer 11, die an dem vorderen Ende des Transferarms 12 bereitgestellt sind, in eine Anlage gegen den ringförmigen Rahmen F, der den Halbleiter-Wafer W trägt, der temporär an dem ersten temporären Setzmittels 8 abgesetzt ist. Wie oben beschrieben ist jeder Sauggreifer 11 nach unten durch eine Schraubenfeder (nicht dargestellt) beaufschlagt, sodass, wenn jeder Sauggreifer 11 in Anlage gegen den ringförmigen Rahmen F kommt, jeder Sauggreifer 11 leicht nach oben relativ zu dem Transferarm 12 bewegt wird. Wenn die Sauggreifer 11 gegen den ringförmigen Rahmen F anliegen, wird eine Absenkbewegung der Betätigungsstange 13 gestoppt und ein Vakuum wird durch den Vakuumverteiler (nicht dargestellt) zu den Sauggreifer 11 zugeführt, wodurch ein Halbleiter-Wafer W durch den ringförmigen Rahmen F an den Sauggreifern 11 unter einem Saugen gehalten wird.
  • Nach dem Halten des Halbleiter-Wafers W durch den ringförmigen Rahmen F an dem Sauggreifer 11 wird das Bewegungsmittel 82 für die Trägerschienen des ersten temporären Setzmittels 8 betätigt, um den Abstand zwischen den Trägerschienen 81a und 81b auf eine Größe größer als den äußeren Durchmesser des ringförmigen Rahmens zu erhöhen, wie in 11 gezeigt. Danach wird die Betätigungsstange 13 weiter abgesenkt, um den Halbleiter-Wafer W an der oberen Oberfläche des ersten Einspanntisch 36 zu platzieren, der in dem erste Haltebereich abgesetzt ist. Ferner wird das Zuführen des Vakuums zu dem Sauggreifer 11 gestoppt und die Betätigungsstange 13 wird als nächstes auf eine zurückgezogenen Position, die in 9 gezeigt ist, erhöht. Danach wird das Saugmittel (nicht dargestellt) betätigt, um den Halbleiter-Wafer W durch das Schutzband T an der oberen Oberfläche des ersten Einspanntischs 36 unter einem Saugen zu halten. Danach werden die Klemmen 362 betätigt, um den ringförmigen Rahmen F an dem ersten Einspanntisch 36 zu halten. Danach wird das X-Bewegungsmittel 37 des ersten Einspanntisch 3 betätigt, um den ersten Einspanntisch 36 zu dem ersten Bearbeitungsbereich unmittelbar unter dem ersten Fokusmittel 51 der Aufbringungseinheit 4 für den Laserstrahl zu bewegen.
  • Folglich wurde der Setzschritt für den Wafer durch den ersten Lasermechanismus 1a beschrieben. Wie oben beschrieben weist der zweiten Lasermechanismus 1b im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie der ersten Lasermechanismus 1a auf und die Betätigung des zweiten Lasermechanismus 1b ist ähnlich zu der des ersten Lasermechanismus 1a. D. h., dass der zweiten Lasermechanismus 1b den zweiten Einspanntischmechanismus 3', einen Teil des Aufbringungsmittel 5 für den Laserstrahl und den zweiten Kassettentischmechanismus 7', das zweite temporäre Setzmittel 8', das zweite Handhabungsmittel 9' und das zweite Transfermittel 10' beinhaltet. Entsprechend wird die Beschreibung eines Setzschritts für einen Wafer durch den zweiten Lasermechanismus 1b hier ausgelassen. Der Kassettentischmechanismus 7 und 7', dass temporäre Setzmittel 8 und 8', das Handhabungsmittel 9 und 9' und das Transfermittel 10 und 10' werden durch Steuerungssignale, die von einem Ausgabeanschluss (nicht dargestellt) ausgegeben werden, gesteuert, der in dem Steuerungsmittel beinhaltet ist.
  • Im Folgenden wird ein Schritt der Laserbearbeitung durch den ersten Lasermechanismus 1a beschrieben.
  • Wenn der erste Einspanntisch 36, der den Halbleiter-Wafer W hält, in den ersten Bearbeitungsbereich versetzt ist, führen das erste bildgebende Mittel 6 und das Steuerungsmittel einen Ausrichtungsschritt des Detektieren eines Zielbereichs des Halbleiter Wafers W, der mit einem Laser zu bearbeiten ist, aus. D. h., dass das erste bildgebende Mittel 6 und das Steuerungsmittel eine Bildbearbeitung wie eine Mustererkennung durchführen, um die Ausrichtung zwischen den Ziellinien, die sich in einer ersten Richtung an dem Halbleiter-Wafer W erstrecken, und dem ersten Fokusmittel 51 des Aufbringmittels 5 für den Laserstrahl zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Ziellinie auszuführen, wodurch der Ausrichtungsschritt zum Detektieren der Ziellinien, die sich in der ersten Richtung erstrecken, durchgeführt wird.
  • Ähnlich wird dieser Ausrichtungsschritt für die anderen Ziellinien, die sich in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung an dem Halbleiter-Wafer W erstrecken, ausgeführt, wodurch die Ziellinien, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, detektiert werden.
  • Nach einem Durchführen des Ausrichtungsschritts, um alle Ziellinien, die an dem Halbleiter-Wafer W ausgebildet sind, der an dem erst Einspanntisch 36 gehalten wird, zu detektieren, wird der erste Einspanntisch 36 zu einer Position eines Endes einer vorbestimmten einen der Ziellinie unmittelbar unterhalb des ersten Fokusmittels 51 bewegt. Danach wird der fokussierte Punkt eines gepulsten Laserstrahls, der mit der Fokuslinse des ersten Fokusmittels 51 fokussiert wird, auf eine vorbestimmte Höhe in dem Halbleiter-Wafer W gesetzt, wobei der gepulste Laserstrahl eine Transmissionswellenlänge für den Halbleiter-Wafer W aufweist. Danach wird der gepulsten Laserstrahl von dem ersten Fokusmittel 51 auf dem Halbleiter-Wafer W aufgebracht und gleichzeitig wird der erste Einspanntisch 36 in einer vorbestimmten Geschwindigkeit in der X Richtung, die in 1 gezeigt ist, bewegt. Wenn das andere Ende der vorbestimmten Ziellinie die Position unmittelbar unterhalb des ersten Fokusmittels 51 erreicht hat, wird die Anwendung des gepulsten Laserstrahls gestoppt und die Bewegung des ersten Einspanntischs 36 wird auch gestoppt. Als ein Ergebnis ist eine modifizierte Schicht in dem Halbleiter-Wafer W entlang der vorbestimmten Ziellinie ausgebildet. Nach dem Durchführen einer solchen Laserbearbeitung entlang der vorbestimmten Ziellinie wird das Y-Bewegungsmittel 38 betätigt, um den ersten Einspanntisch 36 in der Y Richtung zu bewegen, und die Bearbeitung mit dem Laser wird entlang all den anderen Ziellinie, die sich in der ersten Richtung erstrecken, wiederholt. Danach wird Laserbearbeitung ähnlich entlang all den Ziellinien durchgeführt, die sich in der zweiten Richtung erstrecken. Ein Schritt der Laserbearbeitung durch den zweiten Lasermechanismus 1b ist im Wesentlichen der gleiche wie in dem oben beschriebenen erste Lasermechanismus 1a, sodass eine detaillierte Beschreibung davon hier ausgelassen wird.
  • Nach dem Abschließen des Schritts der Laserbearbeitung wird der Halbleiter-Wafer W, der an dem Einspanntisch 36 gehalten wird, zu seiner ursprünglichen Position in der ersten Kassette 70 in der folgenden Prozedur umgekehrt zu dem Setzschritt für den Wafer, der mit Bezug zu 8-11 beschrieben wurde, zurückgebracht. D. h., nach dem Bearbeiten des Halbleiter-Wafers W in dem ersten Bearbeitungsbereich wird der erste Einspanntisch 36, der den Halbleiter-Wafer W hält, von dem ersten Bearbeitungsbereich zu dem ersten Haltebereich, der in 11 gezeigt ist, durch ein Betätigen des X-Bewegungsmittel 37 bewegt. Danach wird die Betätigungsstange 13 des ersten Transfermittels 10 abgesenkt, bis die Sauggreifer 11 gegen den ringförmigen Rahmen F Anliegen, der den Halbleiter-Wafer W, der an dem Einspanntisch 36 gehalten wird, trägt. Danach wird ein Vakuum an die Sauggreifer 11 angelegt, um den Halbleiter-Wafer W unter einem Saugen zu halten. Danach wird das saugende Halten des Halbleiter-Wafers W abgebrochen und der fixierte Zustand des ringförmigen Rahmens durch die Klemmen 362 wird auch abgebrochen. Danach wird die Betätigungsstange 13 zu einer vertikalen Position höher als die Trägerschienen 81a und 81b des ersten temporären Setzmittels 8 erhöht.
  • Danach wird das Bewegungsmittel 82 für die Trägerschienen des ersten temporären Setzmittels 8 betätigt, um den Abstand zwischen den Trägerschienen 81a und 81b entsprechend dem äußeren Durchmesser des ringförmigen Rahmens F zu reduzieren. Danach wird die Betätigungsstange 13 des ersten Transfermittels 10 abgesenkt, um den Halbleiter-Wafer W, der durch die Sauggreifer 11 gehalten wird, auf den Trägerschienen 81a und 81b, wie in 10 gezeigt, zu platzieren. Danach wird das Vakuum, das an den Sauggreifer 11 angelegt ist, abgebrochen, um dadurch den Halbleiter-Wafer W an den Trägerschienen 81a und 81b temporär abzusetzen. Danach wird die Betätigungsstange 13 auf ihre höchste vertikale Position erhöht, d. h. die zurückgezogen Position, die in 9 gezeigt ist.
  • Schließlich wird der Handhabungsarm 91 des ersten Handhabungsmittels 9 von der Position, die in 9 gezeigt ist, zu der Position, die in 8 gezeigt ist, bewegt. Zu diesem Zeitpunkt wird der ringförmige Rahmen F, der den Halbleiter-Wafer trägt, durch den Handhabungsarm 91 gedrückt, sodass die Betätigung des Fangelements 92 nicht benötigt wird. Folglich wird der Halbleiter-Wafer W durch den Handhabungsarm 91 gedrückt und dadurch zu seiner ursprünglichen Position in der ersten Kassette 70, wie in 8 gezeigt, zurückgebracht.
  • Wie in 12 gezeigt, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 1, die den Lasermechanismus 1a und 1b, der in 1 gezeigt ist, aufweist, ein Gehäuse 200 zum Abdecken des Lasermechanismus 1a und 1b auf. Das Gehäuse 200 weist Seitenwände gegenüber dem Kassettentischmechanismus 7 und 7' in der X Richtung (siehe 1) auf. Diese Seitenwand des Gehäuses 200 ist mit einer ersten Klappe 201 gegenüber dem ersten Kassettentischmechanismus 7 und und einer zweiten Klappe 204 gegenüber des zweiten Kassettentischmechanismus 7' bereitgestellt. Die erste und zweite Klappe 201 und 204 parallel in der Y Richtung angeordnet. Die erste und zweite Klappe 201 und 204 sind wie eine sogenannte Doppelklappe für ausgestaltet, sodass die erste Klappe zu 201 angepasst ist, sich nach links zu öffnen, und die zweite Klappe 204 dazu angepasst ist, sich nach rechts zu öffnen, wie in 12 gesehen. Wenn die erste Klappe 201 geöffnet wird, kann ein Bediener Zugriff zu dem ersten Haltebereich bekommen, der durch den ersten Kassettentischmechanismus 7 des ersten Lasermechanismus 1a und der Position gebildet wird, in welcher das Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des ersten Einspanntisch 36 ist. Ähnlich wenn die zweite Klappe 204 geöffnet ist, kann der Bediener den zweiten Haltebereich erreichen, der durch den zweiten Kassettentischmechanismus 7' des zweiten Lasermechanismus 1b und der Position gebildet wird, an welcher das zweite Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des zweiten Einspanntisch 36' ist. D. h., dass die erste und zweite Klappe 201 und 204 beim Laden/Entladen der ersten und zweiten Kassette 70 und 70' zu/von dem ersten und zweiten Kassettentisch 71 und 71' jeweils verwendet werden.
  • Die erste Klappe 201 ist mit einer ersten Bedientafel 202 zum Betätigen des ersten Lasermechanismus 1a bereitgestellt. Ähnlich ist die zweite Klappe 204 mit einer zweiten Bedientafel 205 zum Betätigen des zweiten Lasermechanismus 1b bereitgestellt. Diese Bedientafeln 202 und 205 sind angepasst, um durch einen Bediener betätigt zu werden, um verschiedene Einstellungen an dem Steuerungsmittel vorzunehmen. D. h., dass der erste Lasermechanismus 1a und der zweiten Lasermechanismus 1b unabhängig voneinander betätigt werden können. Entsprechend besteht keine Möglichkeit, dass, wenn die erste Klappe 201 in einem offenen Zustand beim Laden der ersten Kassette 70 zu dem ersten Kassettentisch 71 ist, der Bediener fälschlicherweise die erste Bedientafel 202 betätigt, um den ersten Lasermechanismus 1a zu starten. Ähnlich besteht keine Möglichkeit, dass wenn die zweite Klappe 204 in einem offenen Zustand zum Laden der zweiten Kassette 70' zu dem zweiten Kassettentisch 71 ist, der Bediener fälschlicherweise die zweite Bedientafel 205 betätigt, um den zweiten Lasermechanismus 1b zu starten.
  • Die erste Bedientafel 202 ist schwenkbar an der ersten Klappe 201 montiert, sodass sie nach links, wie in 12 gesehen, geöffnet werden kann. Ähnlich ist die zweite Bedientafel 205 schwenkbar an der zweiten Klappe 204 montiert, sodass sie nach rechts, wie in 12 gesehen, geöffnet werden kann. In der Laserbearbeitungsvorrichtung 1 entsprechend der bevorzugten Ausführungsform wird angenommen, dass der Bediener die Bedientafeln 202 und 205 bedient, während dieser Betätigungen des Lasermechanismus 1a und 1b bestätigt. Entsprechend ist die linke Seitenwand des Gehäuses 200 mit einem ersten Sichtfenster 203 bereitgestellt, um dem Bediener zu ermöglichen, den ersten Lasermechanismus 1a, wie in 12 gezeigt, zu sehen. Ähnlich ist die rechte Seitenwand des Gehäuses 200 mit einem zweiten Sichtfenster 206 bereitgestellt, um den Bediener zu ermöglichen, den zweiten Lasermechanismus 1b zu sehen. Entsprechend kann der Bediener die erste Bedientafel 202 in ihrem offenen Zustand bedienen, während dieser den Lasermechanismus 1a durch das erste Sichtfenster 203 sieht. Ähnlich kann der Bediener die zweite Bedientafel 205 in ihrem offenen Zustand bedienen, während dieser den zweiten Lasermechanismus 1b durch das zweite Sichtfenster 206 sieht. Durch Bereitstellen dieser Sichtfenster 203 und 206 und der Bedientafeln 202 und 205 besteht keine Möglichkeit, dass die Bedientafeln 202 und 205 beim Betätigen des ersten und zweiten Lasermechanismus 1a und 1b vertauscht werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in den äquivalenten Umfang der Ansprüche fallen, werden durch die Erfindung eingeschlossen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010-158691 [0003]

Claims (3)

  1. Laserbearbeitungsvorrichtung, umfassend: einen ersten Lasermechanismus, der einen ersten Einspanntisch zum Halten eines ersten Werkstücks, ein erstes X-Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Einspanntischs in einer X Richtung, ein erstes Y-Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Einspanntischs in einer Y Richtung senkrecht zu der X Richtung und ein erstes Fokusmittel zum Fokussieren eines ersten Laserstrahls auf dem ersten Werkstück, das an dem Einspanntisch gehalten wird, beinhaltet; einen zweiten Lasermechanismus, der einen zweiten Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, ein zweites X-Bewegungsmittel zum Bewegen des zweiten Einspanntischs in der X Richtung, ein zweites Y-Bewegungsmittel zum Bewegen des zweiten Einspanntischs in der Y Richtung und ein zweites Fokusmittel zum Fokussieren eines Laserstrahls auf dem zweiten Werkstück, das an dem zweiten Einspanntisch gehalten wird, beinhaltet; einen Laseroszillator zum Oszillieren eines ursprünglichen Laserstrahls; ein optisches System zum Aufteilen des ursprünglichen Laserstrahls, der durch den Laseroszillator oszilliert wird, in den ersten Laserstrahl und den zweiten Laserstrahl und jeweils Führen des ersten und zweiten Laserstrahls zu dem ersten und zweiten Fokusmittel; eine erste Bedientafel zum Setzen einer ersten Bearbeitungsbedingung für den ersten Lasermechanismus; und eine zweite Bedientafel zum Setzen einer zweiten Bearbeitungsbedingung für den zweiten Lasermechanismus.
  2. Laserbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend ein Gehäuse zum Abdecken des ersten Lasermechanismus und des zweiten Lasermechanismus; wobei das Gehäuse mit einer ersten Klappe an einer Position, in welcher das erste Werkstück in den ersten Lasermechanismus geladen wird, und einer zweiten Klappe an einer Position versehen ist, in welcher das zweite Werkstück in den zweiten Lasermechanismus geladen wird; die erste und zweite Bedientafel jeweils an der ersten und zweiten Klappe montiert sind; die erste Klappe und die zweite Klappe parallel in der Y Richtung an einer Ebene senkrecht zu der X Richtung angeordnet sind.
  3. Laserbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei: der erste Einspanntisch durch das erste X-Bewegungsmittel zwischen einem ersten Haltebereich, an welchen das erste Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des ersten Einspanntischs ist, und einem ersten Bearbeitungsbereich bewegt wird, in welchem der erste Laserstrahl von dem ersten Fokusmittel auf dem ersten Werkstück, das an dem ersten Einspanntisch gehalten wird, aufgebracht wird; der erste Haltebereich einen ersten Kassettentisch zum Montieren einer ersten Kassette, welche das erste Werkstück aufnimmt, einem ersten temporären Setzmittel zum temporären Absetzen des ersten Werkstücks, einem ersten Handhabungsmittel zum Entnehmen des ersten Werkstücks aus der ersten Kassette, die an dem ersten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des ersten Werkstücks zu dem ersten temporären Setzmittel und ein erstes Transfermittel zum Transferieren des ersten Werkstücks von dem ersten temporären Setzmittel zu dem ersten Einspanntisch beinhaltet; die erste Klappe beim Laden/Entladen der ersten Kassette zu/von dem ersten Kassettentisch geöffnet ist; und der zweite Einspanntisch durch das zweite X-Bewegungsmittel zwischen einem zweiten Haltebereich, an welchem das zweite Werkstück gehalten oder freigegeben bezüglich des zweiten Einspanntischs ist, und einem zweiten Bearbeitungsbereich bewegt wird, an welchen der zweite Laserstrahl von dem zweiten Fokusmittel auf dem zweiten Werkstück, das an dem zweiten Einspanntisch gehalten wird, aufgebracht wird; der zweite Haltebereich einen zweiten Kassettentisch zum Montieren einer zweiten Kassette, welche das zweite Werkstück aufnimmt, ein zweites Handhabungsmittel zum Entnehmen des zweiten Werkstücks aus der zweiten Kassette, die an den zweiten Kassettentisch montiert ist, und danach Tragen des zweiten Werkstücks zu dem zweiten temporären Setzmittel und ein zweites Transfermittel zum Transferieren des zweiten Werkstücks von dem zweiten temporären Setzmittel zu dem zweiten Einspanntisch beinhaltet; die zweite Klappe beim Laden/Entladen der zweiten Kassette zu/von dem zweiten Kassettentisch geöffnet ist.
DE102016218865.8A 2015-09-29 2016-09-29 Laserbearbeitungsvorrichtung Pending DE102016218865A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015191941A JP6546823B2 (ja) 2015-09-29 2015-09-29 レーザー加工装置
JP2015-191941 2015-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102016218865A1 true DE102016218865A1 (de) 2017-03-30

Family

ID=58282207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016218865.8A Pending DE102016218865A1 (de) 2015-09-29 2016-09-29 Laserbearbeitungsvorrichtung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10722980B2 (de)
JP (1) JP6546823B2 (de)
KR (1) KR102468635B1 (de)
CN (1) CN107030391B (de)
DE (1) DE102016218865A1 (de)
MY (1) MY183578A (de)
SG (1) SG10201607633RA (de)
TW (1) TW201718159A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022167252A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-11 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Vorrichtung und verfahren zur laserbearbeitung eines werkstücks
US11992897B2 (en) 2021-02-02 2024-05-28 Trumpf Laser-Und Systemtechnik Gmbh Apparatus and method for laser machining a workpiece

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018181736A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 Ａｇｃ株式会社 水性分散液および水性分散液の製造方法
JP6976745B2 (ja) * 2017-06-30 2021-12-08 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
WO2018216237A1 (ja) * 2017-09-06 2018-11-29 平田機工株式会社 作業装置及び作業システム
US20190151993A1 (en) * 2017-11-22 2019-05-23 Asm Technology Singapore Pte Ltd Laser-cutting using selective polarization
JP7009194B2 (ja) * 2017-12-12 2022-01-25 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置および搬送トレー
JP6999401B2 (ja) 2017-12-19 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置
JP6999402B2 (ja) 2017-12-19 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置
CN108044355B (zh) * 2017-12-22 2024-01-23 沈阳芯嘉科技有限公司 一种激光砂轮划片机及复合材料切割方法
JP6727361B2 (ja) * 2018-03-09 2020-07-22 平田機工株式会社 レーザ処理装置、及び加工処理方法
CN108817391B (zh) * 2018-08-17 2023-08-15 北京万维增材科技有限公司 一种双熔覆头激光熔覆金属增材制造设备
JP7164396B2 (ja) * 2018-10-29 2022-11-01 株式会社ディスコ ウエーハ生成装置
JP7449097B2 (ja) * 2019-04-09 2024-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US11534862B2 (en) * 2019-04-09 2022-12-27 Disco Corporation Laser processing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010158691A (ja) 2009-01-07 2010-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4653903A (en) * 1984-01-24 1987-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US5290992A (en) * 1992-10-07 1994-03-01 International Business Machines Corporation Apparatus for maximizing light beam utilization
KR100446052B1 (ko) * 1997-05-15 2004-10-14 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 다수의갈바노스캐너를사용한레이저빔가공장치
JP2001203145A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004160483A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法およびレーザー加工装置
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
US20060114948A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Lo Ho W Workpiece processing system using a common imaged optical assembly to shape the spatial distributions of light energy of multiple laser beams
JP4571851B2 (ja) * 2004-11-30 2010-10-27 株式会社ディスコ 切削装置
JP4769048B2 (ja) * 2005-08-23 2011-09-07 株式会社ディスコ 基板の加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2008110383A (ja) 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2008126252A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
CN101020277A (zh) * 2007-03-22 2007-08-22 苏州德龙激光有限公司 分布式激光加工系统
JP5473414B2 (ja) * 2009-06-10 2014-04-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5473415B2 (ja) * 2009-06-10 2014-04-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5554593B2 (ja) * 2010-03-04 2014-07-23 株式会社ディスコ 加工装置
US9465228B2 (en) * 2010-03-19 2016-10-11 Optical Biosystems, Inc. Illumination apparatus optimized for synthetic aperture optics imaging using minimum selective excitation patterns
US8354612B2 (en) * 2010-03-29 2013-01-15 Asm Assembly Automation Ltd Laser processing apparatus
CN201754204U (zh) * 2010-06-22 2011-03-02 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种激光分光装置及激光加工设备
JP5964621B2 (ja) 2012-03-16 2016-08-03 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR101416411B1 (ko) * 2012-12-28 2014-08-08 현대자동차 주식회사 레이저 용접기
CN104682463A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 陕西荣基实业有限公司 一种用于氢气燃料电源电源柜
CN103913412A (zh) * 2014-04-22 2014-07-09 苏州华周胶带有限公司 一种胶带真空老化箱
CN204361539U (zh) * 2015-01-30 2015-05-27 南宁市金德泰电控设备制造有限公司 一种高低压配电柜

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010158691A (ja) 2009-01-07 2010-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022167252A1 (de) * 2021-02-02 2022-08-11 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Vorrichtung und verfahren zur laserbearbeitung eines werkstücks
US11992897B2 (en) 2021-02-02 2024-05-28 Trumpf Laser-Und Systemtechnik Gmbh Apparatus and method for laser machining a workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
TW201718159A (zh) 2017-06-01
KR20170038146A (ko) 2017-04-06
MY183578A (en) 2021-02-26
CN107030391B (zh) 2020-07-31
JP2017064744A (ja) 2017-04-06
SG10201607633RA (en) 2017-04-27
CN107030391A (zh) 2017-08-11
JP6546823B2 (ja) 2019-07-17
US20170087671A1 (en) 2017-03-30
KR102468635B1 (ko) 2022-11-17
US10722980B2 (en) 2020-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016218865A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102016218268A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102006000720B4 (de) Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102018208365B4 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung und laserbearbeitungsverfahren
DE102006058536B4 (de) Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102004051180B4 (de) Waferteilungsverfahren
DE102004025707B4 (de) Verfahren zum Teilen eines nicht-metallischen Substrats
DE102006055338B4 (de) Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102010015739B4 (de) Laserstrahlbearbeitungsvorrichtung
DE102017103737A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
EP1743736B1 (de) Werkzeugmaschine und Verfahren mit zumindest einer Bearbeitungseinheit und zwei Werkstücktransportvorrichtungen
DE102005047110A1 (de) Waferteilungsverfahren und -teilungsvorrichtung
DE102016205915A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102005012144A1 (de) Futter- bzw. Einspanntisch zur Verwendung in einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE10222851A1 (de) Schneidmaschine
DE102005033953A1 (de) Waferteilungsverfahren und -vorrichtung
DE102006010766A1 (de) Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102015224575A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102004059154B4 (de) Verfahren zum Überprüfen einer laserbearbeiteten verschlechterten Schicht
DE102019202712A1 (de) Steuerungsverfahren für eine Bearbeitungsvorrichtung
DE102017207693A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung für einen Wafer
DE112016001704T5 (de) Werkstück-Anbringungs-/Entfernungsvorrichtung
DE102014222040A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102020200257A1 (de) Werkstückschneidverfahren
DE102014209555A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication