DE102005033953A1

DE102005033953A1 - Waferteilungsverfahren und -vorrichtung

Info

Publication number: DE102005033953A1
Application number: DE200510033953
Authority: DE
Inventors: Naoki Ohmiya; Yusuke Nagai; Masaru Nakamura
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2004-07-23
Filing date: 2005-07-20
Publication date: 2006-03-16
Anticipated expiration: 2025-07-21
Also published as: DE102005033953B4; JP4447392B2; US20060016443A1; SG119321A1; CN100446188C; JP2006040988A; CN1734723A; US7063083B2

Abstract

Ein Verfahren zum Teilen eines Wafers, dessen Festigkeit entlang einer Mehr- bzw. Vielzahl von Teilungslinien verringert worden ist, die an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildet sind, entlang der Teilungslinien, aufweisend: einen Bandbefestigungsschritt zum Befestigen eines Schutzbandes an einer Flächenseite des Wafers; einen Halteschritt zum Positionieren eines ersten Saughalteglieds und eines zweiten Saughalteglieds an beiden Seiten einer Teilungslinie und zum Durch-Saugen-Halten des Wafers an dem ersten Saughalteglied und dem zweiten Saughalteglied durch das Schutzband und einen Teilungsschritt zum Bewegen des ersten Saughalteglieds und des zweiten Saughalteglieds in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander, um eine Zugkraft in einer Richtung rechtwinklig zu den Teilungslinien auszuüben.

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Teilen eines Wafers mit Teilungslinien, die an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildet sind, entlang der Teilungslinie und auf eine Waferteilungsvorrichtung.

Bei dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine Mehr- bzw. Vielzahl von Bereichen durch Teilungslinien geteilt, die als "Straßen" bezeichnet werden und in einem Gittermuster an der vorderen Fläche eines im Wesentlichen scheibenartigen Halbleiterwafers gebildet sind, und es wird eine Schaltung bzw. Schaltkreis, z.B. IC oder LSI, in jedem der geteilten Bereiche gebildet. Individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips werden durch Schneiden dieses Halbleiterwafers entlang der Teilungslinien hergestellt, um ihn in die Bereiche mit einer hierin gebildeten Schaltung zu teilen. Ein eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisender Wafer, welcher Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis aufweist, die an der vorderen Fläche eines Saphirsubstrats laminiert sind, wird ebenfalls entlang vorbestimmter Teilungslinien geschnitten, um in einzelne optische Vorrichtungen, z.B. Lichtemitterdioden bzw. Leuchtdioden oder Laserdioden bzw. Diodenlaser geteilt zu werden, die in elektrischen Ausrüstungen bzw. Einrichtungen in weitem Umfang verwendet werden.

Schneiden entlang der Teilungslinien des obigen Halbleiterwafers oder des obigen eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisenden Wafers wird im Allgemeinen durch Verwenden einer als "Dicer" bzw. Substratzerteiler bezeichneten Schneidmaschine bzw. -vorrichtung ausgeführt. Diese Schneidmaschine weist einen Futter- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, z.B. eines Halbleiterwafers oder eines eine optische Vorrichtung bzw. Vorrichtungen aufweisenden Wafers, ein Schneidmittel bzw. -einrichtung zum Schneiden des an dem Einspanntisch gehaltenen Werkstücks, und ein Schneid-Vorschub- bzw. -Zuführmittel bzw. -einrichtung zum Bewegen des Einspanntischs und des Schneidmittels relativ zueinander auf. Das Schneidmittel weist eine rotier- bzw. drehbare Spindel bzw. Drehspindel, ein an der Spindel angebrachtes Schneidmesser bzw. -klinge und einen Antriebsmechanismus zum drehbaren Antreiben der drehbaren Spindel auf. Das Schneidmesser weist eine scheibenartige Basis und eine ringförmige Kante bzw. Rand auf, der an dem Seitenwand-Umfangsbereich der Basis angebracht ist und dick bis etwa 20 μm durch Befestigen von Diamantschleifkörnern mit einem Durchmesser von etwas 3 μm an der Basis durch Elektro- bzw. Galvanoformung gebildet ist.

Da ein Saphirsubstrat, ein Siliciumkarbidsubstrat usw. eine hohe Mohs'sche Härte aufweisen, ist das Schneiden mit dem obigen Schneidmesser nicht immer leicht. Weiterhin müssen, da das Schneidmesser eine Dicke von etwas 20 μm aufweist, die Teilungslinien zum Teilen der Vorrichtungen eine Breite von etwa 50 μm aufweisen. Daher wird in dem Falle einer Vorrichtung, welche 300 μm × 300 μm misst, das Flächenverhältnis der Straßen zu dem Wafer 14%, wodurch die Produktivität reduziert wird.

Als ein Mittel zum Teilen eines plattenartigen Werkstücks, z.B. eines Halbleiterwafers, ist ein Laserbearbeitungsverfahren zum Anwenden bzw. Aufbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der dazu befähigt ist, durch das Werkstück hindurch zu gehen, wobei sein fokussierender Punkt bzw. Fokussierungspunkt an der Innenseite bzw. im Inneren des zu teilenden Bereichs angeordnet ist, heutzutage ebenfalls versucht bzw. in Angriff genommen und durch das japanische Patent No. 3408805 offenbart worden. Bei dem Teilungsverfahren, das von dieser Laserbearbeitungstechnik Gebrauch macht, wird das Werkstück dadurch geteilt, dass ein Impulslaserstrahl mit einem Infrarotbereich, der durch das Werkstück hindurch gehen kann, von einer Flächenseite des Werkstücks hier aufgebracht wird, wobei sein Fokussierungspunkt an der Innenseite bzw. im Inneren angeordnet ist, um eine verschlechterte Schicht in dem Inneren des Werkstücks entlang der Teilungslinien kontinuierlich zu bilden, und dass eine externe bzw. äußere Kraft entlang der Teilungslinien ausgeübt wird, der Stärke bzw. Festigkeit durch die Bildung der verschlechterten Schichten verringert worden ist.

Um einen Wafer mit verschlechterten Schichten, die entlang der Teilungslinien kontinuierlich gebildet sind, in einzelne Chips durch Ausüben einer äußeren Kraft entlang der Teilungslinien des Wafers zu teilen, hat der Anmelder dieser Anmeldung eine Technologie zum Teilen eines Wafers in einzelne Chips durch Expandieren bzw. Dehnen eines Schutzbandes bzw. -streifens, der an dem Wafer befestigt ist, um eine Zugkraft auf den Wafer aufzubringen, als Japanische Patentanmeldung No. 2003-361471 vorgeschlagen.

Bei dem Verfahren zum Aufbringen einer Zugkraft auf den Wafer durch Dehnen des an dem Wafer befestigten Schutzbandes, wenn das an dem Wafer befestigte Schutzband gedehnt wird, wirkt eine Zugkraft radial an dem Wafer. Daher wird eine Zugkraft in einer Zufallsrichtung auf die in einem Gittermuster gebildeten Teilungslinien aufgebracht, wodurch der Wafer unregelmäßig geteilt wird und ungeteilte Bereiche verbleiben. Wenn ein Wafer mit einem als "Testelementgruppe (TEG)" zum Testen der Funktion jeder Schaltung bezeichneten Testmetallmuster an Teilungslinien entlang der Teilungslinien durch Dehnen des Schutzbandes geteilt wird, wie oben beschrieben, kann ein Problem auftreten, dass eine unregelmäßige Kraft an dem obigen Metallmuster wirkt, wodurch das Metallmuster gezackt gebrochen wird, eine Verunreinigung erzeugt und die Qualität jeder Vorrichtung reduziert.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Teilen eines Wafers, dessen Stärke bzw. Festigkeit entlang Teilungslinien verringert worden ist, entlang der Teilungslinien genau und sicher zu schaffen; und eine Waferteilungsvorrichtung.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung kann erstens die obige Aufgabe durch ein Verfahren zum Teilen eines Wafers, dessen Stärke bzw. Festigkeit entlang einer Mehr- bzw. Vielzahl von an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildeten Teilungslinien verringert worden ist, entlang der Teilungslinien gelöst werden, aufweisend:
einen Band- bzw. Streifenbefestigungsschritt zum Befestigen eines Schutzbandes bzw. -streifens an einer Flächenseite des Wafers;
einen Halteschritt zum Positionieren eines ersten Saughalteglieds und eines zweiten Saughalteglieds an beiden Seiten einer Teilungslinie und Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des Wafers an dem ersten Saughalteglied und dem zweiten Saughalteglied durch das Schutzband; und
einen Teilungsschritt zum Bewegen des ersten Saughalteglieds und des zweiten Saughalteglieds in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander, um eine Zugkraft in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Teilungslinie auszuüben.

Entsprechend der vorliegenden Erfindung kann zweitens die obige Aufgabe der vorliegenden Erfindung durch eine Waferteilungsvorrichtung zum Teilen eines Wafers, dessen Stärke bzw. Festigkeit entlang einer Mehr- bzw. Vielzahl von Teilungslinien, die an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildet sind, reduziert ist, entlang der Teilungslinien gelöst werden, aufweisend:
ein Band- bzw. Streifenhaltemittel zum Halten eines Schutzbandes bzw. -streifens, der an einer Flächenseite des Wafers befestigt ist; und
ein Zugkraftaufbringungsmittel zum Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des an dem Bandhaltemittel getragenen bzw. abgestützten Wafers an beiden Seiten einer Teilungslinie durch das Schutzband und Ausüben einer Zugkraft auf den Wafer in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu den Teilungslinien.

Das obige Zugkraftaufbringungsmittel weist ein erstes Saughalteglied und ein zweites Saughalteglied zum Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des Wafers durch das Schutzband an beiden Seiten einer Teilungslinie und ein Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Saughalteglieds und des zweiten Saughalteglieds in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander auf.

Das obige Schutzband ist an einem ringförmigen Rahmen angebracht, und das Bandhaltemittel ist aus einem Rahmenhaltemittel zum Halten des ringförmigen Rahmens gebildet. Das Rahmenhaltemittel weist einen zylindrischen Körper und ein ringförmiges Rahmenhalteglied auf, das an dem oberen Ende des Körpers angebracht ist, und das erste Saughalteglied, das zweite Saughalteglied und das Bewegungsmittel sind innerhalb des zylindrischen Körpers installiert bzw. eingebaut. Das erste Saughalteglied, das zweite Saughalteglied und das Bewegungsmittel sind an der Basis angebracht, und das Rahmenhaltemittel ist an einem bewegbaren Tisch angebracht, der an der der Basis in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er in einer vorbestimmten Richtung bewegt werden kann. Das Rahmenhaltemittel ist an dem bewegbaren Tisch drehbar getragen bzw. abgestützt, und es ist ein Drehmittel zum Drehen des Rahmenhaltemittels vorgesehen.

Bei der vorliegenden Erfindung sind das erste Saughalteglied und das zweite Saughalteglied an beiden Seiten einer Teilungslinie positioniert, der Wafer wird an dem ersten Saughalteglied und dem zweiten Saughalteglied durch das Schutzband bzw. -streifen durch Saugen gehalten, und das erste Saughalteglied und das zweite Saughalteglied werden in einer Richtung bewegt, um diese voneinander zu trennen, um eine Zugkraft in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Teilungslinie auszuüben. Daher kann der Wafer entlang der Teilungslinie, deren Festigkeit verringert worden ist, genau und sicher geteilt werden. In Folge dessen kann, selbst wenn der Wafer ein Testmetallmuster, welches als "Testelementgruppe (TEG)" zum Testen der Funktion jeder Schaltung bezeichnet wird, an den Teilungslinien aufweist, dieses Metallmuster ebenfalls entlang der Teilungslinie genau gebrochen werden.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers, der durch das Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung zu teilen ist;
2 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine bzw. -vorrichtung zum Ausführen eines eine verschlechterte Schicht bildenden Schritts des Waferteilungsverfahrens nach der vorliegenden Erfindung;
3 ist ein Blockschaltbild, welches die Ausbildung eines Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungsmittels bzw. -einrichtung der in 2 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine schematisch veranschaulicht;
4 ist eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung des Durchmessers eines fokussierenden Lichtpunkts bzw. Brennflecks eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls;
5(a) und 5(b) sind schematische Darstellungen zur Erläuterung des die verschlechterte Schicht bildenden Schritts bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
6 ist eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Zustands, in welchem laminierte verschlechterte Schichten an der Innenseite bzw. im Inneren des Wafers in dem in 5 gezeigten, die verschlechterte Schicht bildenden Schritt gebildet sind;
7 ist eine perspektivische Ansicht zur Veranschaulichung eines Zustands des Halbleiterwafers, welcher dem die verschlechterte Schicht bildenden Schritt unterworfen worden und an der vorderen Fläche eines Schutzbandes bzw. -streifens angebracht ist, der an einem ringförmigen Rahmen befestigt ist;
8 ist eine perspektivische Ansicht einer Waferteilungsvorrichtung zum Ausführen des Teilungsschritts bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung;
9 ist eine auseinander gezogene, perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts der in 8 gezeigten Teilungsvorrichtung;
10 ist eine Schnittansicht eines bewegbaren Tischs und eines Rahmenhaltemittels, welche die in 8 gezeigte Teilungsvorrichtung bilden;
11 ist eine Schnittansicht des Hauptabschnitts zur Veranschaulichung eines Zustands, in welchem das die in 8 gezeigte Teilungsvorrichtung bildende Rahmenhaltemittel den ringförmigen Rahmen hält, welcher den Halbleiterwafer durch das Schutzband trägt bzw. abstützt; und
12(a) und 12(b) sind zur Erläuterung dienende, schematische Darstellungen zur Veranschaulichung des Teilungsschritts bei dem Waferteilungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Bevorzugte Ausführungsformen von Waferteilungsverfahren und -vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung werden im Nachfolgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Wafer, der entsprechend der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist. Der in 1 gezeigte Halbleiterwafer 10 ist ein Siliziumwafer mit einer Dicke von beispielsweise 300 μm, und es ist eine Mehr- bzw. Vielzahl von Teilungslinien 101 an der vorderen Fläche 10a in einem Gittermuster gebildet. An der vorderen Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 ist eine Schaltung bzw. Schaltkreis 102 als ein Funktionselement in jedem einer Mehr- bzw. Vielzahl von Bereichen gebildet, die durch die Mehr- bzw. Vielzahl der Teilungslinien 101 geteilt sind.
Das Verfahren zum Teilen dieses Halbleiterwafers 10 in individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips wird im Nachfolgenden beschrieben.
Um den Halbleiterwafer 10 in einzelne Halbleiterchips zu teilen, wird ein Schritt zum Bilden einer verschlechterten Schicht an der Innenseite bzw. im Inneren des Halbleiterwafers 10 entlang der Teilungslinien 101 durch Anwenden bzw. Ausbringen eines Puls- bzw. Impulslaserstrahls, der dazu befähigt ist, durch den Halbleiterwafer hindurch zu gehen, entlang der Teilungslinien 101 ausgeführt, um hierdurch die Stärke bzw. Festigkeit entlang der Teilungslinien 101 zu verringern. Dieser eine verschlechterte Schicht bzw. Schichten bildende Schritt wird unter Verwendung einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine 1 ausgeführt, die in 2 bis 4 gezeigt ist. Die in 2 bis 4 gezeigte Laserstrahlbearbeitungsmaschine 1 weist einen Futter- bzw. Einspanntisch 11 zum Halten eines Werkstücks, ein Laserstrahlanwendungs- bzw. -aufbringungsmittel bzw. -einrichtung 12 zum Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls auf das an dem Einspanntisch 11 gehaltene Werkstück, und ein Bildaufnahmemittel bzw. -einrichtung 13 zum Aufnehmen eines Bildes des an dem Einspanntisch 11 gehaltenen Werkstücks auf. Der Einspanntisch 11 ist so ausgebildet, um das Werkstück durch Saugen bzw. Ansaugen zu halten, und wird in einer in 2 durch einen Pfeil X angegebenen Bearbeitungs-Zuführ- bzw. -Vorschubrichtung und in einer in 2 durch einen Pfeil Y angegebenen Index- bzw. Weiterschalt-Zuführ- bzw. -Vorschubrichtung mittels eines Bewegungsmechanismus bewegt, der nicht gezeigt ist.
Das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 12 weist ein zylindrisches Gehäuse 121 auf, das im Wesentlichen horizontal angeordnet ist. In dem Gehäuse 121 sind, wie in 3 gezeigt, ein Impulslaserstrahloszillationsmittel bzw. -einrichtung 122 und ein optisches Übertragungssystem 123 installiert bzw. eingebaut. Das Impulslaserstrahloszillationsmittel 122 ist durch einen Impulslaserstrahloszillator 122a, der aus einem YAG-Laseroszillator oder einem YVO4-Laseroszillator besteht, und durch ein Wiederhol- bzw. Folgefrequenzeinstellmittel bzw. -einrichtung 122b gebildet, die mit dem Impulslaserstrahloszillator 122a verbunden ist. Das optische Übertragungssystem 123 weist geeignete optische Mittel, z.B. einen Strahlteiler, usw. auf. Ein Kondensor 124, welcher (nicht gezeigte) Kondensorlinsen enthält, die durch eine Gruppe bzw. Satz von Linsen gebildet sind, welche an sich bekannt sein können, ist an dem Ende des obigen Gehäuses 121 angebracht. Ein Laserstrahl, der von dem obigen Impulslaserstrahloszillationsmittel 122 in Oszillation bzw. Schwingungen versetzt wird, erreicht den Kondensor 124 durch das optische Übertragungssystem 123 und wird von dem Kondensor 124 auf das an dem obigen Einspanntisch 11 gehaltene Werkstück mit einem vorbestimmten Brennfleckdurchmesser D aufgebracht. Dieser Brennfleckdurchmesser D ist durch den Ausdruck D (μm) = 4 × λ × f/(π × W) definiert (worin λ die Wellenlänge (μm) des Impulslaserstrahls ist, W der Durchmesser (mm) des auf eine Objektivlinse 124a aufgebrachten Impulslaserstrahls ist, und f die Brennweite bzw. der Brennpunktabstand (mm) der Objektivlinse 124a ist), wenn der eine Gauß'sche Verteilung aufweisende Impulslaserstrahl durch die Objektivlinse 124a des Kondensor 124 aufgebracht wird, wie in 4 gezeigt.
Das Bildaufnahmemittel 13, das an dem Ende des Gehäuses 121 angebracht ist, welches das obige Laserstrahlaufbringungsmittel 12 bildet, weist ein Infrarot-Beleuchtungs- bzw. -Abstrahlungsmittel bzw. -einrichtung zum Aufgingen von Infrarotstrahlung auf das Werkstück, ein optisches System zum Einfangen der durch das Infrarot-Beleuchtungsmittel aufgebrachten Infrarotstrahlung, und eine Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals entsprechend der durch das optische System eingefangenen Infrarotstrahlung auf, zusätzlich zu einer gewöhnlichen bzw. üblichen Bildaufnahmevorrichtung (CCD) zum Aufnehmen eines Bildes mit sichtbarer Strahlung bei der veranschaulichten Ausführungsform. Ein Bildsignal wird zu einem Steuer- bzw. Regelmittel bzw. -einrichtung übertragen, welche später beschrieben wird.
Der eine verschlechterte Schicht bzw. Schichten bildende Schritt, welcher unter Verwendung der obigen Laserstrahlbearbeitungsmaschine 1 ausgeführt wird, wird unter Bezugnahme auf 2, 5(a) und 5(b) und 6 beschrieben.
In diesem eine verschlechterte Schicht bzw. Schichten bildenden Schritt wird der Halbleiterwafer 10 zuerst an dem Einspanntisch 11 der in 2 gezeigten Laserstrahlbearbeitungsmaschine 1 in einer solchen Art und Weise platziert, dass die hintere Fläche 10b nach oben weist, und an dem Einspanntisch 11 durch Saugen bzw. Ansaugen gehalten. Der den Halbleiterwafer 10 durch Saugen haltende Einspanntisch 11 wird direkt unterhalb des Bildaufnahmemittels 13 durch einen Bewegungsmechanismus positioniert, welcher nicht gezeigt ist.
Nachdem der Einspanntisch 11 direkt unterhalb des Bildaufnahmemittels 13 positioniert ist, wird eine Ausrichtungsarbeit zum Detektieren bzw. Ermitteln des zu bearbeitenden Bereichs des Halbleiterwafers 2 durch Verwenden des Bildaufnahmemittels 13 und des Steuermittels, das nicht gezeigt ist, ausgeführt. Das heißt, das Bildaufnahmemittel 13 und das (nicht gezeigte) Steuermittel führen eine Bildverarbeitung, z.B. "Pattern Matching" bzw. Mustervergleich usw. aus, um eine Teilungslinie 101, die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 10 gebildet ist, mit dem Kondensor 124 des Laserstrahlaufbringungsmittels 12 zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Teilungslinie 101 auszurichten, um hierdurch die Ausrichtung einer Laserstrahlaufbringungsposition auszuführen. Die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition wird außerdem an Teilungslinien 101 ausgeführt, die an dem Halbleiterwafer 10 in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der vorbestimmten Richtung gebildet sind. Obwohl die vordere Fläche 10a des Halbleiterwafers 10, welche die an ihr gebildeten Teilungslinien 101 aufweist, in diesem Augenblick nach unten weist, kann ein Bild der Teilungslinien 101 durch die hintere Fläche 10b genommen werden, da das Bildaufnahmemittel 13 ein Infrarot-Beleuchtungs- bzw. -Abstrahlungsmittel, ein optisches System zum Einfangen von Infrarotstrahlung und eine Bildaufnahmevorrichtung (Infrarot-CCD) zum Ausgeben eines elektrischen Signals aufweist, welches der Infrarotstrahlung entspricht, wie oben beschrieben.
Nachdem die Teilungslinie 101, die an dem an dem Einspanntisch 11 gehaltenen Halbleiterwafer 10 gebildet ist, detektiert bzw. ermittelt worden ist und die Ausrichtung der Laserstrahlaufbringungsposition ausgeführt worden ist, wie oben beschrieben, wird der Einspanntisch 11 zu einem Laserstrahlaufbringungsbereich bewegt, an dem der Kondensor 124 des Laserstrahlaufbringungsmittels 12 zum Aufbingen eines Laserstrahls angeordnet ist, um ein Ende (linkes Ende in 5(a)) der vorbestimmten Teilungslinien 101 zu einer Position direkt unterhalb des Kondensors 124 des Laserstrahlaufbringungsmittels 12 zu bringen, wie in 5(a) gezeigt. Der Einspanntisch 11, das heißt, der Halbleiterwafer 10 wird so dann in der durch den Pfeil X1 in 5(a) angegebenen Richtung mit einer vorbestimmten Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit bewegt, während der Impulslaserstrahl, der durch den Halbleiterwafer 10 hindurch gehen kann, von dem Kondensor 124 aufgebracht wird. Wenn die Aufbringungsposition des Kondensors 124 des Laserstrahlaufbringungsmittels 12 das andere Ende der Teilungslinie 101 erreicht, wie in 5(b) gezeigt, wird die Aufbringung des Impulslaserstrahls ausgesetzt bzw. zeitweilig eingestellt und die Bewegung des Einspanntischs 11, das heißt, des Halbleiterwafers 10 wird angehalten. In diesem die verschlechterte Schicht bildenden Schritt wird der Fokussierungspunkt P des Impulslaserstrahls an einem Bereich nahe zu der vorderen Fläche 10a (Unterseite) des Halbleiterwafers 10 angeordnet. In Folge dessen ist eine verschlechterte Schicht 110 zu der vorderen Fläche 10a (Unterseite) des Halbleiterwafers 10 exponiert bzw. freigelegt und ist in Richtung zu dem Inneren von der vorderen Fläche 10a (Unterseite) gebildet. Diese verschlechterte Schicht 110 wird als eine geschmolzene-wiederverfestigte bzw. -erstarrte Schicht gebildet, das heißt, die Schicht des Wafers ist einmal geschmolzen worden und so dann wieder fest geworden.
Die Bearbeitungsbedingungen in dem obigen, eine verschlechterte Schicht bzw. Schichten bildenden Schritt werden beispielsweise wie folgt eingestellt.

Lichtquelle: LD-erregter Q- bzw. Güteschalter-Nd: YVO4-Laser
Wellenlänge: Impulslaserstrahl mit einer Wellenlänge von 1.064 nm
Impulsausgang: 10 μJ
Brennfleckdurchmesser: 1 μm
Impulsbreite: 100 nsek
Spitzenleistungsdichte des Fokussierungspunkts: 1,3 × 10¹⁰ W/cm²
Wiederhol- bzw. Folgefrequenz: 100 kHz
Bearbeitungs-Vorschubgeschwindigkeit: 100 mm/sek.

Wenn der Halbleiterwafer 10 dick ist, wie in 6 gezeigt, wird der oben beschriebene, die verschlechterte Schicht bildende Schritt durch schrittweises Ändern des Fokussierungspunkts P mehrmals ausgeführt, um eine Mehr- bzw. Vielzahl von verschlechterten Schichten 110 zu bilden. Beispielsweise wird, wenn die Dicke der unter den obigen Bearbeitungsbedingungen einmal gebildeten, verschlechterten Schicht etwa 50 μm ist, der obige, die verschlechterte Schicht bildende Schritt drei mal ausgeführt, um verschlechterte Schichten 110 mit einer Gesamtdicke von 150 μm zu bilden. In dem Fall eines Wafers 10 mit einer Dicke von 300 μm, können sechs verschlechterte Schichten 110 von der vorderen Fläche 10a zu der hinteren Fläche 10b entlang der Teilungslinien 101 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 gebildet werden. Die verschlechterten Schichten 110 können nur in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 gebildet werden, ohne zu der vorderen Fläche 10a und der hinteren Fläche 10b freigelegt zu werden.
Nachdem die verschlechterte Schicht 110 in dem Inneren des Halbleiterwafers 10 entlang sämtlicher Teilungslinien 101 in dem oben beschriebenen, die verschlechterte Schicht bildenden Schritt gebildet ist, wird ein Band- bzw. Streifenbefestigungsschritt ausgeführt, um eine Flächenseite des Wafers an die Fläche eines Schutzbandes bzw. -streifens zu bringen bzw. anzubringen, der an einem ringförmigen Rahmen angebracht ist. Das heißt, wie in 7 gezeigt, die hintere Fläche 10b des Halbleiterwafers 10 wird an der Fläche des Schutzbandes 16 angebracht, dessen Umfangsbereich an dem ringförmigen Rahmen 15 so angebracht ist, um seine innere Öffnung zu bedecken bzw. abzudecken. Das obige Schutzband 16 wird durch Aufbringen eines Klebemittels bzw. Klebstoffes auf Acrylharzbasis auf die Fläche einer 70 μm dicken Unterlageschicht bzw. -folie, die aus Polyvinylchlorid (PVC) hergestellt ist, bis zu einer Dicke von etwa 5 μm bei der oben veranschaulichten Ausführungsform hergestellt. Dieser Bandbefestigungsschritt kann vor dem obigen, die verschlechterte Schicht bildenden Schritt ausgeführt werden. Das heißt, die vordere Fläche 10a des Halbleiterwafers 10 wird an dem Schutzband 16 in einer solchen Art und Weise angebracht, dass die hintere Fläche 10b nach oben weist, um den obigen, eine verschlechterte Schicht bildenden Schritt in einem Zustand auszuführen, in dem der Halbleiterwafer 10 an dem ringförmigen Rahmen 15 getragen bzw. abgestützt ist.
Der Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 entlang der Teilungslinien 101, wo die verschlechterte Schicht 110 gebildet worden ist, kommt nach dem obigen Bandbefestigungsschritt. Dieser Teilungsschritt wird unter Verwendung einer Teilungsvorrichtung 2 ausgeführt, die in den 8 bis 10 gezeigt ist.
8 ist eine perspektivische Ansicht der Waferteilungsvorrichtung und 9 ist eine auseinander gezogene, perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts der in 8 gezeigten Teilungsvorrichtung. Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist eine Basis 3 und einen bewegbaren Tisch 4 auf, welcher an der Basis 3 in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er sich in einer durch einen Pfeil Y angegebenen Richtung bewegen kann. Die Basis 3 ist rechteckförmig und mit zwei Führungsschienen 31 und 32 versehen, welche an der Oberseite der beiden seitlichen Bereiche der Basis 3 und parallel zueinander in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung installiert bzw. eingebaut sind. Eine Nut 311 mit einem V-förmigen Querschnitt ist in der oberen Fläche der Führungsschiene 31 gebildet.
Der obige, bewegbare Tisch 4 ist rechteckförmig und weist eine kreisförmige Öffnung an der Mitte auf, wie in 9 gezeigt. Eine zu führende Schiene 42, die an der Führungsnut 311, die in der Führungsschiene 31 an der Basis 3 gebildet ist, gleit- bzw. verschiebbar anzubringen ist, ist an der Unterseite des einen seitlichen Bereichs des bewegbaren Tisches 4 gebildet. Der auf diese Art und Weise gebildete, bewegbare Tisch 4 wird durch Einpassen der zu führenden Schiene 42 in der Führungsnut 311, die in der Führungsschiene 31 an der Basis 3 gebildet ist, und durch Platzieren der Unterseite des anderen seitlichen Bereichs an der Führungsschiene 32 an der Basis 3 angebracht, wie in 8 gezeigt.
Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 5 zum Bewegen des bewegbaren Tischs 4 in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung entlang der Führungsschienen 31 und 32 an der Basis 3 auf. Dieses Bewegungsmittel 5 ist durch eine männliche Schraubenspindel bzw. Schraubenspindel 51, die parallel zu der Führungsschiene 32 an der Basis 3 angeordnet ist, ein Lager 52, welches an der Basis 3 angebracht ist und ein Ende der Schraubenspindel 51 drehbar abstützt bzw. lagert, einen Schrittmotor 53, welcher mit dem anderen Ende der Schraubenspindel 51 verbunden ist und die Schraubenspindel 51 antreibt, und einen weiblichen Schraubenblock 54 gebildet, der an der Unterseite des obigen bewegbaren Tischs 4 vorgesehen und an der Schraubenspindel 51 angebracht ist. Das auf diese Art und Weise gebildete, bewegbare Mittel 5 bewegt den bewegbaren Tisch 4 in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung durch drehbares Antreiben des Schrittmotors 53 in der einen Richtung oder der anderen Richtung, um die Schraubenspindel 51 in der einen Richtung oder der anderen Richtung zu drehen.
Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Rahmenhaltemittel 6 zum Halten des ringförmigen Rahmens 15 auf, wie in 7 gezeigt. Wie in 8 und 10 gezeigt, weist das Rahmenhaltemittel 6 einen zylindrischen Körper 61, ein ringförmiges Rahmenhalteglied 62, das an dem oberen Ende des Körpers 61 vorgesehen ist, und eine Mehr- bzw. Vielzahl von Klammern 63 als ein Befestigungsmittel auf, die an dem Außenumfang des Rahmenhalteglieds 62 angeordnet sind. Der zylindrische Körper 61 weist an seinem unteren Ende einen Anbringungsbereich 611, um an der inneren Wand der Öffnung 41, die in dem obigen, bewegbaren Tisch 4 gebildet ist, drehbar angebracht zu werden, und einen ringförmigen Trag- bzw. Stützflansch 612 auf, der in einer radialen Richtung von der äußeren Wand oberhalb des Anbringungsbereichs 611 vorsteht. Das ringförmige Rahmenhalteglied 62 ist an dem oberen Ende des auf diese Art und Weise gebildeten, zylindrischen Körpers 61 angebracht. Die obere Fläche des Rahmenhalteglieds 62 bildet eine Platzierungsfläche 621 zum Platzieren des ringförmigen Rahmens 15, und der ringförmige Rahmen 15 ist an dieser Anbringungsfläche 621 platziert. Der an der Platzierungsfläche 621 platzierte, ringförmige Rahmen 15 ist an dem Rahmenhalteglied 62 mittels der Klammern 63 befestigt. Daher funktioniert das Rahmenhaltemittel 6 als ein Bandhaltemittel zum Halten des Schutzbandes 16, das an dem obigen Halbleiterwafer 10 befestigt ist, mittels des ringförmigen Rahmens 15.
Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Drehmittel bzw. -einrichtung 7 zum Drehen des obigen Rahmenhaltemittels 6 auf, wie in 8 gezeigt. Dieses Drehmittel 7 besteht aus einem Schrittmotor 71, der an der Basis 4 angebracht ist, einer Riemenscheibe 72, die mit der Drehwelle des Schrittmotors 71 verbunden ist, und einem Endlosriemen 73, der um die Riemenscheibe 72 und den Trag- bzw. Stützflansch 612 des zylindrischen Körpers 61 herum gewunden ist. Das auf diese Art und Weise gebildete Drehmittel 7 dreht das Rahmenhaltemittel 6 durch die Riemenscheibe 72 und den Endlosriemen 73 durch Antreiben des Schrittmotors 71.
Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Zugkraftaufbringungsmittel 8 auf, um Zugkraft in einer Richtung senkrecht bzw. rechtwinklig zu den Teilungslinien 101 an dem Halbleiterwafer 10, der an dem ringförmigen Rahmen 15 mittels des Schutzbandes 16 getragen bzw. abgestützt ist, der an dem obigen ringförmigen Rahmenhalteglied 62 gehalten ist, einwirken zu lassen. Das Zugkraftaufbringungsmittel 8 ist an der obigen Basis 3 angebracht und innerhalb des zylindrischen Körpers 61 angeordnet. Dieses Zugkraftaufbringungsmittel 8 weist ein erstes Saug- bzw. Ansaughalteglied 81 und ein zweites Saug- bzw. Ansaughalteglied 82 auf. Wie in 9 gezeigt, sind das erste Saughalteglied 81 und das zweite Saughalteglied 82 in der Weise angeordnet, um entlang eines Paares von Führungsschienen 83 und 84 in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung bewegt zu werden, die parallel zueinander an der obigen Basis 3 eingebaut sind. Das heißt, zwei zu führende Nuten 811 und 811 bzw. zwei zu führende Nuten 821 und 821 sind in der Unterseite des ersten Saughalteglieds 81 bzw. in der Unterseite des zweiten Saughalteglieds 82 mit einem Zwischenraum angebracht, welcher dem Zwischenraum zwischen dem obigen Paar von Führungsschienen 83 und 84 entspricht. Durch Ausrüsten der zwei zu führenden Nuten 811 und 811 bzw. der zwei zu führenden Nuten 821 und 821 mit dem Paar von Führungsschienen 83 bzw. 84, kann das erste Saughalteglied 81 bzw. das zweite Saughalteglied 82 entlang des Paares der Führungsschienen 83 bzw. 84 bewegt werden.
Das Zugkraftaufbringungsmittel 8 bei der veranschaulichten Ausführungsform weist ein Bewegungsmittel bzw. -einrichtung 85 zum Bewegen des ersten Saughaltemittels 81 und des zweiten Saughaltemittels 82 entlang der Führungsschienen 83 und 84, die an der Basis 3 angebracht sind, in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung auf. Dieses Bewegungsmittel 85 weist eine männliche Schraubenspindel bzw. Schraubenspindel 851, die parallel zu den Führungsschienen 83 und 84 angeordnet ist, ein Lager 852 zum drehbaren Abstützen bzw. Lagern eines Endes der Schraubenspindel 851, und einen Schrittmotor 853 auf, der mit dem anderen Ende der Schraubenspindel 851 verbunden ist und die Schraubenspindel 851 drehbar antreibt. Die Schraubenspindel 851 ist in Gewindelöcher 812 und 822 geschraubt, die in dem ersten Saughalteglied 81 und dem zweiten Saughalteglied 82 gebildet sind. Gewinde in dem Gewindeloch 812, das in dem ersten Saughalteglied 81 gebildet ist, und in dem Gewindeloch 822, das in dem zweiten Saughalteglied 82 gebildet ist, sind in entgegengesetzten Richtungen gebildet. Daher sind, an der Schraubenspindel 851, Außengewinde in einem Bereich, der in das Gewindeloch 821 zu schrauben ist, das in dem ersten Saughalteglied 81 gebildet ist, und Außengewinde in einem Bereich, der in das Gewindeloch 822 zu schrauben ist, das in dem zweiten Saughalteglied 82 gebildet ist, in entgegengesetzten Richtungen gebildet. Das auf diese Art und Weise gebildete Bewegungsmittel 85 bewegt das erste Saughalteglied 81 und das zweite Saughalteglied 82 in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander durch drehbares Antreiben des Schrittmotors 853 in einer Richtung, um die Schraubenspindel 851 in einer Richtung zu drehen, während es diese in einer Richtung, um diese nahe zueinander zu bringen, durch drehbares Antreiben des Schrittmotors 853 in der anderen Richtung bewegt, um die Schraubenspindel 851 in der anderen Richtung zu drehen. Luftkolben können als das Bewegungsmittel verwendet werden. Das heißt, ein Luftkolben ist mit dem ersten Saughaltemittel 81 und dem zweiten Saughaltemittel 82 in der Weise verbunden, dass das erste Saughaltemittel 81 und das zweite Saughaltemittel 82 durch die Bewegung der Luftkolben von einander weg oder nahe zueinander bewegt werden.
Das obige erste Saughaltemittel 81 bzw. das obige zweite Saughaltemittel 82 weist eine verlängerte, rechteckförmige erste Haltefläche 813 bzw. eine verlängerte, rechteckförmige, zweite Haltefläche 823 auf, wobei sich die erste Haltefläche 813 und die zweite Haltefläche 823 parallel zueinander in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Richtung des Pfeils Y an den oberen Enden erstrecken. Die erste Haltefläche 813 und die zweite Haltefläche 823 weisen im Wesentlichen die gleiche Länge wie der Durchmesser des obigen Halbleiterwafers auf und sind im Wesentlichen auf der gleichen Höhe wie die Platzierungsfläche 621 des obigen Rahmenhalteglieds 62 positioniert. Sauglöcher 814 bzw. 824 sind in der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 bzw. in der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 gebildet. Diese Sauglöcher 814 und 824 stehen mit einem Saug- bzw. Ansaugmittel bzw. -einrichtung in Verbindung, die nicht gezeigt ist. Daher wirkt, wenn das (nicht gezeigte) Saugmittel aktiviert wird, ein Unterdruck an den Sauglöchern 814 und 824, so dass der Halbleiterwafer 10 an der ersten Haltefläche 813 und der zweiten Haltefläche 823 mittels des obigen Schutzbandes 16 durch Saugen gehalten werden kann.
Zur 8 zurückkehrend wird erläutert, dass die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform ein Detektions- bzw. Feststellungsmittel bzw. -einrichtung 9 zum Detektieren bzw. Feststellen der Teilungslinien 101 des Halbleiterwafers 10 aufweist, der an dem in 7 gezeigten ringförmigen Rahmen 15, der an dem obigen ringförmigen Rahmenhalteglied 62 gehalten ist, mittels des Schutzbandes 16 getragen bzw. abgestützt ist. Das Detektionsmittel 9 ist an einer L-förmigen Stützsäule angebracht, die an der Basis 3 eingebaut ist. Dieses Detektionsmittel 9 besteht aus einem optischen System und einer Bildaufnahmevorrichtung (CCD) und ist oberhalb des obigen Zugkraftaufbringungsmittels 8 angeordnet. Das auf diese Art und Weise ausgebildete Detektionsmittel 9 nimmt ein Bild einer Teilungslinie 101 des Halbleiterwafers 10 auf, der an den ringförmigen Rahmen 15, der an dem obigen ringförmigen Rahmenhalteglied 62 gehalten ist, durch das Schutzband 16 getragen bzw. abgestützt ist, und wandelt das Bildsignal in ein elektrisches Signal um und sendet es zu dem Steuermittel, das nicht gezeigt ist.
Die Waferteilungsvorrichtung 2 bei der veranschaulichten Ausführungsform ist, wie oben beschrieben, ausgebildet und ihre Operation wird im Nachfolgenden unter Bezugnahme hauptsächlich auf 8, 11 und 12(a) und 12(b) beschrieben.
Der ringförmige Rahmen 15, der den Halbleiterwafer 10, dessen Festigkeit entlang der Teilungslinien 101 verringert worden ist, durch das Schutzband 16 trägt bzw. abstützt, wie in 7 gezeigt, wird an der Platzierungsfläche 621 des Rahmenhalteglieds 62 platziert, welches das Rahmenhaltemittel 6 bildet, wie in 11 gezeigt, und wird an dem Rahmenhalteglied 62 mittels der Klammern 63 befestigt.
Nachdem der ringförmige Rahmen 15, der den Halbleiterwafer 10 durch das Schutzband 16 trägt bzw. abstützt, an dem Rahmenhalteglied 62 gehalten ist, wird das Bewegungsmittel 5 aktiviert, um den bewegbaren Tisch 4 in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung (vgl. 8) zu bewegen, um eine Teilungslinie 101 (die am meisten links befindliche Teilungslinie bei der veranschaulichten Ausführungsform), die in der vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 10 gebildet ist, zu einer Position zwischen der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 und der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 zu bringen, wobei diese Saughalteglieder 81 und 82 das Zugkraftaufbringungsmittel 8 bilden, wie in 12(a) gezeigt. In diesem Augenblick wird ein Bild der Teilungslinie 101 durch das Detektionsmittel 9 aufgenommen, um die erste Haltefläche 813 mit der zweiten Haltefläche 823 auszurichten. Nachdem eine Teilungslinie 101 auf diese Art und Weise zwischen der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 und der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 positioniert worden ist, wird das (nicht gezeigte) Saugmittel aktiviert, um einen Unterdruck an den Sauglöchern 814 und 824 wirken zu lassen, um den Halbleiterwafer 10 an der ersten Haltefläche 813 und der zweiten Haltefläche 823 mittels des Schutzbandes 16 durch Saugen zu halten (Halteschritt).
Nach dem obigen Halteschritt wird der Schrittmotor 853, welcher das Bewegungsmittel des Zugkraftaufbringungsmittels 8 bildet, in einer Richtung drehbar angetrieben, um die Schraubenspindel 851 in einer Richtung zu drehen, um das erste Saughalteglied 81 und das zweite Saughalteglied 82 voneinander weg zu bewegen. In Folge dessen wirkt, wie in 12(b) gezeigt, eine Zugkraft in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Teilungslinie 101 an der Teilungslinie 101, die zwischen der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 und der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 positioniert ist, um hierdurch den Halbleiterwafer 10 entlang der Teilungslinie 101 zu teilen (Teilungsschritt). In diesem Teilungsschritt kann, da die Festigkeit des Halbleiterwafers 10 durch die Bildung der verschlechterten Schicht 110 entlang der Teilungslinie reduziert worden ist, der Halbleiterwafer 10 entlang der Teilungslinie 101 dadurch gebrochen werden, dass das erste Saughalteglied 81 und das zweite Saughalteglied 82 um etwa 0,5 mm in der Richtung zum Trennen dieser voneinander bewegt werden.
Bei der veranschaulichten Ausführungsform ist der Halbleiterwafer 10 an dem ersten Saughalteglied 81 und dem zweiten Saughalteglied 82 durch Saugen gehalten, welche an beiden Seiten der Teilungslinie 101 mittels des Schutzbandes 16 positioniert sind, und das erste Saughalteglied 81 und das zweite Saughalteglied 82 werden in der Richtung zum Trennen dieser voneinander so bewegt, dass eine Zugkraft in einer Richtung senkrecht bzw. rechtwinklig zu der Teilungslinie 101 wirkt. Daher kann der Halbleiterwafer 10 entlang der Teilungslinie 101, wo die verschlechterte Schicht 110 gebildet worden ist, genau und sicher geteilt werden. In Folge dessen kann, selbst wenn der Halbleiterwafer 10 ein als "Testelementgruppe (TEG)" bezeichnetes Testmetallmuster zum Testen der Funktion jeder Schaltung an den Teilungslinien aufweist, dieses Metallmuster ebenfalls entlang der Teilungslinien genau geteilt werden.
Nach dem Teilungsschritt zum Teilen des Halbleiterwafers 10 entlang einer Teilungslinie 101, die in der vorbestimmten Richtung gebildet ist, wie oben beschrieben, wird das Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des Halbleiterwafers 10 an dem ersten Saughalteglied 81 und dem zweiten Saughalteglied 82 gelöscht bzw. aufgehoben. Im Anschluss daran wird das Bewegungsmittel 5 aktiviert, um den bewegbaren Tisch 4 um eine Distanz bzw. Strecke, die dem Zwischenraum zwischen den Teilungslinien entspricht, in der durch den Pfeil Y angegebenen Richtung (vgl. 8) zu bewegen, um eine Teilungslinie 101 benachbart zu der Teilungslinie 101, welche dem obigen Teilungsschritt unterworfen war, zu einer Position zwischen der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 und der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 zu bringen, wobei diese Saughalteglieder 81 und 82 das Zugkraftaufbringungsmittel 8 bilden. Im Anschluss daran werden der obige Halteschritt und der obige Teilungsschritt ausgeführt.
Nachdem der obige Halteschritt und der obige Teilungsschritt an sämtlichen Teilungslinien 101 ausgeführt worden sind, die in der vorbestimmten Richtung gebildet sind, wie oben beschrieben, wird das Drehmittel 7 aktiviert, um das Rahmenhaltemittel 6 um 90° zu drehen. In Folge dessen wird der Halbleiterwafer 10, der an dem Rahmenhalteglied 62 des Rahmenhaltemittels 6 gehalten ist, ebenfalls um 90° gedreht, so dass die Teilungslinien 101, die in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu den Teilungslinien 101 gebildet sind, die in der vorbestimmten Richtung gebildet und dem obigen Teilungsschritt unterworfen worden sind, parallel zu der ersten Haltefläche 813 des ersten Saughalteglieds 81 und der zweiten Haltefläche 823 des zweiten Saughalteglieds 82 werden. Daraufhin werden der obige Halteschritt und der obige Teilungsschritt an sämtlichen Teilungslinien 101 ausgeführt, die in der Richtung senkrecht bzw. rechtwinklig zu den Teilungslinien 101 gebildet sind, welche dem obigen Teilungsschritt unterworfen worden sind, um den Halbleiterwafer 10 in einzelne Halbleiterchips entlang der Teilungslinien 101 zu teilen.

Claims

Verfahren zum Teilen eines Wafers, dessen Stärke bzw. Festigkeit entlang einer Mehr- bzw. Vielzahl von Teilungslinien, die an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildet sind, reduziert ist, entlang der Teilungslinien, aufweisend: einen Band- bzw. Streifenbefestigungsschritt zum Befestigen eines Schutzbandes bzw. -streifens an einer Flächenseite des Wafers; einen Halteschritt zum Positionieren eines ersten Saughalteglieds und eines zweiten Saughalteglieds an beiden Seiten einer Teilungslinie und Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des Wafers an dem ersten Saughalteglied und dem zweiten Saughalteglied durch das Schutzband, und einen Teilungsschritt zum Bewegen des ersten Saughalteglieds und des zweiten Saughalteglieds in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander, um eine Zugkraft in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu der Teilungslinie auszuüben.
Waferteilungsvorrichtung zum Teilen eines Wafers, dessen Stärke bzw. Festigkeit entlang einer Mehr- bzw. Vielzahl von Teilungslinien, die an der vorderen Fläche in einem Gittermuster gebildet sind, reduziert ist, entlang der Teilungslinien, aufweisend: ein Band- bzw. Streifenhaltemittel zum Halten eines Schutzbandes bzw. -streifens, der an einer Flächenseite des Wafers befestigt ist; und ein Zugkraftaufbringungsmittel zum Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des an dem Bandhaltemittel getragenen bzw. abgestützten Wafers an beiden Seiten einer Teilungslinie durch das Schutzband und Ausüben einer Zugkraft auf den Wafer in einer Richtung rechtwinklig bzw. senkrecht zu den Teilungslinien.
Waferteilungsvorrichtung nach Anspruch 2, bei der das Zugkraftaufbringungsmittel ein erstes Saughalteglied und ein zweites Saughalteglied zum Saughalten bzw. Durch-Saugen-Halten des Wafers durch das Schutzband an beiden Seiten einer Teilungslinie und ein Bewegungsmittel zum Bewegen des ersten Saughalteglieds und des zweiten Saughalteglieds in einer Richtung zum Trennen dieser voneinander aufweist.
Waferteilungsvorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, bei der das Schutzband an einem ringförmigen Rahmen angebracht ist, und das Bandhaltemittel aus einem Rahmenhaltemittel zum Halten des ringförmigen Rahmens gebildet ist.
Waferteilungsvorrichtung nach Anspruch 4, bei der das Rahmenhaltemittel einen zylindrischen Körper und ein ringförmiges Rahmenhalteglied aufweist, das an dem oberen Ende des Körpers angebracht ist, und das erste Saughalteglied, das zweite Saughalteglied und das Bewegungsmittel innerhalb des zylindrischen Körpers installiert bzw. eingebaut sind.
Waferteilungsvorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, bei der das erste Saughalteglied, das zweite Saughalteglied und das Bewegungsmittel an der Basis angebracht sind, und das Rahmenhaltemittel an einem bewegbaren Tisch angebracht ist, der an der der Basis in einer solchen Art und Weise angebracht ist, dass er in einer vorbestimmten Richtung bewegt werden kann.
Waferteilungsvorrichtung nach Anspruch 6, bei der das Rahmenhaltemittel an dem bewegbaren Tisch drehbar getragen bzw. abgestützt ist, und ein Drehmittel zum Drehen des Rahmenhaltemittels vorgesehen ist.