JPH10116801A

JPH10116801A - 基板分割方法及びその基板分割を用いた発光素子製造方法

Info

Publication number: JPH10116801A
Application number: JP8268370A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Ichihara; 淳市原
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1996-10-09
Filing date: 1996-10-09
Publication date: 1998-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はガラス基板、セラミック基板、シリ
コンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆性基板の分割方
法に関し、殊に複数の素子が配置された半導体ウエハや
光学素子基板を個別の素子単位に分割する基板分割方法
において、回転ブレードの刃幅による切り代の制約を受
けることなく、小さな切り代でダイシングを行え、しか
も裏面溝等の余分な工程を付加することなく簡易にチッ
プ分割を行える基板分割方法を提供することである。【解決手段】本発明にかかる基板分割方法は、脆性基板
に外力を加えて湾曲させる等して応力集中を生じさせ、
その応力集中部分に光を照射し、その光照射の加熱によ
ってクラックを発生させて前記基板を分割することを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板、セラミ
ック基板、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ等の脆
性基板の分割方法に関し、殊に発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）やレーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子を複数形
成してなる光学素子基板を個別の素子単位に分割する基
板分割方法及びその基板分割工程を使用する発光素子製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば半導体ウエハをチップ
やペレット等の素子単位に分離、分割する方法として、
回転ブレードを用いたダイサーによってダイシング溝を
形成し、その溝に沿ってクラッキングする方法が一般的
である（特開昭５１ー２８７５４号公報、特開昭５６ー
１３５００７号公報等参照）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、ダイサーにはダイヤモンド砥石製ブレードを使用し
ているが、ダイシング溝の幅がブレード幅で規制される
ため、５０μｍ以上の切り代を必要とし、ウエハ全体に
占めるダイシング領域の面積が大きくなりウエハ１枚あ
たりのチップ取れ数の向上を妨げていた。逆に幅狭のブ
レードを用いると横方向にマイクロクラックが生じ易く
なるという問題があった。

【０００４】また、エッチング端面タイプのレーザダイ
オードの製造においては、図９に示すように、基板ウエ
ハ５０に各レーザダイオード素子５１を形成し、その各
素子の活性層５３をエッチングによって露出させ反射面
を形成した後、そのエッチング溝底面の所定箇所５５を
ダイヤモンドブレード５４によりカットして所定方向５
６にそって素子毎に分割していた。この場合、ブレード
５４の刃幅が該エッチング溝程度あるため、素子角部に
当たるのを避けて反射面から距離Ｔだけ離れた溝底面の
中央をカットしているが、該反射面から射出されるレー
ザ光Ｌが距離Ｔの突出部分に反射して干渉を起こしてし
まうという問題を生じていた。勿論、一点鎖線で示すよ
うに、素子端面の近傍までカット位置を近づけるのは素
子端面を削ることになり事実上無理であった。さらに、
分割時に破片が飛び散って素子の反射面を傷付けたり、
端面に破片が付着したりして所定の反射率を得ることが
できなかった。

【０００５】殊に、最近青色レーザダイオード製造に使
用されているサファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）基板は大きいモー
ス硬度９（参考：ダイヤモンドは硬度１０）をもつた
め、機械的切断力により分離すると余計なクラックが発
生しやすく上記ダイサーによって精度よくダイシングを
行うことは極めて困難であった。図１０はサファイア基
板を用いたＧaＮ系ＬＥＤ素子のチップブレーキング工
程を示す。サファイア基板を用いたＧaＮ系では、基板
の表裏側に設けられる上下一対の電極を備えたＧaＡs、
ＧaＰ系のものと比較して、表側に電極対を形成する必
要があるという特徴がある。図において基板６０にＰＮ
接合領域６２からなる発光素子部６１が複数形成され、
その発光素子部６１の上部に一方の電極６３が、また発
光素子部６１に隣接して他方の電極６４がそれぞれ形成
されており、電極６４を含む発光素子部６１によって単
位発光素子領域が形成されている。かかるサファイア基
板においても、電極６４付近の所定箇所６６をダイヤモ
ンドブレード６５によってカットして所定方向６７にそ
って素子領域毎に分割していたが、この場合も、ブレー
ド６５を用いるときその刃幅スペースを確保するために
電極６４から離間した箇所６６でカットしなければなら
ず、チップサイズの小型化を実現できなかった。

【０００６】ところで、脆性基板をダイサーによるダイ
シングのみによってフルカットすると、予め半導体ウエ
ハの表面にダイサーによってダイシング溝を形成してお
き、ついで該ウエハをエキスパンドテープに貼布してテ
ープを引っ張りながらローラ等で押圧して個別に分割し
ている（例えば特開平６−２９３８８号公報等参照）。
しかし、この場合も予めダイサーによる溝形成を行って
から、ローラ等による分割処理を行うため、製造工程上
手間が多くかかりコストアップを招くという問題があっ
た。

【０００７】また、レーザを用いて基板をスクライブす
る方法もあるが、厚い基板をフルカットすると熱的かつ
機械的ストレスが多く加わって割れや欠けを生じるため
表裏に溝を形成してスクライブ箇所を薄くする必要があ
り、この場合も製造工程上の手間を要していた（特開昭
５７−１７２７４９号公報等参照）。本発明にかかる課
題は、上記従来の問題点に鑑み、小さい切り代で簡易に
基板分割を行うことができる基板分割方法を提供するこ
とである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】半導体デバイス製造用の
シリコン基板やＬＥＤ、ＬＤ等の発光素子製造用のＧa
Ａs基板等の脆性基板を１００オングストローム程度の
薄板にすると容易に撓み易くなり、本出願にかかる発明
者は、この特性を利用して該脆性基板を湾曲させ、その
湾曲箇所に光照射することによって該基板を割断できる
点に着眼したものである。

【０００９】そこで、上記課題を解決するために、請求
項１にかかる発明の基板分割方法は、基板に外力を加
え、その外力による前記基板の応力集中部分に光を照射
し、その照射光の加熱によってクラックを発生させて前
記基板を分割することを特徴とする。また、請求項２に
かかる基板分割方法は、前記外力を付加することによっ
て前記基板を湾曲させ、その湾曲部分の頂部にそって前
記光を照射することを特徴とする。

【００１０】さらに、請求項３にかかる発明は、請求項
１または請求項２の基板分割方法を用いて個別のＬＥＤ
やＬＤ等の発光素子を製造する方法であって、前記基板
に互いに段差部で隔てられた複数の発光素子領域を形成
し、前記段差部に前記応力集中部分を設けて前記光の照
射を行うことによって前記基板を分割することを特徴と
する。

【００１１】本発明における上記基板は、例えばシリコ
ン半導体を用いるときはシリコンウエハが、またエピタ
キシャル成長層を備えた基板等が用いられる。また、照
射光としてレーザ光、赤外光等を使用でき、好ましくは
高出力なものがよい。さらに、光照射は例えば基板の湾
曲頂面の表側からでも裏側からでも行うことができる

【００１２】。

【発明の効果】本発明によれば、例えば基板を貼付した
テープを利用して、そのテープを引っ張りながら基板を
湾曲させ、その湾曲箇所にレーザ光等の照射を行うこと
によって簡易に基板を分割することができるので、余分
の切り代を設けることなく、チップあるいはペレットの
基板１枚あたりの取れ数を格段に向上させることができ
る。また、殊に、ＬＥＤやＬＤ等の発光素子チップの製
造におけるチップ単位への分割工程に適用したとき、素
子領域の形成時に生じる段差部が基板の薄肉部になり、
これを光照射箇所に利用することによって円滑に分割を
行うことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施した例を図面
によって説明する。図１は本発明を半導体ウエハのチッ
プ製造工程に適用した例を示す。半導体シリコンウエハ
１は回路素子形成工程（図示せず）において形成された
複数素子パターンを有し、粘着テープ２に貼着された状
態で図１のチップ分割装置によって個別の素子チップに
分離される。同分割装置において、粘着テープ２の外周
端部５を保持部材３及び４によって挟持し、外側方向に
引っ張ることによってウエハ１外周に向け面方向Ａに所
定の張力Ｔを加えた状態で、かつ略水平に保持されてい
る。粘着テープ２の下方には突き上げ片６が図示しない
駆動機構によって上下及び水平移動自在に配置されてい
る。突き上げ片６は舌片状素材からなり、上方向Ｂに移
動することによってテープ２に当接し、さらに上昇する
ことによってテープ２に貼着されたウエハ１を若干水平
位置から持ち上げてウエハ１を湾曲させる。また、ウエ
ハ１に対して順次所定ピッチで割断するように突き上げ
片６はテープ２面にそって水平方向Ｃに移動する。そし
て、ウエハ１側上方にはウエハ１表面に照射するＹＡＧ
レーザ光の光源８が配置されており、レーザ光は光学レ
ンズ９を介してウエハ１表面に集光される。また、光源
８は突き上げ片６と同様に、光学レンズ９とともにウエ
ハ１表面にそって移動自在に設けられている。なお、半
導体シリコンウエハ１には例えば４〜８インチ径で、厚
さ約２００オングストロームのものを使用する。

【００１４】なお、粘着テープ２はいわゆるエキスパン
ドテープと称されるテープであって、そのテープ素材に
はポリオレフィン系や熱可塑性エラストマー系等の重合
体、例えばポリエチレン、ポリウレタン等を用いること
ができる。また、テープ片面に塗布される接着剤（図２
の７参照）にはテープ２に引っ張り力を付加してもウエ
ハ１が剥離しない程度の貼着力を保持し得るものであ
り、例えばポリアクリル酸エステル系やシアノアクリラ
ート系等の接着剤を用いることができる。

【００１５】上記分割装置によるウエハ分割処理を説明
する。図２は割断箇所の拡大を示す。図１に示したよう
に、ウエハ１をテープ２に貼着し、かつテープ２を外周
方向に引っ張って張力Ｔを加えた状態で突き上げ片６を
上方に移動して薄板のウエハ１を上向きに凸の状態に湾
曲させる。ウエハ１は突き上げ片６の線状先端部がテー
プ２に略直線的に当接することによって、屋根のような
形状に持ち上げられる。そして、突き上げ片６による応
力集中部分、即ち該湾曲部分の稜に対して光源８からの
レーザ光１０を光学レンズ９を通じて照射する。このレ
ーザ照射において、ウエハ１の該稜の両側には保持部材
３及び４による所定の張力が加えられており、かつレー
ザ光１０の加熱による熱応力によって該稜に亀裂（クラ
ック）１１が生じ、さらに突き上げ片６による外力負荷
を受けて稜線方向にそって分割される。突き上げ片６の
上方移動は基板分割の時点で停止する。また、レーザ光
照射ポイントをウエハ１の端部から開始し上記稜線つま
り突き上げ片６の当接方向Ｄにそってシフトさせ走査す
ることによって長尺状の分割片１３を得ることができ、
さらに突き上げ片６及び光源８を分割片１３の幅だけ順
次シフトして、複数に分割していくことができる。分割
後の分割片１３どうしは上記張力を受け微小間隔１２を
開けて順次並んだ状態になる。ウエハ１全面に対して所
定方向の分割を終了すれば、ウエハ１ないし突き上げ片
６を９０°回転させ、突き上げ片６によるウエハ湾曲及
びレーザ光照射を繰り返すことによってウエハ１に対す
る縦横の分割を行うことができ、複数の素子チップを得
ることができる。

【００１６】次に、サファイア基板を用いたＧaＮ系Ｌ
ＥＤチップの製造への本発明の適用例を図３に示す。上
記実施例と同じ部材については同一符号を付している。
図においてサファイア基板３０表面側に通常のＬＥＤ素
子形成工程（図示せず）に従いＰＮ接合領域からなる発
光素子部３２が複数形成されている。発光素子部３２の
上部には一方の電極（図示せず）が、また発光素子部３
２に隣接する基板部位がエッチング処理によって除去さ
れて段差部３１が形成され、その段差部３１表面に他方
の電極（図示せず）が形成されている。複数の矩形単位
発光素子領域を区画するように段差部３１が縦横に形成
されており、各単位発光素子に分割するため本発明の基
板分割工程を行う。なお、サファイア基板３０には例え
ば２インチ径で、厚さ約１００オングストローム以下の
ものを使用する。

【００１７】この基板分割工程において、複数の発光素
子部３２を形成した基板３０は粘着テープ２に貼着され
た状態で、粘着テープ２の外周端部を外側方向に引っ張
ることによってウエハ１外周に向け張力が加えられてい
る。そして、粘着テープ２の下側の舌片状突き上げ片６
を段差部３１の中心に向け上昇させることによってテー
プ２に当接させ、さらに上昇させることによって基板３
０を若干水平位置から持ち上げて湾曲させる。突き上げ
片６の上方移動は基板３０を所定の湾曲形状に保持する
状態で停止させる。次に突き上げ片６に対向する位置に
配置したレーザ光源からのレーザ光１０を湾曲頂面の段
差部３１の中心に照射する。レーザ光源にはサファイア
基板への光吸収性に富むＣＯ2ガスレーザやエキシマレ
ーザ等を用いることができる。このようにして、基板３
０の薄肉部分に相当する段差部３１の両側壁への張力付
加によって生ずる応力集中部分に対してレーザ光加熱を
行うことにより段差部３１の溝方向にそって亀裂３３が
生じ、さらに突き上げ片６による外力負荷を受けてその
方向にそって分割される。また、レーザ光照射ポイント
を基板３０の端部から開始し段差部３１の長手方向つま
り突き上げ片６の当接方向にそってシフトさせ走査する
ことによって長尺状の分割片３５を得ることができる。
さらに突き上げ片６を段差部３１ずつ順次シフトさせ、
レーザ照射を行うことによって複数の分割片３５を得る
ことができ、分割後の分割片３５どうしは上記張力を受
け微小間隔３４を開けて順次並んだ状態になる。基板３
０全面に対して所定方向の分割を終了すれば、基板３０
ないし突き上げ片６を９０°回転させ、上記の基板湾曲
およびレーザ光照射を繰り返すことによって基板３０に
対する縦横の分割を行って、複数の素子チップを得るこ
とができる。

【００１８】さらに、例えばダイオード素子製造用の区
画溝を備えた基板の分割例を図４に示す。図１及び図２
の実施例と同じ部材については同一符号を付している
（以下の図５〜図８の例も同様）。この基板４０はダイ
オード素子部４５を縦横の、いわゆるメサ溝と称される
エッチング溝４１によって碁盤目状に複数形成されたも
のであり、テープ２に貼付されている。ダイオード素子
部４５及びエッチング溝４１は予め素子形成工程（図示
せず）において形成され、素子チップ単位への個別分割
のために、溝４１に光吸収材４２が予め塗布されてい
る。光吸収材４２はレーザ照射工程で用いるレーザ光を
吸収する色の顔料を有し、例えばＹＡＧレーザを用いる
ときには波長1.06μｍの光を吸収させる顔料を用いれば
よい（特に、工作機械技術研究会・編監修・安井武司
「工作機械シリーズレーザ加工」Ｐ１２７〜１３４に
記載の、「ＹＡＧレーザによるガラス切断加工」、黒部
利次著、大北出版 [平成２年９月１０日発行] にＹＡ
Ｇレーザ吸収には青色塗布インクが適するとある)。即
ち、これの素材には例えば、一般に印刷インク等に用い
られる有機顔料、例えばアゾ顔料、あるいはフタロシア
ニン系縮合多環系顔料などであり、また市販のマジック
インキ（商品名）を使用してもよい。そして、光吸収材
４２の溝注入あるいは埋設は、基板表面にスピンコート
法により予め塗布し、その後表面の余分の溶液を拭き取
って取り除き、溝４１底部にのみ光吸収材４２を残存さ
せるようにして行う。

【００１９】図４における素子分割処理を説明する。上
記の光吸収材４２の溝４１への注入状態で、舌片状突き
上げ片６を溝４１に対向するように基板裏側に配置す
る。そして、基板４０の表面から上記レーザ光を照射す
る。このとき、光学レンズ９によってレーザ光１０のフ
ォーカスポイントが溝４２の底部に合うように調整して
光吸収材４２にレーザ光１０を集光させる。このレーザ
照射とともに突き上げ片６を上方に移動させ上向きの外
力を付加する。かかる外力付加による応力集中状態にお
いて、レーザ光は光吸収材４２に吸収され、光吸収材４
２が局部的に急激に熱膨張するとともにその周辺の基板
４０の部位も加熱され膨張するため、基板４０の裏面方
向に向かい、かつ溝の形成方向にそってクラック４６が
より円滑に成長していき、各チップ列４３単位に分割す
ることができる。各チップ列４３はテープ２の引っ張り
状態において若干の隙間４４を明けて分離される。列単
位の分割が終了すると基板４０あるいは突き上げ片６を
９０°向きを変えて行方向に対しての分割を繰り返し、
素子チップ単位の分割を行うことができる。

【００２０】このように、各ダイオード素子をメサ溝
（エッチング溝４１）で形成するダイオードチップの製
造において、該溝の形成を利用してその底部に塗布した
レーザ非透過性の光吸収材４２に光照射することによっ
て光吸収性を高め、より円滑かつ簡易にチップ分割をす
ることができる。尚、上記光吸収材には従前より半導体
製造プロセスに使用されているフォトレジスト材料を用
いてもよい。即ち、溝形成後、スピンコート法によって
塗布し、ついで溝底部にのみ残留するようにアッシング
(ashing)処理を施し、さらに窒素ガス雰囲気で加熱処理
してその残留レジストを炭化させることによって生じた
炭化物を光吸収材として用いればよい。勿論、このよう
な光吸収材の使用による光吸収性の向上は図３の場合等
にも適用される。レーザ光も光吸収材４２以外の基板等
に吸収されにくい波長のものを選択することによって照
射スポットのサイズが溝４２より多少大きくなってもよ
い。

【００２１】本発明を適用できる基板には以上の実施例
の他にＬＤチップ等の製造に用いられるＧaＡs基板にも
勿論適用可能である。殊にＬＤチップ製造用ＧaＡs基板
の場合、通常厚さ５０オングストローム程度と十分に薄
いため撓み易く、円滑に分割される。照射レーザ光も対
象基板に応じて種々の波長のものを使用すればよく、例
えばＧaＡs基板への光吸収性がよいＡrレーザ光（例え
ば波長0.49μｍ）やＨe−Ｎeレーザ光（例えば波長0.63
μｍ）を用いることができる。さらに、突き上げ片によ
る外力付加のポイントを基板のへき開方向にそって設定
し、かつ光照射をその位置に応じて行うことにより基板
のへき開方向にそって簡易に分割することができる。

【００２２】また、基板突き上げ方式の他に、基板を湾
曲させる別の手段を図５に示す。図においてシリコンウ
エハ等の基板８０はテープ８２に貼着され、基板端部８
４をテープ８２とともに引っ張られた状態で回転体８１
の周面にそって保持部材８３によって固定されている。
保持部材８３はクランプ等の機械的手段で構成されてお
り、回転体８１の接線方向の引っ張り張力を基板８０及
びテープ８２に加えた状態に保持する。このように基板
８０をテープ８２を介して回転体８１の周面にそって取
り付けられているので、全体として湾曲した状態に保持
され、上記の実施例で使用した突き上げ片による突き上
げ状態と同様の外力付加状態に設定されている。そし
て、光学レンズ９等によるレーザ照射手段が回転体８１
周面の頂点上方に配置されている。

【００２３】上記の回転体８１からなる基板湾曲手段を
用いることによって基板８２は円柱側面に巻き付くよう
に湾曲し、その湾曲頂点にレーザ光１０を与えるとその
加熱による熱応力と上記引っ張り張力によって基板を分
割することができる。レーザ照射を回転体８１の軸方向
にシフトして該軸方向にそった基板分割を行え、さらに
１列分８５の分割を終了した後順次回転体８１を所定角
度回転させ上記レーザ照射を繰り返すことによって複数
列に基板分割を行うことができる。この場合回転体８１
だけで基板湾曲及び基板のピッチ送りを簡単に行うこと
ができる。図における８６は基板分割によって生じた列
間の隙間を示す。

【００２４】さらに、真空吸着手段を用いて基板を湾曲
させる図６〜図８の例を説明する。まず、図６及び図７
の例はエアーチャック機能を備えた基板搬送手段を有す
る基板分割装置を示す。この例は真空吸着面を備えた吸
着部材１００を複数連結した可搬式基板吸着装置を用い
ている。各吸着部材１００は駆動ベルト１０１に取り付
けられている。駆動ベルト１０１はチェーンやタイミン
グベルト等で構成され、駆動ギア１０２との歯合によっ
て所定方向に間欠的に移動する。各吸着部材１００には
図７に示すように表面の開口部１０３を備えた真空排気
路１０９が内設されている。そして各真空排気路１０９
は、駆動ベルト１０１と並設されたメイン排気路１１１
と吸引口１１２と断続的かつ気密に連通する。

【００２５】上記の可搬式基板吸着装置において、各吸
着部材１００上に半導体ウエハ等の基板１０４を載置し
ておき、真空排気装置（図示せず）によってメイン排気
路１１１を真空排気すると、吸引口１１２を通じて真空
排気路１０９内が負圧になるため基板１０４は開口部１
０３を通じて吸着部材１００に吸着される。かかる基板
１０４の吸着状態で駆動ベルト１０１を駆動して基板１
０４を順次搬送していくと、駆動ギア１０２の外周にそ
って曲げられた状態に移行する。この基板曲げ地点の上
方に光源８及び光学レンズ９からなるレーザ照射手段が
配置されており、基板分割時に円柱面状に曲げられた基
板１０４表面にレーザ光照射を行う。このように真空吸
着されたまま強制的に湾曲されることにより応力集中が
基板１０４に与えられ、その部分にレーザ光加熱が加わ
ることによってクラック１０６を基板１０４に発生さ
せ、さらにレーザ光照射を横方向に走査してクラックが
基板１０４を横断するように生じさせる。このようにし
て分割された基板片１０５は駆動ギア１０２によるコマ
送りによって、吸着力の弱くなる先端前方位置まで搬送
され、その地点で回動自在の吸着コレット１０７に吸着
され吸着部材１００から引き離される。そして、吸着コ
レット１０７が回転、上下移動してリードフレーム等の
マウント基板１０８上に基板片１０５をボンディングす
る。この例によれば、レーザ照射、分割片の移動及びコ
レット動作を繰り返すことによって基板１０４から直接
マウント基板１０８へのチップのピックアンドプレイス
を可能にする。

【００２６】次に、図８は吸着コレット２０３を用いて
基板を湾曲させる場合である。真空チャック台２０１は
その平坦表面に多数の吸着口を多数備えた固定台座であ
り、内部に各吸着口と連通するエアー排気路２０２を有
している。真空チャック台２０１の平坦面に載置された
被分割基板２００はエアー排気路２０２を通じて真空吸
着され、真空チャック台２０１側の一端は送り兼用のス
トッパ２０４に保持され、また他端は分割幅相当部分よ
り少し台外に突出してセットされる。そして、その突出
部分に対向して真空チャック用吸着コレット２０３が上
方に配置されており、吸着コレット２０３は基板２００
の端部を吸着したまま上方に移動し基板２００を上側に
湾曲させる。一方、基板２００の下側には光源８及び光
学レンズ９からなるレーザ照射手段が配置されており、
上記吸着コレット２０３によって湾曲された基板端部の
湾曲頂面にレーザ光照射を行って基板分割を行う。この
場合の基板分割メカニズムも上述の実施例と同様であ
り、基板分割の後は真空吸引力を少し弱め、ストッパ２
０４を真空チャック台２０１の外側に水平移動させて基
板を分割幅だけ押し出して次の基板分割に供することが
でき、基板の連続分割を簡易に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるチップ分割装置の概略
構成を示す側断面図である。

【図２】図１の実施例の半導体ウエハの分割例を示す模
式断面図である。

【図３】本発明の実施例であるサファイア基板の分割例
を示す模式断面図である。

【図４】本発明の実施例であるダイオード素子の分割例
を示す模式断面図である。

【図５】本発明の実施例であるチップ分割装置の概略構
成を示す側断面図である。

【図６】本発明の別の実施例であるチップ分割装置の概
略構成を示す側面図である。

【図７】図６のチップ分割装置における基板吸着部を示
す部分平面図である。

【図８】本発明のさらに別の実施例であるチップ分割装
置の概略構成を示す側面図である。

【図９】従来のレーザダイオード素子のチップ分割工程
を示す模式断面図である。

【図１０】従来のサファイア基板の分割工程を示す模式
断面図である。

【符号の説明】

１半導体シリコンウエハ２粘着テープ６突き上げ片８光源１０レーザ光１３分割片

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｓ 3/18 Ｈ０１Ｓ 3/18 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に外力を加え、その外力による前記
基板の応力集中部分に光を照射し、その照射光の加熱に
よってクラックを発生させて前記基板を分割することを
特徴とする基板分割方法。
【請求項２】前記外力を付加することによって前記基
板を湾曲させ、その湾曲部分の頂部にそって前記光を照
射することを特徴とする請求項１記載の基板分割方法。
【請求項３】前記基板に互いに段差部で隔てられた複
数の発光素子領域を形成し、前記段差部に前記応力集中
部分を設けて前記光の照射を行うことによって前記基板
を分割することを特徴とする請求項１または請求項２記
載の基板分割方法を用いた発光素子製造方法。